CN220449445U - 一种电梯用电子封星电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种电梯用电子封星电路，相连接的封星电路模块和外围电路模块；所述封星电路模块包括封星功率回路3和封星驱动电路4，封星驱动电路4的第一输出端Gesc端与封星功率回路3连接；所述外围电路模块包括相连接的变频器逆变电路2以及电机1，电机1与变频器逆变电路2的输出端连接；其中，变频器逆变电路2用于驱动电机1按预设的速度运转，电机1用于带动电梯运行；封星功率回路3与变频器逆变电路2连接；其中，封星功率回路3用于当变频器逆变电路2停止运行时，封星功率回路3使电机1的线路短接，当发生坠梯时，产生制动力矩减小电梯下落速度。

Description

一种电梯用电子封星电路

技术领域

本实用新型属于电梯控制技术领域，具体涉及一种电梯用电子封星电路。

背景技术

在电梯控制系统中，当电梯因故障发生坠梯时，常使用外接封星接触器短接电机的U、V、W三相的方式来限制轿厢下落的速度，保护乘客的安全，其原理是：当电机失去动力被轿厢拖动时，短接其U、V、W三根线，线圈会产生感应电流，相当于产生了一个制动力矩，从而减小轿厢的下落速度，保护乘客安全。但现有的电梯控制系统存在如下问题：

需要外接的常闭封星接触器同时配合主接触器一起使用，成本高且接线工艺更为复杂，而且封星接触器的响应时间过慢，当市电停电需要紧急制动时，需要毫秒级以上的时间才能响应闭合，不利于快速抑制轿厢下落的速度。

实用新型内容

本实用新型的目的是要解决上述的技术问题，提供一种电梯用电子封星电路。

为了解决上述问题，本实用新型按以下技术方案予以实现的：

本实用新型提供了一种电梯用电子封星电路，包括：

相连接的封星电路模块和外围电路模块；

所述封星电路模块包括封星功率回路和封星驱动电路，所述封星驱动电路的第一输出端Gesc端与所述封星功率回路连接；

所述外围电路模块包括相连接的变频器逆变电路以及电机，所述电机与所述变频器逆变电路的输出端连接；其中，所述变频器逆变电路用于驱动所述电机按预设的速度运转，所述电机用于带动电梯运行；

所述封星功率回路与所述变频器逆变电路连接；其中，所述封星功率回路用于当所述变频器逆变电路停止运行时，所述封星功率回路使所述电机的线路短接，当发生坠梯时，产生制动力矩减小电梯下落速度。

作为一种可选的实施方式，所述封星功率回路包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、二极管VD2、二极管VD4和二极管VD6、IGBT绝缘栅双极型晶体管V2、IGBT绝缘栅双极型晶体管V4和IGBT绝缘栅双极型晶体管V6。

作为一种可选的实施方式，所述变频器逆变电路包括二极管VD1、二极管VD2、二极管VD3、二极管VD4、二极管VD5、二极管VD6、IGBT绝缘栅双极型晶体管V1、IGBT绝缘栅双极型晶体管V2、IGBT绝缘栅双极型晶体管V3、IGBT绝缘栅双极型晶体管V4、IGBT绝缘栅双极型晶体管V5和IGBT绝缘栅双极型晶体管V6。

作为一种可选的实施方式，所述MOS管Q1的栅极与所述封星驱动电路的第一输出端Gesc端连接，所述MOS管Q1的漏极与所述IGBT绝缘栅双极型晶体管V2的集电极连接，所述MOS管Q1的源极与第一接地端QGND端连接；所述MOS管Q2的栅极与所述封星驱动电路的第一输出端Gesc端连接，所述MOS管Q2的漏极与所述IGBT绝缘栅双极型晶体管V4的集电极连接，所述MOS管Q2的源极与第一接地端QGND端连接；所述MOS管Q3的栅极与所述封星驱动电路的第一输出端Gesc端连接，所述MOS管Q3的漏极与所述IGBT绝缘栅双极型晶体管V6的集电极连接，所述MOS管Q3的源极与第一接地端QGND端连接；所述二极管VD2的正极与所述IGBT绝缘栅双极型晶体管V2的发射极连接，所述二极管VD2的负极与所述IGBT绝缘栅双极型晶体管V2的集电极连接；所述二极管VD4的正极与所述IGBT绝缘栅双极型晶体管V4的发射极连接，所述二极管VD4的负极与所述IGBT绝缘栅双极型晶体管V4的集电极连接；所述二极管VD6的正极与所述IGBT绝缘栅双极型晶体管V6的发射极连接，所述二极管VD6的负极与所述IGBT绝缘栅双极型晶体管V6的集电极连接。

