CN220399672U - 一种多模式功率分束器 - Google Patents

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杨俊波
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杜特
姜鑫鹏
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Abstract

本实用新型属于光子集成电路技术领域，具体是涉及一种多模式功率分束器，包括衬底和设置在衬底上的顶层硅，所述顶层硅包括依次连接的输入波导、逆向设计区和2个输出波导；2个输出波导包括输出波导A和输出波导B，还包括对称分布的分支波导，其中一个分支波导的一端和输入波导耦合，另一端和输出波导A耦合，对称分布的另一个分支波导的一端和输入波导耦合，另一端和输出波导B耦合，本实用新型可以实现多种模式的功率分束，且尺寸小，损耗低。

Description

一种多模式功率分束器
技术领域
本实用新型属于光子集成电路技术领域，具体是涉及一种多模式功率分束器。
背景技术
光功率分配器是高密度光子集成电路的关键部件之一，可以实现光信号的路由、分割以及组合等操作。在逻辑门、光开关、调制器和光学传感等应用领域都需要功率分配器。其中，在模分复用系统中，多模式功率分束器是一个重要的组成器件。目前，有很多实现功率分束器的方案被报道，比如逆向设计算法、定向耦合器、多模干涉耦合器等。但是，在诸多方案中，很少有可行的方法来实现多模式、小尺寸和高性能的功率分配器。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种多模式功率分束器，可以实现多模式的功率分束，且尺寸小，损耗低。
本实用新型提供一种多模式功率分束器，包括衬底和设置在衬底上的顶层硅，所述顶层硅包括依次连接的输入波导、逆向设计区和2个输出波导；2个输出波导包括输出波导A和输出波导B，还包括对称分布的分支波导，其中一个分支波导的一端和输入波导耦合，另一端和输出波导A耦合，对称分布的另一个分支波导的一端和输入波导耦合，另一端和输出波导B耦合。
优选的，所述对称分布的分支波导的数量为三对。
优选的，所述输入波导和输出波导根据分束模式数量的需求包含不同的直波导和连接直波导的锥形波导，一般来说，所述输入波导和输出波导分别包括至少2个宽度不同的直波导和连接直波导的锥形波导。
优选的，同一个所述输入波导中，所述直波导的数量为4个（连接直波导的锥形波导的数量为3个，且宽度不同），且沿光的传输方向，不同直波导的宽度依次减少；同一个所述输出波导中，所述直波导的数量为4个（连接直波导的锥形波导的数量为3个，且宽度不同），且沿光的传输方向，不同直波导的宽度依次增大。
优选的，所述输出波导和逆向设计区之间还设置有连接波导，所述连接波导包括依次连接的直波导和弯曲波导。
优选的，所述分支波导包括依次连接的与输入波导中的直波导耦合的直线波导、弯曲波导、连接段、弯曲波导以及与输出波导中的直波导耦合的直线波导。
优选的，所述连接段包括直线波导、弯曲波导、直线波导、弯曲波导和直线波导。
优选的，所述逆向设计区被划分为多个单元，每个单元有2个状态，每个单元的状态为：
第01行单元状态为：1,0,0,0,1,1,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,1,1,0,0,0,
第02行单元状态为：1,0,0,0,1,0,0,0,1,0,0,1,0,0,0,0,0,0,1,0,0,0,0,0,
第03行单元状态为：0,0,0,0,1,0,0,0,0,0,0,1,0,0,0,1,0,0,0,0,0,0,1,0,
第04行单元状态为：0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,1,1,1,0,1,1,0,1,1,1,1,
第05行单元状态为：0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,1,0,0,0,1,0,0,1,0,1,0,1,1,1,
第06行单元状态为：0,0,0,1,1,0,0,0,0,0,0,0,0,1,1,0,1,1,1,1,0,1,1,1,
第07行单元状态为：1,0,1,1,0,1,1,1,1,1,0,1,0,1,0,1,1,1,1,1,1,1,1,1,
第08行单元状态为：1,1,0,0,0,1,1,1,1,1,1,1,1,1,0,1,1,0,1,0,1,1,0,0,
第09行单元状态为：1,0,1,1,0,1,1,1,1,1,1,1,1,1,0,1,0,1,0,1,1,0,0,0,
