CN220421812U - 一种tbox异常修复电路及车辆 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种TBOX异常修复电路及车辆，包括顺次连接的MCU模块、第一开关模块、第二开关模块和NAD模块；所述MCU模块包括控制信号端，所述控制信号端与所述第一开关模块连接，并用以控制第一开关模块的关断或导通；当所述第一开关模块关断时，所述第二开关模块导通，以控制所述NAD模块开启或保持开启状态；当所述第一开关模块导通时，所述第二开关模块关断，以使所述NAD模块关机。解决了TBOX异常重启时NAD无法正常工作而影响TBOX通信业务的问题。

Description

一种TBOX异常修复电路及车辆

技术领域

本实用新型涉及车辆技术领域，尤其涉及一种TBOX异常修复电路及车辆。

背景技术

TBOX(Telematics Box，车载无线终端)是车联网的关键部件，装有TBOX的车辆具有远程通信的能力。目前主流的TBOX设备，不仅包含了车辆信息采集，移动网络通信功能，部分还包含了WIFI热点功能，车内的乘客可以连接TBOX设备提供的WIFI热点来访问internet。

TBOX的上述远程通信能力离不开MCU(Microcontroller Unit，微控制单元)和NAD(Network Access Device，网络接入设备)的支持，其中，MCU作为TBOX的主控芯片，NAD(Network Access Device，网络接入设备)模组作为TBOX中的主要通信组件，MCU可与NAD进行通信，并可控制NAD的开关机以及工作模式选择。

当TBOX遇到异常重启时，该异常重启可以是MCU受到严重的电磁干扰或者程序跑飞不可控时，看门狗电路会强行将MCU复位重启，在MCU复位重启的过程中，NAD的工作也必将中断，使得TBOX的通信业务受到影响。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的在于提出一种TBOX异常修复电路及车辆，以解决TOBX异常重启时NAD无法正常工作而影响TBOX通信业务的问题。

基于上述目的，本实用新型提供了一种TBOX异常修复电路，包括顺次连接的MCU模块、第一开关模块、第二开关模块和NAD模块；

所述MCU模块包括控制信号端，所述控制信号端与所述第一开关模块连接，并用以控制第一开关模块的关断或导通；

当所述第一开关模块关断时，所述第二开关模块导通，以控制所述NAD模块开启或保持开启状态；

当所述第一开关模块导通时，所述第二开关模块关断，以使所述NAD模块关机。

进一步，所述第一开关模块连接有第一电源端，并由所述第一电源端供电；所述第二开关模块连接有第二电源端，并由所述第二电源端供电；

所述第一开关模块包括第一晶体管，所述第二开关模块包括第二晶体管，所述第一晶体管分别与所述控制信号端、所述第一电源端及所述第二晶体管连接，所述第二晶体管分别与第二电源端和NAD模块连接。

进一步，所述第一晶体管为第一MOS管，所述第一MOS管的栅极连接所述控制信号端，所述第一MOS管的源极连接所述第一电源端，所述第一MOS管的漏极连接所述第二晶体管。

进一步，所述第一开关模块还包括第一三极管，所述控制信号端、第一三极管、第一晶体管顺次连接。

进一步，所述第一三极管的基极连接所述控制信号端，所述第一三极管的集电极连接所述第一MOS管的栅极，所述第一三极管的发射级接地。

进一步，所述第二开关模块还包括限流电阻，所述第二晶体管为第二MOS管，所述第二MOS管的栅极分别连接接地端及所述第一晶体管，且所述第二MOS管的栅极与所述接地端之间连接有所述限流电阻，所述第二MOS管的源极连接所述第二电源端，所述第二MOS管的漏极连接所述NAD模块。

