CN220250640U - 高纯硅冶炼设备 - Google Patents

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CN220250640U CN202321863988.5U CN202321863988U CN220250640U CN 220250640 U CN220250640 U CN 220250640U CN 202321863988 U CN202321863988 U CN 202321863988U CN 220250640 U CN220250640 U CN 220250640U
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万东升
李峰光
董明立
石昱权
石长忠
田大同
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Abstract

本实用新型公开了高纯硅冶炼设备,其包括:底座,所述底座的顶部固定连接有隔热绝缘层,所述隔热绝缘层的顶部固定连接有炉壳,所述炉壳的内部设置有感应线圈,所述炉壳的顶部的设置有固定板,所述固定板的内壁上固定连接有石墨坩埚,所述固定板的底部固定连接有保温层,并且保温层位于炉壳的外侧,所述固定板的底部固定连接有外壳。通过设置固定板、保温层、真空层、外壳、固定座、弧形提手、加厚层、炉嘴和出液槽,便于在加热冶炼后要将高温的坩埚从炉中取出时,快速便捷,同时在取出后保温层可以起到保温作用,这时工作人员不会因为热辐射而烫伤,同时便于将坩埚内的熔融硅倒出时,不会存在飞溅的隐患。

Description

高纯硅冶炼设备
技术领域
本实用新型涉及中频炉技术领域,特别涉及高纯硅冶炼设备。
背景技术
高纯硅是一种非常重要的材料,它被广泛应用于半导体,太阳能电池,光纤通信等领域,高纯硅的生产工艺流程非常复杂,需要经过多个步骤才能得到高纯度的硅,其中一步骤是将原料和还原剂混合后,放入中频炉中进行还原反应,得到高纯度的硅晶粒;
中频炉即是用来加热熔化原料的装置,现有的中频炉在实际使用中都是将坩埚放进中频炉内部,在加热冶炼后要将高温的坩埚从炉中取出时,工作人员要将钳子伸进炉体中夹取出来,这时工作人员容易因为热辐射而烫伤,同时在取出坩埚倒出熔融硅时,存在飞溅的隐患。
实用新型内容
本实用新型,提供高纯硅冶炼设备,便于在加热冶炼后要将高温的坩埚从炉中取出时,快速便捷,同时在取出后保温层可以起到保温作用,这时工作人员不会因为热辐射而烫伤,同时便于将坩埚内的熔融硅倒出时,不会存在飞溅的隐患。
为实现上述目的,提供高纯硅冶炼设备,包括:底座,所述底座的顶部固定连接有隔热绝缘层,所述隔热绝缘层的顶部固定连接有炉壳,所述炉壳的内部设置有感应线圈,所述炉壳的顶部的设置有固定板,所述固定板的内壁上固定连接有石墨坩埚,所述固定板的底部固定连接有保温层,并且保温层位于炉壳的外侧,所述固定板的底部固定连接有外壳,并且外壳位于保温层的外侧,所述保温层和外壳的中间设置有真空层;
所述石墨坩埚的顶部固定连接有加厚层,并且加厚层位于固定板的上方,所述加厚层的圆周面上固定连接有炉嘴,所述炉嘴的顶部设置有出液槽,所述加厚层的顶部设置有密封盖,所述密封盖的顶部固定连接有把手,所述外壳的圆周面上固定连接有扶手,所述固定板的顶部固定连接有固定座,所述固定座的数量设置有两个,并且固定座位于加厚层的前后侧,所述固定座的内侧壁上转动连接有弧形提手。
根据所述的高纯硅冶炼设备,所述隔热绝缘层为云母片层。
根据所述的高纯硅冶炼设备,所述保温层的材料为石棉。
根据所述的高纯硅冶炼设备,所述出液槽与加厚层的内部相通。
根据所述的高纯硅冶炼设备,所述炉壳的内径大于石墨坩埚的外径,所述保温层的内径大于炉壳的外径。
根据所述的高纯硅冶炼设备,所述石墨坩埚与加厚层的内腔相贯通。
根据所述的高纯硅冶炼设备,所述感应线圈与外接电源电性连接。
本实用新型的有益效果:
1、与现有技术相比,本实用新型,通过设置固定板、保温层、真空层、外壳、固定座和弧形提手,便于在加热冶炼后要将高温的坩埚从炉中取出时,快速便捷,同时在取出后保温层可以起到保温作用,这时工作人员不会因为热辐射而烫伤;
2、与现有技术相比,本实用新型,通过设置加厚层、炉嘴和出液槽,便于将坩埚内的熔融硅倒出时,不会存在飞溅的隐患。
本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本实用新型的实践了解到。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步地说明;
图1为本实用新型高纯硅冶炼设备的整体结构示意图;
图2为本实用新型高纯硅冶炼设备的侧视图;
图3为本实用新型高纯硅冶炼设备的剖视图;
图4为本实用新型高纯硅冶炼设备的俯视图。
图例说明:
1、底座;2、隔热绝缘层;3、炉壳;4、感应线圈;5、固定板;6、石墨坩埚;7、保温层;8、真空层;9、外壳;10、加厚层;11、炉嘴;12、出液槽;13、密封盖;14、把手;15、扶手;16、固定座;17、弧形提手。
具体实施方式
本部分将详细描述本实用新型的具体实施例,本实用新型之较佳实施例在附图中示出,附图的作用在于用图形补充说明书文字部分的描述,使人能够直观地、形象地理解本实用新型的每个技术特征和整体技术方案,但其不能理解为对本实用新型保护范围的限制。
参照图1-4所示,本实用新型实施例高纯硅冶炼设备,其包括:底座1,底座1的顶部固定连接有隔热绝缘层2,隔热绝缘层2为云母片层,这样隔热绝缘层2可以将加热时是温度与底座1进行隔绝,起到保护作用,隔热绝缘层2的顶部固定连接有炉壳3,炉壳3的内部设置有感应线圈4,感应线圈4与外接电源电性连接,感应线圈4在电流的效果下发作磁场,此磁场使炉内的金属发作涡流而发热,炉壳3的顶部的设置有固定板5,固定板5的内壁上固定连接有石墨坩埚6,通过感应线圈4通电而产生的强磁场,对石墨坩埚6进行加热,石墨坩埚6内部的物料,利用石墨坩埚6产生的热量进行熔化冶炼,固定板5的底部固定连接有保温层7,并且保温层7位于炉壳3的外侧,保温层7的材料为石棉,所以将石墨坩埚6整体取出时,可以对石墨坩埚6起到保温作用,同时隔绝高温的石墨坩埚6在移动时对工作人员起到保护作用,不会发生烫伤,固定板5的底部固定连接有外壳9,并且外壳9位于保温层7的外侧,保温层7和外壳9的中间设置有真空层8,在对高纯硅冶炼后不用在炉中取出石墨坩埚6,而是通过固定板5将石墨坩埚6的整体取出;
石墨坩埚6的顶部固定连接有加厚层10,并且加厚层10位于固定板5的上方,石墨坩埚6与加厚层10的内腔相贯通,加厚层10的圆周面上固定连接有炉嘴11,炉嘴11的顶部设置有出液槽12,出液槽12与加厚层10的内部相通,在将石墨坩埚6内的熔融硅倾倒时可以沿着炉嘴11上设置的出液槽12流出,使液体流出均匀,不会发生飞溅的隐患,加厚层10的顶部设置有密封盖13,密封盖13的顶部固定连接有把手14,外壳9的圆周面上固定连接有扶手15,固定板5的顶部固定连接有固定座16,固定座16的数量设置有两个,并且固定座16位于加厚层10的前后侧,固定座16的内侧壁上转动连接有弧形提手17,弧形提手17不会与把手14发生碰撞,弧形提手17可以转动,这样可以快速便捷的将石墨坩埚6整体的拿出来,通过扶手15可以从一边将整体抬起,方便高纯硅溶液从出液槽12流出;
炉壳3的内径大于石墨坩埚6的外径,保温层7的内径大于炉壳3的外径。
工作原理:打开密封盖13,将材料放进石墨坩埚6的内部,盖上密封盖13,为感应线圈4通上电源,这时感应线圈4通电而产生的强磁场,对石墨坩埚6进行加热,石墨坩埚6内部的材料,利用石墨坩埚6产生的热量进行熔化冶炼,当石墨坩埚6内冶炼后得到融熔状态下的高纯硅,通过弧形提手17将固定在固定板5上的部件整体从炉中取出,保温层7的材料为石棉,所以将石墨坩埚6整体取出时,可以对石墨坩埚6起到保温作用,同时隔绝高温的石墨坩埚6在移动时对工作人员起到保护作用,不会发生烫伤,在对融熔状态下的高纯硅倾倒时弧形提手17可以转动,扶手15可以从一边将整体抬起,方便高纯硅溶液从出液槽12流出,使液体流出均匀,不会发生飞溅的隐患。
上面结合附图对本实用新型实施例作了详细说明,但是本实用新型不限于上述实施例,在所述技术领域普通技术人员所具备的知识范围内,还可以在不脱离本实用新型宗旨的前提下作出各种变化。

Claims (7)

1.高纯硅冶炼设备,其特征在于,包括:底座(1),所述底座(1)的顶部固定连接有隔热绝缘层(2),所述隔热绝缘层(2)的顶部固定连接有炉壳(3),所述炉壳(3)的内部设置有感应线圈(4),所述炉壳(3)的顶部的设置有固定板(5),所述固定板(5)的内壁上固定连接有石墨坩埚(6),所述固定板(5)的底部固定连接有保温层(7),并且保温层(7)位于炉壳(3)的外侧,所述固定板(5)的底部固定连接有外壳(9),并且外壳(9)位于保温层(7)的外侧,所述保温层(7)和外壳(9)的中间设置有真空层(8);所述石墨坩埚(6)的顶部固定连接有加厚层(10),并且加厚层(10)位于固定板(5)的上方,所述加厚层(10)的圆周面上固定连接有炉嘴(11),所述炉嘴(11)的顶部设置有出液槽(12),所述加厚层(10)的顶部设置有密封盖(13),所述密封盖(13)的顶部固定连接有把手(14),所述外壳(9)的圆周面上固定连接有扶手(15),所述固定板(5)的顶部固定连接有固定座(16),所述固定座(16)的数量设置有两个,并且固定座(16)位于加厚层(10)的前后侧,所述固定座(16)的内侧壁上转动连接有弧形提手(17)。
2.根据权利要求1所述的高纯硅冶炼设备,其特征在于,所述隔热绝缘层(2)为云母片层。
3.根据权利要求1所述的高纯硅冶炼设备,其特征在于,所述保温层(7)的材料为石棉。
4.根据权利要求1所述的高纯硅冶炼设备,其特征在于,所述出液槽(12)与加厚层(10)的内部相通。
5.根据权利要求1所述的高纯硅冶炼设备,其特征在于,所述炉壳(3)的内径大于石墨坩埚(6)的外径,所述保温层(7)的内径大于炉壳(3)的外径。
6.根据权利要求1所述的高纯硅冶炼设备,其特征在于,所述石墨坩埚(6)与加厚层(10)的内腔相贯通。
7.根据权利要求1所述的高纯硅冶炼设备,其特征在于,所述感应线圈(4)与外接电源电性连接。
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