作为一种可选的实施方式，所述变频器逆变电路与所述封星功率回路共用所述二极管VD2、二极管VD4、二极管VD6、IGBT绝缘栅双极型晶体管V2、IGBT绝缘栅双极型晶体管V4和IGBT绝缘栅双极型晶体管V6。

作为一种可选的实施方式，所述IGBT绝缘栅双极型晶体管V2的集电极与所述电机1的U端连接，所述IGBT绝缘栅双极型晶体管V2的发射极与VDC-直流电源负极连接；所述IGBT绝缘栅双极型晶体管V4的集电极与所述电机1的V端连接，所述IGBT绝缘栅双极型晶体管V4的发射极与VDC-直流电源负极连接；所述IGBT绝缘栅双极型晶体管V6的集电极与所述电机1的W端连接，所述IGBT绝缘栅双极型晶体管V6的发射极与VDC-直流电源负极连接；所述IGBT绝缘栅双极型晶体管V1的集电极与VDC+直流电源正极连接，所述IGBT绝缘栅双极型晶体管V1的发射极与所述IGBT绝缘栅双极型晶体管V2的集电极连接；所述IGBT绝缘栅双极型晶体管V3的集电极与VDC+直流电源正极连接，所述IGBT绝缘栅双极型晶体管V3的发射极与所述IGBT绝缘栅双极型晶体管V4的集电极连接；所述IGBT绝缘栅双极型晶体管V5的集电极与VDC+直流电源正极连接，所述IGBT绝缘栅双极型晶体管V5的发射极与所述IGBT绝缘栅双极型晶体管V6的集电极连接；所述二极管VD1的正极与所述IGBT绝缘栅双极型晶体管V1的发射极连接，所述二极管VD1的负极与所述IGBT绝缘栅双极型晶体管V1的集电极连接；所述二极管VD3的正极与所述IGBT绝缘栅双极型晶体管V3的发射极连接，所述二极管VD3的负极与所述IGBT绝缘栅双极型晶体管V3的集电极连接；所述二极管VD5的正极与所述IGBT绝缘栅双极型晶体管V5的发射极连接，所述二极管VD5的负极与所述IGBT绝缘栅双极型晶体管V5的集电极连接。

作为一种可选的实施方式，所述封星功率回路的MOS管Q1、MOS管Q2和MOS管Q3为耗尽型MOS管。

作为一种可选的实施方式，所述封星驱动电路包括：驱动光耦U2、反相器U1、电容C1及三个电阻R1、R2和R3。

作为一种可选的实施方式，所述封星驱动电路的第二输出端与第二接地端QGND端连接，所述封星驱动电路的第一输入端与正极电压QVCC端连接，所述封星驱动电路4的第二输入端与负极电压QVEE端连接，所述封星驱动电路的第三输入端用于接外部处理器MCU。

作为一种可选的实施方式，所述反相器U1的输入端与驱动使能信号DRIVE EN电连接，所述反相器U1的输出端与所述驱动光耦U2的1脚电连接；+5V电压通过所述电阻R1与所述驱动光耦U2的1脚电连接，所述驱动光耦U2的3脚与驱动控制信号Pesc电连接，所述驱动光耦U2的6脚和4脚分别与封星驱动电路的第三端QVCC及封星驱动电路的第四端QVEE电连接；所述电阻R2的一端与所述驱动光耦U2的5脚电连接，所述电阻R2的另一端与封星驱动电路的输出端Gesc电连接；所述电阻R3的一端与所述输出端Gesc电连接，所述电阻R3的另一端与封星驱动电路的第二端QGND电连接；所述驱动电容C1的一端与所述输出端Gesc电连接，所述驱动电容C1的另一端与所述QGND电连接；所述驱动使能信号DRIVE EN及所述驱动控制信号Pesc由MCU控制。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

