CN220067260U - 一种两级式电机低压自建压直流励磁电源电路 - Google Patents

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Abstract

本实用新型提供了一种两级式电机低压自建压直流励磁电源电路,包括自然整流电路、MOS管下拉电路、半桥电路和倍压电路;采用三相电压为倍压电路与半桥电路提供工作电源,采用倍压电路为MOS管提供驱动电源,采用半桥电路产生直流励磁电源,电机三相输出高压时采用光耦隔离电路和三极管对功率管驱动信号进行下拉;倍压电路三相电压的其中两相电压输入,将线电压输入的电压倍压至MOS管额定驱动电压,并将该电压连接至半桥电路;半桥电路通过将三相电压自然整流经过桥臂直通的方式产生直流励磁电源,并将直流励磁电源连接至励磁绕组。

Description

一种两级式电机低压自建压直流励磁电源电路
技术领域
本实用新型涉及电机励磁领域,尤其是一种两级式电机低压自建压直流励磁电源电路。
背景技术
两级式电机工作在低速范围内时,在无励磁条件下,相电压输出极低,不足以为调压器提供工作电源,由于调压器具备为调压、提供控制指令等功能,调压功能主要是通过调节励磁电流以使电机输出额定电压,当无工作电源时,调压器也将无法输出,则电机无法输出额定电压,无法进入发电状态。
对于电机无法自建压的问题,目前常用的方式通过将相电压进行自然整流后得到直流电压,再通过继电器直接接入到两级式电机的励磁绕组,当继电器吸合时输出直流励磁电源,电机输出电压升高,实现自建压功能,当电压足以为调压器提供工作电源时,继电器断开,由调压器输出直流励磁电源。此方法主要缺点在于,继电器开关速度慢,导致无法及时断开直流励磁电源,电机输出电压极易过冲,对调压器造成损坏。
若采用MOS管半桥输出励磁电源,虽然解决了继电器开关速度慢的问题,但是在无励磁条件下,相电压输出极低,不足以驱动MOS管进行开通。
实用新型内容
为解决上述技术问题,本实用新型提供了一种两级式电机低压自建压直流励磁电源电路。
本实用新型通过以下技术方案得以实现:
一种两级式电机低压自建压直流励磁电源电路,其特征在于,包括自然整流电路、MOS管下拉电路、半桥电路和倍压电路;自然整流电路的输出端与半桥电路和MOS管下拉电路输入端相连,倍压电路与MOS管下拉电路相连,半桥电路的输出端作为两级式电机的输入端;
倍压电路包括三相电压Ua、三相电压Ub、三相电压Uc中任意两相组成的线电压,电阻R1,稳压二极管D4、稳压二极管D5、稳压二极管D11、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6,二极管D6、二极管D7、二极管D8、二极管D9、二极管D10、二极管D12
其中电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5的第一端分别与线电压相连,电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5的第二端分别与二极管D6、二极管D7、二极管D8、二极管D9、二极管D10的负极相连,电容C6一端与二极管D12的负极相连,另一端接地;电阻R1第一端与线电压相连,第二端与稳压二极管D4的负极相连,稳压二极管D4的正极与稳压二极管D5的正极相连,稳压二极管D5的负极与线电压相连,稳压二极管D11的正极与线电压相连,稳压二极管D11的负极与二极管D10的负极相连;
且二极管D6、二极管D7、二极管D8、二极管D9、二极管D10沿电流传输方向依次串联在电路中,二极管D6的正极与线电压连接。
所述自然整流电路包括三相电压Ua、三相电压Ub、三相电压Uc以及二极管D1、二极管D2、二极管D3,三相电压Ua与二极管D1的正极连接,三相电压Ub与二极管D2的正极连接,三相电压Uc与二极管D3的正极连接;二极管D1、二极管D2、二极管D3的负极与半桥电路输入端连接。
