CN220628942U - 基于mtk平台的低温升充电电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种基于MTK平台的低温升充电电路，该电路由充电适配器和电子设备组成，其中充电适配器集成了交直流转换模块、充电控制模块和温度检测模块，温度检测模块可以实时监测充电电路的温升情况，在温度过高时通过反馈控制降低充电电流。本实用新型所设计的基于MTK平台的低温升充电电路，通过将发热最大的充电单元放到充电适配器，从而有效降低电子设备的温升，进而提升电子设备的使用体验和性能，同时还能减小电子设备电路板所占空间，有利于PCB的布局和走线，为设备性能提升较大好处，还能降低电子设备的成本。

Description

基于MTK平台的低温升充电电路

技术领域

本实用新型涉及线性充电技术领域，特别是一种基于MTK平台的低温升充电电路。

背景技术

在现有技术中，随着智能手机的普及使用，用户对手机续航时间的需求也随之提高。但是受限于电池技术难以进一步提升能量密度，智能手机电池容量很难取得大幅提高。为了让用户可以在短时间内快速给手机充电补充电量，各种快速充电技术应运而生并成为标准配置，主要包括高通的QuickCharge版(如QC2.0、QC3.0)，联发科版(Pump Express和Pump Express plus)，VIVO的VOOC，以及TI的Maxcharge。

但是，现有技术普遍采用将充电控制模块集成在手机端的设计方案，不仅成本较高，充电器体积也较大；而且在快速为手机充电的过程中，集成在手机上的充电控制芯片会大量发热，特别是玩游戏情况下，温升在20-30度左右，这样手机端最终的温度将达到45-55度之间，导致手机端发热严重，如果在夏天高温环境下使用，电源管理芯片结合背光电流的大电流消耗，手机端发热情况会更加恶劣，影响使用体验，降低芯片寿命。

发明内容

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种将发热量大的充电单元移植到充电适配器端，有效降低电子设备的温升，减小电子设备电路板的空间，提升设备性能的低温升充电电路。

为了达到上述目的，本实用新型设计的基于MTK平台的低温升充电电路，包括：充电适配器，其内设有交直流转换模块，所述交直流转换模块用于将市电交流电压转换为直流电压；电子设备，内含电池；连接线，用于连接充电适配器与电子设备；所述充电适配器内还设有充电单元和控制单元，所述充电单元与交直流转换模块电性连接，用于将所述交直流转换模块输出的直流电压进行转换并输出充电电流；所述充电单元输出的充电电流通过连接线直接为电子设备内部电池充电；所述控制单元与充电单元电性连接，用于检测充电单元充电参数并控制所述充电单元输出充电电流的大小。

进一步的方案是，所述充电单元包括PNP三极管Q1和NMOS管Q2，所述交直流转换模块接至PNP三极管Q1的发射极，所述PNP三极管Q1的集电极用于输出充电电流；所述NMOS管Q2的漏极接至PNP三极管Q1的基极，所述NMOS管Q2的源极连接所述控制单元；所述控制单元用于调节所述NMOS管Q2的导通程度，以控制PNP三极管Q1的基极电流来调整PNP三极管Q1集电极输出的充电电流。

进一步的方案是，所述控制单元包括检测电阻R4、运算放大器A1、比较器A2和反馈单元A3；所述检测电阻R4接至PNP三极管Q1的集电极；所述运算放大器A1用于采样检测电阻R4两端的电压值，并将采样到的电压值放大后输出V_OUT信号；所述比较器A2的同向输入端接至运算放大器A1的输出端，比较器A2的反向输入端连接基准电压值V_REF，用于将V_OUT信号与基准电压值V_REF对比后输出V_COMP信号；所述反馈单元A3接至比较器A2的输出端与NMOS管Q2的源极之间，并通过所述连接线与电子设备通信连接，用于根据比较器A2输出的V_COMP信号调节所述NMOS管Q2的栅源电压，以调节NMOS管Q2的导通程度。

进一步的方案是，所述控制单元还包括用于检测充电适配器温度的温度检测模块，所述温度检测模块包括电阻R9和热敏电阻R10，所述热敏电阻R10的电阻值随温度变化；所述电阻R9和热敏电阻R10串联连接后一端接至交直流转换模块，另一端接地；所述反馈单元A3的温度检测端接至电阻R9和热敏电阻R10之间；所述反馈单元A3根据所述热敏电阻R10电阻值变化引起的电压变化来调节所述NMOS管Q2的栅源电压，以调节充电电流。

