CN220672356U - 一种电感器 - Google Patents

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丁富建
陈世伟
刘健华
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Abstract

本实用新型提供了一种电感器,电感器包括线圈本体及包覆所述线圈本体的磁体,线圈本体包括若干层叠设置的导电线圈;每一导电线圈均包括顺次层叠设置的下导体层、绝缘膜、上导体层;所述绝缘膜至少包括一个通孔,所述通孔中设置有触点,以使得下导体层与上导体层实现电接触;其中,相邻所述导电线圈的通孔错位分布,相邻所述导电线圈之间通过键连接。相邻的导电线圈通过键连接,由物理连接形成的多层线圈的电感器相较于传统叠层,无需锡膏等辅助材料。

Description

一种电感器
技术领域
本实用新型涉及电感器制造领域,特别涉及一种电感器。
背景技术
线圈电感器通常用于电气应用,可分为用于信号处理的射频(RF)电感器和用于电源线的功率电感器。在RF电感器的应用中,线圈电感器可用于扼流、阻塞、衰减或过滤/平滑电路中的高频噪声。在功率电感器的应用中,功率电感器形成DC-DC转换器或其它设备中的电压转换电路的一部分。例如,在升压、降压或升压/降压电路中使用功率电感器将特定电压转换为所需电压。
现有的电感器通常通过两种方式制成,一是传统的电感线圈通过相同厚度、宽度的导电材料通过绕线形成;另一种是,半导体电感线圈,一般通过对导电金属层进行蚀刻加电镀形成所需的图案,再通过锡膏将多层电感线圈连起来形成电感器主体。而对于第二种半导体电感线圈的制造,线圈之间通过锡膏实现叠层连接,较为繁琐,本司开发了一种电感器,相连的金属层通过键连接形成电感器主体。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种电感器。
本实用新型要解决的是现有的半导体电感线圈之间通过锡膏实现连接,从而制造步骤较为繁琐的问题。
为了解决上述问题,本实用新型通过以下技术方案实现:
一种电感器,包括线圈本体及包覆所述线圈本体的磁体,所述线圈本体包括若干层叠设置的导电线圈;每一导电线圈均包括顺次层叠设置的下导体层、绝缘膜、上导体层;所述绝缘膜至少包括一个通孔,所述通孔中设置有触点,以使得下导体层与上导体层实现电接触;其中,相邻所述导电线圈的通孔错位分布,相邻所述导电线圈之间通过键连接。
进一步地,所述导电线圈的下导体层或上导体层设置有至少一个凸起或凹槽,或上导体层和下导体层分别具有至少一个凸起或凹槽;相邻的导电线圈通过所述凸起与所述凹槽的卡接配合实现连接。
进一步地,所述凸起与所述凹槽的卡接配合为过盈配合。
进一步地,相邻绝缘膜之间的导体层经过所述凸起与所述凹槽卡接配合后形成线宽为W的导电层。
进一步地,每一所述导电层的边缘对齐。
进一步地,所述电感器的顶面导体层与底面导体层为线宽为W的平面。
进一步地,所述下导体层和/或上导体层为一层或多层导电膜沿垂直绝缘膜方向层叠形成。
与现有技术相比,本实用新型技术方案及其有益效果如下:
(1)本实用新型的电感器,通过若干层叠设置的导电线圈形成,每一导电线圈为双面线圈,相邻的导电线圈通过键连接。物理连接形成的多层线圈的电感器相较于传统叠层,无需锡膏等辅助材料。
(2)本实用新型的相邻线圈通过凹槽与凸起的过盈配合,即上导体层与下导体层进行键合形成导电层,既确保了相邻线圈的连接稳固性,又可以保证稳定的电传导性能。
(3)本实用新型的导电线圈包括多种形式,根据所需层数自行选择双面导电线圈,使得电感器的形成更加灵活多变。
(4)本实用新型的电感器将蚀刻完成的双面线圈沿垂直绝缘膜方向层叠放置,凸起与凹槽相对应,再通过机械压力将凸起挤压进所述凹槽,形成过盈配合,通过导体自身的物理结构进行键合形成线圈、同时实现相邻线圈的连接,无需辅助材料,简化了电感器线圈的形成工序,同时还能防止错位。
附图说明
图1是本实用新型实施例提供的一种电感器的立体图;
图2是本实用新型实施例提供的导电线圈结构图;
图3是本实用新型实施例提供的导体层的结构图(开设有凹槽);
图4是本实用新型实施例提供的一种电感器的立体图,其中,顶层导电线圈的上导体层未显示;
图5a是本实用新型实施例提供的第一导电线圈的正视图;
图5b是本实用新型实施例提供的第一导电线圈的立体图;
图6a是本实用新型实施例提供的第二导电线圈的正视图;
图6b是本实用新型实施例提供的第二导电线圈的立体图;
图7a是本实用新型实施例提供的第三导电线圈的正视图;
图7b是本实用新型实施例提供的第三导电线圈的立体图;
图8a是本实用新型实施例提供的第四导电线圈的正视图;
图8b是本实用新型实施例提供的第四导电线圈的立体图;
图9a是本实用新型实施例提供的第五导电线圈的正视图;
图9b是本实用新型实施例提供的第五导电线圈的立体图。
图示说明:
第一导电线圈-10;第二导电线圈-20;第三导电线圈-30;第四导电线圈-40;第五导电线圈-50;
下导体层-110;第一下导体层-111;第二下导体层-112;第三下导体层-113;第四下导体层-114;第五下导体层-115;
上导体层-120;第一上导体层-121;第二上导体层-122;第三上导体层-123;第四上导体层-124;第五上导体层-125;
绝缘膜-130;第一绝缘膜-131;第二绝缘膜-132;第三绝缘膜-133;第四绝缘膜-134;第五绝缘膜-135;
触点-140;第一触点-141;第二触点-142;第三触点-143;第四触点-144;第五触点-145;
凸起-101;凹槽-102;导电层-103。
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
参阅图1及图2,一种电感器,包括线圈本体及包覆所述线圈本体的磁体,线圈本体包括了若干层叠设置的导电线圈,相邻导电线圈之间通过键连接。每一导电线圈均包括顺次层叠设置的下导体层110、绝缘膜130、上导体层120。绝缘膜120至少包括一个通孔(未图示),通孔中设置有触点140,触点140以使得下导体层110与上导体层120实现电接触,相邻导电线圈的通孔错位分布。可以理解的是,下导体层和/或上导体层为一层或多层导电膜沿垂直绝缘膜方向层叠形。
电流从第一层导电线圈的下导体层的起始端(电极端)流入,流经第一层导电线圈的下导体层至触点140,经过触点导通至第一层导电线圈的上导体层,因第一层导电线圈与第二层导电线圈通过键连接,即第一层导电线圈的上导体层与第二层导电线圈的下导体层通过键连接,再即,电流流至第一层导电线圈的上导体层时即流至第二层导电线圈的下导体层,电流流经第二层导电线圈的下导体层通过触点140导通第二层导电线圈的上导体层,以此类推,最终从最顶层的上导体层的末端(电极端)流出。
参阅图3及图4,在本实施例中,每一导电线圈的下导体层或上导体层至少设置有一个凸起101或凹槽102,包括绝缘膜一侧(下导体层)设置有凸起另一侧为线宽为W的导电层、绝缘膜一侧(下导体层)设置有凹槽另一侧为线宽为W的导电层、绝缘膜一侧(上导体层)设置有凸起另一侧为线宽为W的导电层、绝缘膜一侧(上导体层)设置有凹槽另一侧为线宽为W的导电层四种类型;或上导体层和下导体层分别具有至少一个凸起101或凹槽102,包括绝缘膜一侧(下导体层)设置有凸起另一侧设置有凹槽、绝缘膜一侧(下导体层)设置有凸起另一侧设置有凸起、绝缘膜一侧(下导体层)设置有凹槽另一侧设置有凹槽、绝缘膜一侧(下导体层)设置有凹槽另一侧设置有凸起四种类型。
合理选择所需导电线圈的类型,使得凹槽102与相邻的导电线圈的凸起101适配卡接,从而实现了相邻的导电线圈的连接。凸起101与凹槽102的卡接配合为过盈配合,从而使得相邻的导电线圈的连接牢固、电传导性能稳定。相较于传统叠层,不需要辅助材料,也不需要关于辅材的繁琐工艺,同时还能防止错位。
下层导电线圈的上导体层与上层导电线圈的下导体层通过凹槽102与凸起101的卡接配合后形成线宽为W的导电层103,即,每一导电层103的线宽均为W,本实施例中,每一导电层103的边缘对齐,这里的边缘包括内边缘与外边缘。凹槽沿其所在导体层的导体(线圈)开设,可以开设在线圈的一部分长度,也可以尽可能的沿着线圈的长度开设,使得形成的凹槽长度更长,当然凸起与凹槽适配调整长度。
本实施例以包含五层导电线圈的电感器为例进行具体说明。
参阅图5a及图5b,第一导电线圈10包括第一下导体层111、第一绝缘膜131和第一上导体层121,第一下导体层111与第一上导体层121通过设置于第一绝缘膜131的通孔内的第一触点141实现电接触。第一下导体层111的线宽为W,第一上导体层121设置有一个凸起。
参阅图6a及图6b,第二导电线圈20包括第二下导体层112、第二绝缘膜132和第二上导体层122,第二下导体层112与第二上导体层122通过设置于第二绝缘膜132的通孔内的第一触点142实现电接触。第二上导体层122设置有一个凸起,第二下导体层112设置有用于容置第一上导体层121的凸起的凹槽102,从而使得第二下导体层112与第一上导体层121实现连接,即第一导电线圈10与第二导电线圈20实现连接。
参阅图7a及图7b,第三导电线圈30包括第三下导体层113、第三绝缘膜133和第三上导体层123,第三下导体层113与第三上导体层123通过设置于第三绝缘膜133的通孔内的第三触点143实现电接触。第三下导体层113与第三上导体层123均设置有容置凸起的凹槽102,第三下导体层113的凹槽102与第二上导体层122的凸起进行卡接,从而使得第三下导体层113与第二上导体层122实现连接,即第二导电线圈20与第三导电线圈30实现连接。
参阅图8a及图8b,第四导电线圈40包括第四下导体层114、第四绝缘膜134和第四上导体层124,第四下导体层114与第四上导体层124通过设置于第四绝缘膜134的通孔内的第四触点144实现电接触。第四上导体层124设置有凹槽102,第四下导体层114设置有一个凸起,第四下导体层114的凸起与第三上导体层123的凹槽进行卡接,从而使得第四下导体层114与第三上导体层123实现连接,即第三导电线圈30与第四导电线圈40实现连接。
参阅图9a及图9b,第五导电线圈50包括第五下导体层115、第五绝缘膜135和第五上导体层125,第五下导体层115与第五上导体层125通过设置于第五绝缘膜135的通孔内的第五触点145实现电接触。第五上导体层125为线宽W的导电层,第五下导体层115设置有一个凸起,第五下导体层115的凸起与第四上导体层124的凹槽进行卡接,从而使得第五下导体层115与第四上导体层124实现连接,即第四导电线圈40与第五导电线圈50实现连接。
本实施例还提供一种电感器的制造方法。
S1、准备双面导电线圈或若干双面导电线圈成阵列排布的双面线圈层;双面导电线圈包括顺次层叠的下导体层、绝缘膜、上导体层,下导体层与所述上导体层通过贯穿绝缘膜的触点实现电接触。
双面线圈可以下导体层或上导体层至少设置有一个凸起101或凹槽102、或者是上导体层和下导体层分别具有至少一个凸起101或凹槽102,从而形成八种。在其他实施例中,凸起与凹槽的数量可适当调整,例如进行配合的一导体包含两个凸起,另一导体设置有两个凹槽,从而实现两导体上的凸起与凹槽进行过盈卡接。
S2、将若干蚀刻完成的双面线圈或双面线圈层沿垂直绝缘膜方向层叠放置,凸起与凹槽相对应。
S3、通过机械压力将凸起挤压进凹槽,形成过盈配合,从而使得相邻双面线圈相连,得到线圈本体或线圈本体组,线圈本体组包括若干阵列排布的线圈本体。
S4、磁性材料浆料平铺以覆盖线圈本体或线圈本体组,形成电感器或电感器组。
S5、切割电感器组以形成多个电感器,每一电感器包括线圈本体中的一个以及包覆该线圈本体的磁体。由此,本实用新型的制造方法可以进行多个电感器的批量制造,从而大大提高了生产效率。
上述说明示出并描述了本实用新型的优选实施例,应当理解本实用新型并非局限于本文所披露的形式,不应看作是对其他实施例的排除,而可用于各种其他组合、修改和环境,并能够在本文实用新型构想范围内,通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本实用新型的精神和范围,则都应在本实用新型所附权利要求的保护范围内。