所述半桥电路包括MOS管Q1以及MOS管Q2,MOS管Q1的D极与三相电压Ua、三相电压Ub、三相电压Uc相连。
所述MOS管下拉电路包括电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5,稳压二极管D13、稳压二极管D14、稳压二极管D15、稳压二极管D16,光耦隔离电路U1,三极管Q3,其中电阻R2、电阻R3第一端与自然整流电路输出端相连,第二端分别与稳压二极管D13、稳压二极管D14的负极相连,稳压二极管D13的正极连接光耦隔离电路U1输入端,稳压二极管D14的正极与三极管Q3的B极相连,光耦隔离电路U1输出端的C极和E极分别与MOS管Q1的G极与S极相连,稳压二极管D15负极与正极分别连接MOS管Q1的G极与S极,稳压二极管D16的负极与正极分别连接MOS管Q2的G极与S极。
所述三相电压Ua、Ub、Uc为半桥电路与倍压电路提供工作电压。
所述倍压电路为MOS管Q1以及MOS管Q2提供驱动电压。
所述倍压电路将线电压倍压至2V以上。
所述MOS管Q1以及MOS管Q2均为NMOS管。
本实用新型的有益效果在于:
1.采用倍压电路解决了三相电压输出低无法驱动MOS管的不足,使半桥电路在电机无励磁输出低压的工作状态下也能够正常工作;
2.采用半桥电路与MOS管下拉电路解决了三相电压自然整流直接提供励磁电源导致电机输出过压并难以关断的问题,保障电机及调压器工作更加安全。
附图说明
图1是本实用新型的电路原理图;
图2是本实用新型的倍压电路工作原理图。
具体实施方式
下面进一步描述本实用新型的技术方案,但要求保护的范围并不局限于所述。
一种两级式电机低压自建压直流励磁电源电路,包括自然整流电路、MOS管下拉电路、半桥电路和倍压电路;采用三相电压为倍压电路与半桥电路提供工作电源,采用倍压电路为MOS管提供驱动电源,采用半桥电路产生直流励磁电源,三相电压输出高压时采用光耦隔离电路和三极管Q3对功率管驱动信号进行下拉;倍压电路由三相电压的其中两相电压组成线电压提供输入,将线电压输入的电压倍压至MOS管额定驱动电压,并将该电压连接至半桥电路;半桥电路通过将三相电压自然整流经过桥臂直通的方式产生直流励磁电源,并将直流励磁电源连接至励磁绕组,具体过程如下:
a)三相电压经整流后对MOS管Q1和MOS管Q2构成的半桥电路提供直流电压;
b)由三相电压任意两相组成的线电压经电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6,二极管D6、二极管D7、二极管D8、二极管D9、二极管D10、二极管D12将线电压倍压至2V以上,稳压二极管D4、稳压二极管D5、稳压二极管D11将电压钳位在12V,防止电压过高将MOS管击穿,电阻R1用于限流;
c)倍压电路输出的线电压经电阻R4、电阻R5接入半桥电路,使得MOS管Q1和MOS管Q2常开,输出励磁电流,三相电压输出提升;
d)当线电压输出峰值大于12V时,稳压二极管D13、稳压二极管D14导通,直流电压经电阻R2、稳压二极管D13和电阻R3、稳压二极管D14,分别与光耦隔离电路U1和三极管Q3连接,光耦隔离电路U1和三极管Q3导通,使MOS管Q1和三极管Q3门关断,励磁电流输出为0,三相电压下降。
其中自然整流电路包括三相电压Ua、三相电压Ub、三相电压Uc以及二极管D1、二极管D2、二极管D3,三相电压Ua与二极管D1的正极连接,三相电压Ub与二极管D2的正极连接,三相电压Uc与二极管D3的正极连接;二极管D1、二极管D2、二极管D3的负极与半桥电路输入端连接;半桥电路包括MOS管Q1以及MOS管Q2,MOS管Q1的D极与三相电压Ua、三相电压Ub、三相电压Uc相连;
半桥电路通过将三相电压自然整流后通过桥臂直通的方式产生直流励磁电源,并将直流励磁电源连接至电机励磁绕组;
倍压电路包括三相电压Ua、三相电压Ub、三相电压Uc中任意两相组成的线电压,电阻R1,稳压二极管D4、稳压二极管D5、稳压二极管D11,电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6,二极管D6、二极管D7、二极管D8、二极管D9、二极管D10、二极管D12
电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5的第一端分别与线电压相连,电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5的第二端分别与二极管D6、二极管D7、二极管D8、二极管D9、二极管D10的负极相连,电容C6一端与二极管D12的负极相连,另一端接地;电阻R1第一端与线电压相连,第二端与稳压二极管D4的负极相连,稳压二极管D4的正极与稳压二极管D5的正极相连,稳压二极管D5的负极与线电压相连,稳压二极管D11的正极与线电压相连,稳压二极管D11的负极与二极管D10的负极相连;
且二极管D6、二极管D7、二极管D8、二极管D9、二极管D10沿电流传输方向依次串联在电路中,二极管D6的正极与线电压连接;
倍压电路将线电压倍压至2V以上,结合图2倍压工作原理图,倍压电路原理如下:
a)线电压由三相电压中的Ua、Ub两相构成,Uab为周期信号,信号开始的第一个周期为正半波时,Vc1=Vab-VD6,Vc1为电容C1的电压值,VD6为二极管D6导通压降;第一个周期为负半波时,Vc2=Vab+Vc1-VD7,Vc2为电容C2的电压值,VD7为二极管D7导通压降;
b)信号开始的第二个周期为正半波时,Vc3=Vab+Vc2-VD8,Vc5为电容C5的电压值,Vc3为电容C3的电压值,VD9为二极管D9导通压降;第二个周期为负半波时,Vc4=Vab+Vc3-VD9,Vc4为电容C4的电压值,VD9为二极管D9导通压降;
c)信号开始的第三个周期为正半波时,Vc5=Vab+Vc4-VD10,Vc6=Vab+Vc4-VD10-VD12,Vc5为电容C5的电压值,Vc6为电容C6的电压值,VD10为二极管D10导通压降;第三个周期为负半波时,Vc6=Vc5-VD12,VD12为二极管D12导通压降;
d)在信号开始的第三个周期后,倍压电路的输出为Vc6=Vc5-VD12
基于倍压电路工作原理,可克服发电机低转速输出电压不足的缺点,使发电机处于低转速使也能正常驱动MOS管,使得半桥电路在电机无励磁输出低压的工作状态下也能够正常工作。
MOS管下拉电路包括电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5,稳压二极管D13、稳压二极管D14、稳压二极管D15、稳压二极管D16,光耦隔离电路U1,三极管Q3,其中电阻R2、电阻R3第一端与自然整流电路输出端相连,第二端分别与稳压二极管D13、稳压二极管D14的负极相连,稳压二极管D13的正极连接光耦隔离电路U1输入端,稳压二极管D14的正极与三极管Q3的B极相连,光耦隔离电路U1输出端的C极和E极分别与MOS管Q1的G极与S极相连,稳压二极管D15负极与正极分别连接MOS管Q1的G极与S极,稳压二极管D16的负极与正极分别连接MOS管Q2的G极与S极。
当线电压输出峰值大于12V时,励磁输出为0,过程如下:
a)线电压峰值大于12V后,稳压二极管D13导通,光耦隔离电路U1初级产生电流,使得次级导通,导致MOS管Q1的G极与S极短接,由电阻R4输出的MOS管Q1的驱动电压Vgs1下拉至0,MOS管Q1关断;
b)同时,稳压二极管D14导通,三极管Q3基极产生电流,三极管Q3导通,使得致MOS管Q2的G极与S极短接,由电阻R5输出的MOS管Q2的驱动电压Vgs2下拉至0,MOS管Q2关断。
基于光耦隔离电路U1和三极管Q3过压下拉的方法,克服了继电器开关速度慢的不足,保障了电机及调压器的工作安全。

Claims (8)

1.一种两级式电机低压自建压直流励磁电源电路,其特征在于,包括自然整流电路、MOS管下拉电路、半桥电路和倍压电路;自然整流电路的输出端与半桥电路和MOS管下拉电路输入端相连,倍压电路与MOS管下拉电路相连,半桥电路的输出端作为两级式电机的输入端;
倍压电路包括三相电压Ua、三相电压Ub、三相电压Uc中任意两相组成的线电压,电阻R1,稳压二极管D4、稳压二极管D5、稳压二极管D11,电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、二极管D6、二极管D7、二极管D8、二极管D9、二极管D10、二极管D12
其中电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5的第一端分别与线电压相连,电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5的第二端分别与二极管D6、二极管D7、二极管D8、二极管D9、二极管D10的负极相连,电容C6一端与二极管D12的负极相连,另一端接地;电阻R1第一端与线电压相连,第二端与稳压二极管D4的负极相连,稳压二极管D4的正极与稳压二极管D5的正极相连,稳压二极管D5的负极与线电压相连,稳压二极管D11的正极与线电压相连,稳压二极管D11的负极与二极管D10的负极相连;
且二极管D6、二极管D7、二极管D8、二极管D9、二极管D10沿电流传输方向依次串联在电路中,二极管D6的正极与线电压连接,二极管D10的负极与二极管D12的正极相连。
2.根据权利要求1所述的一种两级式电机低压自建压直流励磁电源电路,其特征在于,所述自然整流电路包括三相电压Ua、三相电压Ub、三相电压Uc以及二极管D1、二极管D2、二极管D3,三相电压Ua与二极管D1的正极连接,三相电压Ub与二极管D2的正极连接,三相电压Uc与二极管D3的正极连接;二极管D1、二极管D2、二极管D3的负极与半桥电路输入端连接。
3.根据权利要求1所述的一种两级式电机低压自建压直流励磁电源电路,其特征在于,所述半桥电路包括MOS管Q1以及MOS管Q2,MOS管Q1的D极与三相电压Ua、三相电压Ub、三相电压Uc相连。
4.根据权利要求1所述的一种两级式电机低压自建压直流励磁电源电路,其特征在于,所述MOS管下拉电路包括电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5,稳压二极管D13、稳压二极管D14、稳压二极管D15、稳压二极管D16,光耦隔离电路U1,三极管Q3,其中电阻R2、电阻R3第一端与自然整流电路输出端相连,第二端分别与稳压二极管D13、稳压二极管D14的负极相连,稳压二极管D13的正极连接光耦隔离电路U1输入端,稳压二极管D14的正极与三极管Q3的B极相连,光耦隔离电路U1输出端的C极和E极分别与MOS管Q1的G极与S极相连,稳压二极管D15负极与正极分别连接MOS管Q1的G极与S极,稳压二极管D16的负极与正极分别连接MOS管Q2的G极与S极。
5.根据权利要求1所述的一种两级式电机低压自建压直流励磁电源电路,其特征在于,所述三相电压Ua、三相电压Ub、三相电压Uc为半桥电路与倍压电路提供工作电压。
6.根据权利要求1所述的一种两级式电机低压自建压直流励磁电源电路,其特征在于,所述倍压电路为MOS管Q1以及MOS管Q2提供驱动电压。
7.根据权利要求1所述的一种两级式电机低压自建压直流励磁电源电路,其特征在于所述倍压电路将线电压倍压至2V以上。
8.根据权利要求1所述的一种两级式电机低压自建压直流励磁电源电路,其特征在于,所述MOS管Q1以及MOS管Q2均为NMOS管。
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