第10行单元状态为：0,1,0,0,1,0,0,1,0,0,1,1,1,0,0,1,0,1,0,0,0,0,0,0,
第11行单元状态为：1,1,0,1,0,0,1,0,0,1,0,0,0,0,1,1,0,0,1,0,0,0,0,0,
第12行单元状态为：1,1,1,1,0,1,0,0,1,0,0,0,0,0,1,0,0,0,0,0,0,0,0,0,
第13行单元状态为：1,1,1,1,0,1,0,0,1,0,0,0,0,0,1,0,0,0,0,0,0,0,0,0,
第14行单元状态为：1,1,0,1,0,0,1,0,0,1,0,0,0,0,1,1,0,0,1,0,0,0,0,0,
第15行单元状态为：0,1,0,0,1,0,0,1,0,0,1,1,1,0,0,1,0,1,0,0,0,0,0,0,
第16行单元状态为：1,0,1,1,0,1,1,1,1,1,1,1,1,1,0,1,0,1,0,1,1,0,0,0,
第17行单元状态为：1,1,0,0,0,1,1,1,1,1,1,1,1,1,0,1,1,0,1,0,1,1,0,0,
第18行单元状态为：1,0,1,1,0,1,1,1,1,1,0,1,0,1,0,1,1,1,1,1,1,1,1,1,
第19行单元状态为：0,0,0,1,1,0,0,0,0,0,0,0,0,1,1,0,1,1,1,1,0,1,1,1,
第20行单元状态为：0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,1,0,0,0,1,0,0,1,0,1,0,1,1,1,
第21行单元状态为：0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,1,1,1,0,1,1,0,1,1,1,1,
第22行单元状态为：0,0,0,0,1,0,0,0,0,0,0,1,0,0,0,1,0,0,0,0,0,0,1,0,
第23行单元状态为：1,0,0,0,1,0,0,0,1,0,0,1,0,0,0,0,0,0,1,0,0,0,0,0,
第24行单元状态为：1,0,0,0,1,1,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,1,1,0,0,0；
其中所述“0”代表打孔，“1”代表不打孔。
优选的，所述打孔的方式为，在单元的中心打孔，打孔的直径为90nm，深度为220nm。
优选的，所述单元为正方形单元，每个单元的大小相同，单元的边长为120nm
本实用新型的有益效果为，以较低的损耗，在较小的尺寸结构上实现多模式的功率分束。本实用新型的TE0，TE1，TE2，TE3和TE4模式从输入波导输入，一分为二分别从输出波导A和输出波导B输出。由于整个结构是关于x轴对称的，因此每个模式在输出波导A和输出波导B的损耗是一样的，具有50：50的分束比。在1550nm波长，每个输出通道的TE0、TE1、TE2、TE3和TE4模式的损耗分别小于3.5dB、3.7dB、3.3dB、3.7dB和3.7dB，串扰损耗小于-16.9dB、-23.3dB、-26.7dB、-25.5dB和-28.9dB。
附图说明
图1为本实用新型的三维结构示意图。
图2为本实用新型的俯视结构示意图。
图3为逆向设计区的结构示意图；
图3（a）为单元状态为刻蚀状态时的结构示意图，图3（b）为逆向设计区的尺寸结构示意图。
图4为本实用新型的正向设计部分的功率分束和模式转化部分划分示意图。
图5为本实用新型的TE4模式的功率分束和模式转化部分的结构尺寸示意图。
图5（a）为TE4模式的功率分束部分结构尺寸示意图，图5（b）为TE4模式的模式转化部分的结构尺寸示意图。
图6为输入TE0和TE1模式的仿真结果图。
图6（a）为输入TE0模式仿真结果图，图6（b）为输入TE1模式仿真结果图。
图7为输入TE2、TE3和TE4模式的仿真结果图，
图7（a）为输入TE2模式仿真结果图，图7（b）为输入TE3模式仿真结果图，图7（c）为输入TE4模式仿真结果图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例，对本实用新型的技术方案作进一步具体的说明：
实施例1
请参阅图1-7，本实施例提供一种多模式的功率分束器，包括衬底200，所述衬底200上设有顶层硅100，所述顶层硅100包括输入波导1，输出波导A 2，输出波导B 3，分支波导a 3，分支波导b 4，分支波导c 5，分支波导d 6，分支波导e 7，分支波导f 8，分支波导g9，逆向设计区域10。
所述输入波导1包括直波导a 11，直波导b 12，直波导c 13，直波导d 14，锥形波导a 15，锥形波导b 16，锥形波导c 17。
