CN220341490U - 一种v波段同轴转微带的接口 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种V波段同轴转微带的接口，属于通讯雷达技术领域，包括同轴连接器、烧结绝缘子、微带片和金属结构件，所述烧结绝缘子以锡焊形式气密连接在金属结构件的内部腔体上，烧结绝缘子一端与同轴连接器相连，另一端以裹金带方式与微带片实现信号连接。本实用新型的同轴转微带接口能够适应V波段这种高频段的信号传输连接，并且连接气密性好，整体尺寸小，并且能够实现阻抗匹配改善。
Description
技术领域
本实用新型涉及通讯雷达通信领域，具体涉及一种V波段同轴转微带的接口。
背景技术
V波段接头大多数使用波导口，这种结构使得产品尺寸很大，测试起来不方便互连；并且V波段接头采用波导口后，不容易形成气密，无法保护内部裸芯片。
现有技术中，公开号为CN209561595U，公告日为2019年10月29日，名称为Ka波段波导转微带结构的中国实用新型专利，公开了如下技术方案：本实用新型通过波导结构腔体、探针基板、探针微带电路、阻抗变换电路、50欧姆微带、绝缘子和高频连接器，能够匹配Ka波段天线波导接口，加工方便装配容易，便于Ka波段非标波导与微带探针转换，实现波导口及平面微带之间低损耗低驻波的转换方式。
该专利适用于Ka波段的低频波导传输，Ka频段的绝缘子到微带处不需要做匹配设计即可满足要求。而针对频率较高的V波段，该专利中的匹配设计就无法满足射频性能，不满足V波段的设计要求。
实用新型内容
本实用新型旨在解决现有技术中低频段波导与微带线转换连接无法适用于高频段连接转换设计的问题，提出了一种V波段同轴转微带的接口，以满足V波段接口性能所需要求。
为了实现上述实用新型目的，本实用新型的技术方案如下：
一种V波段同轴转微带的接口，包括同轴连接器、烧结绝缘子、微带片和金属结构件，所述烧结绝缘子以锡焊形式气密连接在金属结构件的内部腔体上，烧结绝缘子一端与同轴连接器相连，另一端以裹金带方式与微带片实现信号连接。
进一步的，所述烧结绝缘子一端的针插入同轴连接器的中心轴孔与之信号连接，同轴连接器与金属结构件为可拆卸式固定连接。
进一步的，所述同轴连接器的连接端面与金属结构件的一侧端面相接触，同轴连接器通过均匀分布在其周缘的若干螺钉固定在金属结构件上。
进一步的，所述同轴连接器为1.85同轴连接器。
进一步的，金属结构件的腔体内设置有PCB印制板，微带片连接在所述PCB印制板上，PCB印制板上以微带片为对称轴设置了多组驻波调试块。
进一步的，烧结绝缘子搭接在微带片上的长度在0.5mm以内。
进一步的，所述微带片上设有阻抗匹配枝节，所述阻抗匹配枝节垂直于微带片的长度方向生长，对称设置在微带片长度方向的两侧。
进一步的，所述阻抗匹配枝节以与微带片连接处为起点的长度为0.65mm，宽度为0.12mm。
进一步的，所述阻抗匹配枝节距离金属结构件的腔体壁边缘0.7mm。
进一步的，所述金带沿烧结绝缘子长度方向的宽度为0.5mm。
综上所述，本实用新型具有以下优点：
1、本实用新型针对V波段传输设计了同轴转微带接口，同时在连接器装配上和设计上进行合理规划，避免信号不连续造成信号失真；
2、本实用新型使用了1.85连接器，产品整体尺寸小，测试时方便互联；
3、本实用新型中烧结绝缘子通过锡焊形式烧结在金属结构件的腔体上，能够保证接口内部气密性；
4、本实用新型中，烧结绝缘子与微带片采用裹金带的方式连接而非锡焊连接，能够实现更好的信号传输。同时在PCB印制板上预留了驻波调试块，方便后续调试驻波；
5、本实用新型在微带片上增加了微带阻抗匹配枝节，用于改善同轴微带过渡失配。
附图说明
图1为本实用新型的内部结构图；
图2为图1的左视图；
图中：
1、同轴连接器；2、烧结绝缘子；3、金带；4、阻抗匹配枝节；5、驻波调试块，6、微带片，7、金属结构件，8、螺钉。
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本实用新型实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本实用新型的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围，而是仅仅表示本实用新型的选定实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“上”、“竖直”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该实用新型产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，或者是本领域技术人员惯常理解的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本实用新型的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、 “安装”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