本实用新型提供了一种电梯用电子封星电路，包括：

相连接的封星电路模块和外围电路模块；所述封星电路模块包括封星功率回路和封星驱动电路，所述封星驱动电路的第一输出端Gesc端与所述封星功率回路连接；所述外围电路模块包括相连接的变频器逆变电路以及电机，所述电机与所述变频器逆变电路的输出端连接；其中，所述变频器逆变电路用于驱动所述电机按预设的速度运转，所述电机用于带动电梯运行；所述封星功率回路与所述变频器逆变电路连接；其中，所述封星功率回路用于当所述变频器逆变电路停止运行时，所述封星功率回路使所述电机的线路短接，当发生坠梯时，产生制动力矩减小电梯下落速度。

根据本实用新型实施例的电梯用电子封星电路，可在有市电的情况下在需要时开通封星回路，也可在市电停电且无UPS电源支持的情况下自动开通封星回路，且封星响应时间快，能在发生坠梯时快速抑制电梯轿厢下落的速度，该电路内置于变频器内部，免去了主接触器及封星接触器，降低了硬件成本，同时，还简化了电梯控柜的接线工艺，降低了安全风险。

附图说明

下面结合附图对实用新型的具体实施方式作进一步详细的说明，其中：

图1是本实用新型优选的一种电梯用电子封星电路的结构示意图；

图中：

1-电机；2-变频器逆变电路；3-封星功率回路；4-封星驱动电路。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。此外，下面所描述的本实用新型各个实施方式中涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。

需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，本实用新型的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“电连接”应做广义理解，例如，可以是固定电连接，也可以是可拆卸电连接，或一体地电连接；可以是机械电连接，也可以是电电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。此外，本实用新型的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本实用新型。

在电梯控制系统中，当电梯因故障发生坠梯时，常使用外接封星接触器短接电机1的U、V、W三相的方式来限制轿厢下落的速度，保护乘客的安全，其原理是：当电机1失去动力被轿厢拖动时，短接其U、V、W三根线，线圈会产生感应电流，相当于产生了一个制动力矩，从而减小轿厢的下落速度，保护乘客安全。但现有的电梯控制系统存在如下问题：

需要外接的常闭封星接触器同时配合主接触器一起使用，成本高且接线工艺更为复杂，而且封星接触器的响应时间过慢，当市电停电需要紧急制动时，需要毫秒级以上的时间才能响应闭合，不利于快速抑制轿厢下落的速度。

为此，本实用新型提供了一种电梯用电子封星电路，如图1所示，包括：

相连接的封星电路模块和外围电路模块；所述封星电路模块包括封星功率回路3和封星驱动电路4，封星驱动电路4的第一输出端Gesc端与封星功率回路3连接；所述外围电路模块包括相连接的变频器逆变电路2以及电机1，电机1与变频器逆变电路2的输出端连接；其中，变频器逆变电路2用于驱动电机1按预设的速度运转，电机1用于带动电梯运行；封星功率回路3与变频器逆变电路2连接；其中，封星功率回路3用于当变频器逆变电路2停止运行时，封星功率回路3使电机1的线路短接，当发生坠梯时，产生制动力矩减小电梯下落速度。

本实施例中，制动力矩指的是电机被外力拖动旋转时，电机内部线圈切割磁感线而产生感应电动势，此电动势依靠封星回路产生很大的感应电流，感应电流产生的磁场阻碍电机旋转，从而形成阻碍电机旋转的反向力矩。在本实用新型中，当发生坠梯时，封星功率回路3使得电机1的线路短接形成封星回路，使得电梯制动产生制动力矩减小电梯下落速度，保证了乘客的安全。