所述输出波导A 2与输出波导B 3相同，且关于x轴对称。
以输出波导A 2进行说明，其包括直波导Ⅰ 21，直波导Ⅱ 22，直波导Ⅲ 23，直波导Ⅳ24，直波导Ⅴ 25，锥形波导Ⅰ 26，锥形波导Ⅱ 27，锥形波导Ⅲ 28，弯曲波导 29。
所述分支波导4与分支波导7相同，且关于x轴对称。
以分支波导4进行说明，其包括直线波导a 41，直线波导b 42，直线波导c 43，直线波导d 44，直线波导e 45，弯曲波导a 46，弯曲波导b 47，弯曲波导c 48，弯曲波导d 49。
所述分支波导5与分支波导8相同，且关于x轴对称。
以分支波导5进行说明，其包括直线波导A 51，直线波导B 52，直线波导C 53，直线波导D 54，直线波导E 55，弯曲波导A 56，弯曲波导B 57，弯曲波导C 58，弯曲波导D 59。
所述分支波导6与分支波导9相同，且关于x轴对称。
以分支波导6进行说明，其包括直线波导Ⅰ 61，直线波导Ⅱ 62，直线波导Ⅲ 63，直线波导Ⅳ 64，弯曲波导Ⅰ 65，弯曲波导Ⅱ 66，弯曲波导Ⅲ 67。
所述实施例的功能为在1530nm～1570nm波长范围内，多模式TE0，TE1，TE2，TE3和TE4从输入波导1注入后均匀地一分为二分别从输出波导A 2和输出波导B 3输出，其光功率的比值为50：50。
所述衬底200的厚度为3μm，顶层硅100的厚度为220nm。
所述输入波导1是由直波导a 11，锥形波导a 15，直波导b 12，锥形波导b 16，直波导c 13，锥形波导c 17，直波导d 14依次相连而成。
所述输出波导A 2与输出波导B 3相同，且关于x轴对称，以输出波导A 2进行说明，是由直波导Ⅰ 21，锥形波导Ⅰ 26，直波导Ⅱ 22，锥形波导Ⅱ 27，直波导Ⅲ 23，锥形波导Ⅲ28，直波导Ⅳ 24，弯曲波导 29，直波导Ⅴ 25依次相连而成。
更具体的，所述分支波导4与分支波导7相同，且关于x轴对称，以分支波导4进行说明，是由直线波导a 41，弯曲波导a 46，直线波导b 42，弯曲波导b 47，直线波导c 43，弯曲波导c 48，直线波导d 44，弯曲波导d 49，直线波导e 45依次相连而成。
更具体的，所述分支波导5与分支波导8相同，且关于x轴对称，以分支波导5进行说明，是由直线波导A 51，弯曲波导A 56，直线波导B 52，弯曲波导B 57，直线波导C 53，弯曲波导C 58，直线波导D 54，弯曲波导D 59，直线波导E 55依次相连而成。
更具体的，所述分支波导6与分支波导9相同，且关于x轴对称，以分支波导6进行说明，是由直线波导Ⅰ 61、弯曲波导Ⅰ 65、直线波导Ⅱ 62、弯曲波导Ⅱ 66、直线波导Ⅲ 63、弯曲波导Ⅲ 67、直线波导Ⅳ 64依次连接而成。
更具体的，逆向设计区域10内分布着非周期性圆孔阵列。
本实用新型可以分为2部分进行设计，即逆向设计结构和正向设计结构，逆向设计结构就是逆向设计区域10，可以实现TE0和TE1模式的功率分束；正向设计结构就是除了逆向设计区域10以外的部分，可以实现TE2，TE3和TE4模式的功率分束。
逆向设计区域10的长W1和宽W2皆为3000nm，输入波导宽度W3为900nm，输出波导宽度W4和W5皆为900nm。逆向设计区域10结构通过智能算法设计而来，其包括以下步骤：
步骤1：确定器件的功能。设定代表器件功能的品质因子函数：
。
式中，TTE0和TTE1分别直波导Ⅴ 25内TE0和TE1模式在在1530nm到1570nm工作带宽范围内的透过率。
步骤2：离散化器件的优化区域。逆向设计区域10被划分成，被划分为24×24个边长a×a为120nm×120nm的正方形单元；每个正方形单元的中心有2种状态，分别是打孔和不打孔状态，即刻蚀状态和非刻蚀状态。如图3(a)所示，刻蚀状态是指正方形中心材料改变为直径d为90nm，深度为220nm的空气圆柱，而非刻蚀状态是指正方形中心硅材料保持不变。
步骤3：搜索式优化。以随机的圆孔分布作为初始结构，然后随机选择逆向设计区域10里的一个正方形单元，并且切换其中心状态，利用有限时域差分法计算质因子函数FOM的值，即器件的性能。当器件的性能大于切换前的性能，则保持当前的正方形单元的状态；否则，则这个正方形单元变为切换前的状态。然后按着一定方向搜索式计算下一个正方形单元。由于优化区域10是实现对TE0和TE1模式的1×2的功率分束功能，因此可以在优化过程中保持关于x轴对称性地优化，这样既可以只优化一半的正方形单元，节省优化时间，而且可以保持完美的50:50的功率分束比。
