CN220510230U - 一种超宽带低损耗小型化微带环行器 - Google Patents
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- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims abstract description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 25
- KPLQYGBQNPPQGA-UHFFFAOYSA-N cobalt samarium Chemical compound [Co].[Sm] KPLQYGBQNPPQGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 229910000938 samarium–cobalt magnet Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 9
- 208000026817 47,XYY syndrome Diseases 0.000 claims abstract description 8
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims abstract description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种超宽带低损耗小型化微带环行器，其结构包括：下磁路、旋磁铁氧体基片、薄膜溅射电路、陶瓷介质、温度补偿片和钐钴永磁体。旋磁铁氧体基片为两种不同磁距旋磁铁氧体嵌套在一起，然后通过薄膜光刻技术在旋磁铁氧体基片上溅射电路，所述溅射的薄膜电路采用双Y电路结构，小“Y”为圆盘结，圆盘结中间开方形槽，大“Y”为多级阻抗匹配LC电路，二级阻抗匹配为“C”形，它是一段圆弧带线，作用是增加1/4波长匹配电路的长度，实现环形器的倍频率。与传统的环形器对比，具有超宽带、电气性能优良、尺寸小、重量轻、可靠性高的优点。可广泛用于通讯、雷达和电子对抗等领域。
Description
技术领域
本实用新型涉及微带环行器技术领域，尤其涉及一种超宽带低损耗小型化微带环行器。
背景技术
环行器是微波工程中一类重要的基础性器件，有数个端的非可逆器件，其包含由旋磁材料制成的旋磁体，由于旋磁材料在外加微波磁场与恒定直流磁场共同作用下，产生旋磁特性，使在旋磁体中传播的电磁波发生极化的旋转，从而实现单向传输高频信号能量。其广泛应用于民用通讯、微波测量、雷达、通信、电子对抗、航空航天等各种民用、军用设备中，在设备中主要用来实现天线收发共用，级间隔离、改善系统匹配等问题。随着着通信技术的发展，对环行器的要求越来越高，要求环行器超宽带、电气性能优良、尺寸小、重量轻、可靠性高。
目前，S-C波段倍频环形器采用嵌入式带线方式，尺寸大、不易集成。
发明内容
本实用新型的目的在于针对S-C波段倍频环形器采用嵌入式带线方式，尺寸大、不易集成的技术问题，提供一种新型环形器。
为实现上述发明目的，本发明提供以下技术方案：
一种超宽带低损耗小型化微带环行器，包含下磁路、旋磁铁氧体基片、薄膜溅射电路、陶瓷介质、温度补偿片和钐钴永磁体；所述旋磁铁氧体基片为两种不同磁距旋磁铁氧体嵌套在一起，通过薄膜光刻技术在旋磁铁氧体基片上溅射电路，溅射的薄膜溅射电路采用双Y电路结构，小Y为圆盘结，圆盘结中间开方形槽，大Y为多级阻抗匹配LC电路，二级阻抗匹配为C形，它是一段圆弧带线。
作为本实用新型一种超宽带低损耗小型化微带环行器优选的技术方案，所述下磁路为纯铁材质。
作为本实用新型一种超宽带低损耗小型化微带环行器优选的技术方案，所述旋磁铁氧体基片为两种不同磁距铁氧体嵌套在一起，两种磁距铁氧体的热膨胀系数比较接近。
作为本实用新型一种超宽带低损耗小型化微带环行器优选的技术方案，所述薄膜溅射电路，通过薄膜光刻技术在旋磁铁氧体基片上溅射电路，溅射的薄膜电路采用双Y电路结构，小Y为圆盘结，圆盘结中间开方形槽，大Y为多级阻抗匹配LC电路，二级阻抗匹配为C形，它是一段圆弧带线，三级、四级、五级阻抗匹配的尺寸越来越小。