进一步的方案是，所述温度检测模块设置有温度判断时长T_TH，所述热敏电阻R10电阻值变化引起的电压的变化持续时间超过所述温度判断时长T_TH时，判定为有效温度变化，以使反馈单元A3调节所述NMOS管Q2的栅源电压，以调节充电电流。

进一步的方案是，所述连接线为TYPE-C数据线，所述充电适配器上设有第一TYPE-C接口，所述电子设备上设有第二TYPE-C接口，所述第一TYPE-C接口通过TYPE-C数据线与第二TYPE-C接口连接，以直接为电子设备内部电池充电。

进一步的方案是，充电单元还包括电阻R1和电阻R2，所述电阻R1和电阻R2串联接至交直流转换模块与NMOS管Q2的栅极之间，电阻R1和电阻R2的中间节点输出充电中断检测信号VDET，并通过连接线传递到电子设备的CPU。

进一步的方案是，所述交直流转换模块包括浪涌抑制单元、变压器和整流滤波单元，所述浪涌抑制单元用于抑制输入的市电电压中的浪涌电压；所述变压器用于将市电交流电压降压转换为脉动直流，所述整流滤波单元用于将转换后的脉动直流进行整流滤波。

进一步的方案是，还包括与运算放大器A1组成差分放大电路的电阻R5、电阻R6、电阻R7和电阻R8，所述运算放大器A1的同向输入端通过电阻R5接至采样检测电阻R4的一端，所述运算放大器A1的反向输入端通过电阻R6接至采样检测电阻R4的另一端；所述电阻R7一端接至运算放大器A1的同向输入端与电阻R5之间，另一端接地；所述电阻R8接至运算放大器A1的反向输入端与运算放大器A1的输出端之间；电阻R5和电阻R6电阻值相等；电阻R7和电阻R8电阻值相等。

进一步的方案是，所述反馈单元A3与NMOS管Q2的栅极之间接有一限流电阻R3。

本实用新型所设计的基于MTK平台的低温升充电电路，通过将发热最大的充电单元放到充电适配器，从而有效降低电子设备的温升，进而提升电子设备的使用体验和性能，同时还能减小电子设备电路板所占空间，有利于PCB的布局和走线，为设备性能提升较大好处，还能降低电子设备的成本。

附图说明

图1是本实用新型的框架图；

图2是实施例1中充电适配器的内部电路图；

图3是实施例1中连接线内部连接图；

图4是实施例1中温度检测模块温度检测流程图。

其中：充电适配器100、交直流转换模块11、充电单元12、控制单元13、温度检测模块14、第一TYPE-C接口15、电子设备200、第二TYPE-C接口21、连接线300。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

实施例1

如图1-4所示，本实施例描述的基于MTK平台的低温升充电电路，包括：充电适配器100，其内设有交直流转换模块11，所述交直流转换模块11用于将市电交流电压转换为直流电压；电子设备200，内含电池；连接线300，用于连接充电适配器100与电子设备200；所述充电适配器100内还设有充电单元12和控制单元13，所述充电单元12与交直流转换模块11电性连接，用于将所述交直流转换模块11输出的直流电压进行转换并输出充电电流；所述充电单元12输出的充电电流通过连接线300直接为电子设备200内部电池充电；所述控制单元13与充电单元12电性连接，用于检测充电单元12充电参数并控制所述充电单元12输出充电电流的大小。工作时，充电适配器100插入插座，输入220V交流市电时，经交直流转换模块11将220V交流电转换成直流电输入充电单元12，在本实施例中，直流转换模块11输出的直流电压为5V，然后经过充电单元12及控制单元13后，将5V电压转换成3.4V-4.35V电压，最终通过连接线300传输到电子设备200直接为电池充电，利用上述结构，将发热最大的充电单元12放到充电适配器100，可以有效降低电子设备200的温升，而提升电子设备200的使用体验和性能，同时这种结构设计还能减小电子设备200电路板所占空间，这有助于电子设备200内部PCB的布局和走线，为电子设备200性能提升有较大好处，还能降低电子设备200的制造成本，适用于各种中低端电子产品和穿戴设备。在本实施例中，所述连接线300为TYPE-C数据线，所述充电适配器100上设有第一TYPE-C接口15，所述电子设备200上设有第二TYPE-C接口21，所述第一TYPE-C接口15通过TYPE-C数据线与第二TYPE-C接口21连接，以直接为电子设备200内部电池充电，如图3所示，本实施例所提及的连接线300采用了定制的线序设计，其内部连接线序与第一TYPE-C接口15和第二TYPE-C接口21相适配，主要包括VBAT信号、GND信号、I2C通信讯号、CC1和CC2信号、USB的DPDM信号，以满足与本发明充电方案中充电适配器100和电子设备200相匹配的连接。

在本实施例中，如图2所示，为了使实际充电电流值和系统软件设定的充电电流值保持动态平衡，所述充电单元12包括PNP三极管Q1和NMOS管Q2，所述交直流转换模块11接至PNP三极管Q1的发射极，所述PNP三极管Q1的集电极用于输出充电电流；所述NMOS管Q2的漏极接至PNP三极管Q1的基极，所述NMOS管Q2的源极连接所述控制单元13；所述控制单元13用于调节所述NMOS管Q2的导通程度，以控制PNP三极管Q1的基极电流来调整PNP三极管Q1集电极输出的充电电流。在本实施例中，充电单元12还包括电阻R1和电阻R2，所述电阻R1和电阻R2串联接至交直流转换模块11与NMOS管Q2的栅极之间，电阻R1和电阻R2的中间节点输出充电中断检测信号VDET，并通过连接线300传递到电子设备200的CPU。工作时，当充电适配器100插入插座，输入220V交流市电时，经交直流转换模块11转换成5V直流电输入充电单元12，此时电阻R1和电阻R2的中间节点输出充电中断检测信号VDET为5V，充电中断检测信号VDET信号通过第一TYPE-C接口15将5V传递到电子设备200的CPU端，即电子设备200的CPU端检测到充电中断检测信号VDET为5V，系统显示充电图标，启动充电进程；如果充电适配器100未插入插座，则充电中断检测信号VDET为0V，系统不显示充电图标；当电子设备200通过第二TYPE-C接口21给控制单元13传输I2C信号后开始充电，控制单元13的VFB引脚输出充电驱动电压值V_FB，使NMOS管Q2工作在可变电阻区，PNP三极管Q1工作在线性放大区，则流过PNP三极管Q1的集电极电流为I_CHARGE，即通过连接线300传输到电子设备200的实际充电电流值为I_CHARGE，而控制单元13能检测充电单元12充电参数并控制NMOS管Q2的导通程度，从而实时调节充电电流I_CHARGE的大小，以满足根据电池需求动态控制充电过程，避免电池过充或欠充。在本实施例中，电阻R1的电阻值1.5kΩ，电阻R2的电阻值为4.7kΩ，充电适配器100插入插座VCHG输出5V电压时，可以抑制充电适配器100端产生的浪涌冲击，进而保护第一TYPE-C接口15的VDET引脚以及保护NMOS管Q2的栅极，防止过大浪涌造成的元件损坏。

具体地，为了实时调节充电电流I_CHARGE大小，如图2所示，所述控制单元13包括检测电阻R4、运算放大器A1、比较器A2和反馈单元A3；所述检测电阻R4接至PNP三极管Q1的集电极；所述运算放大器A1用于采样检测电阻R4两端的电压值，并将采样到的电压值放大后输出V_OUT信号；所述比较器A2的同向输入端接至运算放大器A1的输出端，比较器A2的反向输入端连接基准电压值V_REF，用于将V_OUT信号与基准电压值V_REF对比后输出V_COMP信号；所述反馈单元A3接至比较器A2的输出端与NMOS管Q2的源极之间，并通过所述连接线300与电子设备200通信连接，用于根据比较器A2输出的V_COMP信号调节所述NMOS管Q2的栅源电压，以调节NMOS管Q2的导通程度。在本实施例中，检测电阻R4的精度选择为1％，以减小检测误差，提高电流检测的精确性，有利于后续准确控制充电电流；当PNP三极管Q1工作于放大区，则流过PNP三极管Q1的电流公式为：

