CN220044084U - 一种Micro OLED全彩显示结构 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 239000004568 cement Substances 0.000 claims description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 146
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 210000001503 joint Anatomy 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000016776 visual perception Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本实用新型提供了一种Micro OLED全彩显示结构，包括一制备有驱动电路的基板，并由下至上依次在所述基板上设置阳极层、像素定义层、电洞注入层、电洞传输层、发光层、电子传输层、阴极层、微腔光学调整层及封装层；所述阳极层包括有若干不同厚度的像素单元，所述像素定义层覆盖所述阳极层各个像素单元之间的间隙，并在各个像素单元上方蚀刻有像素开口并暴露出所述像素单元，所述像素开口呈上宽下窄的梯形，所述像素定义层的高度高于所述像素开口内的发光层高度。本实用新型是一种Micro OLED全彩显示结构，其不需使用高精掩膜板和Color Filter层，即可实现OLED显示色域更大，使发光效率更佳，且有效避免混色不良品，提高生产良率，有效降低成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及OLED微型显示器技术领域，尤其涉及一种Micro OLED全彩显示结构。
背景技术
OAR与VR产品目前普及率低，主要为穿戴轻薄性不佳且影响正常视野，画质与相较一般屏视觉感受画质较差，且分辨率及亮度不高无法做出清晰投影屏效果，若直接目视屏则易造成人员疲劳；而Micro OLED则可有效改善这些问题。如图1所示，目前市售MicroOLED产品可做至3000PPI以上，皆是通过白色有机发光二极管(W0LED,White OrganicLight Emitting D1de)和彩色滤光层(CF，ColorFilter)叠加来实现，其电洞注入层至阴极层之间的有机层是通过Commonmask(普通掩膜板)即可完成量产，该技术主要缺点为器件集成度较高，所以对制程控制要求较高否则容易导致较为严重的良率损失，且其色域NTSC较差(＜90％)无法显示出OLED Panel的色彩鲜艳的特色。如图2所示，若使用传统真空蒸镀RGB制程，其电洞传输层2及发光体层是使用Fine Metal mask(高精掩膜板)成膜工艺，FineMetal mask开孔大小为Sub.Pixel大小，Mask属Invar片材，片材厚度20～40μm，但目前无RGB Fine Metalmask(高精掩膜板)可对应于其量产，且又受限于Panel(面板)超过500ppi，Pixel(像素)尺寸小于50μm。如何开发出一种Micro OLED制程且色域好能显示出OLED屏优点运用于AR/VR产品是技术急需突破的关键。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题，在于提供一种Micro OLED全彩显示结构，其不需使用高精掩膜板和ColorFilter层，即可实现OLED显示色域更大，使发光效率更佳，且有效避免混色不良品，提高生产良率，有效降低成本。
本实用新型是这样实现的：一种Micro OLED全彩显示结构，包括一制备有驱动电路的基板，并由下至上依次在所述基板上设置阳极层、像素定义层、电洞注入层、电洞传输层、发光层、电子传输层、阴极层、微腔光学调整层及封装层；所述阳极层包括有若干不同厚度的像素单元，所述像素定义层覆盖所述阳极层各个像素单元之间的间隙，并在各个像素单元上方蚀刻有像素开口并暴露出所述像素单元，所述像素开口呈上宽下窄的梯形，所述像素定义层的高度高于所述像素开口内的发光层高度。
进一步的，所述像素单元包括有蓝色像素单元、绿色像素单元、红色像素单元，所述阳极层由下至上依次包括下层ITO层、反射层及上层ITO层，所述下层ITO层的厚度为所述反射层的厚度为/>所述蓝色像素单元的上层ITO层厚度＜绿色像素单元的上层ITO层厚度＜红色像素单元的上层ITO层厚度。
进一步的，所述发光层由下至上包括一蓝色与绿色共同发光体层和一红色发光体层。
进一步的，所述像素开口的两斜面的夹角为120～150度的梯形。
进一步的，所述发光层与所述电子传输层之间设有一电洞阻挡层。
进一步的，所述电洞传输层与所述发光层之间设有一电子阻挡层。
进一步的，所述电洞注入层厚度为所述电洞传输层厚度为
进一步的，所述封装层采用TFE结构进行薄膜封装或玻璃胶熔接封装。
