CN220358806U - 一种自恢复式过欠压保护器电源电路及保护器电路 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供一种自恢复式过欠压保护器电源电路及保护器电路，涉及电压保护器技术领域，以解决目前的自恢复式过欠压保护器电源电路中的电容的电容值容易发生衰减，导致电源电路输出的电能降低，进而影响对继电器的控制能力，提高电气使用的安全风险的问题。该电源电路包括：第一降压电路，第一降压电路的一端用于接入自恢复式过欠压保护器，第二降压电路与第三降压电路电连接，第一降压电路包括第一电阻；第二降压电路，第一降压电路的另一端与第二降压电路电连接，第二降压电路包括第一降压芯片；第三降压电路，第二降压电路电连接于第一降压电路与第三降压电路之间，第三降压电路包括第二降压芯片。

Description

一种自恢复式过欠压保护器电源电路及保护器电路

技术领域

本申请实施例涉及电压保护器技术领域，尤其涉及一种自恢复式过欠压保护器电源电路及保护器电路。

背景技术

随着电气安全要求的逐渐提高，对于电压保护器的工作性能的要求也日益提高。目前的自恢复式过欠压保护器电源电路通常采用电阻和电容并联的形式形成降压电路，以对外部电压进行降压，从而保证自恢复式过欠压保护器内部电路的稳定运行。但现有的阻容降压电路中的电容的运行会受到外部水氧环境的干扰，在湿热环境中长时间运行会导致电容的容值衰减，导致电源电路输出的电能降低，进而影响对继电器的控制能力，提高电气使用的安全风险。

实用新型内容

本申请实施例提供一种自恢复式过欠压保护器电源电路及保护器电路，涉及电压保护器技术领域，以解决目前的自恢复式过欠压保护器电源电路中的电容值容易发生衰减，导致电源电路输出的电能降低，进而影响对继电器的控制能力，提高电气使用的安全风险的问题。

本申请实施例的第一方面，提供一种自恢复式过欠压保护器电源电路，包括：

第一降压电路，所述第一降压电路的一端用于接入自恢复式过欠压保护器，所述第二降压电路与所述第三降压电路电连接，所述第一降压电路包括第一电阻；

第二降压电路，所述第一降压电路的另一端与所述第二降压电路电连接，所述第二降压电路包括第一降压芯片；

第三降压电路，所述第二降压电路电连接于所述第一降压电路与所述第三降压电路之间，所述第三降压电路包括第二降压芯片。

在一些实施方式中，所述自恢复式过欠压保护器电源电路还包括：

过压保护电路，所述过压保护电路的两端分别用于与外部电源的零线和火线电连接，所述过压保护电路与所述第一降压电路电连接。

在一些实施方式中，所述过压保护电路包括压敏电阻。

在一些实施方式中，所述自恢复式过欠压保护器电源电路还包括：整流电路，所述整流电路的两端分别与所述第一降压电路和所述第二降压电路电连接。

在一些实施方式中，所述整流电路包括半波整流电路。

在一些实施方式中，所述半波整流电路包括第一二极管。

在一些实施方式中，所述第二降压电路包括高压差降压电路；

所述第三降压电路包括低压差降压电路。

在一些实施方式中，所述第二降压电路包括：第一电容、所述第一降压芯片、第二电容、第三电容、第二电阻、第三电阻、第四电容、电感、第二二极管、第四电阻和第三二极管，其中，所述第一电容的一端接入所述第一电阻的一端与所述第一降压芯片的切换引脚之间，所述第三电容的一端、所述第二电阻的一端和所述第三电阻的一端均与所述第一降压芯片的电压反馈引脚电连接，所述第二电容的一端与所述第一降压芯片的高电平引脚电连接，所述第三电容的一端和所述第二二极管的负极均与所述第二电阻的另一端电连接，所述第一电容的另一端、所述第二电容的另一端、所述第二电阻的另一端、所述第三电容的另一端、所述电感的一端和所述第三晶体管的负极均与所述第一降压芯片的低电平引脚电连接，所述第四电阻的一端和所述电感的另一端均与所述第二晶体管的正极电连接，所述第一电容的另一端和所述第三晶体管的正极均与所述第四电阻的另一端电连接。