I_EC＝β×Ib，

其中β为三极管的放大倍数，I_EC是流过PNP三极管Q1发射极和集电极之间的电流，即充电电流I_CHARGE；Ib是流过NMOS管Q2的电流，是控制PNP三极管Q1发射极I_EC电流的电流，而Ib的大小取决于NMOS管Q2的导通程度以及V_FB的电压值；若系统软件设定的充电电流值大小为I_SOFTWARE，

当实际充电电流值I_CHARGE大于系统软件设定的充电电流值I_SOFTWARE，运算放大器A1采样到的检测电阻R4两端的电压值经过放大后输出V_OUT，V_OUT信号作为输入信号输入到比较器A2，比较器A2将V_OUT信号与基准电压值V_REF对比后输出V_COMP信号，反馈单元A3接收到V_COMP信号后，调高V_FB信号的电压值，此时NMOS管Q2的栅源电压差Vgs变小，NMOS管Q2的导通程度降低，对应的导通电阻Rds变大，使Ib电流变小，根据公式I_EC＝β×Ib可知，PNP三极管Q1的实际充电电流I_CHARGE减小，直至调整到I_CHARGE＝I_SOFTWARE为止，V_FB信号的电压值不再变化，使I_CHARGE和I_SOFTWARE保持动态平衡状态；当实际充电电流值I_CHARGE小于系统软件设定的充电电流值I_SOFTWARE，运算放大器A1采样到的检测电阻R4两端的电压值经过放大后输出V_OUT，V_OUT信号作为输入信号输入到比较器A2，比较器A2将V_OUT信号与基准电压值V_REF对比后输出V_COMP信号，反馈单元A3接收到V_COMP信号后，调低V_FB信号的电压值，此时NMOS管Q2的栅源电压差Vgs变大，NMOS管Q2的导通程度增加，对应的导通电阻Rds变小，使Ib电流变大，根据公式I_EC＝β×Ib可知，PNP三极管Q1的实际充电电流I_CHARGE增大，直至调整到I_CHARGE＝I_SOFTWARE为止，V_FB信号的电压值不再变化，使I_CHARGE和I_SOFTWARE保持动态平衡状态。通过如上的负反馈调节，可以使实际充电电流值I_CHARGE和系统软件设定的充电电流值I_SOFTWARE大小保持动态平衡。在本实施例中，所提及的系统软件设定的充电电流值I_SOFTWARE可以通过产品需求进行设置。

在一些实施例中，如图2所示，所述控制单元13还包括用于检测充电适配器100温度的温度检测模块14，所述温度检测模块14包括电阻R9和热敏电阻R10，所述热敏电阻R10的电阻值随温度变化；所述电阻R9和热敏电阻R10串联连接后一端接至交直流转换模块11，另一端接地；所述反馈单元A3的温度检测端接至电阻R9和热敏电阻R10之间；所述反馈单元A3根据所述热敏电阻R10电阻值变化引起的电压变化来调节所述NMOS管Q2的栅源电压，以调节充电电流。在本实施例中，电阻R9电阻值为18kΩ，热敏电阻R10为电阻值32kΩ的负温度系数的热敏电阻，其随温度上升电阻呈指数关系减小，常温25摄氏度下其电阻值为18kΩ；如图4所示，在常温25摄氏度下，直流转换模块11输出的5V电压经过电阻R9和热敏电阻R10分压后的电压值为V_T，V_T电压值为1.8V，当充电电流过大，导致充电适配器100温度上升时，热敏电阻R10的电阻值下降，使分压后的V_T电压值增加，当V_T增加到大于阈值V_TH1时，反馈单元A3可以通过增大V_FB电压值，来减小NMOS管Q2和PNP三极管Q1的导通程度，从而降低充电电流，最终降低充电适配器100温度；充电适配器100温度降低后，根据负温度系数特性，热敏电阻R10的电阻值升高，使V_T电压值减小，当V_T减小到小于阈值V_TH2时，反馈单元A3减小V_FB的输出电压值，从而增加NMOS管Q2和PNP三极管Q1的导通程度，进而增加充电电流，最终恢复到正常充电状态。本实施例中所提及的阈值V_TH1的值大于阈值V_TH2的值，且V_TH1的值和阈值V_TH2的值可以根据实际场景通过软件设置，在本实施例中，阈值V_TH1的值优选设为65摄氏度，阈值V_TH2的值优选设为55摄氏度，即当充电适配器100温度高于65度时，降低充电电流；当充电适配器100温度低于55度时，恢复正常充电电流。