电机1可以按预设的速度运转，该预设的速度可以根据实际场景应用所需进行调节。

图1是本实用新型的一种优选实施例，如图1所示，封星功率回路3包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、二极管VD2、二极管VD4和二极管VD6、IGBT绝缘栅双极型晶体管V2、IGBT绝缘栅双极型晶体管V4和IGBT绝缘栅双极型晶体管V6。

需要说明的是，在电路中反向并联二极管的作用是防外接直流电源正负接反。如果接反，这只二极管就会过电，把外接电源短路掉，此时就会断保险或其它的保护起作用，从而保护电器。这个二极管要用大电流数的整流二极管。其次，当输入直流电压低于负载反向电动势时，这些反并联二极管构成一个三相整流桥，此时来自负载的反方向充电电流经整流桥流回直流电源，防止反向击穿与其并联的IGBT绝缘栅双极型晶体管。

在本实施例中，将三个二极管VD2、VD4和VD6分别反并联在三个IGBT绝缘栅双极型晶体管V2、V4和V6处的作用是当输入直流电压高于负载反向电动势时，此时它是一个逆变电路，将直流电变成峰值等于(或小于)直流电压的交流电(波形由驱动信号决定，常用驱动信号是SPWM正弦脉宽调制，即正弦波交流电。此外，驱动信号的类型还包括PWM脉冲宽度调制、SVPWM空间矢量调制。需要说明的是，在本实施例中，驱动信号由MCU控制输出，具体输出的驱动信号类型根据实际应用场景进行设置，在此本实用新型不作进一步限定。)。当输入直流电压低于负载反向电动势时，它是一个三相整流桥，此时来自负载的反方向充电电流经整流桥流回直流电源，实现电梯制动。将三个耗尽型MOS管Q1、Q2和Q3并联在三个IGBT绝缘栅双极型晶体管V2、V4和V6和将三个二极管VD2、VD4和VD6分别反并联在三个IGBT绝缘栅双极型晶体管V2、V4和V6处的作用是构成封星回路，在变频器主动停止运行或因停电被迫停止运行时，使电机1U、V、W三根线短接在一起，当发生坠梯时，产生制动力矩，减小轿厢下落的速度，保护乘客的安全。

变频器逆变电路2包括二极管VD1、二极管VD2、二极管VD3、二极管VD4、二极管VD5、二极管VD6、IGBT绝缘栅双极型晶体管V1、IGBT绝缘栅双极型晶体管V2、IGBT绝缘栅双极型晶体管V3、IGBT绝缘栅双极型晶体管V4、IGBT绝缘栅双极型晶体管V5和IGBT绝缘栅双极型晶体管V6。

MOS管Q1的栅极与封星驱动电路4的第一输出端Gesc端连接，MOS管Q1的漏极与IGBT绝缘栅双极型晶体管V2的集电极连接，MOS管Q1的源极与第一接地端QGND端连接；MOS管Q2的栅极与封星驱动电路4的第一输出端Gesc端连接，MOS管Q2的漏极与IGBT绝缘栅双极型晶体管V4的集电极连接，MOS管Q2的源极与第一接地端QGND端连接；MOS管Q3的栅极与所述封星驱动电路4的第一输出端Gesc端连接，MOS管Q3的漏极与IGBT绝缘栅双极型晶体管V6的集电极连接，MOS管Q3的源极与第一接地端QGND端连接；

二极管VD2的正极与IGBT绝缘栅双极型晶体管V2的发射极连接，二极管VD2的负极与IGBT绝缘栅双极型晶体管V2的集电极连接；二极管VD4的正极与IGBT绝缘栅双极型晶体管V4的发射极连接，二极管VD4的负极与IGBT绝缘栅双极型晶体管V4的集电极连接；二极管VD6的正极与IGBT绝缘栅双极型晶体管V6的发射极连接，二极管VD6的负极与IGBT绝缘栅双极型晶体管V6的集电极连接。