本实用新型的优点在于：通过在阳极层和阴极层结构之间形成微腔，通过微腔效应将发光层中的白光提纯出相对应像素单元需求的RGB光谱，通过该结构可实现RGB像素单元并列设置，满足微腔条件下单个发光器件单体的光调制效果，又能通过微腔作用使R/G/B的基色显示的色纯度更高，显示色域更大，且不需使用高精掩膜板和ColorFilter层，且阳极层通过物理气相沉积和光学处理制备，可有效避免混色不良品，提高生产良率，有效降低成本；通过在阳极层的各个像素之间设置像素定义层，可用于绝缘、平坦化及定义显示屏像素发光口的大小和位置，且设置所述像素定义层的高度高于所述像素开口内的发光层的高度，可确保像素单元微腔效应时漏光至相邻像素单元。本实用新型是一种Micro OLED全彩显示结构，其不需使用高精掩膜板和Color Filter层，即可实现OLED显示色域更大，且有效避免混色不良品，提高生产良率，有效降低成本。
附图说明
下面参照附图结合实施例对本实用新型作进一步的说明。
图1为现有技术WOLED Micro OLED的结构示意图。
图2为现有技术传统真空蒸镀RGB Micro OLED的结构示意图。
图3为本实用新型Micro OLED全彩显示结构示意图。
图4为本实用新型Micro OLED全彩显示结构实际叠成结构示意图。
图5为不同厚度的像素单元测量出的出光波段。
附图标号说明：基板1、阳极层2、蓝色像素单元21、绿色像素单元22、红色像素单元23、下层ITO层211(221、231)、反射层212(222、232)、上层ITO层213(223、233)、像素定义层3、像素开口31、电洞注入层4、电洞传输层5、发光层6、蓝色与绿色共同发光体层61、红色发光体层62、电子传输层7、阴极层8、微腔光学调整层9、封装层10。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图3至图5所示，本实用新型一种Micro OLED全彩显示结构，包括一制备有驱动电路的基板1，并由下至上依次在所述基板上设置阳极层2、像素定义层3、电洞注入层4、电洞传输层5、发光层6、电子传输层7、阴极层8、微腔光学调整层9及封装层10；所述阳极层2包括有若干不同厚度的像素单元，所述像素单元包括有蓝色像素单元21、绿色像素单元22和红色像素单元23，所述阳极层2由下至上依次包括下层ITO层211(221、231)、反射层212(222、232)及上层ITO层213(223、233)，所述下层ITO层与基板电传导，上层ITO层对接OLED器件的所述电洞注入层4电洞传导，所述下层ITO层211(221、231)的厚度为所述反射层的厚度为/>所述蓝色像素单元21的上层ITO层213厚度＜绿色像素单元22的上层ITO层223厚度＜红色像素单元23的上层ITO层233厚度。所述像素定义层3覆盖所述阳极层2各个像素单元之间的间隙，并在各个像素单元上方蚀刻有像素开口31并暴露出所述像素单元，所述像素开口31呈上宽下窄的梯形，所述像素开口31的两斜面与底面的夹角为120～150度的梯形。所述像素定义层3的高度高于所述像素开口31内的发光层6高度。所述电洞注入层4厚度为/>所述电洞传输层5厚度为/>所述发光层6由下至上包括一蓝色与绿色共同发光体层61和一红色发光体层62，所述发光层6蓝色与绿色发光材可共蒸形成蓝色与绿色共同发光体层61再镀上红色发光体层62，也可其他组合只需发出有效可见光波段400～800nm或B/G/R波段即可。所述阴极层8会渗杂些镁使得电子传输注入器件能阶较低。所述微腔光学调整层9不限材料只要符合器件微腔n&k值需求，一般膜厚为所述封装层10采用TFE结构进行薄膜封装或玻璃胶熔接封装。从电洞注入层4至微腔光学调整层9都用Common Mask蒸镀即可，此类型的Mask开孔大小较Panel发光区微大，Mask属Invar片材，片材厚度25～200μm。
基板1上所述阳极层2和像素定义层3的制作如下：先在所述基板1上物理气现成积所述下层ITO层211(221、231)并图案化处理，与基板1电传导；在所述下层ITO层上溅镀所述反射层212(222、232)，所述反射层采用Ag、Al、Ti、Mo或TiN其中一种或几种复合而成，不限此材料，只要满足电阻抗小，光反射佳即可，进行图案化处理，图案的大小较所述像素开口31大，较像素单元尺寸小；所述反射层起到阳极导电和光反射作用，反射层要求导电性好和光反射率高。在所述反射层212上先制备所述蓝色像素单元21的上层ITO层213，此层为器件蓝色光线路径长度调整层，优选的膜厚为不限此膜厚亦不限此材料，材料只要满足电阻抗小，光穿透佳即可，而膜厚需与蓝色发光器件蒸镀膜厚做搭配，透过微腔效应使蓝色像素单元只发出需求光波段。然后在所述反射层222上制备所述绿色像素单元22的上层ITO层223，此层为器件绿色光线路径长度调整层，优选的膜厚为/>而膜厚需与绿色发光器件蒸镀膜厚做搭配，透过微腔效应使绿色像素单元只发出需求光波段。再所述反射层223上制备红色像素单元23的上层ITO层233，优选的膜厚为/>透过微腔效应使红色像素单元23只发出需求光波段。最后在所述基板1上制备像素定义层3，此层功能有绝缘(包覆阳极避免后面阴极成膜时与阳极产生短路或漏电流)、平坦化(可将有无电极层处造成断差填平)及定义显示屏最终像素单元发光开口大小与位置；材料需绝缘、有覆盖下层使表面平坦化特性(即材料制程可对应Slit Coating或Spin Coating制程)。所述像素定义层3的高度高于所述像素开口31内的发光层6高度，用于确保像素单元微腔效应时漏光至相邻像素单元，使发光效率更佳，且尽量选不透光材质会较佳。