步骤4：获得最终结构。搜索式计算逆向设计区域10内所有的正方形单元，称为一次迭代。多次迭代计算后，当两次迭代后的FOM差值小于0.1%时，说明算法收敛，器件的性能稳定，获得如图3（b）所示的最终的器件结构。为了描述具体的器件结构，用“0”代表打孔，即正方形单元中心填充直径d为90nm，深度为220nm的空气圆柱，用“1”代表不打孔，即正方形单元中心保持为硅材料，器件的优化区的结构为：
第01行单元状态为：1,0,0,0,1,1,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,1,1,0,0,0,
第02行单元状态为：1,0,0,0,1,0,0,0,1,0,0,1,0,0,0,0,0,0,1,0,0,0,0,0,
第03行单元状态为：0,0,0,0,1,0,0,0,0,0,0,1,0,0,0,1,0,0,0,0,0,0,1,0,
第04行单元状态为：0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,1,1,1,0,1,1,0,1,1,1,1,
第05行单元状态为：0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,1,0,0,0,1,0,0,1,0,1,0,1,1,1,
第06行单元状态为：0,0,0,1,1,0,0,0,0,0,0,0,0,1,1,0,1,1,1,1,0,1,1,1,
第07行单元状态为：1,0,1,1,0,1,1,1,1,1,0,1,0,1,0,1,1,1,1,1,1,1,1,1,
第08行单元状态为：1,1,0,0,0,1,1,1,1,1,1,1,1,1,0,1,1,0,1,0,1,1,0,0,
第09行单元状态为：1,0,1,1,0,1,1,1,1,1,1,1,1,1,0,1,0,1,0,1,1,0,0,0,
第10行单元状态为：0,1,0,0,1,0,0,1,0,0,1,1,1,0,0,1,0,1,0,0,0,0,0,0,
第11行单元状态为：1,1,0,1,0,0,1,0,0,1,0,0,0,0,1,1,0,0,1,0,0,0,0,0,
第12行单元状态为：1,1,1,1,0,1,0,0,1,0,0,0,0,0,1,0,0,0,0,0,0,0,0,0,
第13行单元状态为：1,1,1,1,0,1,0,0,1,0,0,0,0,0,1,0,0,0,0,0,0,0,0,0,
第14行单元状态为：1,1,0,1,0,0,1,0,0,1,0,0,0,0,1,1,0,0,1,0,0,0,0,0,
第15行单元状态为：0,1,0,0,1,0,0,1,0,0,1,1,1,0,0,1,0,1,0,0,0,0,0,0,
第16行单元状态为：1,0,1,1,0,1,1,1,1,1,1,1,1,1,0,1,0,1,0,1,1,0,0,0,
第17行单元状态为：1,1,0,0,0,1,1,1,1,1,1,1,1,1,0,1,1,0,1,0,1,1,0,0,
第18行单元状态为：1,0,1,1,0,1,1,1,1,1,0,1,0,1,0,1,1,1,1,1,1,1,1,1,
第19行单元状态为：0,0,0,1,1,0,0,0,0,0,0,0,0,1,1,0,1,1,1,1,0,1,1,1,
第20行单元状态为：0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,1,0,0,0,1,0,0,1,0,1,0,1,1,1,
第21行单元状态为：0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,1,1,1,0,1,1,0,1,1,1,1,
第22行单元状态为：0,0,0,0,1,0,0,0,0,0,0,1,0,0,0,1,0,0,0,0,0,0,1,0,
第23行单元状态为：1,0,0,0,1,0,0,0,1,0,0,1,0,0,0,0,0,0,1,0,0,0,0,0,
第24行单元状态为：1,0,0,0,1,1,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,1,1,0,0,0；
正向设计结构根据非对称定向耦合原理设计来实现TE2，TE3和TE4模式的功率分束。如图4所示，正向设计结构是由两部分组成，即功率分束部分和模式转换部分。功率分束部分的功能是将高阶模式转化为TE0模式并且一分为二；模式转化部分的功能是将TE0模式再次转换为对应的高阶模式。这样就可以实现TE2，TE3和TE4高阶模式的一分为二的功率分束。
功率分束部分是由三个具有两个对称的分支波导和一个主波导组成的非对称定向耦合器通过锥型波导串联而成；
模式转换部分是由一个分支波导和一个主波导组成的非对称定向耦合器通过锥型波导串联而成。