作为本实用新型一种超宽带低损耗小型化微带环行器优选的技术方案，所述下磁路和旋磁铁氧体基片通过焊接的方式连接，下磁路和旋磁铁氧体基片焊接在同一轴线上。
作为本实用新型一种超宽带低损耗小型化微带环行器优选的技术方案，所述旋磁铁氧体基片、陶瓷介质、温度补偿片和钐钴永磁体采用粘接的方式实现固定。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
1、本实用新型一种超宽带低损耗小型化微带环行器，包含下磁路、旋磁铁氧体基片、薄膜溅射电路、陶瓷介质、温度补偿片和钐钴永磁体，具有机构简单，重量轻，易装配，提高了生产效率。
2、本实用新型下磁路为一种纯铁材质，与旋磁铁氧体基片焊接在一起，增加旋磁铁氧体的强度，与钐钴永磁体形成磁化回路，使得环形器磁化更均；
3、本实用新型旋磁铁氧体基片为两种不同磁距铁氧体嵌套在一起，可实现环形器的超宽带，低损耗；两种磁距铁氧体的热膨胀系数比较接近，减小环行器在强温度冲击下出现旋磁体破裂的几率；
4、本实用新型薄膜溅射电路，通过薄膜光刻技术在旋磁铁氧体基片上溅射电路，溅射的薄膜电路采用双Y电路结构，小Y为圆盘结，圆盘结中间开方形槽，大Y为多级阻抗匹配LC电路，二级阻抗匹配为C形，它是一段圆弧带线，三级、四级、五级阻抗匹配的尺寸越来越小，可实现环形器的超宽带，低损耗；
5、本实用新型陶瓷介质选用介电常数较低，介电常数低于6，减小高介电常数带来低场损耗减小；
6、本实用新型所述旋磁铁氧体和钐钴永磁体之间加温度补偿片，可提高环行器的温度特性；
7、本实用新型钐钴永磁体为环形器提供恒定磁场，使得环形器具有环形特性。
附图说明
图1为本实用新型一种超宽带低损耗小型化微带环行器的结构示意图；
图2为本实用新型一种超宽带低损耗小型化微带环行器的结构爆炸示意图；
图3为本实用新型一种超宽带低损耗小型化微带环行器的薄膜溅射电路示意图。
图中序号说明：1下磁路；2方形旋磁铁氧体基片；3圆形旋磁铁氧体基片；4薄膜溅射电路；5陶瓷介质；6温度补偿片；7钐钴永磁体；4-1圆盘结；4-2圆盘结开槽；4-3第一级阻抗匹配；4-4第二级阻抗匹配；4-5第三级阻抗匹配；4-6第四级阻抗匹配；4-7第五级阻抗匹配
具体实施方式
以下结合附图和具体实施方式做进一步描述。
下面将结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。
通常在此处附图中描述和显示出的本实用新型实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本实用新型的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围，而是仅仅表示本实用新型的选定实施例。
基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
图1-图3所示：用于超宽带低损耗小型化微带环行器，包括：1下磁路；2方形旋磁铁氧体基片；3圆形旋磁铁氧体基片；4薄膜溅射电路；5陶瓷介质；6温度补偿片；7钐钴永磁体；4-1圆盘结；4-2圆盘结开槽；4-3第一级阻抗匹配；4-4第二级阻抗匹配；4-5第三级阻抗匹配；4-6第四级阻抗匹配；4-7第五级阻抗匹配。
所述方形旋磁铁氧体基片2为两种不同磁距旋磁铁氧体嵌套在一起，通过薄膜光刻技术在旋磁铁氧体基片上溅射电路，溅射的薄膜电路4采用双Y电路结构，小Y为圆盘结，圆盘结中间开方形槽，大Y为多级阻抗匹配LC电路，二级阻抗匹配为C形，它是一段圆弧带线
所述下磁路1和旋磁铁氧体基片2、旋磁铁氧体基片3通过焊接方式连接。
所述方形旋磁铁氧体基片2和圆形旋磁铁氧体基片3通过高温烧结嵌套在一起。
所述薄膜溅射电路通过薄膜工艺溅射在旋磁铁氧体基片2、旋磁铁氧体基片3。
所述旋磁铁氧体基片2、陶瓷介质5、温度补偿片6和钐钴永磁体7采用粘接的方式实现固定。