进一步，还包括放电模块，所述第二开关模块、放电模块和NAD模块顺次连接，所述NAD模块包括开关机控制端；

所述放电模块包括第二三极管，所述第二三极管的基极连接所述第二开关模块，所述第二三极管的集电极连接所述开关机控制端，所述第二三极管的发射极接地设置。

进一步，所述第一开关模块和第二开关模块之间设有第一单向二极管。

进一步，所述第二电源端与所述第二开关模块之间设有第二单向二极管。

本实用新型还提供一种车辆，包括如上任意项所述的TBOX异常修复电路。

从上面所述可以看出，本实用新型提供的一种TBOX异常修复电路及车辆，MCU经由控制信号端控制第一开关模块的关断或导通，当第一开关关断，第二开关模块导通，并控制NAD模块开机或保持开启状态；当第一开关模块导通，第二开关模块关断，并控制NAD模块关机。其中，MCU的控制信号端仅是用以直接控制第一开关模块的关断或导通，而NAD模块的开关机及保持开启状态均是由第二开关模块直接控制，当第二开关模块导通时NAD模块关断，当第二开关模块关断时NAD模块开机或保持开启状态。即当NAD模块保持开启状态时，第一开关模块关断，且当MCU重启时第一开关模块也处于关断状态，即MCU仅是用以控制NAD模块的开关机，NAD模块的保持开启状态阶段是由第二开关模块直接控制，即使MCU重启，处于开机状态的NAD模块通过第二开关模块控制NAD模块保持开启状态并不受影响，即，NAD可以在MCU重启的同时继续工作，以保证TBOX的主要通信业务不受影响。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例中TBOX异常修复电路的原理图一；

图2为本实用新型实施例中TBOX异常修复电路的原理图二；

图3为本实用新型实施例中TBOX异常修复电路的示例性电路图。

图中，10、MCU模块；11、控制信号端；20、NAD模块；21、开关机控制端；30、第一开关模块；40、第二开关模块；50、放电模块；V1、第一电源端；V2、第二电源端；Q64、第一三极管；Q62、第一晶体管；Q63、第二晶体管；Q30、第二三极管；D51、第一单向二极管；D53、第二单向二极管；R540、限流电阻。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本实用新型进一步详细说明。

需要说明的是，除非另外定义，本实用新型实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

如背景技术所述，相关技术中均是由MCU控制NAD的启闭，当TBOX遇到异常重启时，只能是MCU复位重启后NAD才会复位重启，因此，MCU启动较长一段时间后NAD才启动。在MCU复位重启及NAD复位重启的过程中，TBOX的通信业务处于失效状态，即TBOX的通信业务受到影响。

申请人在解决上述技术问题的过程中发现，如果MCU的复位重启不影响NAD的开启状态(即不影响NAD当时的工作状态)，则TBOX的通信功能基本不会受到影响。也就是说，除MCU控制NAD的开启状态外，还要有其他可以控制NAD开启状态的控制元件，在MCU复位重启时，能代替MCU控制NAD保持开启状态。

基于此，本实用新型提供了一种TBOX异常修复电路，如图1和图3所示，包括顺次连接的MCU模块10、第一开关模块30、第二开关模块40和NAD模块20；

所述MCU模块10包括控制信号端11，所述控制信号端11与所述第一开关模块30连接，并用以控制第一开关模块的关断或导通；

当所述第一开关模块30关断时，所述第二开关模块40导通，并控制所述NAD模块20开启或保持开启状态；

当所述第一开关模块30导通时，所述第二开关模块40关断，并使所述NAD模块20关机。

其中，所述控制信号端11用以发出第一控制信号和第二控制信号，所述第一开关模块在接收到所述第一控制信号或在第一控制信号消失时关断，并在接收到第二控制信号时导通。

另外，当MCU模块处于正常工作状态时，其控制信号端用以控制第一开关模块的关断或导通；当MCU模块处于重启状态时，所述第一开关模块关断。

NAD模块20包括开机阶段、开机阶段后的保持开启状态阶段及关机阶段，现有技术中MCU模块10控制NAD模块20开启、保持开启或关机，也就是说，现有技术中，NAD模块20的开关机阶段及保持开启状态阶段均由MCU控制，这也就导致在MCU重启后，控制NAD保持开启状态的信号消失，从而导致NAD重启。本实施例中，将MCU模块10的控制信号端11仅用于直接控制第一开关模块30的导通状态，由第一开关模块30的导通状态继而控制第二开关模块40的导通状态，且该两个开关模块的导通状态相反，其中，第二开关模块40能通过其自身的导通状态经由放电模块50控制NAD模块20开启、保持开启或关机。

