CN114337465A - 一种智能控制模块及其控制方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种智能功率模块，属于半导体技术领域，驱动HVIC和MCU处理器设置于同一个封装体内；霍尔检测电路的信号反馈端与MCU处理器的转速信号输入端电连接；U相电流采集电路的信号反馈端与MCU处理器的U相电流信号输入端电连接，V相电流采集电路的信号反馈端与MCU处理器的V相电流信号输入端电连接；母线电流采集电路的信号反馈端与MCU处理器的母线电流信号输入端电连接；母线电压检测电路的信号反馈端与MCU处理器的母线电压信号输入端电连接。还公开了一种智能功率模块的控制方法。所述智能功率模块及其控制方法解决了使用者在使用现有的智能控制模块时要另外开发电机驱动算法，从而提高了开发成本的问题。

Description

一种智能控制模块及其控制方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是一种智能控制模块及其控制方法。

背景技术

驱动HVIC，即高压集成驱动IC，是利用单片机的输入信号直接驱动功率MOSFET和IGBT门极的耐高压IC，可以替代常见的脉冲变压器和光耦。通过电平整流器电路，在半导体芯片内部实现电介质绝缘，内置各种保护功能，如电源电压过低保护、互锁功能、输入信号过滤功能和错误输出功能等，可以提高设备的可靠性。驱动HVIC广泛应用于通用逆变器、交流伺服电机、直流无刷电机、荧光灯和HID照明、LED照明、IH烹调加热器、空调、洗衣机和各种IPM模块。

目前的智能控制模块，不带有电机驱动算法，电机驱动算法对于每个使用者来说都是一个重点和难点。一种好的电机算法，需要工程师经过慢长时间去测试验证才能实现，如此，使用者在使用智能控制模块时就要另外开发电机驱动算法，从而提高了开发成本。

发明内容

针对上述缺陷，本发明的一个目的在于提出一种智能控制模块，解决了使用者在使用现有的智能控制模块时要另外开发电机驱动算法，从而提高了开发成本的问题。

针对上述缺陷，本发明的另一个目的在于提出一种智能控制模块的控制方法，解决了使用者在使用现有的智能控制模块时要另外开发电机驱动算法，从而提高了开发成本的问题。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：一种智能功率模块，包括驱动HVIC、MCU处理器、三相逆变桥、霍尔检测电路、U相电流采集电路、V相电流采集电路、母线电流采集电路和母线电压检测电路；

所述驱动HVIC和所述MCU处理器设置于同一个封装体内，所述驱动HVIC包括驱动电路单元，所述MCU处理器的控制输出端与所述驱动电路单元的控制输入端电连接，所述驱动电路单元的信号输出端通过所述三相逆变桥与电机电连接；

所述霍尔检测电路的检测端朝向所述电机，所述霍尔检测电路的信号反馈端与所述MCU处理器的转速信号输入端电连接；

所述三相逆变桥的U相串联有U相电流采集电阻，所述三相逆变桥的V相串联有V相电流采集电阻，所述U相电流采集电路的采集端与所述U相电流采集电阻并联，所述U相电流采集电路的信号反馈端与所述MCU处理器的U相电流信号输入端电连接，所述V相电流采集电路的采集端与所述V相电流采集电阻并联，所述V相电流采集电路的信号反馈端与所述MCU处理器的V相电流信号输入端电连接；

所述三相逆变桥的U相、V相和W相并联后串联有母线电流采集电阻，所述母线电流采集电路的采集端与所述母线电流采集电阻并联，所述母线电流采集电路的信号反馈端与所述MCU处理器的母线电流信号输入端电连接；

所述三相逆变桥的U相、V相和W相并联后与所述母线电压检测电路的检测端串联，所述母线电压检测电路的信号反馈端与所述MCU处理器的母线电压信号输入端电连接。

值得说明的是，所述MCU处理器的控制输出端包括HIN输出端和LIN输出端，所述驱动电路单元包括上桥驱动电路和下桥驱动电路，所述上桥驱动电路的控制输入端与所述MCU处理器的HIN输出端电连接，所述下桥驱动电路的控制输入端与所述MCU处理器的LIN输出端电连接；所述上桥驱动电路的输出端包括上桥驱动端H01、上桥驱动端H02和上桥驱动端H03，所述下桥驱动电路的输出端包括下桥驱动端L01、下桥驱动端L02和下桥驱动端L03；

所述三相逆变桥包括上桥逆变电路和下桥逆变电路；

所述上桥逆变电路包括IGBT1晶体管、IGBT2晶体管和IGBT3晶体管，所述上桥驱动端H01与所述IGBT1晶体管的G极电连接，所述IGBT1晶体管的E极与所述电机的U相输入端电连接，所述上桥驱动端H02与所述IGBT2晶体管的G极电连接，所述IGBT2晶体管的E极与所述电机的V相输入端电连接，所述上桥驱动端H03与所述IGBT3晶体管的G极电连接，所述IGBT3晶体管的E极与所述电机的W相输入端电连接，所述IGBT1晶体管的C极、所述IGBT2晶体管的C极和所述IGBT3晶体管的C极并联；

所述下桥逆变电路包括IGBT4晶体管、IGBT5晶体管和IGBT6晶体管，所述下桥驱动端L01与所述IGBT4晶体管的G极电连接，所述IGBT4晶体管的C极与所述电机的U相输入端电连接，所述下桥驱动端L02与所述IGBT5晶体管的G极电连接，所述IGBT5晶体管的C极与所述电机的V相输入端电连接，所述下桥驱动端L03与所述IGBT6晶体管的G极电连接，所述IGBT6晶体管的C极与所述电机的W相输入端电连接，所述IGBT4晶体管的E极、所述IGBT5晶体管的E极和所述IGBT6晶体管的E极并联。

可选地，所述U相电流采集电阻的一端与所述IGBT4晶体管的E极电连接，所述V相电流采集电阻的一端与所述IGBT5晶体管的E极电连接，所述U相电流采集电阻的另一端、所述V相电流采集电阻的另一端和所述IGBT6晶体管的E极并联后与所述母线电流采集电阻的一端电连接，所述母线电流采集电阻的另一端接地。

具体地，所述IGBT1晶体管的C极、所述IGBT2晶体管的C极和所述IGBT3晶体管的C极并联后与所述母线电压检测电路的检测端电连接。

优选的，所述驱动HVIC还包括故障逻辑单元，所述故障逻辑单元包括过流保护电路和故障逻辑控制电路，所述过流保护电路的输入端与所述驱动HVIC的ITRIP端口电连接，所述过流保护电路的输出端与所述故障逻辑控制电路的过流输入端电连接，所述故障逻辑控制电路的输出端与所述MCU处理器的报错输入端FO电连接；

所述母线电流采集电路的信号反馈端还与所述驱动HVIC的ITRIP端口电连接。

值得说明的是，所述故障逻辑单元还包括电源欠压保护电路、过压保护电路和过温保护电路，所述电源欠压保护电路的输入端和所述过压保护电路的输入端均与所述驱动HVIC的电源输入端电连接，所述电源欠压保护电路的输出端与所述故障逻辑控制电路的欠压输入端电连接，所述过压保护电路的输出端与所述故障逻辑控制电路的过压输入端电连接；

所述过温保护电路的输入端与所述驱动HVIC的温度采集端口TV电连接，所述过温保护电路的输出端与所述故障逻辑控制电路的过温输入端电连接。

可选地，所述故障逻辑单元还包括故障输出电路，所述故障输出电路包括NMOS管和上拉电阻，所述NMOS管的栅极与所述故障逻辑控制电路的输出端电连接，所述NMOS管的漏极接地，所述NMOS管的源极与所述上拉电阻并联后与所述MCU处理器的报错输入端FO电连接。

具体地，所述驱动HVIC还包括互锁电路，所述互锁电路包括第一与非门、第二与非门和第三与非门，所述第一与非门包括输入端a、输入端b和输出端c，所述第二与非门包括输入端d、输入端e和输出端f，所述第三与非门包括输入端g、输入端h和输出端i；

所述第一与非门的输入端a与所述MCU处理器的HIN输出端电连接，所述第一与非门的输入端b与所述MCU处理器的LIN输出端电连接，所述第一与非门的输出端c与所述第二与非门的输入端e电连接，所述第二与非门的输入端d与所述MCU处理器的HIN输出端电连接，所述第二与非门的输出端f与所述上桥驱动电路的输入端电连接，所述第一与非门的输出端c还与所述第三与非门的输入端g电连接，所述第三与非门的输入端h与所述MCU处理器的LIN输出端电连接，所述第三与非门的输出端i与所述下桥驱动电路的输入端电连接。

优选的，一种智能功率模块的控制方法，包括以下步骤：

A1：MCU处理器输出PWM波到驱动HVIC的驱动电路单元，然后所述驱动电路单元将PWM波发送到三相逆变桥，所述三相逆变桥根据所述PWM波驱动电机；

A2：霍尔检测电路的检测端检测电机的转速和电机的转子位置，并通过所述霍尔检测电路的信号反馈端将电机的转速和电机的转子位置反馈到MCU处理器；U相电流采集电路的采集端采集流经U相电流采集电阻的电流，并通过U相电流采集电路的信号反馈端将流经U相电流采集电阻的电流反馈到MCU处理器；V相电流采集电路的采集端采集流经V相电流采集电阻的电流，并通过V相电流采集电路的信号反馈端将流经V相电流采集电阻的电流反馈到MCU处理器；母线电流采集电路的采集端采集流经母线电流采集电阻的电流，并通过母线电流采集电路的信号反馈端将流经母线电流采集电阻的电流反馈到MCU处理器；母线电压检测电路的检测端采集所述三相逆变桥的U相、V相和W相并联后的母线的电压，并通过母线电压检测电路的信号反馈端将所述三相逆变桥的U相、V相和W相并联后的母线的电压反馈到MCU处理器；

A3：所述MCU处理器根据接收到的电机的转速、电机的转子位置、流经U相电流采集电阻的电流、流经V相电流采集电阻的电流、流经母线电流采集电阻的电流以及所述三相逆变桥的U相、V相和W相并联后的母线的电压，实时调节PWM波的占空比后再执行步骤A1。

值得说明的是，在所述步骤A1前还包括步骤A0，所述步骤A0为：

所述驱动HVIC工作后实时检测智能功率模块的电路是否过流、过压、过温或欠压；当所述驱动HVIC工作后检测到所述智能功率模块的电路为过流、过压、过温或欠压中的其中一种情况时，驱动HVIC通过其自身的故障逻辑控制电路输出故障信号给所述MCU处理器，使所述MCU处理器停止工作；当所述驱动HVIC工作后检测到所述智能功率模块的电路没有出现过流、过压、过温或欠压时，执行步骤A1。

上述技术方案中的一个技术方案具有如下有益效果：在所述智能功率模块中，所述MCU处理器根据电机的转速、三相逆变桥的U相电流、三相逆变桥的V相电流、三相逆变桥的母线电流和三相逆变桥的母线电压来实时调节电机的转动，与现有的智能功率模块相比，采集的信息更多，电机运行得更加稳定。在所述智能功率模块中，将写有电机驱动算法的MCU处理器与所述驱动HVIC集成在一起，用户用这样的智能功率模块做电机的驱动电控器，将会非常简单方便，从而大大降低驱动电控器的开发难度和开发时间，并且能降低开发成本。

附图说明

图1是本发明的一个实施例的驱动HVIC和MCU处理器电连接的原理框图；

图2是本发明的一个实施例的驱动HVIC和MCU处理器电连接的电路图；

图3是本发明的一个实施例的智能控制模块的外围驱动电路的电路图；

图4是本发明的一个实施例的智能控制模块的控制方法的流程图；

其中：100驱动HVIC；101上桥驱动电路；1011自举电路；1012高侧欠压保护电路；102下桥驱动电路；103过流保护电路；104故障逻辑控制电路；105电源欠压保护电路；106过压保护电路；107过温保护电路；108故障输出电路；1081上拉电阻；109互锁电路；1091第一与非门；1092第二与非门；1093第三与非门；110施密特触发器；111低通滤波器；112VREG-VCC电平转换电路；113脉冲发生电路；114dV/dt误动作防止电路；115输出电路；116电源电路；117使能电路；200MCU处理器；300三相逆变桥；301上桥逆变电路；302下桥逆变电路；303U相电流采集电阻；304V相电流采集电阻；305母线电流采集电阻；400霍尔检测电路；500U相电流采集电路；600V相电流采集电路；700母线电流采集电路；800母线电压检测电路；900电机。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

下面结合图1至图4，描述本发明实施例的一种智能功率模块，包括驱动HVIC100、MCU处理器200、三相逆变桥300、霍尔检测电路400、U相电流采集电路500、V相电流采集电路600、母线电流采集电路700和母线电压检测电路800；

所述驱动HVIC100和所述MCU处理器200设置于同一个封装体内，所述驱动HVIC100包括驱动电路单元，所述MCU处理器200的控制输出端与所述驱动电路单元的控制输入端电连接，所述驱动电路单元的信号输出端通过所述三相逆变桥300与电机900电连接；具体地，所述MCU处理器200用于集成电机驱动算法。

所述霍尔检测电路400的检测端朝向所述电机900，所述霍尔检测电路400的信号反馈端与所述MCU处理器200的转速信号输入端电连接；具体地，所述电机900的转子设有磁钢，所述霍尔检测电路400的检测端为霍尔传感器，所述霍尔检测电路400的检测端朝向所述磁钢，从而检测电机900实时的转速和电机900转子位置，并反遗给MCU处理器200的HA端口、HB端口和HC端口；

所述三相逆变桥300的U相串联有U相电流采集电阻303，所述三相逆变桥300的V相串联有V相电流采集电阻304，所述U相电流采集电路500的采集端与所述U相电流采集电阻303并联，所述U相电流采集电路500的信号反馈端与所述MCU处理器200的U相电流信号输入端电连接，所述V相电流采集电路600的采集端与所述V相电流采集电阻304并联，所述V相电流采集电路600的信号反馈端与所述MCU处理器200的V相电流信号输入端电连接；具体地，U相电流采集电路500实时检测三相逆变桥300的U相的电流，在对三相逆变桥300的U相的电流进行放大和滤波处理后输入所述MCU处理器200的UI端口；V相电流采集电路600实时检测三相逆变桥300的V相的电流，在对三相逆变桥300的V相的电流进行放大和滤波处理后输入所述MCU处理器200的VI端口；

所述三相逆变桥300的U相、V相和W相并联后串联有母线电流采集电阻305，所述母线电流采集电路700的采集端与所述母线电流采集电阻305并联，所述母线电流采集电路700的信号反馈端与所述MCU处理器200的母线电流信号输入端电连接；具体地，所述驱动电路单元的输出端包括U相输出端、V相输出端和W相输出端，所述三相逆变桥300的输入端包括U相输入端、V相输入端和W相输入端，并与所述驱动电路单元的U相输出端、V相输出端和W相输出端一一对应；所述三相逆变桥300的输出端包括U相输出端、V相输出端和W相输出端，并与所述驱动电路单元的U相输出端、V相输出端和W相输出端一一对应；所述电机900的输入端包括U相输入端、V相输入端和W相输入端，并与所述驱动电路单元的U相输出端、V相输出端和W相输出端一一对应。母线电流采集电路700实时检测所述三相逆变桥300的母线的电流，在对三相逆变桥300的母线的电流进行放大和滤波处理后输入MCU处理器200的MI端口和驱动HVIC100的ITRIP端口。

所述三相逆变桥300的U相、V相和W相并联后与所述母线电压检测电路800的检测端串联，所述母线电压检测电路800的信号反馈端与所述MCU处理器200的母线电压信号输入端电连接。具体地，所述三相逆变桥300的U相、V相和W相并联后为母线，母线电压检测电路800检测母线的电压并通过MCU处理器200的MV端口实时反遗给MCU处理器200。

在所述智能功率模块中，所述MCU处理器200根据电机900的转速、三相逆变桥300的U相电流、三相逆变桥300的V相电流、三相逆变桥300的母线电流和三相逆变桥300的母线电压来实时调节电机900的转动，与现有的智能功率模块相比，采集的信息更多，电机900运行得更加稳定。在所述智能功率模块中，将写有电机驱动算法的MCU处理器200与所述驱动HVIC100集成在一起，用户用这样的智能功率模块做电机900的驱动电控器，将会非常简单方便，从而大大降低驱动电控器的开发难度和开发时间，并且能降低开发成本。

一些实施例中，如图2和3所示，所述MCU处理器200的控制输出端包括HIN输出端和LIN输出端，所述驱动电路单元包括上桥驱动电路101和下桥驱动电路102，所述上桥驱动电路101的控制输入端与所述MCU处理器200的HIN输出端电连接，所述下桥驱动电路102的控制输入端与所述MCU处理器200的LIN输出端电连接；所述上桥驱动电路101的输出端包括上桥驱动端H01、上桥驱动端H02和上桥驱动端H03，所述下桥驱动电路102的输出端包括下桥驱动端L01、下桥驱动端L02和下桥驱动端L03；具体地，所述MCU处理器200的HIN输出端包括HIN1端口、HIN2端口和HIN3端口，所述HIN1端口与所述上桥驱动端H01导通，所述HIN2端口与所述上桥驱动端H02导通，所述HIN3端口与所述上桥驱动端H03导通；所述MCU处理器200的LIN输出端包括LIN1端口、LIN2端口和LIN3端口，所述LIN1端口与所述下桥驱动端L01导通，所述HIN2端口与所述下桥驱动端L02导通，所述HIN3端口与所述下桥驱动端L03导通；

所述三相逆变桥300包括上桥逆变电路301和下桥逆变电路302；

所述上桥逆变电路301包括IGBT1晶体管、IGBT2晶体管和IGBT3晶体管，所述上桥驱动端H01与所述IGBT1晶体管的G极电连接，所述IGBT1晶体管的E极与所述电机900的U相输入端电连接，所述上桥驱动端H02与所述IGBT2晶体管的G极电连接，所述IGBT2晶体管的E极与所述电机900的V相输入端电连接，所述上桥驱动端H03与所述IGBT3晶体管的G极电连接，所述IGBT3晶体管的E极与所述电机900的W相输入端电连接，所述IGBT1晶体管的C极、所述IGBT2晶体管的C极和所述IGBT3晶体管的C极并联；

所述下桥逆变电路302包括IGBT4晶体管、IGBT5晶体管和IGBT6晶体管，所述下桥驱动端L01与所述IGBT4晶体管的G极电连接，所述IGBT4晶体管的C极与所述电机900的U相输入端电连接，所述下桥驱动端L02与所述IGBT5晶体管的G极电连接，所述IGBT5晶体管的C极与所述电机900的V相输入端电连接，所述下桥驱动端L03与所述IGBT6晶体管的G极电连接，所述IGBT6晶体管的C极与所述电机900的W相输入端电连接，所述IGBT4晶体管的E极、所述IGBT5晶体管的E极和所述IGBT6晶体管的E极并联。具体地，所述IGBT1晶体管的E极与所述IGBT4晶体管的C极电连接，所述IGBT2晶体管的E极与所述IGBT5晶体管的C极电连接，所述IGBT3晶体管的E极与所述IGBT6晶体管的C极电连接。

值得说明的是，所述U相电流采集电阻303的一端与所述IGBT4晶体管的E极电连接，所述V相电流采集电阻304的一端与所述IGBT5晶体管的E极电连接，所述U相电流采集电阻303的另一端、所述V相电流采集电阻304的另一端和所述IGBT6晶体管的E极并联后与所述母线电流采集电阻305的一端电连接，所述母线电流采集电阻305的另一端接地。所述IGBT1晶体管和IGBT4晶体管为一组并与U相连通，因此，流经所述U相电流采集电阻303的电流就能反映所述三相逆变桥300的U相电流，也就是电机900的U相电流。所述IGBT2晶体管和IGBT5晶体管为一组并与V相连通，因此，流经所述V相电流采集电阻304的电流就能反映所述三相逆变桥300的V相电流，也就是电机900的V相电流。所述IGBT3晶体管和IGBT6晶体管为一组并与W相连通,因此流经所述IGBT3晶体管和IGBT6晶体管的电流为所述三相逆变桥300的W相电流，如此所述U相电流采集电阻303的另一端、所述V相电流采集电阻304的另一端和所述IGBT6晶体管的E极并联后形成的母线的电流能反映所述三相逆变桥300的母线电流。

可选地，所述IGBT1晶体管的C极、所述IGBT2晶体管的C极和所述IGBT3晶体管的C极并联后与所述母线电压检测电路800的检测端电连接。所述IGBT1晶体管的C极、所述IGBT2晶体管的C极和所述IGBT3晶体管的C极并联形成的母线的电压能反映所述三相逆变桥300的母线电压，如此，所述MCU处理器200就能接收到所述三相逆变桥300的母线电压。

具体地，所述驱动HVIC100还包括故障逻辑单元，所述故障逻辑单元包括过流保护电路103和故障逻辑控制电路104，所述过流保护电路103的输入端与所述驱动HVIC100的ITRIP端口电连接，所述过流保护电路103的输出端与所述故障逻辑控制电路104的过流输入端电连接，所述故障逻辑控制电路104的输出端与所述MCU处理器200的报错输入端FO电连接；所述母线电流采集电路700的信号反馈端还与所述驱动HVIC100的ITRIP端口电连接。所述过流保护电路103用于判断三相逆变桥300的母线是否过流，当所述三相逆变桥300的母线过流时，过流保护电路103向所述故障逻辑控制电路104发送触发信号，所述故障逻辑控制电路104在接收到触发信号后关断MCU处理器200。

优选的，所述故障逻辑单元还包括电源欠压保护电路105、过压保护电路106和过温保护电路107，所述电源欠压保护电路105的输入端和所述过压保护电路106的输入端均与所述驱动HVIC100的电源输入端电连接，所述电源欠压保护电路105的输出端与所述故障逻辑控制电路104的欠压输入端电连接，所述过压保护电路106的输出端与所述故障逻辑控制电路104的过压输入端电连接；如图1和2所示，当VCC的电压过低时应使驱动IC 停止工作（保持输出为逻辑0状态），以保护后继的电路。因此在低压区，应存在检测VCC电平的电源欠压保护电路105。当VCC从高电位开始下降，低于13V以后，电源欠压保护电路105的输出保持逻辑0；当VCC从低点位开始上升，高于13.7V以后，电源欠压保护电路105的输出保持逻辑1，也即之间存在0.7V的差值，这主要是为了更好的保护后继的电路，确认电源电压确实足够高后，输出才产生高电平。考虑到电源噪声，在电路的最后，应加入延时电路，使电源噪声引起的电源电压瞬时低下时，输出不产生误动作。如图1和2所示，当VCC的电压过高时应使驱动IC 停止工作（保持输出为逻辑0状态），以保护后继的电路。因此在低压区，应存在检测VCC电平的过压保护电路106。当VCC从低电位开始上升，高于16.5V以后，过压保护电路106的输出保持逻辑0；当VCC从高点位开始下降，低于15.7V以后，过压保护电路106的输出保持逻辑1，也即之间存在0.8V的差值，这主要是为了更好的保护后继的电路，确认电源电压确实足够低后，输出才产生高电平。考虑到电源噪声，在电路的最后，应加入延时电路，使电源噪声引起的电源电压瞬时过高时，输出不产生误动作。

所述过温保护电路107的输入端与所述驱动HVIC100的温度采集端口TV电连接，所述过温保护电路107的输出端与所述故障逻辑控制电路104的过温输入端电连接。所述过温保护电路107用于接收所述智能功率模块的电路的温度参数，当温度高于设定值时，就控制所述故障逻辑控制电路104动作，从而使所述MCU处理器200停止工作。

一些实施例中，所述故障逻辑单元还包括故障输出电路108，所述故障输出电路108包括NMOS管和上拉电阻1081，所述NMOS管的栅极与所述故障逻辑控制电路104的输出端电连接，所述NMOS管的漏极接地，所述NMOS管的源极与所述上拉电阻1081并联后与所述MCU处理器200的报错输入端FO电连接。如图2所示，NMOS管的源极与上拉电阻1081的一端电连接后接到MCU处理器200的报错输入端 FO，上拉电阻1081的另一端接到5V电源。故障逻辑控制电路104的故障输出信号为0时，表示无故障，报错输入端FO为1；故障逻辑控制电路104的故障输出信号为1时，表示有故障，报错输入端FO为0。电源欠压保护电路105的欠压保护功能信号UVLO为0时，故障逻辑控制电路104相报错输入端FO发送故障信号，驱动HVIC100进入欠压保护功能，关断驱动HVIC100的六路PWM波，过压保护电路106的输出保持逻辑、过温保护电路107的输出保持逻辑和使能电路117的输出保持逻辑为1代表正常无故障，为0时代表故障逻辑控制电路104向报错输入端FO发送故障信号给MCU处理器200，MCU处理器200接到故障信号时，MCU处理器200进入模块保护功能，关断六路PWM波输出，同时，驱动HVIC100也进入对应功能保护，驱动HVIC100停止六路PWM波输出，停止工作。

值得说明的是，如图2所示，所述驱动HVIC100还包括互锁电路109，所述互锁电路109包括第一与非门1091、第二与非门1092和第三与非门1093，所述第一与非门1091包括输入端a、输入端b和输出端c，所述第二与非门1092包括输入端d、输入端e和输出端f，所述第三与非门1093包括输入端g、输入端h和输出端i；

所述第一与非门1091的输入端a与所述MCU处理器200的HIN输出端电连接，所述第一与非门1091的输入端b与所述MCU处理器200的LIN输出端电连接，所述第一与非门1091的输出端c与所述第二与非门1092的输入端e电连接，所述第二与非门1092的输入端d与所述MCU处理器200的HIN输出端电连接，所述第二与非门1092的输出端f与所述上桥驱动电路101的输入端电连接，所述第一与非门1091的输出端c还与所述第三与非门1093的输入端g电连接，所述第三与非门1093的输入端h与所述MCU处理器200的LIN输出端电连接，所述第三与非门1093的输出端i与所述下桥驱动电路102的输入端电连接。

若MCU处理器200的HIN输出端和LIN输出端同时为高电平会导致上桥驱动电路101的输出端和下桥驱动电路102的输出端同时为高电平，使后继的IGBT等元件同时导通，流过大电流，造成 IGBT 等后继元件的损坏，因此需要引入所述互锁电路109，当HIN输出端和LIN输出端同时为高电平时，上桥驱动电路101的输出端和下桥驱动电路102的输出端同时被置为低电平。

当HIN输出端和LIN输出端同时为逻辑1时，上桥驱动电路101的输出端和下桥驱动电路102的输出端为逻辑0，其余情况，输入与输出的逻辑如表1：

具体地，所述上桥驱动电路101包括第一上驱动子电路、第二上驱动子电路和第三上驱动子电路，所述MCU处理器200的HIN输出端包括HIN1端口、HIN2端口和HIN3端口，所述第一上驱动子电路的输入端通过所述互锁电路109与所述HIN1端口电连接，所述第二上驱动子电路的输入端通过互锁电路109与所述HIN2端口电连接，所述第三上驱动子电路的输入端通过互锁电路109与所述HIN3端口电连接；所述第一上驱动子电路的输出端与所述上桥驱动端H01电连接，所述第二上驱动子电路的输出端与所述上桥驱动端H02电连接，所述第三上驱动子电路的输出端与所述上桥驱动端H03电连接。所述下桥驱动电路102包括第一下驱动子电路、第二下驱动子电路和第三下驱动子电路，所述MCU处理器200的LIN输出端包括LIN1端口、LIN2端口和LIN3端口，所述第一下驱动子电路的输入端通过所述互锁电路109与所述LIN1端口电连接，所述第二下驱动子电路的输入端通过互锁电路109与所述LIN2端口电连接，所述第三下驱动子电路的输入端通过互锁电路109与所述LIN3端口电连接；所述第一下驱动子电路的输出端与所述上桥驱动端L01电连接，所述第二下驱动子电路的输出端与所述上桥驱动端L02电连接，所述第三下驱动子电路的输出端与所述上桥驱动端L03电连接。

驱动HVIC100包括三通道的上桥驱动电路101和三通道的下桥驱动电路102。所述上桥驱动电路101内部包含高侧欠压保护电路1012和自举电路1011，实现高侧驱动欠压保护功能和自举供电功能。上桥驱动电路101的低压区电路与下桥驱动电路102之间连接互锁和死区电路实现互锁和死区功能。电源电路116包括5V的LDO电路和1.2V的BANDGAP电路，给驱动HVIC100内部所有电路和外部电路供给5V电和15V电压，给驱动HVIC100以及外部电路提供稳定的1.2V电压基准。电源电路116与电源欠压保护电路105电连接，欠压信号输入故障逻辑控制电路104。驱动HVIC100内部还包含使能电路117，实现使能功能，使能信号输入故障逻辑控制电路104。过流保护电路103实现过流保护功能，过流信号输入故障逻辑控制电路104。过压保护电路106实现过压保护功能，过压信号输入故障逻辑控制电路104。MCU处理器200接收电控系统的各种电流、电压、电机900位置和速度等信号，并根据用户需求调节正弦波算法的参数，输出正常的正弦波驱动信号。故障逻辑控制电路104接收到各故障信号，根据各故障信号对驱动HVIC100及其电控系统的严重程度，故障逻辑控制电路104发出相应的信号关断驱动HVIC100的输出，同时，也给MCU处理器200发出报错信号，关断MCU处理器200处理输出，进行保护驱动HVIC100及电控系统。驱动HVIC100的ITRIP端口内部通过较大电容下拉到VSS。

所述智能功率模块还包括施密特触发器110（SCHMITT）、低通滤波器111（TWINFILTER）、VREG 发生电路、VREG-VCC电平转换电路112（VREG 2 VCC LEVEL SHIFT）、脉冲发生电路113（GEN）、低压-高压过度电路650V系列DMOS管（UQ1、UQ2、VQ1、VQ2、WQ1、WQ2 ）、dV/dt误动作防止电路114（dV/dt FILTER）和由大电流系元件组成的输出电路115（OUTPUT）；

施密特触发器110（SCHMITT）：LIN输出端和HIN输出端都需让信号首先经过施密特触发器110，过滤输入电路的电平噪声，逻辑为0时的最大值为0.8V，逻辑1时的最小值为2.9V。

低通滤波器111（TWIN FILTER ）：为了过滤输入电路高频噪声，同时为了给VB足够的充电时间，避免被驱动的后端电路工作在VB电压不足的状态（这样会使后端电路效率降低），需要限定输入信号的频率范围，对过高频率的信号进行过滤。一般 600KHz～700KHz以上的信号应被滤去。

VREG 发生电路（VREG/VCC ）：驱动HVIC100的供电电压TYPE值一般为15V，要接收MCU处理器200等的5V的逻辑为1的信号，必须产生一个7V～8V的VREG信号。产生一个温度特性良好的7.2V的 VREG 信号，同时，还需要一个5V电源给MCU处理器200供电。

VREG-VCC电平转换电路112（VREG 2 VCC LEVEL SHIFT）：驱动HVIC100是 MOS电路，电流很小，但VREG信号的电流能力有限，不能带动过多的电路，在进行了施密特触发和低通滤波后，一般先进行电压转换，驱动电压由VREG信号转成 VCC。

脉冲发生电路113（PULSE GEN）：在HIN输出端的HIN信号的上升沿和下降沿分别产生脉冲，使高压的DMOS瞬时导通，用RS触发器记录这个瞬时导通的信号，控制上桥驱动电路101的输出端的HO信号与HIN信号同步。之所以不能用 HIN 信号的持续高低信号来控制DMOS的导通，是因为在VS为 600V～650V 时，VB的电平为615V～675V，VB是一个由电压泵形成的电压，具有的能量有限，一般不具备持续通过导通的DMOS向地流电流的能力；如果VB与地之间产生持续的电流回路，VB将迅速降低，进入低压保护区，使驱动HVIC100无法正常工作。因此，脉冲发生电路113（PLUSE GEN）的引入是非常必要的，在驱动HVIC100中，用得较多的 PLUSE GEN信号有ONESHOT电路（产生一个脉冲）和DOUBLE PLUSE电路（产生两个脉冲）。一般使用的场合，用ONESHOT电路就足够了；对于VS会被拉得较低的（一般是后继电路中具有大电感）的电路，会使用 DOUBLE PLUSE 电路。

低压-高压过度电路650V系列DMOS管（UQ1、UQ2、VQ1、VQ2、WQ1、WQ2 ）是低压- 高压过渡电路，此电路用于实现低压区与高压区的过渡，有CMOS管传导脉冲发生电路113（PULSEGEN）的脉冲，控制高压 DMOS 导通，在DMOS管关断时，DMOS管的漏极与源极间能够承受650V以上的电压。为实现高低压区间的分离，需要有高压岛结构，实现高压区与低压区的隔离。

dV/dt误动作防止电路114（dV/dt FILTER ）：当OFF_PLUSE和ON_PLUSE分别产生低电平时，VOUT分别产生逻辑为0 和逻辑为1的信号；而当VS突变时，由于寄生电容的存在，I=C*dVS/dt，使ON和OFF两侧同时产生电流导致两侧同时出现低电平；为了防止这个同时为低的信号使输出产生误动作，引入了dV/dt误动作防止电路114（dV/dt FILTER）。VB-VS间的电压在16.5V～19.5V间可变，VS-GND的电压在0V～600V间可变，dV/dt从0.3kV/μs 到10kV/μs无误动作。

输出电路115（OUTPUT ）使用CMOS管输出方式：1、导通电阻为 75Ω，能承受脉冲宽度为15μs的峰值为200mA的电流冲击的PMOS管；2、导通电阻为 43Ω，能承受脉冲宽度为15μs的峰值为350mA的电流冲击的NMOS管。

MCU处理器200：MCU处理器200集成正弦波算法，MCU处理器200接收到VSP外部输入的电机900运转速度要求，启动电机900，MCU处理器200的UI端口、VI端口和MI端口接到电机900的U相、V相及母线的电流，启动电机900，MCU处理器200的HA端口、HB端口和HC端口接收到电机900的位置信号，启动电机900，MCU处理器200的MV端口接收到母线的电压信号。MCU处理器200根据这些信号通过正弦波算法，调节六路驱动PWM的占空比，达到控制电机900的目的。MCU处理器200的报错输入端FO是故障接收管脚，当报错输入端FO收到的逻辑信号为0时，表明驱动HVIC100的故障，MCU处理器200停止PWM波的输出，保护驱动HVIC100及整个电路系统。

可选地，如图4所示，一种智能功率模块的控制方法，包括以下步骤：

A1：MCU处理器200输出PWM波到驱动HVIC100的驱动电路单元，然后所述驱动电路单元将PWM波发送到三相逆变桥300，所述三相逆变桥300根据所述PWM波驱动电机900；

A2：霍尔检测电路400的检测端检测电机900的转速和电机900的转子位置，并通过所述霍尔检测电路400的信号反馈端将电机900的转速和电机900的转子位置反馈到MCU处理器200；U相电流采集电路500的采集端采集流经U相电流采集电阻303的电流，并通过U相电流采集电路500的信号反馈端将流经U相电流采集电阻303的电流反馈到MCU处理器200；V相电流采集电路600的采集端采集流经V相电流采集电阻304的电流，并通过V相电流采集电路600的信号反馈端将流经V相电流采集电阻304的电流反馈到MCU处理器200；母线电流采集电路700的采集端采集流经母线电流采集电阻305的电流，并通过母线电流采集电路700的信号反馈端将流经母线电流采集电阻305的电流反馈到MCU处理器200；母线电压检测电路800的检测端采集所述三相逆变桥300的U相、V相和W相并联后的母线的电压，并通过母线电压检测电路800的信号反馈端将所述三相逆变桥300的U相、V相和W相并联后的母线的电压反馈到MCU处理器200；

A3：所述MCU处理器200根据接收到的电机900的转速、电机900的转子位置、流经U相电流采集电阻303的电流、流经V相电流采集电阻304的电流、流经母线电流采集电阻305的电流以及所述三相逆变桥300的U相、V相和W相并联后的母线的电压，实时调节PWM波的占空比后再执行步骤A1。

霍尔检测电路400与电机900相连接，检测电机900实时的转速和电机900转子位置，并反馈给MCU处理器200；

U相电流采集电阻303的一端与U相桥的IGBT4晶体管的E极相连接，V相电流采集电阻304的一端与V相桥的IGBT5晶体管的E极相连接,U相的电流采集电阻的另一端、V相的电流采集电阻的另一端和W相桥的IGBT6晶体管的E极与母线电流采集电阻305的一端相连接,母线电流采集电阻305的另一端连接到地GND；U相电流采集电路500的输入端与U相电流采集电阻303的两端连接，电U相流采样电路实时检测U相的电流，并放大、滤波处理后输入MCU处理器200；

V相电流采集电路600的采集端与V相电流采集电阻304的两端连接，V相电流采集电路600实时检测V相的电流，并放大、滤波处理后输入MCU处理器200；

母线电流采集电路700的采集端与母线电流采集电阻305的两端连接，母线电流采集电路700实时检测母线的电流，并放大、滤波处理后输入MCU处理器200和驱动HVIC100的ITRIP端口；

使能信号电路与驱动HVIC100的使能管脚EN相连接，当使能信号电路输出1给使能管脚EN时，驱动HVIC100正常工作，当使能信号电路输出0给使能管脚EN时，驱动HVIC100不工作，停止一切输出。

温度采样电路与驱动HVIC100的TV端口相连接，温度采样电路是检测三相逆变桥300的IGBT的温度，当其温度高于某个值时，驱动HVIC100会进入温度保护功能，进而保护三相逆变桥300不会因温度过高而损坏。

电机速度信号电路与驱动HVIC100的VSP端口相连接，电机速度信号电路输出一个0-5V模拟信号，MCU处理器200会根据VSP端口接收到的信号，控制电机900的转速。

驱动HVIC100应用电控系统的控制流程：

驱动HVIC100的使能EN=1，TV端口接收到的温度检测电路输入信号，这个信号电压值低于温度保护阈值时，驱动HVIC100的VSP端口接收到电机900的转速信号，MCU处理器200输出相对的PWM波驱动三相逆变桥300控制电机900，使电机900按一定转速运行。霍尔检测电路400检测电机900的转速和转子的位置，实时反遗给MCU处理器200,U相电流检测电路、V相电流检测电路和母线电流检测电路分别检测U相、V相和母线的电流实时反遗给MCU处理器200，母线电压检测电路800检测母线电压实时反遗给MCU处理器200，MCU处理器200根据这些信号，计算调节PWM波的占空比，输出相对的PWM波驱动三相逆变桥300，控制电机900以一个稳定的转速进行运行。

如果驱动HVIC100的使能EN=0,驱动HVIC100停止一切工作，驱动HVIC100的使能EN=1且驱动HVIC100有一个或多个故障时，如过温保护、低压保护、高压保护、过流保护等，驱动HVIC100输出故障信号给内部的MCU处理器200，并停止其他一切输出。以保护驱动HVIC100乃至整个电控系统。

具体地，在所述步骤A1前还包括步骤A0，所述步骤A0为：

所述驱动HVIC100工作后实时检测智能功率模块的电路是否过流、过压、过温或欠压；当所述驱动HVIC100工作后检测到所述智能功率模块的电路为过流、过压、过温或欠压中的其中一种情况时，驱动HVIC100通过其自身的故障逻辑控制电路104输出故障信号给所述MCU处理器200，使所述MCU处理器200停止工作；当所述驱动HVIC100工作后检测到所述智能功率模块的电路没有出现过流、过压、过温或欠压时，执行步骤A1。

根据本发明实施例的一种智能控制模块及其控制方法的其他构成等以及操作对于本领域普通技术人员而言都是已知的，这里不再详细描述。

在本说明书的描述中，参考术语“实施例”、“示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (10)

1.一种智能功率模块，其特征在于：包括驱动HVIC、MCU处理器、三相逆变桥、霍尔检测电路、U相电流采集电路、V相电流采集电路、母线电流采集电路和母线电压检测电路；

所述驱动HVIC和所述MCU处理器设置于同一个封装体内，所述驱动HVIC包括驱动电路单元，所述MCU处理器的控制输出端与所述驱动电路单元的控制输入端电连接，所述驱动电路单元的信号输出端通过所述三相逆变桥与电机电连接；

所述霍尔检测电路的检测端朝向所述电机，所述霍尔检测电路的信号反馈端与所述MCU处理器的转速信号输入端电连接；

所述三相逆变桥的U相串联有U相电流采集电阻，所述三相逆变桥的V相串联有V相电流采集电阻，所述U相电流采集电路的采集端与所述U相电流采集电阻并联，所述U相电流采集电路的信号反馈端与所述MCU处理器的U相电流信号输入端电连接，所述V相电流采集电路的采集端与所述V相电流采集电阻并联，所述V相电流采集电路的信号反馈端与所述MCU处理器的V相电流信号输入端电连接；

所述三相逆变桥的U相、V相和W相并联后串联有母线电流采集电阻，所述母线电流采集电路的采集端与所述母线电流采集电阻并联，所述母线电流采集电路的信号反馈端与所述MCU处理器的母线电流信号输入端电连接；

所述三相逆变桥的U相、V相和W相并联后与所述母线电压检测电路的检测端串联，所述母线电压检测电路的信号反馈端与所述MCU处理器的母线电压信号输入端电连接。

2.根据权利要求1所述的一种智能功率模块，其特征在于：所述MCU处理器的控制输出端包括HIN输出端和LIN输出端，所述驱动电路单元包括上桥驱动电路和下桥驱动电路，所述上桥驱动电路的控制输入端与所述MCU处理器的HIN输出端电连接，所述下桥驱动电路的控制输入端与所述MCU处理器的LIN输出端电连接；所述上桥驱动电路的输出端包括上桥驱动端H01、上桥驱动端H02和上桥驱动端H03，所述下桥驱动电路的输出端包括下桥驱动端L01、下桥驱动端L02和下桥驱动端L03；

所述三相逆变桥包括上桥逆变电路和下桥逆变电路；

所述上桥逆变电路包括IGBT1晶体管、IGBT2晶体管和IGBT3晶体管，所述上桥驱动端H01与所述IGBT1晶体管的G极电连接，所述IGBT1晶体管的E极与所述电机的U相输入端电连接，所述上桥驱动端H02与所述IGBT2晶体管的G极电连接，所述IGBT2晶体管的E极与所述电机的V相输入端电连接，所述上桥驱动端H03与所述IGBT3晶体管的G极电连接，所述IGBT3晶体管的E极与所述电机的W相输入端电连接，所述IGBT1晶体管的C极、所述IGBT2晶体管的C极和所述IGBT3晶体管的C极并联；

所述下桥逆变电路包括IGBT4晶体管、IGBT5晶体管和IGBT6晶体管，所述下桥驱动端L01与所述IGBT4晶体管的G极电连接，所述IGBT4晶体管的C极与所述电机的U相输入端电连接，所述下桥驱动端L02与所述IGBT5晶体管的G极电连接，所述IGBT5晶体管的C极与所述电机的V相输入端电连接，所述下桥驱动端L03与所述IGBT6晶体管的G极电连接，所述IGBT6晶体管的C极与所述电机的W相输入端电连接，所述IGBT4晶体管的E极、所述IGBT5晶体管的E极和所述IGBT6晶体管的E极并联。

3.根据权利要求2所述的一种智能功率模块，其特征在于：所述U相电流采集电阻的一端与所述IGBT4晶体管的E极电连接，所述V相电流采集电阻的一端与所述IGBT5晶体管的E极电连接，所述U相电流采集电阻的另一端、所述V相电流采集电阻的另一端和所述IGBT6晶体管的E极并联后与所述母线电流采集电阻的一端电连接，所述母线电流采集电阻的另一端接地。

4.根据权利要求2所述的一种智能功率模块，其特征在于：所述IGBT1晶体管的C极、所述IGBT2晶体管的C极和所述IGBT3晶体管的C极并联后与所述母线电压检测电路的检测端电连接。

5.根据权利要求1所述的一种智能功率模块，其特征在于：所述驱动HVIC还包括故障逻辑单元，所述故障逻辑单元包括过流保护电路和故障逻辑控制电路，所述过流保护电路的输入端与所述驱动HVIC的ITRIP端口电连接，所述过流保护电路的输出端与所述故障逻辑控制电路的过流输入端电连接，所述故障逻辑控制电路的输出端与所述MCU处理器的报错输入端FO电连接；

所述母线电流采集电路的信号反馈端还与所述驱动HVIC的ITRIP端口电连接。

6.根据权利要求5所述的一种智能功率模块，其特征在于：所述故障逻辑单元还包括电源欠压保护电路、过压保护电路和过温保护电路，所述电源欠压保护电路的输入端和所述过压保护电路的输入端均与所述驱动HVIC的电源输入端电连接，所述电源欠压保护电路的输出端与所述故障逻辑控制电路的欠压输入端电连接，所述过压保护电路的输出端与所述故障逻辑控制电路的过压输入端电连接；

所述过温保护电路的输入端与所述驱动HVIC的温度采集端口TV电连接，所述过温保护电路的输出端与所述故障逻辑控制电路的过温输入端电连接。

7.根据权利要求5所述的一种智能功率模块，其特征在于：所述故障逻辑单元还包括故障输出电路，所述故障输出电路包括NMOS管和上拉电阻，所述NMOS管的栅极与所述故障逻辑控制电路的输出端电连接，所述NMOS管的漏极接地，所述NMOS管的源极与所述上拉电阻并联后与所述MCU处理器的报错输入端FO电连接。

8.根据权利要求2所述的一种智能功率模块，其特征在于：所述驱动HVIC还包括互锁电路，所述互锁电路包括第一与非门、第二与非门和第三与非门，所述第一与非门包括输入端a、输入端b和输出端c，所述第二与非门包括输入端d、输入端e和输出端f，所述第三与非门包括输入端g、输入端h和输出端i；

所述第一与非门的输入端a与所述MCU处理器的HIN输出端电连接，所述第一与非门的输入端b与所述MCU处理器的LIN输出端电连接，所述第一与非门的输出端c与所述第二与非门的输入端e电连接，所述第二与非门的输入端d与所述MCU处理器的HIN输出端电连接，所述第二与非门的输出端f与所述上桥驱动电路的输入端电连接，所述第一与非门的输出端c还与所述第三与非门的输入端g电连接，所述第三与非门的输入端h与所述MCU处理器的LIN输出端电连接，所述第三与非门的输出端i与所述下桥驱动电路的输入端电连接。

9.一种使用权利要求1-8任意一项所述的一种智能功率模块的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：

A1：MCU处理器输出PWM波到驱动HVIC的驱动电路单元，然后所述驱动电路单元将PWM波发送到三相逆变桥，所述三相逆变桥根据所述PWM波驱动电机；

A2：霍尔检测电路的检测端检测电机的转速和电机的转子位置，并通过所述霍尔检测电路的信号反馈端将电机的转速和电机的转子位置反馈到MCU处理器；U相电流采集电路的采集端采集流经U相电流采集电阻的电流，并通过U相电流采集电路的信号反馈端将流经U相电流采集电阻的电流反馈到MCU处理器；V相电流采集电路的采集端采集流经V相电流采集电阻的电流，并通过V相电流采集电路的信号反馈端将流经V相电流采集电阻的电流反馈到MCU处理器；母线电流采集电路的采集端采集流经母线电流采集电阻的电流，并通过母线电流采集电路的信号反馈端将流经母线电流采集电阻的电流反馈到MCU处理器；母线电压检测电路的检测端采集所述三相逆变桥的U相、V相和W相并联后的母线的电压，并通过母线电压检测电路的信号反馈端将所述三相逆变桥的U相、V相和W相并联后的母线的电压反馈到MCU处理器；

A3：所述MCU处理器根据接收到的电机的转速、电机的转子位置、流经U相电流采集电阻的电流、流经V相电流采集电阻的电流、流经母线电流采集电阻的电流以及所述三相逆变桥的U相、V相和W相并联后的母线的电压，实时调节PWM波的占空比后再执行步骤A1。

10.根据权利要求9所述的一种智能功率模块的控制方法，其特征在于：在所述步骤A1前还包括步骤A0，所述步骤A0为：

所述驱动HVIC工作后实时检测智能功率模块的电路是否过流、过压、过温或欠压；当所述驱动HVIC工作后检测到所述智能功率模块的电路为过流、过压、过温或欠压中的其中一种情况时，驱动HVIC通过其自身的故障逻辑控制电路输出故障信号给所述MCU处理器，使所述MCU处理器停止工作；当所述驱动HVIC工作后检测到所述智能功率模块的电路没有出现过流、过压、过温或欠压时，执行步骤A1。

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