CN220040645U

CN220040645U - 一种p沟道mos场效应晶体管的验证装置

Info

Publication number: CN220040645U
Application number: CN202321148855.XU
Authority: CN
Inventors: 肖保军; 田峰; 王晶; 田立冬; 李晓丹; 张玮
Original assignee: CETC 15 Research Institute
Current assignee: CETC 15 Research Institute
Priority date: 2023-05-12
Filing date: 2023-05-12
Publication date: 2023-11-17
Anticipated expiration: 2033-05-12

Abstract

本申请公开了一种P沟道MOS场效应晶体管的验证装置，包括：电源转换模块，用以将外部输入电源转换为待测元器件的典型工作电压；信号控制模块，用于为被测器件提供控制信号，以控制所述被测器件导通；被测器件验证板，用于提供接口，接入所述被测器件；数据采集模块，用于采集被测器件的测试数据，并输入外围测试仪器，以完成验证。本申请实施例的P沟道MOS场效应晶体管的验证装置能够解决P沟道MOS场效应晶体管的电特性、板级工作稳定性的验证问题。

Description

一种P沟道MOS场效应晶体管的验证装置

技术领域

本申请涉及电路技术领域，尤其涉及一种P沟道MOS场效应晶体管的验证装置。

背景技术

MOS场效应晶体管具有集成度高、低功耗、输入阻抗高等优点，广泛应用于变频调速、航天开关电源、汽车电源、电视机等领域中，可用于控制电路中的电流、电压、信号、功率等。近年来，随着国内元器件厂家的设计和生产能力的不断提高，元器件厂家自主研制了大量的MOS场效应晶体管，因缺乏对国产元器件的应用验证，导致大量的国产芯片没有得到很好的应用。

发明内容

本申请实施例提供一种P沟道MOS场效应晶体管的验证装置，用以解决P沟道MOS场效应晶体管的电特性、板级工作稳定性的验证问题。

本申请实施例提供P沟道MOS场效应晶体管的验证装置，包括：

电源转换模块，用以将外部输入电源转换为待测元器件的典型工作电压；

信号控制模块，用于为被测器件提供控制信号，以控制所述被测器件导通；

被测器件验证板，用于提供接口，接入所述被测器件；

数据采集模块，用于采集被测器件的测试数据，并输入外围测试仪器，以完成验证。

可选的，所述电源转换模块包括两组电源输入端，第一组电源输入端包括第一正极接入点U42，第一负极接入点U60，第二组电源输入端包括第二正极接入点U41，第二负极接入点U61，其中：

第一正极接入点U42通过电阻R30连接至所述第二正极接入点U41，第二正极接入点U41通过电阻R28连接至三极管Q1的基极；

第一负极接入点U60、第二负极接入点U61均为接地点。

可选的，所述信号控制模块包括三极管Q1；

所述三极管Q1，其发射极接地，其基极通过电阻R29连接至其发射极，其基极还通过电阻R31连接至输出端测试点U43，其集电极通过电阻R32连接所述被测器件验证板的栅极接入点1-G。

可选的，所述被测器件验证板包括多个与P沟道MOS场效应晶体管适配的多个接入点，其中：

栅极接入点1-G，通过电阻R33连接至源极接入点3-S；

源极接入点3-S，引出，作为输出端测试点U43；

漏极接入点2-D，通过电容C73、电容C74、电容C75的并联接地，其引出作为输出端测试点U44。

可选的，还包括输出端测试点U62和输出端测试点U63，且所述输出端测试点U62和和输出端测试点U63均为接地点。

本申请实施例的P沟道MOS场效应晶体管的验证装置能够解决P沟道MOS场效应晶体管的电特性、板级工作稳定性的验证问题。

上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本申请的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

图1为P沟道MOS场效应晶体管的验证装置的架构示意图；

图2为P沟道MOS场效应晶体管的验证装置的电路示意图。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。