本实用新型一种超宽带低损耗小型化微带环行器，包含下磁路、旋磁铁氧体基片、薄膜溅射电路、陶瓷介质、温度补偿片和钐钴永磁体，具有机构简单，重量轻，易装配，提高了生产效率。本实用新型下磁路为一种纯铁材质，与旋磁铁氧体基片焊接在一起，增加旋磁铁氧体的强度，与钐钴永磁体形成磁化回路，使得环形器磁化更均；本实用新型旋磁铁氧体基片为两种不同磁距铁氧体嵌套在一起，可实现环形器的超宽带，低损耗；两种磁距铁氧体的热膨胀系数比较接近，减小环行器在强温度冲击下出现旋磁体破裂的几率；本实用新型薄膜溅射电路，通过薄膜光刻技术在旋磁铁氧体基片上溅射电路，溅射的薄膜电路采用双Y电路结构，小Y为圆盘结，圆盘结中间开方形槽，大Y为多级阻抗匹配LC电路，二级阻抗匹配为C形，它是一段圆弧带线，三级、四级、五级阻抗匹配的尺寸越来越小，可实现环形器的超宽带，低损耗；本实用新型陶瓷介质选用介电常数较低，介电常数低于6，减小高介电常数带来低场损耗减小；本实用新型所述旋磁铁氧体和钐钴永磁体之间加温度补偿片，可提高环行器的温度特性；本实用新型钐钴永磁体为环形器提供恒定磁场，使得环形器具有环形特性
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术结构进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。
Claims (6)
1.一种超宽带低损耗小型化微带环行器，其特征在于：包含下磁路、旋磁铁氧体基片、薄膜溅射电路、陶瓷介质、温度补偿片和钐钴永磁体；所述旋磁铁氧体基片为两种不同磁距旋磁铁氧体嵌套在一起，通过薄膜光刻技术在旋磁铁氧体基片上溅射电路，溅射的薄膜溅射电路采用双Y电路结构，小Y为圆盘结，圆盘结中间开方形槽，大Y为多级阻抗匹配LC电路，二级阻抗匹配为C形，它是一段圆弧带线。
2.根据权利要求1所述的一种超宽带低损耗小型化微带环行器，其结构在于：所述下磁路为纯铁材质。
3.根据权利要求1所述的一种超宽带低损耗小型化微带环行器，其结构在于：所述旋磁铁氧体基片为两种不同磁距铁氧体嵌套在一起，两种磁距铁氧体的热膨胀系数比较接近。
4.根据权利要求1所述的一种超宽带低损耗小型化微带环行器，其结构在于：所述薄膜溅射电路，通过薄膜光刻技术在旋磁铁氧体基片上溅射电路，溅射的薄膜电路采用双Y电路结构，小Y为圆盘结，圆盘结中间开方形槽，大Y为多级阻抗匹配LC电路，二级阻抗匹配为C形，它是一段圆弧带线，三级、四级、五级阻抗匹配的尺寸越来越小。
5.根据权利要求1所述的一种超宽带低损耗小型化微带环行器，其结构在于：所述下磁路和旋磁铁氧体基片通过焊接的方式连接，下磁路和旋磁铁氧体基片焊接在同一轴线上。
6.根据权利要求1所述的一种超宽带低损耗小型化微带环行器，其结构在于：所述旋磁铁氧体基片、陶瓷介质、温度补偿片和钐钴永磁体采用粘接的方式实现固定。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202321916811.7U CN220510230U (zh) | 2023-07-20 | 2023-07-20 | 一种超宽带低损耗小型化微带环行器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202321916811.7U CN220510230U (zh) | 2023-07-20 | 2023-07-20 | 一种超宽带低损耗小型化微带环行器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN220510230U true CN220510230U (zh) | 2024-02-20 |
Family
ID=89878894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202321916811.7U Active CN220510230U (zh) | 2023-07-20 | 2023-07-20 | 一种超宽带低损耗小型化微带环行器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN220510230U (zh) |
-
2023
- 2023-07-20 CN CN202321916811.7U patent/CN220510230U/zh active Active
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|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |