CN220254496U - 一种tws充电盒协议发码电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种TWS充电盒协议发码电路,包括MCU芯片U1,MOS管Q1、MOS管Q3、三极管Q2、二极管D1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R5、电阻R6、电阻R7,MOS管Q1的漏极与5V充电输出端连接,源极接到充电盒的PIN+端,栅极与三极管Q2的集电极连接,电阻R1分别与MOS管Q1栅极和漏极连接,三极管Q2的发射极与地极连接,基极通过电阻R2连接到MCU芯片U1的第四引脚上,MOS管Q3的漏极通过电阻R3接到PIN+端,栅极通过电阻R7接到MCU芯片U1的第五引脚,二极管D1的两端分别接到PIN+端与地极,所述电阻R5的一端与MCU芯片U1的第六引脚连接。
Description
技术领域
本实用新型涉及充电盒的技术领域,具体为一种TWS充电盒协议发码电路。
背景技术
当TWS耳机在充电盒充满电时耳机在关机状态下,由于关机静态电流大,电池待机时间短,就需要进入船运模式,延长TWS耳机待机时间。目前,为了增加延长TWS耳机的待机时间,让TWS耳机在充电盒内充满电后关机自动进入船运模式降低电池损耗,在TWS耳机出厂前通过外置夹具发码进入船运模式,但是。只此进入一次,TWS耳机在后续使用过程中无法进入船运模式,导致后续TWS耳机在使用时电量消耗比较大。
实用新型内容
基于此,有必要提供一种TWS充电盒协议发码电路。
一种TWS充电盒协议发码电路,包括MCU芯片U1,MOS管Q1、MOS管Q3、三极管Q2、二极管D1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R5、电阻R6、电阻R7,MOS管Q1的漏极与5V充电输出端连接,源极接到充电盒的PIN+端,栅极与三极管Q2的集电极连接,电阻R1分别与MOS管 Q1栅极和漏极连接,三极管Q2的发射极与地极连接,基极通过电阻R2连接到MCU芯片U1的第四引脚上,MOS管Q3的漏极通过电阻R3接到PIN+端,源极与地极连接,栅极通过电阻R7接到MCU芯片U1的第五引脚,二极管D1的两端分别接到PIN+端与地极,所述电阻R5的一端与MCU芯片U1的第六引脚连接,另一端分别与电阻R6的一端和PIN-端连接。
在其中一个实施例中,所述发码电路还包括电阻R4和电容C1,所述电阻R4的一端与VBAT连接,另一端分别与电容C1的一端和MCU芯片U1的第一引脚连接。
在其中一个实施例中,所述二极管D1为静电二极管。
在其中一个实施例中,所述电阻R2为偏置电阻。
在其中一个实施例中,所述三极管Q2为NPN型三极管。
在其中一个实施例中,所述电阻R3为限流电阻。
在其中一个实施例中,所述电阻R5、电阻R6均为取样电阻。
在其中一个实施例中,所述MOS管Q1为P沟道MOS管。
上述TWS充电盒协议发码电路,当MCU芯片U1第四、第五脚同时输高电平时,通过电阻R2、电阻R7同时给三极管Q2与MOS管Q3提供偏置电压,使三极管Q2与MOS管Q3导通,因三极管Q2导通,MOS管Q1栅极电压被拉低,所以MOS管Q1处于截止状态,MOS管Q1停止输出,同时三极管Q2也导通使输出PIN端电位瞬时拉低为0V;当MCU芯片U1第四、第五脚同时输出低电平时,三极管Q2与MOS管Q3基极和栅极没有提供偏置电压,三极管Q2与MOS管Q3同时截止不导通,MOS管Q1栅极偏置电压恢复高电平,MOS管Q1恢复导通,输出端又恢复高电平,从而输出PIN端电压低高突变,形成一串码,当耳机端接收到这串码就进入船运低功耗省电模式,在耳机充满电后就会进行船运低功耗省电模式,避免了耳机的电能消耗。
附图说明
图1为本实用新型一实施例的TWS充电盒协议发码电路的电路图。
实施方式
为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似改进,因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。
需要说明的是,当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。相反,当元件被称作“直接”与另一元件连接时,不存在中间元件。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的,不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
如图1所示,一种TWS充电盒协议发码电路,包括MCU芯片U1,MOS管Q1、MOS管Q3、三极管Q2、二极管D1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R5、电阻R6、电阻R7,MOS管Q1的漏极与5V充电输出端连接,源极接到充电盒的PIN+端,栅极与三极管Q2的集电极连接,电阻R1分别与MOS管 Q1栅极和漏极连接,三极管Q2的发射极与地极连接,基极通过电阻R2连接到MCU芯片U1的第四引脚上,MOS管Q3的漏极通过电阻R3接到PIN+端,源极与地极连接,栅极通过电阻R7接到MCU芯片U1的第五引脚,二极管D1的两端分别接到PIN+端与地极,所述电阻R5的一端与MCU芯片U1的第六引脚连接,另一端分别与电阻R6的一端和PIN-端连接。
在其中一个实施例中,所述发码电路还包括电阻R4和电容C1,所述电阻R4的一端与VBAT连接,另一端分别与电容C1的一端和MCU芯片U1的第一引脚连接。
在其中一个实施例中,所述二极管D1为静电二极管。
在其中一个实施例中,所述电阻R2为偏置电阻。
在其中一个实施例中,所述三极管Q2为NPN型三极管。
在其中一个实施例中,所述电阻R3为限流电阻。
在其中一个实施例中,所述电阻R5、电阻R6均为取样电阻。
在其中一个实施例中,所述MOS管Q1为P沟道MOS管。
当耳机放入充电盒充电时,升压5V电压通过电阻R1给MOS管Q1栅极提供偏置电压,使MOS管Q1漏极与源极导通,给PIN+输出耳机端提供5V电源充电;当耳机接近充满电时,输出电流减小,通过电阻R5、电阻R6取样,MCU芯片U1第六引脚通过AD检测,读取一个充满电信号,MCU芯片U1的第四、第五引脚同时输出高或低脉冲,当MCU芯片U1第四、第五脚同时输高电平时,通过偏置电阻R2、电阻R7同时给三极管Q2与MOS管Q3提供偏置电压,使三极管Q2与MOS管Q3导通,因三极管Q2导通,MOS管Q1栅极电压被拉低,所以MOS管Q1处于截止状态,MOS管Q1停止输出,同时三极管Q2也导通,使输出PIN端电位瞬时拉低为0V;当MCU芯片U1第四、第五引脚同时输出低电平时,三极管Q2与MOS管Q3基极和栅极没有提供偏置电压,三极管Q2与MOS管Q3同时截止不导通,MOS管Q1栅极偏置电压恢复高电平,MOS管Q1恢复导通,输出端又恢复高电平,从而输出PIN端电压低高突变,形成一串码,当PIN+端传送这串协议码到蓝牙耳机5V充电接口,由蓝牙主控芯片读取,再通过蓝牙主控芯片IO口输出一个高电平信号送到锂保IC检测脚,让锂保芯片进入低功耗船运省电模式,耳机端接收到这串码就进入船运低功耗省电模式。
这样,TWS充电盒协议发码电路,当MCU芯片U1第四、第五脚同时输高电平时,通过电阻R2、电阻R7同时给三极管Q2与MOS管Q3提供偏置电压,使三极管Q2与MOS管Q3导通,因三极管Q2导通,MOS管Q1栅极电压被拉低,所以MOS管Q1处于截止状态,MOS管Q1停止输出,同时三极管Q2也导通使输出PIN端电位瞬时拉低为0V;当MCU芯片U1第四、第五脚同时输出低电平时,三极管Q2与MOS管Q3基极和栅极没有提供偏置电压,三极管Q2与MOS管Q3同时截止不导通,MOS管Q1栅极偏置电压恢复高电平,MOS管Q1恢复导通,输出端又恢复高电平,从而输出PIN端电压低高突变,形成一串码,当耳机端接收到这串码就进入船运低功耗省电模式,在耳机充满电后就会进行船运低功耗省电模式,避免了耳机的电能消耗。
进一步地,所述发码电路还包括电阻R4和电容C1,所述电阻R4的一端与VBAT连接,另一端分别与电容C1的一端和MCU芯片U1的第一引脚连接。
这样,VBAT通过限流电阻R4与滤波电容C1给MCU芯片U1提供稳定电源,使MCU芯片能保持正常稳定的工作状态。
进一步地,所述二极管D1为静电二极管。
这样,由于静电二极管,在电路受到雷击浪涌与ESD静电放电或者其他瞬态电压时,可对电路进行一个防护效果,让电子产品电路免受瞬态雷击浪涌与ESD静电的损害。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (8)
1. 一种TWS充电盒协议发码电路,其特征在于:包括MCU芯片U1,MOS管Q1、MOS管Q3、三极管Q2、二极管D1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R5、电阻R6、电阻R7,MOS管Q1的漏极与5V充电输出端连接,源极接到充电盒的PIN+端,栅极与三极管Q2的集电极连接,电阻R1分别与MOS管 Q1栅极和漏极连接,三极管Q2的发射极与地极连接,基极通过电阻R2连接到MCU芯片U1的第四引脚上,MOS管Q3的漏极通过电阻R3接到PIN+端,源极与地极连接,栅极通过电阻R7接到MCU芯片U1的第五引脚,二极管D1的两端分别接到PIN+端与地极,所述电阻R5的一端与MCU芯片U1的第六引脚连接,另一端分别与电阻R6的一端和PIN-端连接。
2.根据权利要求1所述的一种TWS充电盒协议发码电路,其特征在于:所述发码电路还包括电阻R4和电容C1,所述电阻R4的一端与VBAT连接,另一端分别与电容C1的一端和MCU芯片U1的第一引脚连接。
3.根据权利要求1所述的一种TWS充电盒协议发码电路,其特征在于:所述二极管D1为静电二极管。
4.根据权利要求1所述的一种TWS充电盒协议发码电路,其特征在于:所述电阻R2为偏置电阻。
5.根据权利要求1所述的一种TWS充电盒协议发码电路,其特征在于:所述三极管Q2为NPN型三极管。
6.根据权利要求1所述的一种TWS充电盒协议发码电路,其特征在于:所述电阻R3为限流电阻。
7.根据权利要求1所述的一种TWS充电盒协议发码电路,其特征在于:所述电阻R5、电阻R6均为取样电阻。
8.根据权利要求1所述的一种TWS充电盒协议发码电路,其特征在于:所述MOS管Q1为P沟道MOS管。
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