CN220041864U - 一种显示装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种显示装置，显示装置包括：微型发光二极管显示器；微型发光二极管显示器包括驱动基板、微型发光二极管芯片及共电极遮蔽层；共电极遮蔽层位于驱动基板上的公共电极线背离驱动基板的一侧，通过共电极遮蔽层遮挡公共电极线，避免了由于公共电极线反射光线造成光线串扰，有利于提高显示质量。

Description

一种显示装置

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示装置。

背景技术

微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，简称Micro LED)芯片是指晶粒尺寸在100微米以下的发光二极管芯片。采用Micro LED芯片制作的Micro LED显示器，具有低功耗、高亮度、高分辨率、高色彩饱和度、反应速度快、寿命较长、效率较高等优点，在高分辨率显示领域，例如在4K/8K电视、智能手机、虚拟现实(Virtual Reality，简称VR)、增强现实(Augmented Reality，简称AR)等显示领域中具有广阔的应用前景。

Mciro LED显示器通常包括驱动基板和位于驱动基板上的Micro LED芯片。驱动基板包括显示区域和围绕显示区域的边缘区域，Micro LED芯片设置在显示区域内。在一些技术路线中，通常在边缘区域内靠近显示区域的一侧设置公共电极线，各Micro LED芯片均连接至公共电极线以实现共阳极/共阴极连接。由于公共电极线通常采用金属材料制作，具有较强的反光能力，容易反射光线造成光线串扰，影响显示质量。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种显示装置，包括：

微型发光二极管显示器；微型发光二极管显示器包括驱动基板、微型发光二极管芯片及共电极遮蔽层；

驱动基板包括显示区域和围绕显示区域的边缘区域；其中，显示区域内设置有驱动电极，边缘区域内靠近显示区域的一侧设置有公共电极线；

微型发光二极管芯片位于显示区域内；微型发光二极管芯片的第一电极与驱动电极电连接，微型发光二极管芯片的第二电极与公共电极线电连接；

共电极遮蔽层位于公共电极线背离驱动基板的一侧；共电极遮蔽层在驱动基板上的正投影位于边缘区域内，且公共电极线位于共电极遮蔽层在驱动基板上的正投影之内。

本实用新型实施例通过设置共电极遮蔽层用于遮挡由显示区域以及显示装置的外部向公共电极线入射的光线，避免了由于公共电极线反射光线造成光线串扰，有利于提高显示质量。

本实用新型一些实施例中，公共电极线环绕显示区域设置，形成环状结构，可以减少压降，提供显示区域的亮度均匀性。

本实用新型一些实施例中，共电极遮蔽层的材料为黑色光刻胶，可以通过光刻工艺制作共电极遮蔽层，避免共电极遮蔽层影响图像显示。

本实用新型一些实施例中，微型发光二极管芯片的第二电极位于第一电极背离驱动基板的一侧。采用垂直结构的微型发光二极管芯片，有利于减小微型发光二极管显示器的体积。

本实用新型一些实施例中，微型发光二极管显示器还包括：

共电极层，位于微型发光二极管芯片背离驱动基板的一侧，且与第二电极电连接；共电极层在驱动基板上的正投影覆盖显示区域，并延伸至边缘区域与公共电极线电连接。通过共电极连接第二电极和公共电极线，可以简化工艺。

本实用新型一些实施例中，共电极层的材料为透明导电材料，提高光线透过率。

本实用新型一些实施例中，公共电极线全部位于共电极层在驱动基板上的正投影之内，降低接触电阻，提高显示区域发光均匀性。

本实用新型一些实施例中，微型发光二极管显示器还包括：

绝缘保护层，位于共电极层与驱动基板之间；绝缘保护层在驱动基板上的正投影至少位于显示区域内，用于遮挡驱动电极；绝缘保护层包括多个开口，开口用于暴露第二电极。

本实用新型一些实施例中，边缘区域远离显示区域的一侧设置有至少一个焊盘，焊盘用于绑定转接线；

共电极遮蔽层在驱动基板上的正投影与焊盘不重叠，便于转接线的安装和拆除。

本实用新型一些实施例中，微型发光二极管显示器用于出射红色光、蓝色光、绿色光、红外光、紫外光或者白色光中的至少一种光线。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对本实用新型实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面所介绍的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为相关技术中Micro LED显示器的俯视结构示意图；