优选的，所述温度检测模块14设置有温度判断时长T_TH，所述热敏电阻R10电阻值变化引起的电压的变化持续时间超过所述温度判断时长T_TH时，判定为有效温度变化，以使反馈单元A3调节所述NMOS管Q2的栅源电压，以调节充电电流。这样，只有检测到变化电压值的稳定时长大于T_TH时，才被判断为有效温度变化，从而有效避免由于噪声和温度漂移，导致分压后的V_T的电压值在阈值电压门限值附近来回变化，产生中断响应频繁变化的问题，以此提升温度检测模块14的可靠性，避免了误操作。

在一些实施例中，如图2所示，所述交直流转换模块11包括浪涌抑制单元、变压器和整流滤波单元，所述浪涌抑制单元用于抑制输入的市电电压中的浪涌电压；所述变压器用于将市电交流电压降压转换为脉动直流，所述整流滤波单元用于将转换后的脉动直流进行整流滤波。该三级转换提高了电源质量，为充电单元12提供了稳定、隔离、低干扰的直流输入，保证后级电路安全。

在一些实施例中，为了简单、有效对检测电阻R4两端的电压放大，如图2所示，还包括与运算放大器A1组成差分放大电路的电阻R5、电阻R6、电阻R7和电阻R8，所述运算放大器A1的同向输入端通过电阻R5接至采样检测电阻R4的一端，所述运算放大器A1的反向输入端通过电阻R6接至采样检测电阻R4的另一端；所述电阻R7一端接至运算放大器A1的同向输入端与电阻R5之间，另一端接地；所述电阻R8接至运算放大器A1的反向输入端与运算放大器A1的输出端之间；电阻R5和电阻R6电阻值相等；电阻R7和电阻R8电阻值相等。在本实施例中，电阻R5和电阻R6的电阻值4.7kΩ，电阻R7和电阻R8的电阻值为24kΩ；如图2所示，V_A是A点的电压，V_B是B点的电压，V+是运算放大器A1同向输入端的电压，V-是运算放大器A1反向输入端的电压，计算过程如下：

公式1：

公式2：根据运算放大器的“虚短”和“虚断”原理概念，同相端的电压V+和同相端的电压V-相等，则合并公式1和公式2后，由于电阻R5和电阻R6电阻值相等；电阻R7和电阻R8电阻值相等，得到：

公式3：因此，差分放大电路测试到的检测电阻R4两端的电压值可通过调整电阻R6值和电阻R8值而放大到V_OUT，且放大倍数为/>或者/>

在一些实施例中，如图2所示，所述反馈单元A3与NMOS管Q2的栅极之间接有一限流电阻R3。限流电阻R3保护NMOS管Q2避免大电流损坏，提高电路可靠性。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“竖直”、“上”、“下”、“水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种基于MTK平台的低温升充电电路，包括：充电适配器(100)，其内设有交直流转换模块(11)，所述交直流转换模块(11)用于将市电交流电压转换为直流电压；电子设备(200)，内含电池；连接线(300)，用于连接充电适配器(100)与电子设备(200)；其特征是，所述充电适配器(100)内还设有充电单元(12)和控制单元(13)，所述充电单元(12)与交直流转换模块(11)电性连接，用于将所述交直流转换模块(11)输出的直流电压进行转换并输出充电电流；所述充电单元(12)输出的充电电流通过连接线(300)直接为电子设备(200)内部电池充电；所述控制单元(13)与充电单元(12)电性连接，用于检测充电单元(12)充电参数并控制所述充电单元(12)输出充电电流的大小。