实施例1
本实用新型提供了一种如图1所示的V波段同轴转微带的接口，包括同轴连接器1、烧结绝缘子2和金属结构件7。
其中，烧结绝缘子2以锡焊方式固定设置在金属结构件7的内部腔体上，以确保金属结构件7内部的气密性。烧结绝缘子2一端的探针插入同轴连接器1的轴孔位置，与同轴连接器1电性相连。同轴连接器1与金属结构件7的端面相接触，并通过螺钉8与金属结构件7连接固定。为了减小接口整体尺寸，本实施例中的同轴连接器1采用1.85连接器。并且该1.85连接器通过4颗螺钉8固定在波导腔体上，增加其接地性和可靠性。本实施例中，1.85连接器型号为 D380S09F02，烧结绝缘子2型号为AL-171423-02，金属结构件可以采用6061铝合金。
在金属结构件7内部以锡焊或其他方式固定设置有PCB印制板，PCB印制板上连接有微带片6，烧结绝缘子2另一端的探针采用裹金带3的方式与所述微带片6实现信号互联。
进一步的，由于采用烧结绝缘子2上的探针过渡是电感特性，需要用容性对其补偿。为了更好的实施本方案，本实施例在微带片6上增加了阻抗匹配枝节4，用于改善同轴微带过渡失配。该阻抗匹配枝节4垂直于微带片6的长度方向生长，对称设置在微带片6长度方向的两侧。本实施例中，阻抗匹配枝节4以与微带片6连接处为起点的长度为0.65mm，宽度为0.12mm，阻抗匹配枝节4距离金属结构件7的腔体壁边缘0.7mm。本实施例中所述的腔体壁边缘是指的金属结构件7与烧结绝缘子2连接处所在的腔体内壁。
实施例2
在实施例1的基础上，为了更好的实施本方案，进一步的，本实施例中，烧结绝缘子2另一端的针搭接在微带片6上的长度控制在0.5mm以内，在该长度方位内信号连续性比较好，信号性能好。
烧结绝缘子2上的金带3宽度可以设置为0.5mm，这里的金带3宽度是指的沿烧结绝缘子2针的长度方向的宽度。金带3的厚度可不做要求，只要能够与微带片6实现信号过渡即可。裹金带3的连接方式也避免了锡焊方式锡量不好控制的弊端，能够更好的实现信号传输。
实施例3
基于上述任一实施例的基础上，进一步的，为了方便调试驻波，本实施例在PCB板上以微带片6为对称轴设置了三组共六个驻波调试块5，调试驻波时可以在调试块上打金丝到微带片6上。
虽然结合附图对本实用新型的具体实施方式进行了详细地描述，但不应理解为对本专利的保护范围的限定。在权利要求书所描述的范围内，本领域技术人员不经创造性劳动即可做出的各种修改和变形仍属本专利的保护范围。
以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例，并非对本实用新型做任何形式上的限制，凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化，均落入本实用新型的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种V波段同轴转微带的接口，其特征在于，包括同轴连接器（1）、烧结绝缘子（2）、微带片（6）和金属结构件（7），所述烧结绝缘子（2）以锡焊形式气密连接在金属结构件（7）的内部腔体上，烧结绝缘子（2）一端与同轴连接器（1）相连，另一端以裹金带（3）方式与微带片（6）实现信号连接。
2.根据权利要求1所述的一种V波段同轴转微带的接口，其特征在于，所述烧结绝缘子（2）一端的针插入同轴连接器（1）的中心轴孔与之信号连接，同轴连接器（1）与金属结构件（7）为可拆卸式固定连接。
3.根据权利要求2所述的一种V波段同轴转微带的接口，其特征在于，所述同轴连接器（1）的连接端面与金属结构件（7）的一侧端面相接触，同轴连接器（1）通过均匀分布在其周缘的若干螺钉（8）固定在金属结构件（7）上。
4.根据权利要求1、2或3所述的一种V波段同轴转微带的接口，其特征在于，所述同轴连接器（1）为1.85同轴连接器（1）。
5.根据权利要求1所述的一种V波段同轴转微带的接口，其特征在于，金属结构件（7）的腔体内设置有PCB印制板，微带片（6）连接在所述PCB印制板上， PCB印制板上以微带片（6）为对称轴设置了多组驻波调试块（5）。
6.根据权利要求1所述的一种V波段同轴转微带的接口，其特征在于，烧结绝缘子（2）搭接在微带片（6）上的长度在0.5mm以内。
7.根据权利要求1所述的一种V波段同轴转微带的接口，其特征在于，所述微带片（6）上设有阻抗匹配枝节（4），所述阻抗匹配枝节（4）垂直于微带片（6）的长度方向生长，对称设置在微带片（6）长度方向的两侧。
8.根据权利要求7所述的一种V波段同轴转微带的接口，其特征在于，所述阻抗匹配枝节（4）以与微带片（6）连接处为起点的长度为0.65mm，宽度为0.12mm。
9.根据权利要求7所述的一种V波段同轴转微带的接口，其特征在于，所述阻抗匹配枝节（4）距离金属结构件（7）的腔体壁边缘0.7mm。
10.根据权利要求1所述的一种V波段同轴转微带的接口，其特征在于，所述金带（3）沿烧结绝缘子（2）长度方向的宽度为0.5mm。
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