优选的，所述发光层与所述电子传输层之间设有一电洞阻挡层(未图示)，此层不一定需要，需依整体OLED器件搭配性考量，功能是做为电洞阻档层用。
优选的，所述电洞传输层与所述发光层之间设有一电子阻挡层电洞阻挡层(未图示)，此层不一定需要，需依整体OLED器件搭配性考量，依材料特性有不同的功能，有的是做为电子阻档层用，有的是降低电洞传输层与发光层间的能阶。
本实用新型通过在阳极层和阴极层结构之间形成微腔，通过微腔效应将发光层中的白光提纯出相对应像素单元需求的RGB光谱，通过该结构可实现RGB像素单元并列设置，满足微腔条件下单个发光器件单体的光调制效果，又能通过微腔作用使R/G/B的基色显示的色纯度更高，显示色域更大，且不需使用高精掩膜板和ColorFilter层，且阳极层通过物理气相沉积和光学处理制备，可有效避免混色不良品，提高生产良率，有效降低成本；通过在阳极层的各个像素之间设置像素定义层，可用于绝缘、平坦化及定义显示屏像素发光口的大小和位置，且设置所述像素定义层的高度高于所述像素开口内的发光层的高度，可确保像素单元微腔效应时漏光至相邻像素单元，使发光效率更佳。本实用新型是一种MicroOLED全彩显示结构，其不需使用高精掩膜板和Color Filter层，即可实现OLED显示色域更大，且有效避免混色不良品，提高生产良率，有效降低成本。
虽然以上描述了本实用新型的具体实施方式，但是熟悉本技术领域的技术人员应当理解，我们所描述的具体的实施例只是说明性的，而不是用于对本实用新型的范围的限定，熟悉本领域的技术人员在依照本实用新型的精神所作的等效的修饰以及变化，都应当涵盖在本实用新型的权利要求所保护的范围内。
Claims (8)
1.一种Micro OLED全彩显示结构，其特征在于：包括一制备有驱动电路的基板，并由下至上依次在所述基板上设置阳极层、像素定义层、电洞注入层、电洞传输层、发光层、电子传输层、阴极层、微腔光学调整层及封装层；所述阳极层包括有若干不同厚度的像素单元，所述像素定义层覆盖所述阳极层各个像素单元之间的间隙，并在各个像素单元上方蚀刻有像素开口并暴露出所述像素单元，所述像素开口呈上宽下窄的梯形，所述像素定义层的高度高于所述像素开口内的发光层高度。
2.根据权利要求1所述的一种Micro OLED全彩显示结构，其特征在于：所述像素单元包括有蓝色像素单元、绿色像素单元、红色像素单元，所述阳极层由下至上依次包括下层ITO层、反射层及上层ITO层，所述下层ITO层的厚度为所述反射层的厚度为/>所述蓝色像素单元的上层ITO层厚度＜绿色像素单元的上层ITO层厚度＜红色像素单元的上层ITO层厚度。
3.根据权利要求1所述的一种Micro OLED全彩显示结构，其特征在于：所述发光层由下至上包括一蓝色与绿色共同发光体层和一红色发光体层。
4.根据权利要求1所述的一种Micro OLED全彩显示结构，其特征在于：所述像素开口的两斜面的夹角为120～150度的梯形。
5.根据权利要求1所述的一种Micro OLED全彩显示结构，其特征在于：所述发光层与所述电子传输层之间设有一电洞阻挡层。
6.根据权利要求1所述的一种Micro OLED全彩显示结构，其特征在于：所述电洞传输层与所述发光层之间设有一电子阻挡层。
7.根据权利要求1所述的一种Micro OLED全彩显示结构，其特征在于：所述电洞注入层厚度为所述电洞传输层厚度为/>
8.根据权利要求1所述的一种Micro OLED全彩显示结构，其特征在于：所述封装层采用TFE结构进行薄膜封装或玻璃胶熔接封装。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202320954178.4U CN220044084U (zh) | 2023-04-25 | 2023-04-25 | 一种Micro OLED全彩显示结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202320954178.4U CN220044084U (zh) | 2023-04-25 | 2023-04-25 | 一种Micro OLED全彩显示结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN220044084U true CN220044084U (zh) | 2023-11-17 |
Family
ID=88724058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202320954178.4U Active CN220044084U (zh) | 2023-04-25 | 2023-04-25 | 一种Micro OLED全彩显示结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN220044084U (zh) |
-
2023
- 2023-04-25 CN CN202320954178.4U patent/CN220044084U/zh active Active
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|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |