CN220065693U - 一种mos静电保护器件 - Google Patents
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- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000011257 shell material Substances 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 6
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 claims description 6
- 235000014653 Carica parviflora Nutrition 0.000 claims description 3
- 241000243321 Cnidaria Species 0.000 claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 3
- 239000004575 stone Substances 0.000 claims description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 21
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 18
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 4
- YDMVPJZBYSWOOP-UHFFFAOYSA-N 1h-pyrazole-3,5-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C=1C=C(C(O)=O)NN=1 YDMVPJZBYSWOOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003203 everyday effect Effects 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
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Abstract
本实用新型公开了一种MOS静电保护器件，包括：管体以及设置在管体外部的壳体，管体的顶部和底部分别安装有安装板和若干引脚，安装板的正面开设有通孔，且若干引脚与管体连接处设置有保护套；壳体包括底板和盖板，盖板上安装有一不锈钢柱，且不锈钢柱末端设有一导线，导线末端还设有粘连胶，底板和盖板周向分别设有若干卡合槽和卡合板，壳体外表面和内表面分别设有若干微孔结构和缓冲条；本实用新型通过设置微孔结构和缓冲条，保持MOS管周围环境的湿润性以减少静电现象的产生，同时进一步通过不锈钢柱和导线确保静电的导出，保护MOS管不会被静电击穿。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体材料的技术领域，尤其涉及一种MOS静电保护器件。
背景技术
MOS管指金属-氧化物半导体场效应晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，MOS管属于对静电ESD比较敏感的器件，在应用线路中易受到静电的威胁而损坏，为了防止ESD对器件的损坏，通常在MOS管上设置了防ESD的器件。
现有技术CN212115755U中，通过在管帽表面设置防静电膜以达到有效防静电的效果，但现有技术存在以下问题：1、静电防护范围仅管帽部分，引脚及安装板处存在静电时同样会存在ESD现象；2、防静电膜过薄同样会产生ESD现象，过厚则会影响MOS管散热，影响其使用功能。
因此，有必要对现有技术中的MOS场效应管静电保护器件进行改进，以解决上述问题。
发明内容
本实用新型克服了现有技术的不足，提供一种MOS静电保护器件，旨在解决现有技术中如何防止ESD现象对MOS管的影响，同时保证MOS管的使用功能。
为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案为：一种MOS静电保护器件，包括：管体以及设置在所述管体外部的壳体，其特征在于：
所述管体的顶部和底部分别安装有安装板和若干引脚，所述安装板的正面开设有通孔，且若干所述引脚与所述管体连接处设置有保护套；
所述壳体包括底板和盖板，所述盖板上安装有一不锈钢柱，且所述不锈钢柱末端设有一导线，所述导线末端还设有粘连胶，所述底板和盖板周向分别设有若干卡合槽和卡合板，所述壳体外表面和内表面分别设有若干微孔结构和缓冲条。
本实用新型一个较佳实施例中，所述引脚包括G端引脚、D端引脚和S端引脚，且所述保护套和所述引脚的数量相同，G端引脚、D端引脚和S端引脚分别与栅极、漏极和源极连接。
本实用新型一个较佳实施例中，若干所述引脚和若干所述保护套为卡接，且相邻所述保护套间通过若干连接件连接，保护套和连接件可以防止引脚的断裂，提高其稳定性能。
本实用新型一个较佳实施例中，所述壳体材料为聚氯乙烯或环氧树脂中的一种，所述微孔结构材料为珊瑚石颗粒，且所述微孔结构贯穿所述壳体，聚氯乙烯和环氧树脂可以防止静电的产生，而贯穿性的微孔结构可以吸湿，保持壳体一定的湿度，进一步减少静电产生的概率。