变频器逆变电路2与封星功率回路3共用二极管VD2、二极管VD4、二极管VD6、IGBT绝缘栅双极型晶体管V2、IGBT绝缘栅双极型晶体管V4和IGBT绝缘栅双极型晶体管V6。

IGBT绝缘栅双极型晶体管V2的集电极与所述电机1的U端连接，IGBT绝缘栅双极型晶体管V2的发射极与VDC-直流电源负极连接；IGBT绝缘栅双极型晶体管V4的集电极与所述电机1的V端连接，IGBT绝缘栅双极型晶体管V4的发射极与VDC-直流电源负极连接；IGBT绝缘栅双极型晶体管V6的集电极与所述电机1的W端连接，IGBT绝缘栅双极型晶体管V6的发射极与VDC-直流电源负极连接；IGBT绝缘栅双极型晶体管V1的集电极与VDC+直流电源正极连接，IGBT绝缘栅双极型晶体管V1的发射极与IGBT绝缘栅双极型晶体管V2的集电极连接；IGBT绝缘栅双极型晶体管V3的集电极与VDC+直流电源正极连接，IGBT绝缘栅双极型晶体管V3的发射极与IGBT绝缘栅双极型晶体管V4的集电极连接；IGBT绝缘栅双极型晶体管V5的集电极与VDC+直流电源正极连接，IGBT绝缘栅双极型晶体管V5的发射极与IGBT绝缘栅双极型晶体管V6的集电极连接；

二极管VD1的正极与IGBT绝缘栅双极型晶体管V1的发射极连接，二极管VD1的负极与所述IGBT绝缘栅双极型晶体管V1的集电极连接；二极管VD3的正极与IGBT绝缘栅双极型晶体管V3的发射极连接，二极管VD3的负极与所述IGBT绝缘栅双极型晶体管V3的集电极连接；二极管VD5的正极与IGBT绝缘栅双极型晶体管V5的发射极连接，二极管VD5的负极与所述IGBT绝缘栅双极型晶体管V5的集电极连接。

封星功率回路3的MOS管Q1、MOS管Q2和MOS管Q3为耗尽型MOS管。

需要说明的是，耗尽型MOS管是在0栅偏压时就能够导电的器件，作用是在G端(Gate)不加电压时就有导电沟道存在。此外，按按导电方式来划分，MOS管还包括增强型MOS管，即在0栅偏压时是不导电的器件，只有当栅极电压的大于其阈值电压时才能出现导电沟道的场效应晶体管，也就是说增强型MOS管只有在开启后，才会出现导电沟道。在本实用新型中，采用耗尽型MOS管为优选的一种实施方式，根据实际应用场景的需要，也可以采用其他类型的MOS管，如增强型MOS管，在此本实用新型不作进一步限定。

封星驱动电路4包括：驱动光耦U2、反相器U1、电容C1及三个电阻R1、R2和R3。

需要说明的是，驱动光耦为光电耦合器，其作用是有效隔离电器上的输入和输出电路，其信号可以以光的形式传输，具有良好的抗干扰效果，当驱动光耦的输入侧受到强电压冲击而损坏时，由于该驱动光耦的隔离作用，不会损坏输出侧电路。

在本实施例中，驱动光耦U2可选用型号为ACPL-W341,电阻R1可选择330Ω将原边电流限制在15毫安左右，当然可根据不同型号的驱动光耦U2的原边压降选择不同的阻值，驱动电阻R2及驱动电容C1需根据具体MOS管型号按驱动波形最优进行选择，放电电阻R3一般选择10KΩ。

在本实施例中，反相器U1的作用是将驱动使能信号DRIVE EN取反，确保变频器逆变电路2运行时封星功率回路3中三个耗尽型MOS管Q1、Q2、Q3均无法开启，有效防止变频器逆变电路2短路直通。