在一些实施方式中，所述第三降压电路包括第五电容、所述第二降压芯片、第六电容和第七电容，其中，所述第五电容的一端与所述第二降压芯片的输入引脚电连接，所述第六电容的一端和所述第七电容的一端均与所述第二降压芯片的输出引脚电连接，所述第五电容的另一端、所述第六电容的另一端、所述第七电容的另一端和所述第二降压芯片的低电平引脚均用于接地。

本申请实施例的第二方面，提供一种自恢复式过欠压保护器电路，包括：

如上述第一方面中任一种所述的自恢复式过欠压保护器电源电路；

微处理器，所述微处理器与所述自恢复式过欠压保护器电源电路电连接；

电压信号调节电路，所述电压信号调节电路的两端分别与所述微处理器和所述自恢复式过欠压保护器电源电路电连接，所述微处理器用于基于所述电压信号调节电路发送的电平信号，生成驱动信号；

继电器驱动电路，所述继电器驱动电路的一端与所述微处理器电连接，所述继电器驱动电路用于基于所述驱动信号控制继电器的开关。

本申请实施例提供一种自恢复式过欠压保护器电源电路，包括：第一降压电路，第一降压电路的一端用于接入自恢复式过欠压保护器，第二降压电路与第三降压电路电连接，第一降压电路包括第一电阻；第二降压电路，第一降压电路的另一端与第二降压电路电连接，第二降压电路包括第一降压芯片；第三降压电路，第二降压电路电连接于第一降压电路与第三降压电路之间，第三降压电路包括第二降压芯片。本申请实施例通过设置三个降压电路，可以进一步提高电源电路的降压效果，通过设置包括降压芯片的降压电路，可以避免外部温度、水氧环境侵蚀电子器件影响电源电路的电能，从而可以提高降压电路的稳定性，进而可以提高电源电路对继电器的控制能力，提高自恢复式过欠压保护器的响应速度和准确性。

附图说明

为了更清楚地说明本申请的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的一种自恢复式过欠压保护器电源电路的示意性管脚连接电路图；

图2为本申请实施例提供的一种自恢复式过欠压保护器电路的示意性结构图。

具体实施方式

下面将详细地对实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下实施例中描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。仅是与权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的系统和方法的示例。在本申请实施例所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，也可以通过其它的方式实现，以下所描述的装置实施例仅仅是示例性的。

本申请实施例的第一方面，提供一种自恢复式过欠压保护器电源电路，包括：第一降压电路，第一降压电路的一端用于接入自恢复式过欠压保护器，第二降压电路与第三降压电路电连接，第一降压电路包括第一电阻；第二降压电路，第一降压电路的另一端与第二降压电路电连接，第二降压电路包括第一降压芯片；第三降压电路，第二降压电路电连接于第一降压电路与第三降压电路之间，第三降压电路包括第二降压芯片。

示例性的，图1为本申请实施例提供的一种自恢复式过欠压保护器电源电路的示意性管脚连接电路图。如图1所示，自恢复式过欠压保护器电源电路包括第一降压电路100、第二降压电路200和第三降压电路300，其中，第一降压电路100包括第一电阻R1，第二降压电路200包括第一降压芯片U1，第三降压电路300包括第二降压芯片U2，第一降压电路100的另一端与第二降压电路200电连接，第二降压电路200电连接于第一降压电路100与第三降压电路300之间。

通过设置三个降压电路，可以进一步提高电源电路的降压效果，通过设置包括降压芯片的降压电路，可以避免外部温度、水氧环境侵蚀电子器件影响电源电路的电能，从而可以提高降压电路的稳定性，进而可以提高电源电路对继电器的控制能力，提高自恢复式过欠压保护器的响应速度和准确性。

在一些实施方式中，自恢复式过欠压保护器电源电路还包括：过压保护电路，过压保护电路的两端分别用于与外部电源的零线和火线电连接，过压保护电路与第一降压电路100电连接。

通过设置过压保护电路，可以在外部电源的零线和火线之间的电压差值过大的情况下，断开降压电路与外部电源之间的连接，防止外部电源电压发生浪涌现象，保护电源电路内部的电子器件，从而可以进一步提高自恢复式过欠压保护器电源电路的安全性。

在一些实施方式中，过压保护电路包括压敏电阻。

示例性的，如图1所示，过压保护电路可以包括压敏电阻MYR，压敏电阻MYR的一端接入外部电源的火线和第一电阻R1之间，压敏电阻MYR的另一端与外部电源的零线电连接。

压敏电阻MYR的电阻值随电压的变化而变化，可以在外部电源的电压过大的情况下，通过压敏电阻MYR断开降压电路与外部电源之间的连接，从而可以保护电源电路，延长电源电路的使用寿命，提高电源电路的安全性。

在一些实施方式中，自恢复式过欠压保护器电源电路还包括：整流电路，整流电路的两端分别与第一降压电路100和第二降压电路200电连接。

通过整流电路可以将外部电源的交流电转换为直流电，便于为电源电路内部的第一降压芯片U1和第二降压芯片U2进行供电，便于芯片的正常运行。

在一些实施方式中，整流电路包括半波整流电路。

半波整流电路的电路结构较为简单，可以减少电源电路中的电子元件，节约电源电路的设置成本。

在一些实施方式中，半波整流电路包括第一二极管。

示例性的，如图1所示，半波整流电路包括第一二极管D1，第一二极管D1的正极与第一电阻R1电连接，第一二极管D1的负极与第一降压芯片U1电连接。

基于第一二极管D1的单向导通特性，可以在外部电源的交流电进入第二降压电路200的第一降压芯片U1，将交流电转化为直流电，从而可以实现电源电路的导通。

在一些实施方式中，第二降压电路200包括高压差降压电路；第三降压电路300包括低压差降压电路。

需要说明的是，目前关于自恢复式过欠压保护器的执行标准JB/T 12762要求自恢复式过欠压保护器的工作电压范围为50V至440V。而目前的自恢复式过欠压保护器电源电路的工作电压范围为70V至310V。

通过设置高压差降压电路和低压差降压电路，可以进一步扩大自恢复式过欠压保护器电源电路的工作电压范围，以满足国家标准。

在一些实施方式中，如图1所示，第二降压电路200包括：第一电容C1、第一降压芯片U1、第二电容C2、第三电容C3、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电容C4、电感L、第二二极管D2、第四电阻R4和第三二极管D3，其中，第一电容C1的一端接入第一电阻R1的一端与第一降压芯片U1的切换引脚之间，第三电容C3的一端、第二电阻R2的一端和第三电阻R3的一端均与第一降压芯片U1的电压反馈引脚电连接，第二电容C2的一端与第一降压芯片U1的高电平引脚电连接，第三电容C3的一端和第二二极管D2的负极均与第二电阻R2的另一端电连接，第一电容C1的另一端、第二电容C2的另一端、第二电阻R2的另一端、第三电容C3的另一端、电感L的一端和第三晶体管D3的负极均与第一降压芯片U1的低电平引脚电连接，第四电阻R4的一端和电感L的另一端均与第二晶体管D2的正极电连接，第一电容C1的另一端和第三晶体管D3的正极均与第四电阻R4的另一端电连接。

第三降压电路300包括第五电容C5、第二降压芯片U2、第六电容C6和第七电容C7，其中，第五电容C5的一端与第二降压芯片U2的输入引脚电连接，第六电容C6的一端和第七电容C7的一端均与第二降压芯片U2的输出引脚电连接，第五电容C5的另一端、第六电容C6的另一端、第七电容C7的另一端和第二降压芯片U2的低电平引脚均用于接地。

本申请实施例的第二方面，提供一种自恢复式过欠压保护器电路。

示例性的，图2为本申请实施例提供的一种自恢复式过欠压保护器电路的示意性结构图。如图2所示，自恢复式过欠压保护器电路400包括：如上述第一方面中任一种的自恢复式过欠压保护器电源电路101；微处理器102，微处理器102与自恢复式过欠压保护器电源电路101电连接；电压信号调节电路103，电压信号调节电路103的两端分别与微处理器102和自恢复式过欠压保护器电源电路101电连接，微处理器102用于基于电压信号调节电路103发送的电平信号，生成驱动信号；继电器驱动电路104，继电器驱动电路104的一端与微处理器102电连接，继电器驱动电路104用于基于驱动信号控制继电器105的开关。其中，自恢复式过欠压保护器电路400不包括继电器105，继电器105的两端分别与继电器驱动电路104和外部电源的火线电连接，用于根据驱动信号导通或断开，以断开自恢复式过欠压保护器电源电路101与外部电源的火线的电连接，从而可以在过压或欠压状态下，形成保护。