以图5中TE4模式的正向设计结构为例子说明，TE4模式功率分束部分是由直线波导a 41、直线波导x 71和直波导a 11组成，直波导a 41和直线波导x 71为分支波导且关于x轴对称，直波导a 11为主波导。弯曲波导a 46和弯曲波导x 76是为了增加波导间距，减弱耦合效应。直线波导a 41和直线波导x 71的宽度W7和W8分别为400nm，可以低损耗的支持TE0模式。根据非对称定向耦合原理可以得到直波导a 11的宽度W6为2041nm。当波导间距宽度G1和G2设置为150nm时，仿真计算可以得到耦合长度L1为20000nm时耦合效率较好。
TE4模式的模式转换部分是由直线波导e 45和直波导Ⅰ 21组成，直线波导e 45为分支波导，直波导Ⅰ 21为主波导。弯曲波导d 49是为了增加波导间距，减弱耦合效应。直线波导e 45的宽度W10为400nm，根据非对称定向耦合原理可以得到直波导Ⅰ 21的宽度W9为2041nm。当波导间距宽度G3设置为150nm时，仿真计算可以得到耦合长度L2为32000nm时耦合效率较好。
TE4模式功率分束部分和模式转化部分是由直线波导b 42、弯曲波导b 47、直线波导c 43、弯曲波导c 48、直线波导d 44及其关于x轴对称部分连接而成。类似地，TE3模式功率分束部分的分支波导宽度为400nm，主波导宽度为1363nm，波导间距为150nm，耦合长度为19000nm；TE3模式的模式转换部分的分支波导宽度为400nm，主波导宽度为1363nm，波导间距为150nm，耦合长度为29000nm。TE2模式功率分束部分的分支波导宽度为400nm，主波导宽度为1222nm，波导间距为150nm，耦合长度为17000nm；TE2模式的模式转换部分的分支波导宽度为400nm，主波导宽度为1222nm，波导间距为150nm，耦合长度为24000nm。
由于TE0和TE1模式的功率分束采用逆向设计算法实现，具有较小的尺寸，从而减小了整个功率分束器的尺寸。
本实用新型的TE0，TE1，TE2，TE3和TE4模式从输入波导1输入，一分为二分别从输出波导A2和输出波导B3输出。由于整个结构是关于x轴对称的，因此每个模式在输出波导A 2和输出波导B 3的损耗是一样的，具有50：50的分束比。TE0和TE1模式的仿真结果如图6所示，在1550nm波长，每个输出通道的TE0和TE1模式的损耗分别小于3.5dB和3.7dB，串扰损耗小于-16.9dB和-23.3dB。TE2、TE3和TE4模式的仿真结果如图7所示，在1550nm波长，每个输出通道的TE2、TE3和TE4模式的损耗分别小于3.3dB、3.7dB和3.7dB，串扰损耗小于-26.7dB、-25.5dB和-28.9dB。
所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本申请的保护范围限于这些例子；在本申请的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本申请中一个或多个实施例的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。
本申请中一个或多个实施例旨在涵盖落入本申请的宽泛范围之内的所有这样的替换、修改和变型。因此，凡在本申请中一个或多个实施例的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种多模式功率分束器，其特征是，包括衬底(200)和设置在衬底(200)上的顶层硅(100)，所述顶层硅(100)包括依次连接的输入波导(1)、逆向设计区(10)和2个输出波导；2个输出波导包括输出波导A和输出波导B，还包括对称分布的分支波导，其中一个分支波导的一端和输入波导耦合，另一端和输出波导A耦合，对称分布的另一个分支波导的一端和输入波导耦合，另一端和输出波导B耦合。
2.如权利要求1所述的多模式功率分束器，其特征是，所述对称分布的分支波导的数量为三对。
3.如权利要求1所述的多模式功率分束器，其特征是，所述输入波导(1)和输出波导分别包括至少2个宽度不同的直波导和连接直波导的锥形波导。
4.如权利要求3所述的多模式功率分束器，其特征是，同一个所述输入波导(1)中，所述直波导的数量为4个，且沿光的传输方向，不同直波导的宽度依次减少；同一个所述输出波导中，所述直波导的数量为4个，且沿光的传输方向，不同直波导的宽度依次增大。
5.如权利要求1所述的多模式功率分束器，其特征是，所述输出波导和逆向设计区(10)之间还设置有连接波导，所述连接波导包括依次连接的直波导和弯曲波导。