在本实施例中，电阻R1是U2的1脚的上拉电阻，作用是限制U2原边电流的大小，R2及C1分别是驱动电阻及驱动电容，作用是控制MOS管Q1、Q2、Q3的开关过程，如开关时的上升下降时间。电阻R3是放电电阻，是在掉电后给MOS管Q1、Q2、Q3的栅极放电用的。

封星驱动电路4的第二输出端与第二接地端QGND端连接，所述封星驱动电路4的第一输入端与正极电压QVCC端连接，所述封星驱动电路4的第二输入端与负极电压QVEE端连接，所述封星驱动电路4的第三输入端用于接外部处理器MCU。

需要说明的是，MCU指的是微控制单元，又称单片微型计算机或者单片机，是把中央处理器的频率与规格做适当缩减，并将内存、计数器、USB、A/D转换、UART、PLC、DMA等周边接口，甚至LCD驱动电路都整合在单一芯片上，形成芯片级的计算机，为不同的应用场合做不同组合控制。在本实用新型中，MCU用于控制驱动使能信号DRIVE EN及驱动控制信号Pesc。

反相器U1的输入端与驱动使能信号DRIVE EN电连接，反相器U1的输出端与所述驱动光耦U2的1脚电连接；

+5V电压通过所述电阻R1与所述驱动光耦U2的1脚电连接，驱动光耦U2的3脚与驱动控制信号Pesc电连接，驱动光耦U2的6脚和4脚分别与封星驱动电路4的第三端QVCC及封星驱动电路4的第四端QVEE电连接；

电阻R2的一端与所述驱动光耦U2的5脚电连接，所述电阻R2的另一端与封星驱动电路4的输出端Gesc电连接；电阻R3的一端与输出端Gesc电连接，电阻R3的另一端与封星驱动电路4的第二端QGND电连接；驱动电容C1的一端与所述输出端Gesc电连接，驱动电容C1的另一端与QGND电连接；驱动使能信号DRIVE EN及驱动控制信号Pesc由MCU控制。

需要说明的是，在本实施例中，在正常有市电的情况下，当驱动使能信号DRIVE EN为低电平且驱动控制信号Pesc为低电平，驱动输出信号Gesc为正电压QVCC；当使能信号DRIVE EN为高电平，驱动控制信号Pesc无论为高或低电平，驱动输出信号Gesc都为负电压QVEE；QVCC及QVEE分别为正负电源，QGND是此正负电源的公共地，作用是给封星驱动电路4输出端提供正或负电压的输出，根据前述的耗尽形MOS管的导通栅极电压阈值为负压(如-4V)，可选择QVEE为-8V、QVCC为+4V，具体情况视所选用的MOS管Q1、Q2、Q3的型号而定。

本实用新型包括相连接的封星电路模块和外围电路模块；所述封星电路模块包括封星功率回路3和封星驱动电路4，封星驱动电路4的第一输出端Gesc端与封星功率回路3连接；所述外围电路模块包括相连接的变频器逆变电路2以及电机1，电机1与变频器逆变电路2的输出端连接；其中，变频器逆变电路2用于驱动电机1按预设的速度运转，电机1用于带动电梯运行；封星功率回路3与变频器逆变电路2连接；其中，封星功率回路3用于当变频器逆变电路2停止运行时，封星功率回路3使电机1的线路短接，当发生坠梯时，产生制动力矩减小电梯下落速度。

根据本实用新型实施例的电梯用电子封星电路，可在有市电的情况下在需要时开通封星回路，也可在市电停电且无UPS电源支持的情况下自动开通封星回路，且封星响应时间快，能在发生坠梯时快速抑制电梯轿厢下落的速度，该电路内置于变频器内部，免去了主接触器及封星接触器，降低了硬件成本，同时，还简化了电梯控柜的接线工艺，降低了安全风险。

本实施例所述一种电梯用电子封星电路的其它结构参见现有技术。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，故凡是未脱离本实用新型技术方案内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何修改、等同变化与修饰,均仍属于本实用新型技术方案的范围内。

Claims (8)