图2为相关技术中Micro LED显示器的截面结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的Micro LED显示器的俯视结构示意图之一；

图4为本实用新型实施例提供的Micro LED显示器的截面结构示意图之一；

图5为本实用新型实施例提供的Micro LED显示器的俯视结构示意图之二；

图6为本实用新型实施例提供的Micro LED显示器的俯视结构示意图之三；

图7为本实用新型实施例提供的Micro LED显示器的俯视结构示意图之四；

图8为本实用新型实施例提供的Micro LED显示器的截面结构示意图之二；

图9为本实用新型实施例提供的Micro LED显示器的截面结构示意图之三；

图10为本实用新型实施例提供的Micro LED显示器的俯视结构示意图之五；

图11为本实用新型实施例提供的Micro LED显示器的截面结构示意图之四；

图12为本实用新型实施例提供的显示装置的截面结构示意图之一；

图13为本实用新型实施例提供的显示装置的截面结构示意图之二。

具体实施方式

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面将结合附图和实施例对本实用新型做进一步说明。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本实用新型更全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。本实用新型中所描述的表达位置与方向的词，均是以附图为例进行的说明，但根据需要也可以做出改变，所做改变均包含在本实用新型保护范围内。本实用新型的附图仅用于示意相对位置关系不代表真实比例。

微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，简称Micro LED)芯片是指晶粒尺寸在100微米以下的发光二极管芯片。采用Micro LED芯片制作的Micro LED显示器，具有低功耗、高亮度、高分辨率、高色彩饱和度、反应速度快、寿命较长、效率较高等优点，在高分辨率显示领域，例如在4K/8K电视、智能手机、虚拟现实(Virtual Reality，简称VR)、增强现实(Augmented Reality，简称AR)等显示领域中具有广阔的应用前景。

Mciro LED显示器通常包括驱动基板和位于驱动基板上的Micro LED芯片。驱动基板包括显示区域和围绕显示区域的边缘区域，Micro LED芯片设置在显示区域内。在一些技术路线中，通常在边缘区域内靠近显示区域的一侧设置公共电极线，各Micro LED芯片均连接至公共电极线以实现共阳极/共阴极连接。

图1为相关技术中Micro LED显示器的俯视结构示意图；图2为相关技术中MicroLED显示器的截面结构示意图。

举例来说，如图1和图2所示的Mciro LED显示器包括驱动基板1和位于驱动基板1上的Micro LED芯片2。

其中，驱动基板1包括显示区域S1(虚线内的区域)和围绕显示区域S1的边缘区域S2(虚线外的区域)。显示区域S1内设置有驱动电极11，驱动电极11用于向Micro LED芯片输入信号电压；在边缘区域S2内靠近显示区域S1的一侧设置有公共电极线12，公共电极线12用于向Micro LED芯片输入公共电压。

Micro LED芯片2位于显示区域S1内。Micro LED芯片2可以为垂直结构，垂直结构Micro LED芯片包括沿竖直方向相对设置的第一电极21和第二电极22，其中第一电极21位于Micro LED芯片2面向驱动基板1的一侧，且与驱动电极11电连接，第二电极22位于MicroLED芯片2背离驱动基板1的一侧，且通过连接走线3连接至位于边缘区域S2的公共电极线12。其中，第一电极21可以为阳极，第二电极22可以为阴极，或者第一电极21可以为阴极，第二电极22可以为阳极，从而使各个Micro LED芯片实现共阴极或共阳极连接。Micro LED芯片2也可以为水平结构(图中未示出)，水平结构Micro LED芯片的第一电极和第二电极相对设置在Micro LED芯片的同一侧，其中第一电极可以连接至驱动电极，第二电极连接至公共电极线，或者第一电极连接至公共电极线，第二电极连接至驱动电极，在此不做限定。

采用Mciro LED显示器制作显示装置时，驱动基板1的边缘区域S2通常通过胶框或者外壳4等进行部分遮挡，并且暴露出显示区域以进行图像显示。具体实施，由于公共电极线12与显示区域S1之间的距离较近，通常为几百微米到几十微米，为避免遮挡显示区域，胶框或者外壳4会暴露出至少部分公共电极线12。由于公共电极线12通常采用金属材料制作，具有较强的反光能力，由显示区域S1出射的光线或者由外界入射的环境光线照射到公共电极线12上，容易反射光线造成光线串扰，影响显示质量。