Claims (7)

1.一种电感器,其特征在于,包括线圈本体及包覆所述线圈本体的磁体,所述线圈本体包括若干层叠设置的导电线圈;
每一导电线圈均包括顺次层叠设置的下导体层、绝缘膜、上导体层;所述绝缘膜至少包括一个通孔,所述通孔中设置有触点,以使得下导体层与上导体层实现电接触;
其中,相邻所述导电线圈的通孔错位分布,相邻所述导电线圈之间通过键连接。
2.根据权利要求1所述的一种电感器,其特征在于,所述导电线圈的下导体层或上导体层设置有至少一个凸起或凹槽,或上导体层和下导体层分别具有至少一个凸起或凹槽;相邻的导电线圈通过所述凸起与所述凹槽的卡接配合实现连接。
3.根据权利要求2所述的一种电感器,其特征在于,所述凸起与所述凹槽的卡接配合为过盈配合。
4.根据权利要求2所述的一种电感器,其特征在于,相邻绝缘膜之间的导体层经过所述凸起与所述凹槽卡接配合后形成线宽为W的导电层。
5.根据权利要求4所述的一种电感器,其特征在于,每一所述导电层的边缘对齐。
6.根据权利要求4所述的一种电感器,其特征在于,所述电感器的顶面导体层与底面导体层为线宽W的平面。
7.根据权利要求1所述的一种电感器,其特征在于,所述下导体层和/或上导体层为一层或多层导电膜沿垂直绝缘膜方向层叠形成。
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