CN220570454U - 一种基于氮化镓功率器件的双输出电源 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种基于氮化镓功率器件的双输出电源，包括壳体，壳体内部设置有双输出散热器，双输出散热器上端安装有氮化镓晶体管，氮化镓晶体管上端连接市电输入功率组件，市电输入功率组件上端连接若干个高压电容滤波，市电输入功率组件上端位于高压电容滤波一侧连接隔值电容，双输出散热器两侧均安装有GaN mosfet模块、低压变压器、输出电感滤波、肖特基整流和输出正负极铜巴，本双输出电源中，有效的缩短各个部件的链接距离和模块化结构，从而减小各个部件发热体量，在相同的功率大小的情况下，这种结构的散热器体积相对较小，在散热器很小的情况下可以做倍功率传统IGBT控制的输出，形成相同功率的双输出结构。
Description
技术领域
本实用新型涉及开关电源技术领域，具体涉及一种基于氮化镓功率器件的双输出电源。
背景技术
传统IGBT结构上是电压控制的三极管，开关速度比GaN mosfet慢些，特别是offtime开关损耗会变大，速度慢，效率低，GaN MOSFET的特点是，在高热性、高腐蚀性环境使用寿命更长功率容量小，开关速度快，大大提高效率，低噪声、能耗低、稳定性和节能的特点，可以减小开关电源整体体积，提高开关电源在表面处理环境中使用寿命。
实用新型内容
为解决上述技术问题，本实用新型提供一种基于氮化镓功率器件的双输出电源，包括壳体，所述壳体内部设置有双输出散热器，所述双输出散热器上端安装有氮化镓晶体管，所述氮化镓晶体管上端连接市电输入功率组件，所述市电输入功率组件上端连接若干个高压电容滤波，所述市电输入功率组件上端位于高压电容滤波一侧连接隔值电容，所述双输出散热器两侧均安装有GaN mosfet模块、低压变压器、输出电感滤波、肖特基整流和输出正负极铜巴。
优选的：所述壳体包括前盖板、左侧板、右侧板、顶盖和输出后盖板。
优选的：所述前盖板上设置有电源开关，前盖板位于电源开关的一侧设置有控制触摸屏。
优选的：所述输出后盖板中部安装有散热风扇，且输出后盖板对应散热风扇开设有通孔。
优选的：所述输出后盖板一侧上端安装有外控控制输出，输出后盖板另一侧上端安装有市电进电口，输出后盖板中部两侧处均安装有双输出正极，输出后盖板底部两侧处均安装有双输出负极。
优选的：所述氮化镓晶体管设置有四个，两个所述氮化镓晶体管为一组。
优选的：所述GaN mosfet模块连接输出正负极铜巴的负极。
优选的：所述输出正负极铜巴的负极连接双输出负极。
优选的：所述输出低压滤波电容连接输出正负极铜巴的正极。
优选的：所述输出正负极铜巴的正极连接双输出正极。
本实用新型的技术效果和优点：
本实用新型是GaN MOSFET电子技术取替传统IGBT控制开关电源，GaN MOSFET的特点是，在高热性、高腐蚀性环境使用寿命更长功率容量小，开关速度快，大大提高效率，能耗低节能的特点，可以减小开关电源整体体积，提高开关电源在表面处理环境中使用寿命，更适合现场生产线有限空间的安装。
附图说明
图1是本申请实施例提供的基于氮化镓功率器件的双输出电源结构示意图；
图2是本申请实施例提供的基于氮化镓功率器件的双输出电源的正视图；
图3是本申请实施例提供的基于氮化镓功率器件的双输出电源的后视图；
图4是本申请实施例提供的基于氮化镓功率器件的双输出电源的左视图；
图5是本申请实施例提供的基于氮化镓功率器件的双输出电源的俯视图；
图6是本申请实施例提供的基于氮化镓功率器件的双输出电源取出顶盖的结构示意图；
图7是本申请实施例提供的基于氮化镓功率器件的双输出电源中双输出散热器的连接结构图；
图8是本申请实施例提供的基于氮化镓功率器件的双输出电源中双输出散热器的俯视图；
图9是本申请实施例提供的基于氮化镓功率器件的双输出电源中双输出散热器的正视图；
图10是本申请实施例提供的基于氮化镓功率器件的双输出电源中双输出散热器的右视图；
图11是本申请实施例提供的基于氮化镓功率器件的双输出电源中双输出散热器的左视图。
图中：1、氮化镓晶体管；2、高压电容滤波；3、隔值电容；4、输出低压滤波电容；5、GaN mosfet模块；6、低压变压器；7、双输出散热器；8、输出电感滤波；9、肖特基整流；10、输出正负极铜巴；11、市电输入功率组件；12、双输出正极；13、双输出负极；14、外控控制输出；15、输出后盖板；16、散热风扇；17、市电进电口；18、左侧板；19、电源开关；20、控制触摸屏；21、右侧板；22、前盖板；23、顶盖。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。本实用新型的实施例是为了示例和描述起见而给出的，而并不是无遗漏的或者将本实用新型限于所公开的形式。很多修改和变化对于本领域的普通技术人员而言是显而易见的。选择和描述实施例是为了更好说明本实用新型的原理和实际应用，并且使本领域的普通技术人员能够理解本实用新型从而设计适于特定用途的带有各种修改的各种实施例。