有鉴于此，本实用新型实施例提供一种显示装置，用以解决上述问题。

图3为本实用新型实施例提供的Micro LED显示器的俯视结构示意图之一；图4为本实用新型实施例提供的Micro LED显示器的截面结构示意图之一。

在本实用新型实施例中，显示装置包括Micro LED显示器100。如图3和图4所示，Micro LED显示器100包括：驱动基板1、微型发光二极管芯片2及共电极遮蔽层5。

其中，驱动基板1包括显示区域S1(虚线内的区域)和围绕显示区域S1的边缘区域S2(虚线外的区域)。显示区域S1内设置有驱动电极11，一个驱动电极11与一个Micro LED芯片2对应，驱动电极11用于向对应的Micro LED芯片2输入信号电压；在边缘区域S2内靠近显示区域S1的一侧设置有公共电极线12，公共电极线12用于向Micro LED芯片2输入公共电压。具体实施时，驱动基板1可以为互补金属氧化物半导体(Complementary Metal OxideSemiconductor，简称CMOS)基板、薄膜晶体管(Thin Film Transister，简称TFT)基板或者印刷电路板(Printed Circuit Board，简称PCB)，在此不做限定。

Micro LED芯片2位于显示区域S1内。Micro LED芯片2包括相对设置的第一电极21和第二电极22，其中第一电极21与对应的驱动电极11电连接，第二电极22与位于边缘区域S2的公共电极线12电连接。其中，第一电极21可以为阳极，第二电极22可以为阴极，或者第一电极21可以为阴极，第二电极22可以为阳极，从而使各个Micro LED芯片实现共阴极或共阳极连接。具体实施，通过各驱动电极11按设定时序向其对应的Micro LED芯片2输入信号电压，从而驱动Micro LED芯片2发光进行图像显示。

共电极遮蔽层5位于公共电极线12背离驱动基板1的一侧。共电极遮蔽层5在驱动基板1上的正投影位于边缘区域S2内，且公共电极线12位于共电极遮蔽层5在驱动基板1上的正投影之内。共电极遮蔽层5用于遮挡由显示区域S1以及显示装置外部向公共电极线12入射的光线，避免由于公共电极线12反射光线造成光线串扰，有利于提高显示质量。

在本实用新型实施例中，共电极遮蔽层5的材料可以采用黑色光刻胶材料，例如黑色矩阵(Black Matrix，简称BM)光刻胶、SU-8光刻胶等，或者其他可以降低光线反射效果的胶材，在此不做限定。具体实施时，共电极遮蔽层5可以通过光刻工艺进行制作，例如在形成用于电连接第二电极22与公共电极线12的连接走线之后，在共电极遮蔽层5背离驱动基板的一侧涂覆黑色光刻胶，然后通过光刻工艺刻蚀多余的黑色光刻胶，只保留公共电极线12上方的黑色光刻胶，从而形成共电极遮蔽层5。由于本实用新型实施例中共电极遮蔽层5采用光刻工艺进行制作，工艺误差可以控制在几微米以内，而公共电极线12与显示区域S1之间的距离通常为几百微米到几十微米，可以避免形成共电极遮蔽层5后，共电极遮蔽层5对显示区域S1造成影响。

在一些实施例中，如图3所示，公共电极线12环绕显示区域S1设置，形成环状结构。公共电极线12设置为围绕显示区域S1的环状结构，各Micro LED芯片2与公共电极线12可以通过连接走线3就近连接，减小连接走线3的长度，降低信号传输过程的压降，提高亮度均匀性。相应地，共电极遮蔽层5也可以形成如图3所示的环状结构，从而对公共电极线12进行遮挡。