1.一种电梯用电子封星电路，其特征在于，包括相连接的封星电路模块和外围电路模块；

所述封星电路模块包括封星功率回路(3)和封星驱动电路(4)，所述封星驱动电路(4)的第一输出端Gesc端与所述封星功率回路(3)连接；

所述外围电路模块包括相连接的变频器逆变电路(2)以及电机(1)，所述电机(1)与所述变频器逆变电路(2)的输出端连接；其中，所述变频器逆变电路(2)用于驱动所述电机(1)按预设的速度运转，所述电机(1)用于带动电梯运行；

所述封星功率回路(3)与所述变频器逆变电路(2)连接；其中，所述封星功率回路(3)用于当所述变频器逆变电路(2)停止运行时，所述封星功率回路(3)使所述电机(1)的线路短接，当发生坠梯时，产生制动力矩减小电梯下落速度。

2.根据权利要求1所述的一种电梯用电子封星电路，其特征在于：

所述封星功率回路(3)包括MOS管一(Q1)、MOS管二(Q2)、MOS管三(Q3)、二极管二(VD2)、二极管四(VD4)和二极管六(VD6)、IGBT绝缘栅双极型晶体管二(V2)、IGBT绝缘栅双极型晶体管四(V4)和IGBT绝缘栅双极型晶体管六(V6)；所述变频器逆变电路(2)包括二极管一(VD1)、二极管二(VD2)、二极管三(VD3)、二极管四(VD4)、二极管五(VD5)、二极管六(VD6)、IGBT绝缘栅双极型晶体管一(V1)、IGBT绝缘栅双极型晶体管二(V2)、IGBT绝缘栅双极型晶体管三(V3)、IGBT绝缘栅双极型晶体管四(V4)、IGBT绝缘栅双极型晶体管五(V5)和IGBT绝缘栅双极型晶体管六(V6)。

3.根据权利要求2所述的一种电梯用电子封星电路，其特征在于：

所述MOS管一(Q1)的栅极与所述封星驱动电路(4)的第一输出端Gesc端连接，所述MOS管一(Q1)的漏极与所述IGBT绝缘栅双极型晶体管二(V2)的集电极连接，所述MOS管一(Q1)的源极与第一接地端QGND端连接；

所述MOS管二(Q2)的栅极与所述封星驱动电路(4)的第一输出端Gesc端连接，所述MOS管二(Q2)的漏极与所述IGBT绝缘栅双极型晶体管四(V4)的集电极连接，所述MOS管二(Q2)的源极与第一接地端QGND端连接；

所述MOS管三(Q3)的栅极与所述封星驱动电路(4)的第一输出端Gesc端连接，所述MOS管三(Q3)的漏极与所述IGBT绝缘栅双极型晶体管六(V6)的集电极连接，所述MOS管三(Q3)的源极与第一接地端QGND端连接；

所述二极管二(VD2)的正极与所述IGBT绝缘栅双极型晶体管二(V2)的发射极连接，所述二极管二(VD2)的负极与所述IGBT绝缘栅双极型晶体管二(V2)的集电极连接；

所述二极管四(VD4)的正极与所述IGBT绝缘栅双极型晶体管四(V4)的发射极连接，所述二极管四(VD4)的负极与所述IGBT绝缘栅双极型晶体管四(V4)的集电极连接；

所述二极管六(VD6)的正极与所述IGBT绝缘栅双极型晶体管六(V6)的发射极连接，所述二极管六(VD6)的负极与所述IGBT绝缘栅双极型晶体管六(V6)的集电极连接。

4.根据权利要求2所述的一种电梯用电子封星电路，其特征在于：

所述变频器逆变电路(2)与所述封星功率回路(3)共用所述二极管二(VD2)、二极管四(VD4)、二极管六(VD6)、IGBT绝缘栅双极型晶体管二(V2)、IGBT绝缘栅双极型晶体管四(V4)和IGBT绝缘栅双极型晶体管六(V6)。