本申请实施例提供P沟道MOS场效应晶体管的验证装置，如图1所示，本申请的验证装置由直流电源供电，包括电源转换模块、信号控制模块、被测器件验证板、数据采集模块、外围测试仪器，其中：

电源转换模块，用以将外部输入电源转换为待测元器件的典型工作电压。

信号控制模块，用于为被测器件提供控制信号，以控制所述被测器件导通。

被测器件验证板，用于提供接口，接入所述被测器件。

本实用新型的验证装置工作原理如下：

首先，确认验证目标、需要验证的功能和性能，按照实际使用条件及需求连接典型应用电路。

随后，打开直流电源，通过电源转换模块将输入电压转换为典型工作电压，给其他模块供电。

外围测试仪器通过输出接口采集相关的测试数据，通过测试数据验证P沟道MOS场效应晶体管的耗散功率、漏极电流、导通电阻等参数是否符合要求，从而验证P沟道MOS场效应晶体管的功能和性能是否符合实际使用需求。

在一些实施例中，如图2所示，所述电源转换模块包括两组电源输入端，第一组电源输入端包括第一正极接入点U42，第一负极接入点U60，第二组电源输入端包括第二正极接入点U41，第二负极接入点U61，其中：

第一负极接入点U60、第二负极接入点U61均为接地点。

在一些实施例中，如图2所示，所述信号控制模块包括三极管Q1；

在一些实施例中，所述被测器件验证板包括多个与P沟道MOS场效应晶体管适配的多个接入点，其中：

栅极接入点1-G，通过电阻R33连接至源极接入点3-S；

源极接入点3-S，引出，作为输出端测试点U43；

在一些实施例中，还包括输出端测试点U62和输出端测试点U63，且所述输出端测试点U62和和输出端测试点U63均为接地点。

具体的，如图2所示，P沟道MOS场效应晶体管验证板卡主要验证电路正常工作时，晶体管控制电路通断的功能是否正常，对被测MOS管在不同工作环境下的工作状态进行模拟。

U42和U60为电源输入端1，连接外部电源，U42为电压正极，U60为电压负极；电源U41和U61为电源输入端2，连接外部电源，U41为电压正极，U61为电压负极。用万用表检查输入电压、输出电压端是否与地短路，没有短路，给测试电路加电。Q4为被测试晶体管，输出端测试点U43和U62、U44和U63可接入示波器、万用表等测试仪器，采集测试数据，用来验证电路正常工作时，晶体管的电气功能和性能是否符合应用需求。

本申请实施例的验证装置，能够对P沟道MOS场效应晶体管进行输出电压、输出电流、耗散功率、漏极电流、导通电阻等参数的测试，从而验证P沟道MOS场效应晶体管的电气功能和性能是否满足应用需求。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。

上述本申请实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。

上面结合附图对本申请的实施例进行了描述，但是本申请并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本申请的启示下，在不脱离本申请宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，这些均属于本申请的保护之内。

Claims

1.一种P沟道MOS场效应晶体管的验证装置，其特征在于，包括：

被测器件验证板，用于提供接口，接入所述被测器件；

数据采集模块，用于采集被测器件的测试数据，并输入外围测试仪器，以完成验证；

所述电源转换模块包括两组电源输入端，第一组电源输入端包括第一正极接入点U42，第一负极接入点U60，第二组电源输入端包括第二正极接入点U41，第二负极接入点U61，其中：

第一负极接入点U60、第二负极接入点U61均为接地点；

所述信号控制模块包括三极管Q1；

2.如权利要求1所述的P沟道MOS场效应晶体管的验证装置，其特征在于，所述被测器件验证板包括多个与P沟道MOS场效应晶体管适配的多个接入点，其中：

栅极接入点1-G，通过电阻R33连接至源极接入点3-S；

源极接入点3-S，引出，作为输出端测试点U43；

3.如权利要求1所述的P沟道MOS场效应晶体管的验证装置，其特征在于，还包括输出端测试点U62和输出端测试点U63，且所述输出端测试点U62和和输出端测试点U63均为接地点。