自恢复式过欠压保护器电路400通过设置三个降压电路，可以进一步提高自恢复式过欠压保护器电源电路101的降压效果，通过设置包括降压芯片的降压电路，可以避免外部温度、水氧环境侵蚀电子器件影响自恢复式过欠压保护器电源电路101的电能，从而可以提高降压电路的稳定性，进而可以提高自恢复式过欠压保护器电源电路101对继电器105的控制能力，提高自恢复式过欠压保护器的响应速度和准确性。

以上实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围。

以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种自恢复式过欠压保护器电源电路，其特征在于，包括：

第一降压电路，所述第一降压电路的一端用于接入自恢复式过欠压保护器，所述第一降压电路包括第一电阻；

第二降压电路，所述第一降压电路的另一端与所述第二降压电路电连接，所述第二降压电路包括第一降压芯片；

第三降压电路，所述第二降压电路电连接于所述第一降压电路与所述第三降压电路之间，所述第三降压电路包括第二降压芯片。

2.根据权利要求1所述的自恢复式过欠压保护器电源电路，其特征在于，还包括：

过压保护电路，所述过压保护电路的两端分别用于与外部电源的零线和火线电连接，所述过压保护电路与所述第一降压电路电连接。

3.根据权利要求2所述的自恢复式过欠压保护器电源电路，其特征在于，

所述过压保护电路包括压敏电阻。

4.根据权利要求1所述的自恢复式过欠压保护器电源电路，其特征在于，还包括：

整流电路，所述整流电路的两端分别与所述第一降压电路和所述第二降压电路电连接。

5.根据权利要求4所述的自恢复式过欠压保护器电源电路，其特征在于，

所述整流电路包括半波整流电路。

6.根据权利要求5所述的自恢复式过欠压保护器电源电路，其特征在于，

所述半波整流电路包括第一二极管。

7.根据权利要求1所述的自恢复式过欠压保护器电源电路，其特征在于，

所述第二降压电路包括高压差降压电路；

所述第三降压电路包括低压差降压电路。

8.根据权利要求7所述的自恢复式过欠压保护器电源电路，其特征在于，

所述第二降压电路包括：第一电容、所述第一降压芯片、第二电容、第三电容、第二电阻、第三电阻、第四电容、电感、第二二极管、第四电阻和第三二极管，其中，所述第一电容的一端接入所述第一电阻的一端与所述第一降压芯片的切换引脚之间，所述第三电容的一端、所述第二电阻的一端和所述第三电阻的一端均与所述第一降压芯片的电压反馈引脚电连接，所述第二电容的一端与所述第一降压芯片的高电平引脚电连接，所述第三电容的一端和所述第二二极管的负极均与所述第二电阻的另一端电连接，所述第一电容的另一端、所述第二电容的另一端、所述第二电阻的另一端、所述第三电容的另一端、所述电感的一端和所述第三二极管的负极均与所述第一降压芯片的低电平引脚电连接，所述第四电阻的一端和所述电感的另一端均与所述第二二极管的正极电连接，所述第一电容的另一端和所述第三二极管的正极均与所述第四电阻的另一端电连接。

9.根据权利要求7所述的自恢复式过欠压保护器电源电路，其特征在于，

所述第三降压电路包括第五电容、所述第二降压芯片、第六电容和第七电容，其中，所述第五电容的一端与所述第二降压芯片的输入引脚电连接，所述第六电容的一端和所述第七电容的一端均与所述第二降压芯片的输出引脚电连接，所述第五电容的另一端、所述第六电容的另一端、所述第七电容的另一端和所述第二降压芯片的低电平引脚均用于接地。

10.一种自恢复式过欠压保护器电路，其特征在于，包括：

如权利要求1至9中任一项所述的自恢复式过欠压保护器电源电路；

微处理器，所述微处理器与所述自恢复式过欠压保护器电源电路电连接；

电压信号调节电路，所述电压信号调节电路的两端分别与所述微处理器和所述自恢复式过欠压保护器电源电路电连接，所述微处理器用于基于所述电压信号调节电路发送的电平信号生成驱动信号；

继电器驱动电路，所述继电器驱动电路的一端与所述微处理器电连接，所述继电器驱动电路用于基于所述驱动信号控制继电器的开关。