2.根据权利要求1所述的基于MTK平台的低温升充电电路，其特征是，所述充电单元(12)包括PNP三极管Q1和NMOS管Q2，所述交直流转换模块(11)接至PNP三极管Q1的发射极，所述PNP三极管Q1的集电极用于输出充电电流；所述NMOS管Q2的漏极接至PNP三极管Q1的基极，所述NMOS管Q2的源极连接所述控制单元(13)；所述控制单元(13)用于调节所述NMOS管Q2的导通程度，以控制PNP三极管Q1的基极电流来调整PNP三极管Q1集电极输出的充电电流。

3.根据权利要求2所述的基于MTK平台的低温升充电电路，其特征是，所述控制单元(13)包括检测电阻R4、运算放大器A1、比较器A2和反馈单元A3；所述检测电阻R4接至PNP三极管Q1的集电极；所述运算放大器A1用于采样检测电阻R4两端的电压值，并将采样到的电压值放大后输出V_OUT信号；所述比较器A2的同向输入端接至运算放大器A1的输出端，比较器A2的反向输入端连接基准电压值V_REF，用于将V_OUT信号与基准电压值V_REF对比后输出V_COMP信号；所述反馈单元A3接至比较器A2的输出端与NMOS管Q2的源极之间，并通过所述连接线(300)与电子设备(200)通信连接，用于根据比较器A2输出的V_COMP信号调节所述NMOS管Q2的栅源电压，以调节NMOS管Q2的导通程度。

4.根据权利要求3所述的基于MTK平台的低温升充电电路，其特征是，所述控制单元(13)还包括用于检测充电适配器(100)温度的温度检测模块(14)，所述温度检测模块(14)包括电阻R9和热敏电阻R10，所述热敏电阻R10的电阻值随温度变化；所述电阻R9和热敏电阻R10串联连接后一端接至交直流转换模块(11)，另一端接地；所述反馈单元A3的温度检测端接至电阻R9和热敏电阻R10之间；所述反馈单元A3根据所述热敏电阻R10电阻值变化引起的电压变化来调节所述NMOS管Q2的栅源电压，以调节充电电流。

5.根据权利要求4所述的基于MTK平台的低温升充电电路，其特征是，所述温度检测模块(14)设置有温度判断时长T_TH，所述热敏电阻R10电阻值变化引起的电压的变化持续时间超过所述温度判断时长T_TH时，判定为有效温度变化，以使反馈单元A3调节所述NMOS管Q2的栅源电压，以调节充电电流。

6.根据权利要求1所述的基于MTK平台的低温升充电电路，其特征是，所述连接线(300)为TYPE-C数据线，所述充电适配器(100)上设有第一TYPE-C接口(15)，所述电子设备(200)上设有第二TYPE-C接口(21)，所述第一TYPE-C接口(15)通过TYPE-C数据线与第二TYPE-C接口(21)连接，以直接为电子设备(200)内部电池充电。

7.根据权利要求2所述的基于MTK平台的低温升充电电路，其特征是，充电单元(12)还包括电阻R1和电阻R2，所述电阻R1和电阻R2串联接至交直流转换模块(11)与NMOS管Q2的栅极之间，电阻R1和电阻R2的中间节点输出充电中断检测信号VDET，并通过连接线(300)传递到电子设备(200)的CPU。

8.根据权利要求1所述的基于MTK平台的低温升充电电路，其特征是，所述交直流转换模块(11)包括浪涌抑制单元、变压器和整流滤波单元，所述浪涌抑制单元用于抑制输入的市电电压中的浪涌电压；所述变压器用于将市电交流电压降压转换为脉动直流，所述整流滤波单元用于将转换后的脉动直流进行整流滤波。

9.根据权利要求3所述的基于MTK平台的低温升充电电路，其特征是，还包括与运算放大器A1组成差分放大电路的电阻R5、电阻R6、电阻R7和电阻R8，所述运算放大器A1的同向输入端通过电阻R5接至采样检测电阻R4的一端，所述运算放大器A1的反向输入端通过电阻R6接至采样检测电阻R4的另一端；所述电阻R7一端接至运算放大器A1的同向输入端与电阻R5之间，另一端接地；所述电阻R8接至运算放大器A1的反向输入端与运算放大器A1的输出端之间；电阻R5和电阻R6电阻值相等；电阻R7和电阻R8电阻值相等。

10.根据权利要求3所述的基于MTK平台的低温升充电电路，其特征是，所述反馈单元A3与NMOS管Q2的栅极之间接有一限流电阻R3。