5.根据权利要求2所述的一种电梯用电子封星电路，其特征在于：

所述IGBT绝缘栅双极型晶体管二(V2)的集电极与所述电机(1)的U端连接，所述IGBT绝缘栅双极型晶体管二(V2)的发射极与VDC-直流电源负极连接；

所述IGBT绝缘栅双极型晶体管四(V4)的集电极与所述电机(1)的V端连接，所述IGBT绝缘栅双极型晶体管四(V4)的发射极与VDC-直流电源负极连接；

所述IGBT绝缘栅双极型晶体管六(V6)的集电极与所述电机(1)的W端连接，所述IGBT绝缘栅双极型晶体管六(V6)的发射极与VDC-直流电源负极连接；

所述IGBT绝缘栅双极型晶体管一(V1)的集电极与VDC+直流电源正极连接，所述IGBT绝缘栅双极型晶体管一(V1)的发射极与所述IGBT绝缘栅双极型晶体管二(V2)的集电极连接；

所述IGBT绝缘栅双极型晶体管三(V3)的集电极与VDC+直流电源正极连接，所述IGBT绝缘栅双极型晶体管三(V3)的发射极与所述IGBT绝缘栅双极型晶体管四(V4)的集电极连接；

所述IGBT绝缘栅双极型晶体管五(V5)的集电极与VDC+直流电源正极连接，所述IGBT绝缘栅双极型晶体管五(V5)的发射极与所述IGBT绝缘栅双极型晶体管六(V6)的集电极连接；

所述二极管一(VD1)的正极与所述IGBT绝缘栅双极型晶体管一(V1)的发射极连接，所述二极管一(VD1)的负极与所述IGBT绝缘栅双极型晶体管一(V1)的集电极连接；

所述二极管三(VD3)的正极与所述IGBT绝缘栅双极型晶体管三(V3)的发射极连接，所述二极管三(VD3)的负极与所述IGBT绝缘栅双极型晶体管三(V3)的集电极连接；

所述二极管五(VD5)的正极与所述IGBT绝缘栅双极型晶体管五(V5)的发射极连接，所述二极管五(VD5)的负极与所述IGBT绝缘栅双极型晶体管五(V5)的集电极连接。

6.根据权利要求2所述的一种电梯用电子封星电路，其特征在于：

所述封星功率回路(3)的MOS管一(Q1)、MOS管二(Q2)和MOS管三(Q3)为耗尽型MOS管。

7.根据权利要求1所述的一种电梯用电子封星电路，其特征在于：

所述封星驱动电路(4)包括：驱动光耦(U2)、反相器(U1)、电容(C1)、电阻一(R1)、电阻二(R2)和电阻三(R3)；所述封星驱动电路(4)的第二输出端与第二接地端QGND端连接，所述封星驱动电路(4)的第一输入端与正极电压QVCC端连接，所述封星驱动电路(4)的第二输入端与负极电压QVEE端连接，所述封星驱动电路(4)的第三输入端用于接MCU外部处理器。

8.根据权利要求7所述的一种电梯用电子封星电路，其特征在于：

所述反相器(U1)的输入端与驱动使能信号DRIVE EN端电连接，所述反相器(U1)的输出端与所述驱动光耦(U2)的1脚电连接；

+5V电压通过所述电阻一(R1)与所述驱动光耦(U2)的1脚电连接，所述驱动光耦(U2)的3脚与驱动控制信号Pesc端电连接，所述驱动光耦(U2)的6脚和4脚分别与封星驱动电路(4)的第三端QVCC端及封星驱动电路(4)的第四端QVEE端电连接；

所述电阻二(R2)的一端与所述驱动光耦(U2)的5脚电连接，所述电阻二(R2)的另一端与封星驱动电路(4)的输出端Gesc端电连接；

所述电阻三(R3)的一端与所述输出端Gesc端电连接，所述电阻三(R3)的另一端与封星驱动电路(4)的第二端QGND端电连接；

所述电容(C1)的一端与所述输出端Gesc端电连接，所述电容(C1)的另一端与所述QGND端电连接；

所述驱动使能信号DRIVE EN端及所述驱动控制信号Pesc端由MCU控制。