以下以NAD模块20的开机阶段、保持开启状态阶段和关机阶段三个阶段进行具体说明。

开机阶段，MCU模块10接收到开启NAD模块指令，MCU模块10的控制信号端11则发出第一控制信号，第一开关模块30关断，第二开关模块40导通，以开启NAD模块20。

保持开启状态阶段，MCU模块10的控制信号端11持续发出第一控制信号，或者是因MCU模块10重启，所述控制信号端11无法发出第一控制信号，第一开关模块30关断，第二开关模块40导通，使得NAD模块20保持开启状态。

关机阶段，MCU模块10接收到关闭NAD模块指令，MCU模块10的控制信号端11则发出第二控制信号，第一开关模块30基于该第二控制信号导通，第二开关模块40断开，NAD模块20关闭。

通过以上对各阶段实施过程的描述可知，本实施例中，MCU经由控制信号端11分别发出第一控制信号及第二控制信号，第一开关模块30基于该第一控制信号关断，第二开关模块40导通，并控制NAD模块20开机或保持开启状态；第一开关模块30基于该第二控制信号导通，第二开关模块40关断，并控制NAD模块20关机。其中，当MCU正常运行时，会持续发出第一控制信号，当MCU重启时，不再发出第一控制信号，但是无论是哪种情况，其均会使得第一开关模块30关断、第二开关模块40导通，并控制NAD模块20保持开启状态。虽然NAD模块20开机也是由第二开关模块40直接控制，但是，其也是基于MCU接收到的开启NAD模块指令而执行的相关动作。由此，本实施例中，MCU仅是用以控制NAD模块20的开关机，NAD模块20的保持开启状态阶段是由第二开关模块40直接控制，即使MCU重启，MCU不再发出控制信号，处于开机状态的NAD模块20通过第二开关模块40控制NAD模块20保持开启状态并不受影响，即，NAD可以在MCU重启的同时继续工作，以保证TBOX的主要通信业务不受影响。

在一些实施例中，如图3所示，所述第一开关模块30连接有第一电源端V1，并由所述第一电源端V1供电；所述第二开关模块40连接有第二电源端V2，并由所述第二电源端V2供电；

所述第一开关模块30包括第一晶体管Q62，所述第二开关模块40包括第二晶体管Q63，所述第一晶体管Q62分别与所述控制信号端11、所述第一电源端V1及所述第二晶体管Q63连接，所述第二晶体管Q63分别与第二电源端V2和NAD模块20连接；

所述第一晶体管Q62在接收到所述第一控制信号或在第一控制信号消失时关断，所述第二晶体管Q63基于所述第一晶体管Q62的关断导通，并发出第四控制信号，以控制所述NAD模块20开启或保持开启状态；

所述第一晶体管Q62在接收到所述第二控制信号时导通，并发出第三控制信号，以关断第二晶体管Q63，并使所述NAD模块20关机。

以下以NAD模块20的开机阶段、保持开启状态阶段和关机阶段三个阶段进行具体说明。

开机阶段，MCU模块10接收到开启NAD模块指令，MCU模块10的控制信号端11则发出第一控制信号，第一晶体管Q62关断，第二晶体管Q63基于第一晶体管Q62的关断动作并在第二电源端V2供电作用下导通，随之发出第四控制信号，以开启NAD模块20。

保持开启状态阶段，MCU模块10的控制信号端11持续发出第一控制信号，或者是因MCU模块10重启，所述控制信号端11无法发出第一控制信号，第一晶体管Q62关断，第二晶体管Q63基于第一晶体管Q62的关断动作并在第二电源端V2供电作用下导通，随之发出第四控制信号，以开启NAD模块20。

关机阶段，MCU模块10接收到关闭NAD模块指令，MCU模块10的控制信号端11则发出第二控制信号，第一晶体管Q62基于该第二控制信号，在第一电源端V1供电作用下导通，并发出第三控制信号，第二晶体管Q63基于该第三控制信号断开，不再发出第四控制信号，NAD模块20关闭。

进一步可选地，本实施例的所述第一开关模块30还包括第一三极管Q64，所述控制信号端11、第一三极管Q64、第一晶体管Q62顺次连接；

所述第一三极管Q64在接收到所述第一控制信号或在第一控制信号消失时关断，并在接收到第二控制信号时导通，进而导通所述第一晶体管Q62。

当第一开关模块30中还设置有第一三极管时，第一晶体管Q62的导通状态由该第一三极管Q64控制，以增强第一开关模块30开关特性的可靠性。

本实施例中，MCU仅是用以控制NAD模块20的开关机，其保持开启状态阶段是由第二晶体管Q63直接控制，即使MCU重启，MCU不再发出控制信号，处于开机状态的NAD模块20通过第二晶体管Q63控制NAD模块20保持开启状态并不受影响，即，NAD可以在MCU重启的同时继续工作，以保证TBOX的主要通信业务不受影响。

在一些实施例中，如图3所示，所述第一晶体管Q62为第一MOS管，所述第一三极管Q64的基极连接所述控制信号端11，所述第一三极管Q64的集电极连接所述第一MOS管的栅极，所述第一三极管Q64的发射级接地；所述第一MOS管的源极连接所述第一电源端V1，所述第一MOS管的漏极连接所述第二晶体管Q63。

本实施例中，配合使用第一三极管Q64及第一MOS管的开关特性，以控制第一开关模块30的关断或导通，该控制过程具体示例如下：第一电源端V1的电压信号为5V，控制信号端11输出的第一控制信号为低电平信号0V，第一三极管Q64基于该低电平信号无法导通，则第一MOS管关断，即第一开关模块30关断；而当控制信号端11输出的为高电平(例如为3.3V)的第二控制信号时，则第一三极管Q64导通，并使得第一MOS管的栅极接地，即，栅极电位为0V，由此使得源极和栅极之间的电压差为5V，符合第一MOS管的导通条件，则第一MOS管导通，并将第一电源端V1的5V的电压信号作为第三控制信号发送至第二晶体管Q63，即第一开关模块30导通。

本实施例中，通过第一三极管Q64及第一MOS管的配合使用，使得第一开关模块30具有良好的开关特性，即当MCU发出低电平信号(第一控制信号)或因重启不发出该低电平信号时，因第一三极管Q64无法导通，则第一MOS管也无法导通，即第一开关模块30关断；当MCU发出高电平信号(第二控制信号)时，第一三极管Q64导通，第一MOS管也随之导通，并由此将第一电源端V1的电压信号作为第三控制信号发送至第二晶体管Q63，即为控制第二开关模块40的关断或导通做准备。

在一些实施例中，如图3所示，所述第二开关模块40还包括限流电阻R540，所述第二晶体管为第二MOS管，所述第二MOS管的栅极分别连接接地端及所述第一晶体管Q62(即连接第一MOS管的漏极)，且所述第二MOS管的栅极与所述接地端之间连接有所述限流电阻R540，所述第二MOS管的源极连接所述第二电源端V2，所述第二MOS管的漏极连接所述NAD模块20。

本实施例中，配合使用限流电阻R540及第二MOS管，以控制第二开关模块40的关断或导通，该控制过程具体示例如下：第二电源端V2的电压为4V，即，第二MOS管的源极电压为4V，当第一开关模块30导通时，第一开关模块30中的第一MOS管的漏极输出的第三控制信号(例如为5V的高电平信号)因有限流电阻R540等的分压作用，其加持于第二MOS管栅极的电压有所降低，由此使得第二MOS管的源极与栅极之间的压差基本为0，不符合第二MOS管的导通条件，第二MOS管关断，NAD模块20关机，即第一开关模块30导通、第二开关模块40关断、NAD模块20关机。当第一开关模块30关断时，第一开关模块30中的第一MOS管的漏极不再输出第三控制信号，因此，第二MOS管的栅极经由限流电阻R540后接地，使得第二MOS管的栅极电位为0，即，第二MOS管的源极与栅极之间的压差为4V，符合第二MOS管的导通条件，第二MOS管导通，并将第二电源端V2的4V电压信号作为第四控制信号输出至NAD模块20，以控制NAD模块20开机或保持开启状态，即第一开关模块30关断、第二开关模块40导通，并控制NAD模块20开机或保持开启状态。

本实施例中，通过第二MOS管及限流电阻R540的配合使用，使得第二开关模块40具有良好的开关特性，即当第一开关模块30导通时，第一MOS管漏极输出的第三控制信号使得第二MOS管关断，则NAD模块20关机；当第一开关模块30关断时，第一MOS管漏极不再输出第三控制信号，第二MOS管导通，并将第二电源端V2提供的电压信号作为第四控制信号输出至NAD模块20，以控制NAD模块20开机。即第一开关模块30导通控制第二开关模块40关断，则NAD模块20关机；第一开关模块30关断，则第二开关模块40导通，控制NAD模块20开机或保持开启状态。由此，即使MCU重启，第一MOS管关断，处于开机状态的NAD模块20通过第二MOS管控制NAD模块20保持开启状态并不受影响，即，NAD可以在MCU重启的同时继续工作，以保证TBOX的主要通信业务不受影响。

在一些实施例中，如图2、图3所示，所述修复电路还包括放电模块50，所述第二开关模块40、放电模块50和NAD模块20顺次连接，所述NAD模块20包括开关机控制端21；

所述放电模块50包括第二三极管Q30，所述第二三极管Q30的基极连接所述第二开关模块40(即连接第二MOS管的漏极)，所述第二三极管Q30的集电极连接所述开关机控制端21，所述第二三极管Q30的发射极接地设置。

本实施例中，第二开关模块40经由放电模块50控制NAD模块20开关机，控制示例如下：当第二开关模块40为导通状态时，第二MOS管的漏极发出4V的高电平信号(第四控制信号)，第二三极管Q30基于该高电平信号导通，即使得NAD模块20的开关机控制端21接地，由此NAD模块20的开关机控制端21的电位被持续拉低，NAD模块20开机或保持开启状态；当第二开关模块40为关断状态时，第二MOS管的漏极不再发出4V的高电平信号(第四控制信号)，第二三极管Q30无法导通，NAD模块20的开关机控制端21无法接地，其电位也不能再被拉低，由此NAD模块20关机。

在一些实施例中，如图3所示，所述第一开关模块30和第二开关模块40之间设有第一单向二极管D51。该第一单向二极管D51为防倒灌二极管，防止流经第一开关模块30的电流返灌形成反向电流倒灌至第一开关模块30，即避免该反向电流影响第一开关模块30的正常工作。

在一些实施例中，如图3所示，所述第二电源端V2与所述第二开关模块40之间设有第二单向二极管D53。该第二单向二极管D53为防倒灌二极管，防止流经第二开关模块40的电流返灌形成反向电流倒灌至第二电源端V2，即避免该反向电流影响第二电源端V2的正常工作。

在一些实施例中，在TBOX上电过程中，所述第一开关模块30的上电时间早于MCU模块10，所述MCU模块10的上电时间早于第二开关模块40。

需要说明的是，车辆的蓄电池一般输出9-12V的电压，车辆内各个电元件所需电压各不相同，例如，MCU模块10的所需电压为3.3V，第一开关模块30所需电压为5V，第二开关模块40所需电压为4V。为配合TBOX的上电过程，还可以设置上述各个电元件的上电顺序，例如蓄电池经由电压转换器将蓄电池的输出电压转换为5V电压，该5V电压再经由电压转换器转换为3.3V电压，该3.3V电压再经由电压转换器转换为4V电压，即第一开关模块30的上电时间早于MCU模块10的上电时间，MCU模块10的上电时间又早于第二开关模块40，其上述各电元件一旦上电则为常电。

以下结合本实施例上述示例性各电元件的上电顺序及示例性电压配置，进行说明。

当TBOX上电，第一开关模块30与5V的第一电源端V1连通，MCU模块10启动，且给控制信号端11(为MCU模块10的I/O端口)直接配置3.3V的高电平信号(第二控制信号)，第一三极管Q64基于该第二控制信号导通，第一MOS管的栅极经由第一三极管Q64的集电极和发射极后接地设置，基于栅极与源极(与第一电源端V1连接，因此配置有5V的电压)的电压差，第一MOS管导通，并将第一电源端V1的5V的第三控制信号发送至第二MOS管的栅极，此时，第二电源端V2也已上电4V，即使得第二MOS管的源极的电压也为4V，因第一电源端V1的电压信号在发送至第二MOS管的栅极的过程中存在限流电阻R540的分压，因此，使得第二MOS管的栅极和源极之间的压差基本为0，不符合第二MOS管的导通条件，因此，第二MOS管不能将4V的高电平信号(第四控制信号)发送至放电模块的第二三极管，即第二三极管无法导通，NAD模块20不能开机。

本实施例中的修复电路，在TBOX上电过程中，设定了第一开关模块30上电早于MCU模块10，且MCU模块10上电早于第二开关模块40，如果第二开关模块40的上电过程早于第一开关模块30，或者是MCU模块10的上电过程早于第一开关模块30，则当TBOX上电的瞬间，第一三极管Q64导通后，第一MOS管会因第一电源端V1未上电而无法导通，而第二MOS管则会因第二电源端V2已上电而导通，由此，在MCU未接受到开启NAD模块指令的时候，第二开关模块40就擅自控制放电模块50进行了NAD模块20开机，扰乱了MCU的正常工作秩序，存在安全隐患。另外，如果第二开关模块40的上电时间早于MCU，势必会推迟MCU进入正常工作状态的时间，继而影响TBOX建立正常通信业务的及时性。因此，为了保证MCU能尽早上电，且在上电的瞬间第一MOS管的源极已上电，以使第一MOS管导通，第二MOS管关断，将第一开关模块30早于MCU模块10上电，且MCU模块10上电早于第二开关模块40。

在一些实施例中，如图3所示，NAD模块20的开机阶段、保持开启状态阶段和关机阶段三个阶段还可以进行如下描述：

开机阶段：TBOX上电后，MCU正常工作，其会接收开启NAD模块20的指令，基于该指令，MCU模块10会给所述控制信号端11以低电平信号(第一控制信号)，第一三极管Q64基于该低电平信号无法导通，第一MOS管也无法导通，第二MOS管的栅极接地，第二MOS管的源极与第二电源端V2连接，因此第二MOS管的源极设置有4V的电压，该第二MOS管栅极和源极的压差使得第二MOS管导通，并将4V的高电平信号(第四控制信号)发送至放电模块50的第二三极管Q30，第二三极管Q30基于该第四控制信号导通，即NAD模块20开关机控制端21经由第二三极管Q30的集电极及发射极后接地，其电位被持续拉低，则NAD模块20开机。

保持开启状态阶段：MCU模块10的控制信号端11持续发出低电平信号(第一控制信号)，或者因MCU模块10重启所述控制信号端11无法发出第一控制信号，第一三极管Q64关断，第一MOS管也无法导通，第二MOS管的栅极接地，基于栅极和源极(与第二电源端V2连接，因此第二MOS管的源极设置有4V的电压)的压差使得第二MOS管导通，并将4V的高电平信号(第四控制信号)发送至放电模块的第二三极管，第二三极管导通，即NAD模块20开关机控制端21经由第二三极管Q30的集电极及发射极后接地，其电位被持续拉低，则NAD模块20保持开启状态。

关机阶段：MCU模块10接收到关闭NAD模块指令，MCU模块10的控制信号端11则发出第二控制信号(3.3V的高电平信号)，第一三极管Q64基于该第一控制信号导通，第一MOS管的栅极经由第一三极管Q64的集电极和发射极后接地设置，基于栅极与源极(与第一电源端V1连接，因此配置有5V的电压)的电压差，第一MOS管导通，并将第一电源端V1的5V的第三控制信号发送至第二MOS管的栅极，第二MOS管的源极配置有4V电压(即第二电源端V2电压)，因第一电源端V1的电压信号在发送至第二MOS管的栅极的过程中存在压降，因此，使得第二MOS管的栅极和源极之间的压差基本为0，不符合第二MOS管的导通条件，因此，第二MOS管不能将4V的高电平信号(第四控制信号)发送至放电模块的第二三极管，即第二三极管无法导通，NAD模块20的开关机控制端21的电压并未被持续拉低，则NAD模块20关机。

本实施例中，在NAD模块20开机阶段及保持开启状态阶段，MCU模块10的控制信号端11输出低电平信号(第一控制信号)，以控制第一三极管Q64关断，继而第一MOS管关断，第二MOS管导通，并发送第四控制信号至第二三极管Q30，第二三极管Q30基于该第四控制信号导通，以拉低NAD模块20开关机控制端21的电位，则NAD模块20开机或保持开启状态。即使，MCU模块10重启，其控制信号端11无法再发出第一控制信号，第一MOS管同样关断，第二MOS管同样导通，并控制NAD模块20保持开启状态，即，相较于现有技术，本实施例的MCU仍然拥有对NAD模块20的开机控制权，但不再拥有对NAD模块20保持开启状态的绝对控制权，当MCU重启时，第二开关模块40同样可以控制NAD模块20保持开启状态，换句话说，NAD可以在MCU重启的同时继续工作，以保证TBOX的主要通信业务不受影响。

再者，在NAD模块20关机阶段MCU模块10的控制信号端11输出高电平信号(第二控制信号)，以控制第一三极管Q64导通，继而第一MOS管导通，第二MOS管关断，放电模块50无法再接收到第四控制信号，则NAD模块20关机。即，在本实施例中，在NAD模块20关机阶段，第二开关模块40将对NAD模块20的控制权交出，MCU重新拥有控制权，并控制NAD模块20关机。

上述过程，MCU模块10拥有对NAD模块20开关机的控制权，一旦开机后则由第二开关模块40控制NAD模块20保持开启状态，即使MCU模块10重启，NAD模块20也可以继续工作，以保证TBOX的主要通信业务不受影响。

本实用新型还提供一种车辆，该车辆包括TBOX异常修复电路。该车辆且具有相应的电路实施例的有益效果，在此不再赘述。

所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本公开的范围(包括权利要求)被限于这些例子；在本实用新型的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本实用新型的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。

Claims (10)

1.一种TBOX异常修复电路，其特征在于，包括顺次连接的MCU模块、第一开关模块、第二开关模块和NAD模块；

所述MCU模块包括控制信号端，所述控制信号端与所述第一开关模块连接，并用以控制第一开关模块的关断或导通；

当所述第一开关模块关断时，所述第二开关模块导通，以控制所述NAD模块开启或保持开启状态；

当所述第一开关模块导通时，所述第二开关模块关断，以使所述NAD模块关机。

2.根据权利要求1所述的TBOX异常修复电路，其特征在于，所述第一开关模块连接有第一电源端，并由所述第一电源端供电；所述第二开关模块连接有第二电源端，并由所述第二电源端供电；

所述第一开关模块包括第一晶体管，所述第二开关模块包括第二晶体管，所述第一晶体管分别与所述控制信号端、所述第一电源端及所述第二晶体管连接，所述第二晶体管分别与第二电源端和NAD模块连接。

3.根据权利要求2所述的TBOX异常修复电路，其特征在于，所述第一晶体管为第一MOS管，所述第一MOS管的栅极连接所述控制信号端，所述第一MOS管的源极连接所述第一电源端，所述第一MOS管的漏极连接所述第二晶体管。

4.根据权利要求3所述的TBOX异常修复电路，其特征在于，所述第一开关模块还包括第一三极管，所述控制信号端、第一三极管、第一晶体管顺次连接。

5.根据权利要求4所述的TBOX异常修复电路，其特征在于，所述第一三极管的基极连接所述控制信号端，所述第一三极管的集电极连接所述第一MOS管的栅极，所述第一三极管的发射级接地。

6.根据权利要求2所述的TBOX异常修复电路，其特征在于，所述第二开关模块还包括限流电阻，所述第二晶体管为第二MOS管，所述第二MOS管的栅极分别连接接地端及所述第一晶体管，且所述第二MOS管的栅极与所述接地端之间连接有所述限流电阻，所述第二MOS管的源极连接所述第二电源端，所述第二MOS管的漏极连接所述NAD模块。

7.根据权利要求1所述的TBOX异常修复电路，其特征在于，还包括放电模块，所述第二开关模块、放电模块和NAD模块顺次连接，所述NAD模块包括开关机控制端；

所述放电模块包括第二三极管，所述第二三极管的基极连接所述第二开关模块，所述第二三极管的集电极连接所述开关机控制端，所述第二三极管的发射极接地设置。

8.根据权利要求1所述的TBOX异常修复电路，其特征在于，所述第一开关模块和第二开关模块之间设有第一单向二极管。

9.根据权利要求2所述的TBOX异常修复电路，其特征在于，所述第二电源端与所述第二开关模块之间设有第二单向二极管。

10.一种车辆，其特征在于，包括如权利要求1至9中任意一项所述的TBOX异常修复电路。