图5为本实用新型实施例提供的Micro LED显示器的俯视结构示意图之二。

在一些实施例中，公共电极线12可以仅设置在环绕显示区域S1的部分区域内。举例来说，如图5所示，公共电极线12仅设置在显示区域S1的上侧，各Micro LED芯片的第二电极22可以通过连接走线与公共电极线12电连接。将公共电极线12仅设置在环绕显示区域S1的部分区域，可以减少公共电极线12的占用面积，降低驱动基板1上的其他信号线的走线设计难度。相应地，如图5所示，共电极遮蔽层5也可以仅设置在显示区域S1的上侧，从而对公共电极线12进行遮挡，在此不做限定。

在一些实施例中，Micro LED芯片可以为垂直结构的芯片，垂直结构的Micro LED芯片用利于缩小芯片间距，进一步减小Micro LED显示器的体积。如图4所示，Micro LED芯片包括沿竖直方向相对设置的第一电极21和第二电极22，其中第一电极21位于Micro LED面向驱动基板1的一侧，第二电极22位于第一电极21背离第二电极22的一侧。在第一电极21和第二电极22之间，Micro LED芯片2还至少包括依次层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，其中第一半导体层可以为N型半导体层，第二半导体层可以为P型半导体层，N型半导体层的电子与P型半导体层的空穴在发光层发生复合释放能量，从而出射光线。具体实施时，第一半导体层也可以为P型半导体层，第二半导体层可以为N型半导体层，在此不做限定。

本实用新型中以垂直结构的Micro LED芯片进行举例说明。在一些实施例中，Micro LED芯片也可以为水平结构，在此不做限定。

图6为本实用新型实施例提供的Micro LED显示器的俯视结构示意图之三。

在一些实施例中，如图4和图6所示，用于连接第二电极22与公共电极线12的连接走线3可以为共电极层31。共电极层31位于Micro LED芯片2背离驱动基板1的一侧，具体实施时，可以在Micro LED芯片2的第一电极21与驱动基板1的驱动电极11键合之后，通过沉积等方式形成覆盖整个显示区域S1的共电极层31，以使每个Micro LED芯片2的第二电极22均与共电极层31电连接，并且共电极层31还延伸至边缘区域S2之内，与公共电极线12电连接，从而使Micro LED芯片2与公共电极线12电连接。通过覆盖整个显示区域S1的共电极层31连接各Micro LED芯片2的第二电极22，可以减少对连接走线3的刻蚀工艺，降低制作难度，提高制作效率。

具体实施时，形成共电极层31的材料可以采用氧化铟锡(ITO)等透明导电材料，以提高光线透过率。

在一些实施例中，连接走线3也可以包括多条子连接线，多条子连接线可以通过刻蚀工艺形成，其中一条子连接线用于将一个Micro LED芯片2与公共电极线12电连接，或者一条子连接线用于将同一行或同一列的Micro LED芯片2与公共电极线12电连接，在此不做限定。

图7为本实用新型实施例提供的Micro LED显示器的俯视结构示意图之四；图8为本实用新型实施例提供的Micro LED显示器的截面结构示意图之二。

本实用新型实施例中，在制作共电极层31时，共电极层31与公共电极线12只需要产生部分接触，即可以实现Micro LED芯片2与公共电极线12之间的电连接。如图6所示，环绕显示区域S1一周，共电极层31在驱动基板1上的正投影只覆盖靠近显示区域S1一侧的部分公共电极线12。由于共电极层31与公共电极线12之间的接触面积较小，虽然可以使MicroLED芯片2与公共电极线12之间实现电连接，但是共电极层31与公共电极线12之间具有较大的接触电阻，产生能量损耗。鉴于此，如图7和图8所示，在制作共电极层31时，可以使公共电极线12全部位于共电极层31在驱动基板1上的正投影之内，从而扩大公共电极线12与共电极层31之间的接触面积，降低接触电阻，减少能量损耗。并且对于每一个Micro LED芯片，Micro LED芯片均可以从环绕显示区域S1一周的公共电极线12输入公共电压，减少各MicroLED芯片之间的公共电压差，提高亮度均匀性。

如图8所示，在边缘区域S2内，共电极层31与共电极遮蔽层5之间存在至少部分交叠区域，在共电极层31与共电极遮蔽层5的交叠区域内，共电极遮蔽层5位于共电极层31背离公共电极线12的一侧。