本实用新型一个较佳实施例中，所述缓冲条为内部分散设置有MOF-303材料的橡胶条，橡胶条可以防止静电产生，MOF-303材料具有吸水性，同时在稍微加热后又可将水分释放出来。
本实用新型一个较佳实施例中，所述管体底部设有若干弹簧，且若干所述弹簧末端设有夹板，所述夹板用于卡接若干所述引脚。
本实用新型一个较佳实施例中，若干所述引脚上均设有一防护芯片，防护芯片用于保护引脚，防止引脚上产生静电。
本实用新型一个较佳实施例中，所述G端引脚、所述D端引脚和所述S端引脚并列设置，且形状相同。
本实用新型一个较佳实施例中，所述盖板内壁的形状与所述管体外壁的形状相同，便于盖板和管体贴合。
一种MOF-303的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
(1)将质量浓度为0.2-0.3g/ml的3,5-吡唑二甲酸与NaOH水溶液混合、加热得混合溶液a；加热的温度为60-80℃；
(2)将Al源与混合溶液a混合、溶解沉淀得混合溶液b，其中3,5-吡唑二甲酸与Al源的摩尔比比例为1：0.5-1.5；
(3)混合溶液b在一定温度下进行生长；步骤(3)中，生长时间为：第一阶段8-10h，第二阶段、第三阶段和第四阶段25-35min；生长温度为：第一阶段为95-105℃，第二阶段为85-95℃，第三阶段为75-85℃，第四阶段为65-75℃；
(4)停止生长后冷却至室温得沉淀物，将沉淀物分离，然后真空干燥。
本实用新型解决了背景技术中存在的缺陷，本实用新型具备以下有益效果：
(1)本实用新型中对MOS管表面增设了一层绝缘壳体，其材料为聚氯乙烯或环氧树脂，可以有效隔绝MOS管和外界，防止外界静电的感应使得MOS管产生ESD；同时在盖板上设置具有吸水性的贯穿式微孔结构，通过吸收空气中的水分子保持壳体拥有一定的湿润性，可以减小静电的产生，又利用MOF-303材料具有吸水性并与微孔结构连接，进一步的保证了管体周围具有一定的湿润性，从而确保管体周围不会存在静电现象，同时MOF-303材料在受热后会将水分释放，在一定程度上减小了管体周围的温度，解决了现有技术中防静电膜过薄会产生ESD现象，过厚则会影响MOS管散热，影响其使用功能的问题。
(2)本实用新型中在盖板与管体接触位置设置有缓冲条，利用橡胶的绝缘性防止静电产生，又在盖板上设置有不锈钢柱和导线，并将导线的另一端通过粘连胶与接地端或其他器件接触，即使盖板表面存在静电也可以通过不锈钢柱和导线进行传导。
(3)本实用新型中设置有橡胶材质的缓冲条，可以减小盖板与管体之间的磨损；又设置又插接式引脚，能够实现MOS管上的引脚的便捷式更换，在出现引脚断裂的情况时，只需更换断裂的引脚即可，而不需要丢弃整个MOS管，避免造成资源的浪费；同时设置盖板与底板为卡接，当零部件产生损坏需要更换时，便于安装和拆卸。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明；
图1是本实用新型的优选实施例的立体结构图；
图中：1、安装板；2、通孔；3、盖板；4、卡合板；5、卡合槽；6、底板；7、管体；8、保护套；9、引脚；10、连接件；11、壳体；12、不锈钢柱子；13、导线。
具体实施方式
现在结合附图和实施例对本实用新型作进一步详细的说明，这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
如图1所示，一种MOS静电保护器件的立体结构图，包括管体7以及设置在管体7外部的壳体1，其特征在于：
管体7的顶部和底部分别安装有安装板1和若干引脚9，安装板1的正面开设有通孔2，且若干引脚9与管体7连接处设置有保护套8，且相邻保护套8间通过若干连接件10连接；
若干引脚9上均设有一防护芯片，引脚9包括并列设置且形状相同的G端引脚、D端引脚和S端引脚，且保护套8和引脚9的数量相同，若干引脚9和若干保护套8为卡接。
壳体11包括底板6和盖板3，盖板3上安装有一不锈钢柱12，且不锈钢柱12末端设有一导线13，导线13末端还设有粘连胶，底板6和盖板3周向分别设有若干卡合槽5和卡合板4，壳体11外表面和内表面分别设有若干微孔结构和缓冲条；盖板3内壁的形状与管体7外壁的形状相同。
壳体11材料为聚氯乙烯或环氧树脂中的一种，微孔结构材料为珊瑚石颗粒，且微孔结构贯穿壳体11，缓冲条为内部分散设置有MOF-303材料的橡胶条，管体7底部设有若干弹簧，且若干弹簧末端设有夹板，夹板用于卡接若干引脚9。
本实用新型中提供了一种MOF-303材料的制备方法，具体包括以下步骤：
S1、称取2g的3,5-吡唑二甲酸溶于NaOH溶液(2gNaOH，10mlH2O)，用磁力搅拌器在400r/min，70℃的条件下加热并搅拌10min；
S2、将2.5g氯化铝前驱体添加到上述溶液中，用磁力搅拌器以400r/min的速度搅拌10min，将沉淀溶解；
S3、将上述形成的均一溶液放入300ml水热反应釜中并置于预热温度至100℃的装置中，在此条件下生长9小时，然后降温至90℃，30min降温一次，直至70℃；
S4、生长完毕后关闭加热装置，使其冷却至室温；
S5、取出反应沉淀物置于烧杯中，用无水乙醇浸泡3天，每天用无水乙醇清洗4次；
S6、将得到的沉淀物质分离，然后150℃真空干燥以活化样品，得到白色粉末。
本实用新型使用时，通过对MOS管表面增设了一层绝缘壳体，其材料为聚氯乙烯或环氧树脂，可以有效隔绝MOS管和外界，防止外界静电的感应使得MOS管产生ESD；同时在盖板上设置具有吸水性的贯穿式微孔结构，通过吸收空气中的水分子保持壳体拥有一定的湿润性，可以减小静电的产生，又利用MOF-303材料具有吸水性并与微孔结构连接，进一步的保证了管体周围具有一定的湿润性，从而确保管体周围不会存在静电现象，同时MOF-303材料在受热后会将水分释放，在一定程度上减小了管体周围的温度，解决了现有技术中防静电膜过薄会产生ESD现象，过厚则会影响MOS管散热，影响其使用功能的问题。
本实用新型中在盖板与管体接触位置设置有缓冲条，利用橡胶的绝缘性防止静电产生，又在盖板上设置有不锈钢柱和导线，并将导线的另一端通过粘连胶与接地端或其他器件接触，即使盖板表面存在静电也可以通过不锈钢柱和导线进行传导。
本实用新型中设置有橡胶材质的缓冲条，可以减小盖板与管体之间的磨损；又设置又插接式引脚，能够实现MOS管上的引脚的便捷式更换，在出现引脚断裂的情况时，只需更换断裂的引脚即可，而不需要丢弃整个MOS管，避免造成资源的浪费；同时设置盖板与底板为卡接，当零部件产生损坏需要更换时，便于安装和拆卸。
本实用新型在实际使用时，在MOS管不启用时，空气中的水分子被微孔结构吸收并储存，同时被缓冲条中的MOF-303材料吸收并储存；当MOS管启用一段时间后，MOS管发热并通过缓冲条散热，其中的MOF-303材料吸收热量并释放出水分，水分子在微孔结构和缓冲条之间游荡，保持MOS管周围环境的湿润性，防止静电现象的产生。
以上依据本实用新型的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定技术性范围。
Claims (9)
1.一种MOS静电保护器件，包括：管体以及设置在所述管体外部的壳体，其特征在于：
所述管体的顶部和底部分别安装有安装板和若干引脚，所述安装板的正面开设有通孔，且若干所述引脚与所述管体连接处设置有保护套；
所述壳体包括底板和盖板，所述盖板上安装有一不锈钢柱，且所述不锈钢柱末端设有一导线，所述导线末端还设有粘连胶，所述底板和盖板周向分别设有若干卡合槽和卡合板，所述壳体外表面和内表面分别设有若干微孔结构和缓冲条。
2.根据权利要求1所述的一种MOS静电保护器件，其特征在于：所述引脚包括G端引脚、D端引脚和S端引脚，且所述保护套和所述引脚的数量相同。
3.根据权利要求1所述的一种MOS静电保护器件，其特征在于：若干所述引脚和若干所述保护套为卡接，且相邻所述保护套间通过若干连接件连接。
4.根据权利要求1所述的一种MOS静电保护器件，其特征在于：所述壳体材料为聚氯乙烯或环氧树脂中的一种，所述微孔结构材料为珊瑚石颗粒，且所述微孔结构贯穿所述壳体。
5.根据权利要求1所述的一种MOS静电保护器件，其特征在于：所述缓冲条为内部分散设置有MOF-303材料的橡胶条。
6.根据权利要求1所述的一种MOS静电保护器件，其特征在于：所述管体底部设有若干弹簧，且若干所述弹簧末端设有夹板，所述夹板用于卡接若干所述引脚。
7.根据权利要求1或2所述的一种MOS静电保护器件，其特征在于：若干所述引脚上均设有一防护芯片。
8.根据权利要求2所述的一种MOS静电保护器件，其特征在于：所述G端引脚、所述D端引脚和所述S端引脚并列设置，且形状相同。
9.根据权利要求1所述的一种MOS静电保护器件，其特征在于：所述盖板内壁的形状与所述管体外壁的形状相同。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202320998465.5U CN220065693U (zh) | 2023-04-28 | 2023-04-28 | 一种mos静电保护器件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202320998465.5U CN220065693U (zh) | 2023-04-28 | 2023-04-28 | 一种mos静电保护器件 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN220065693U true CN220065693U (zh) | 2023-11-21 |
Family
ID=88784087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202320998465.5U Active CN220065693U (zh) | 2023-04-28 | 2023-04-28 | 一种mos静电保护器件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN220065693U (zh) |
-
2023
- 2023-04-28 CN CN202320998465.5U patent/CN220065693U/zh active Active
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| GR01 | Patent grant | ||
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