请参阅图1～5所示，在本实施例中提供一种基于氮化镓功率器件的双输出电源，包括壳体，壳体包括前盖板22、左侧板18、右侧板21、顶盖23和输出后盖板15，且前盖板22上设置有电源开关19，前盖板22位于电源开关19的一侧设置有控制触摸屏20，输出后盖板15中部安装有散热风扇16，且输出后盖板15对应散热风扇16开设有通孔，输出后盖板15一侧上端安装有外控控制输出14和485通讯接口，输出后盖板15另一侧上端安装有市电进电口17，输出后盖板15中部两侧处均安装有双输出正极12，输出后盖板15底部两侧处均安装有双输出负极13，壳体对内部的部件起到保护的作用。
在本实施例中，参阅图6～11所示，壳体内部设置有双输出散热器7，双输出散热器7利用热传导吸收部件产生的热量，再通过启动散热风扇16将热量从通孔排出，对壳体内进行散热，双输出散热器7上端安装有氮化镓晶体管1，氮化镓晶体管1设置有四个，两个氮化镓晶体管1为一组，一组氮化镓晶体管1上端连接市电输入功率组件11，市电输入功率组件11上端连接若干个高压电容滤波2，市电输入功率组件11上端位于高压电容滤波2一侧连接隔值电容3。
进一步的，双输出散热器7两侧均安装有肖特基整流9，双输出散热器7两侧均安装有GaN mosfet模块5(氮化镓金属氧化物半导体场效应管)，GaN mosfet模块5连接输出正负极铜巴10的负极，输出正负极铜巴10的负极连接双输出负极13，GaN mosfet模块5一侧安装有低压变压器6，位于低压变压器6一侧设置有输出电感滤波8，输出电感滤波8一侧设置有输出低压滤波电容4，输出低压滤波电容4连接输出正负极铜巴10的正极，输出正负极铜巴10的正极连接双输出正极12，GaN mosfet模块5、低压变压器6、输出电感滤波8、肖特基整流9和输出正负极铜巴10均设置有2组，从而形成双输出电源。
本实用新型的工作原理是：
本双输出电源中，有效的缩短各个部件的链接距离和模块化结构，从而减小各个部件发热体量，在相同的功率大小的情况下，这种结构的散热器体积相对较小，在散热器很小的情况下可以做2倍功率传统IGBT控制的输出，形成相同功率的双输出结构。
显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域及相关领域的普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都应属于本实用新型保护的范围。本实用新型中未具体描述和解释说明的结构、装置以及操作方法，如无特别说明和限定，均按照本领域的常规手段进行实施。
Claims (10)
1.一种基于氮化镓功率器件的双输出电源，包括壳体，其特征在于，所述壳体内部设置有双输出散热器(7)，所述双输出散热器(7)上端安装有氮化镓晶体管(1)，所述氮化镓晶体管(1)上端连接市电输入功率组件(11)，所述市电输入功率组件(11)上端连接若干个高压电容滤波(2)，所述市电输入功率组件(11)上端位于高压电容滤波(2)一侧连接隔值电容(3)，所述双输出散热器(7)两侧均安装有GaN mosfet模块(5)、低压变压器(6)、输出电感滤波(8)、肖特基整流(9)和输出正负极铜巴(10)。
2.根据权利要求1所述的一种基于氮化镓功率器件的双输出电源，其特征在于，所述壳体包括前盖板(22)、左侧板(18)、右侧板(21)、顶盖(23)和输出后盖板(15)。
3.根据权利要求2所述的一种基于氮化镓功率器件的双输出电源，其特征在于，所述前盖板(22)上设置有电源开关(19)，前盖板(22)位于电源开关(19)的一侧设置有控制触摸屏(20)。
4.根据权利要求2所述的一种基于氮化镓功率器件的双输出电源，其特征在于，所述输出后盖板(15)中部安装有散热风扇(16)，且输出后盖板(15)对应散热风扇(16)开设有通孔。
5.根据权利要求2所述的一种基于氮化镓功率器件的双输出电源，其特征在于，所述输出后盖板(15)一侧上端安装有外控控制输出(14)，输出后盖板(15)另一侧上端安装有市电进电口(17)，输出后盖板(15)中部两侧处均安装有双输出正极(12)，输出后盖板(15)底部两侧处均安装有双输出负极(13)。
6.根据权利要求1所述的一种基于氮化镓功率器件的双输出电源，其特征在于，所述氮化镓晶体管(1)设置有四个，两个所述氮化镓晶体管(1)为一组。
7.根据权利要求1所述的一种基于氮化镓功率器件的双输出电源，其特征在于，所述GaN mosfet模块(5)连接输出正负极铜巴(10)的负极。
8.根据权利要求7所述的一种基于氮化镓功率器件的双输出电源，其特征在于，所述输出正负极铜巴(10)的负极连接双输出负极(13)。
9.根据权利要求1所述的一种基于氮化镓功率器件的双输出电源，其特征在于，所述输出低压滤波电容(4)连接输出正负极铜巴(10)的正极。
10.根据权利要求9所述的一种基于氮化镓功率器件的双输出电源，其特征在于，所述输出正负极铜巴(10)的正极连接双输出正极(12)。
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