6.如权利要求1-5任一项所述的多模式功率分束器，其特征是，所述分支波导包括依次连接的与输入波导(1)中的直波导耦合的直线波导、弯曲波导、连接段、弯曲波导以及与输出波导中的直波导耦合的直线波导。
7.如权利要求6所述的多模式功率分束器，其特征是，所述连接段包括直线波导、弯曲波导、直线波导、弯曲波导和直线波导。
8.如权利要求1-5任一项所述的多模式功率分束器，其特征是，所述逆向设计区(10)被划分为多个单元，每个单元有2个状态，每个单元的状态为：
第01行单元状态为：1,0,0,0,1,1,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,1,1,0,0,0,
第02行单元状态为：1,0,0,0,1,0,0,0,1,0,0,1,0,0,0,0,0,0,1,0,0,0,0,0,
第03行单元状态为：0,0,0,0,1,0,0,0,0,0,0,1,0,0,0,1,0,0,0,0,0,0,1,0,
第04行单元状态为：0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,1,1,1,0,1,1,0,1,1,1,1,
第05行单元状态为：0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,1,0,0,0,1,0,0,1,0,1,0,1,1,1,
第06行单元状态为：0,0,0,1,1,0,0,0,0,0,0,0,0,1,1,0,1,1,1,1,0,1,1,1,
第07行单元状态为：1,0,1,1,0,1,1,1,1,1,0,1,0,1,0,1,1,1,1,1,1,1,1,1,
第08行单元状态为：1,1,0,0,0,1,1,1,1,1,1,1,1,1,0,1,1,0,1,0,1,1,0,0,第09行单元状态为：1,0,1,1,0,1,1,1,1,1,1,1,1,1,0,1,0,1,0,1,1,0,0,0,
第10行单元状态为：0,1,0,0,1,0,0,1,0,0,1,1,1,0,0,1,0,1,0,0,0,0,0,0,
第11行单元状态为：1,1,0,1,0,0,1,0,0,1,0,0,0,0,1,1,0,0,1,0,0,0,0,0,
第12行单元状态为：1,1,1,1,0,1,0,0,1,0,0,0,0,0,1,0,0,0,0,0,0,0,0,0,
第13行单元状态为：1,1,1,1,0,1,0,0,1,0,0,0,0,0,1,0,0,0,0,0,0,0,0,0,
第14行单元状态为：1,1,0,1,0,0,1,0,0,1,0,0,0,0,1,1,0,0,1,0,0,0,0,0,
第15行单元状态为：0,1,0,0,1,0,0,1,0,0,1,1,1,0,0,1,0,1,0,0,0,0,0,0,
第16行单元状态为：1,0,1,1,0,1,1,1,1,1,1,1,1,1,0,1,0,1,0,1,1,0,0,0,
第17行单元状态为：1,1,0,0,0,1,1,1,1,1,1,1,1,1,0,1,1,0,1,0,1,1,0,0,
第18行单元状态为：1,0,1,1,0,1,1,1,1,1,0,1,0,1,0,1,1,1,1,1,1,1,1,1,
第19行单元状态为：0,0,0,1,1,0,0,0,0,0,0,0,0,1,1,0,1,1,1,1,0,1,1,1,
第20行单元状态为：0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,1,0,0,0,1,0,0,1,0,1,0,1,1,1,
第21行单元状态为：0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,1,1,1,0,1,1,0,1,1,1,1,
第22行单元状态为：0,0,0,0,1,0,0,0,0,0,0,1,0,0,0,1,0,0,0,0,0,0,1,0,
第23行单元状态为：1,0,0,0,1,0,0,0,1,0,0,1,0,0,0,0,0,0,1,0,0,0,0,0,
第24行单元状态为：1,0,0,0,1,1,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,1,1,0,0,0；
其中所述“0”代表打孔，“1”代表不打孔。
9.如权利要求8所述的多模式功率分束器，其特征是，所述打孔的方式为，在单元的中心打孔，打孔的直径为90nm，深度为220nm。
10.如权利要求8所述的多模式功率分束器，其特征是，所述单元为正方形单元，每个单元的大小相同，单元的边长为120nm。
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