图9为本实用新型实施例提供的Micro LED显示器的截面结构示意图之三。

在一些实施例中，微型发光二极管显示器还包括：绝缘保护层6。绝缘保护层6位于共电极层31与驱动基板1之间。绝缘保护层6在驱动基板1上的正投影至少位于显示区域S1内，用于遮挡驱动电极11。绝缘保护层6包括多个开口K，开口K用于暴露第二电极22，以便于第二电极22与共电极层31电连接。

举例来说，如图9所示，在制作共电极层31之前，可以在显示区域S1内，通过沉积等方式在驱动基板1表面和Micro LED芯片2表面形成绝缘保护层6，并且通过刻蚀等方式在绝缘保护层6上制作开口K以暴露第二电极22。绝缘保护层6可以对各Micro LED芯片2进行绝缘和保护。并且如图9所示，在进行Micro LED芯片2与驱动基板1的键合时，第一电极21可能相对于驱动电极11发生一定程度的偏移，从而使第一电极21无法完全覆盖驱动电极11，通过绝缘保护层6对驱动电极11进行遮挡，可以避免后续制作共电极层31时共电极层31与驱动电极11发生短路的风险。

图10为本实用新型实施例提供的Micro LED显示器的俯视结构示意图之五；图11为本实用新型实施例提供的Micro LED显示器的截面结构示意图之四。

在本实用新型实施例中，如图10和图11所示，在驱动基板1的边缘区域S2远离显示区域S1的一侧还设置有焊盘区，焊盘区内设置有至少一个焊盘7。焊盘7用于绑定转接线，转接线用于将该Micro LED显示器电连接至用于控制该Micro LED显示器的控制器或相邻的Micro LED显示器等。转接线具体可以为转接板、柔性电路板(Flexible Printed Circuit，简称FPC)、柔性扁平电缆(Flexible Flat Cable，简称FFC)等，在此不做限定。

具体实施时，共电极遮蔽层5在驱动基板1上的正投影与焊盘7在驱动基板1上的正投影不重叠，以避免共电极遮蔽层5对焊盘7造成遮挡，便于后续维修过程中将转接线从焊盘7上拆除或将转接线安装在焊盘7上。

在如图10和图11所示的实施例中，焊盘7设置在边缘区域S2的一个侧边上。具体实施时，焊盘7可以设置在边缘区域S2的至少两个侧边上，例如可以围绕边缘区域S2四周设置，在此不做限定。

以图11所示的Micro LED显示器为例，本实用新型实施例提供的显示装置在制作Micro LED显示器时，包括以下步骤：

S11：提供驱动基板和Micro LED芯片；其中驱动基板包括显示区域和围绕显示区域的边缘区域；显示区域内设置有驱动电极，边缘区域内靠近显示区域的一侧设置有公共电极线，边缘区域内远离显示区域的一侧设置有至少一个焊盘；Micro LED芯片包括相对设置的第一电极和第二电极，第二电极位于第一电极背离驱动基板的一侧；

S12：将Micro LED芯片与驱动基板键合，以使第一电极与驱动电极电连接；

S13：在第二电极背离驱动基板的一侧形成共电极层，以使第二电极通过共电极层与公共电极线电连接；

S14：在公共电极线背离驱动基板的一侧制作共电极遮蔽层，以使公共电极线位于共电极遮蔽层在驱动基板上的正投影之内；其中，共电极遮蔽层在驱动基板上的正投影与显示区域不重叠，且共电极遮蔽层在驱动基板上的正投影与焊盘不重叠。

具体实施时，根据本实用新型实施例提供的Micro LED显示器的具体结构，可以对上述步骤进行相应调整，在此不做赘述。

图12为本实用新型实施例提供的显示装置的截面结构示意图之一；图13为本实用新型实施例提供的显示装置的截面结构示意图之二。

在本实用新型实施例中，Micro LED显示器可以用于出射红色光、蓝色光、绿色光、红外光、紫外光或白色光等光线中的至少一种光线，在此不做限定。

举例来说，本实用新型实施例提供的显示装置可以为增强现实(AugmentedReality，简称AR)显示装置。

在一些实施例中，如图12所示，AR显示装置包括一个Micro LED显示器100和位于Micro LED显示器100出光侧的光学系统300。光学系统300包括光波导、反射片和投影镜头等光学元件中的至少一种，用于将Micro LED显示器100生成的虚拟图像与现实世界的真实图像融合，并将融合后的图像投射到用户眼中，以实现增强现实的显示效果。其中MicroLED显示器100可以同时出射红色光、蓝色光和绿色光，从而实现全彩显示，在此不做限定。

在一些实施例中，如图13所示，AR显示装置包括三个Micro LED显示器、位于MicroLED显示器出射光路上的合光棱镜300和位于合光棱镜300出光侧的光学系统200。其中，三个Micro LED显示器分别为第一Micro LED显示器101、第二Micro LED显示器102和第三Micro LED显示器103，第一Micro LED显示器101、第二Micro LED显示器102和第三MicroLED显示器103相对于合光棱镜300的入光面设置，第一Micro LED显示器101、第二MicroLED显示器102和第三Micro LED显示器分别出射的光线经过合光棱镜300融合后，向光学系统200出射。光学系统300包括光波导、反射片和投影镜头等光学元件中的至少一种，用于接收合光棱镜300出射的光线以生成虚拟图像，并将虚拟图像与现实世界的真实图像融合，以实现增强现实的显示效果。其中，第一Micro LED显示器101、第二Micro LED显示器102和第三Micro LED显示器103可以分别用于出射红色光线、绿色光线和蓝色光线，从而实现全彩显示，在此不做限定。

上述实施例以AR显示装置为例对本实用新型实施例提供的显示装置进行举例说明。具体实施时，本实用新型实施例提供的显示装置还可以为虚拟现实(Virtual Reality，缩写为VR)显示装置、Micro LED直显显示装置等，具体实施时可以参照现有技术进行设置，在此不做赘述。

本实用新型实施例通过设置共电极遮蔽层用于遮挡由显示区域以及显示装置外部向公共电极线入射的光线，避免了由于公共电极线反射光线造成光线串扰的问题，有利于提高显示质量。

尽管已描述了本实用新型的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本实用新型范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：

微型发光二极管显示器；所述微型发光二极管显示器包括驱动基板、微型发光二极管芯片及共电极遮蔽层；

所述驱动基板包括显示区域和围绕所述显示区域的边缘区域；其中，所述显示区域内设置有驱动电极，所述边缘区域内靠近所述显示区域的一侧设置有公共电极线；

所述微型发光二极管芯片位于所述显示区域内；所述微型发光二极管芯片的第一电极与所述驱动电极电连接，所述微型发光二极管芯片的第二电极与所述公共电极线电连接；

所述共电极遮蔽层位于所述公共电极线背离所述驱动基板的一侧；所述共电极遮蔽层在所述驱动基板上的正投影位于所述边缘区域内，且所述公共电极线位于所述共电极遮蔽层在所述驱动基板上的正投影之内。

2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述公共电极线环绕所述显示区域设置，形成环状结构。

3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述共电极遮蔽层的材料为黑色光刻胶。

4.如权利要求1～3任一项所述的显示装置，其特征在于，所述微型发光二极管芯片的所述第二电极位于所述第一电极背离所述驱动基板的一侧。

5.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述微型发光二极管显示器还包括：

共电极层，位于所述微型发光二极管芯片背离所述驱动基板的一侧，且与所述第二电极电连接；所述共电极层在所述驱动基板上的正投影覆盖所述显示区域，并延伸至所述边缘区域与所述公共电极线电连接。

6.如权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述共电极层的材料为透明导电材料。

7.如权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述公共电极线全部位于所述共电极层在所述驱动基板上的正投影之内。

8.如权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述微型发光二极管显示器还包括：

绝缘保护层，位于所述共电极层与所述驱动基板之间；所述绝缘保护层在所述驱动基板上的正投影至少位于所述显示区域内，用于遮挡所述驱动电极；所述绝缘保护层包括多个开口，所述开口用于暴露所述第二电极。

9.如权利要求1～3任一项所述的显示装置，其特征在于，所述边缘区域远离所述显示区域的一侧设置有至少一个焊盘，所述焊盘用于绑定转接线；

所述共电极遮蔽层在所述驱动基板上的正投影与所述焊盘不重叠。

10.如权利要求1～3任一项所述的显示装置，其特征在于，所述微型发光二极管显示器用于出射红色光、蓝色光、绿色光、红外光、紫外光或者白色光中的至少一种光线。