CN219892176U - 一种热能回收结构、芯片及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种热能回收结构、芯片及电子设备,涉及半导体器件领域。热能回收结构包括:热电转换单元;每一所述热电转换单元包括第一端和第二端,所述第一端用于与封装体内的芯片本体连接,所述第二端自所述芯片本体的表面延伸出所述封装体外;所述热电转换单元用于基于所述第一端和所述第二端之间的温差产生电能;所述第二端用于与电能输出端连接,所述电能输出端用于输出所述电能。将热电转换单元与封装体内的芯片本体直接连接,可以有效提高芯片的散热效率,以及提高热电转换单元的热电转换效率。
Description
技术领域
本申请涉及半导体器件领域,具体而言,涉及一种热能回收结构、芯片及电子设备。
背景技术
芯片性能强大的同时,芯片的能耗和发热问题也越发显著。
图1为现有技术的芯片封装结构示意图,如图1所示,芯片本体为包括各类发热器件的芯片,芯片本体设置在基板上,并通过塑封材料等封装体对芯片本体进行封装,从而构成一个封装完全的芯片。
目前,对芯片进行散热和热电转换的方式,通常是在芯片封装基板的外表面设置热电转换单元和散热结构,该方式热电转换效率和散热效率均较差。
实用新型内容
有鉴于此,本申请旨在提供一种热能回收结构、芯片及电子设备,提高芯片的热电转换效率和散热效率。
第一方面,本申请实施例提供一种热能回收结构,包括:热电转换单元;每一所述热电转换单元包括第一端和第二端,所述第一端用于与封装体内的芯片本体连接,所述第二端自所述芯片本体的表面延伸出所述封装体外;所述热电转换单元用于基于所述第一端和所述第二端之间的温差产生电能;所述第二端用于与电能输出端连接,所述电能输出端用于输出所述电能。
本申请实施例中,将热电转换单元一端直接与封装体内的芯片本体连接,另一端延伸出封装体外,由此,可以使得热电转换单元的两端形成温差,从而可以通过热电转换单元对芯片本体进行散热。相较于现有技术中与对封装体外部进行散热,本申请中将热电转换单元与封装体内的芯片本体直接连接可以有效提高散热效率。同时,由于封装体内的温度和封装体外的温度温差较大,相较于将热电转换单元设置于封装体外,本申请中将热电转换单元与封装体内的芯片本体直接连接,还可以使得热电转换单元的第一端和第二端之间的温差更大,从而提高热电转换单元的热电转换效率。
一实施例中,所述热电转换单元为多个,每一所述热电转换单元至少包括两个导热柱;所述热电转换单元的第一端包括两个所述导热柱的第一端,所述热电转换单元的第二端包括两个所述导热柱的第二端,两个所述导热柱之间能够产生塞贝克效应;每一所述热电转换单元内,两个所述导热柱的第一端电连接;不同所述热电转换单元中能够产生塞贝克效应的两个所述导热柱的第二端电连接。
本申请实施例中,热电转换单元包括能够产生塞贝克效应的两个导热柱,由此,热电转换单元将可以通过塞贝克效应进行热电转换,对芯片散发的热量进行利用。同一热电转换单元内,两个导热柱的第一端电连接,不同热电转换单元中能够产生塞贝克效应的两个导热柱的第二端电连接,由此,多个热电转换单元之间能够形成电流回路,从而可以通过塞贝克效应产生电能。
一实施例中,所述芯片本体的表面具有多个凹槽,每一所述导热柱分别设置于不同的所述凹槽内。
本申请实施例中,将导热柱设置在芯片本体表面的凹槽内,可以使得导热柱与芯片本体的接触面积更大,从而使得导热柱能够更好的将芯片本体的散发的热量传递至第二端,由此,提高热电转换单元的散热效率。同时,将导热柱设置于凹槽内,与凹槽接触的导热柱的第一端温度更高,从而可以使得导热柱第一端和第二端的温差更大,进而提高热电转化效率。
一实施例中,所述热电转换单元为多个,所述热能回收结构还包括选通单元,所述选通单元包括多个输入端和一个输出端,所述选通单元用于基于控制指令使多个所述输入端中的任意一者与所述输出端之间的连通;所述选通单元的不同输入端分别与不同的所述热电转换单元的第二端电连接,每一所述选通单元的输出端与所述电能输出端电连接。
选通单元可以基于控制指令使多个输入端中的任意一者与输出端之间的连通,本申请实施例中,将选通单元的输入端与多个热电转换单元连接,由此,通过选通单元可以使不同热电转换单元的输出呈不同的组合形式,以满足对电能的输出需求。
一实施例中,所述热能回收结构还包括选通控制器,所述选通控制器与所述选通单元电连接,所述选通控制器用于向所述选通单元发出所述控制指令,以控制不同所述热电转换单元与所述电能输出端之间的连通。
本申请实施例中,设置选通控制器与选通单元电连接,选通控制器可以向选通单元发送控制指令,控制不同热电转换单元与电能输出端之间的连接,由此,可以使得在如部分热电转换单元异常的情况下,在选通控制器的控制下,热能回收结构仍具有较好的热电转换效率。
一实施例中,所述选通单元为多个,不同所述选通单元之间并联和/或串联;多个所述选通单元被配置为基于所述选通控制器的控制,使多个所述热电转换单元并联和/或串联,以使所述电能输出端输出预设电压。
单个热电转换单元所输出的电能可能无法为用电器件所使用,本申请实施例中,将不同选通单元之间并联和/或串联,使得选通控制器能够控制选通单元的选通,进而使得多个热电转换单元能够并联和/或串联,共同输出符合用电器件要求的预设电压。
一实施例中,所述热能回收结构还包括储能单元,所述储能单元与所述电能输出端连接。
本申请实施例中,设置储能单元,可以将热电转换单元产生的电能进行存储,以便于后续使用,提高对芯片内部热能的利用率。
一实施例中,所述热能回收结构还包括液冷模块;所述液冷模块包括壳体和散热液体,所述壳体与所述封装体的外表面连接形成空腔,所述空腔填充有所述散热液体;所述热电转换单元的第二端置于所述空腔内。
本申请实施例中,热能回收结构还包括液冷模块,液冷模块的壳体与封装表面形成的空腔内可以填充散热液体,将热电转换单元的第二端置于空腔内,以使散热液体可以对热电转换单元进行散热,提高热能回收结构的散热效率,同时,当芯片发热严重时,热电转换单元的第一端温度升高,散热液体可以使热电转换单元第二端处于一个较低的温度,由此,可以使得热电转换单元的第一端和第二端的温差变大,提高热电转换单元的热电转换效率。
一实施例中,所述空腔包括入水口和出水口;所述液冷模块还包括液冷控制单元;所述液冷控制单元与所述壳体的入水口和出水口连接,所述液冷控制单元用于调控所述散热液体的流量。
本申请实施例中,壳体包括入水口和出水口,利用液冷控制单元可以控制散热液体的流动,由此,通过液冷控制单元可以控制空腔内的散热液体循环流动,使得散热液体整体保持在较低的温度,从而使得散热液体能够有效地对热电转换单元进行散热,提高热能回收结构的散热效率,同时,还可以使热电转换单元的第一端和第二端之间的温差维持在一个较大的值,从而提高热电转换单元的热电转换效率。
第二方面,本申请实施例提供一种芯片,包括:芯片本体;封装体,所述芯片本体设置在所述封装体内;如第一方面任一项所述的热能回收结构,穿过所述封装体与所述芯片本体连接。
第三方面,本申请实施提供一种电子设备,包括:如第二方面所述的芯片。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本申请的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为现有技术中芯片封装结构示意图;
图2为本申请实施例提供一种热能回收结构的示意图;
图3为本申请实施例提供的选通单元的连接示意图;
图4为本申请实施例提供的选通单元串联示意图;
图5为本申请实施例提供的选通单元连接示意图;
图6为本申请实施例提供的液冷模块连接示意图;
图7为本申请实施例提供的一种芯片的示意图。
图标:热能回收结构100;热电转换单元110;导热柱111;电能输出端120;选通单元130;壳体141;散热液体142;液冷控制单元143;芯片本体210;封装体220;基板230。
具体实施方式
为了使本申请实施例的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本申请进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请,并不用于限定本申请。
首先,为便于理解本申请的热能回收结构与需散热的芯片之间的关系,先对现有技术芯片封装结构进行说明。
如图1所示,封装完成后的芯片包括基板,与基板连接的芯片本体,以及封装体。
芯片本体为硅晶粒,由晶圆切割得到,在芯片本体上设置有半导体器件,如二极管等,用于实现其对应器件的功能。芯片本体也为封装后芯片的热源。封装体可以为塑封材料等,通过对芯片本体和基板进行封装,减少外接环境对芯片本体的影响。芯片的封装结构可以参考现有技术,在此不进一步展开。
接下来,将对本申请所提供的热能回收结构进行说明。请参阅图2,图2为本申请实施例提供一种热能回收结构100的示意图。热能回收结构100包括:热电转换单元110和输出端。
热电转换单元110,包括两端,分别为第一端和第二端。
如图2所示,第一端用于与封装体内的芯片本体连接,第二端自所述芯片本体的表面延伸出封装体外。其中,第一端或第二端并非特指热电转换单元110上的其中一端,第一端和第二端可以基于其所在位置或所连接的器件进行区分。
可以理解,封装体和基板将芯片封闭在一个密闭的环境中,封装体和基板不利于芯片散热,因此,芯片本体发热使得整个芯片内部温度较高,而芯片所在的外部工作环境相较于芯片内部,温度更低。
在本申请实施例中,热电转换单元110的第一端与封装体内的芯片本体连接,由此,热电转换单元110的第一端可以吸收芯片本体所散发的热量,从而第一端的温度升高。第一端和第二端是热电转换单元110上的不同部位,当第一端的温度升高后,第二端温度较低,则第一端会将热量传递至第二端进行散热。由于第一端是直接与芯片本体接触连接,相较于现有技术中将散热结构设置在基板上,将热电转换单元110与芯片本体连接可以降低基板对芯片散热的不利影响,直接对芯片本体进行散热,提高散热效率。
热电转换单元110可以基于第一端和第二端之间的温差产生电能。热电转换单元110的热电转换原理可以参考现有技术,在此不进行赘述。
其中,由于封装体和基板会影响芯片本体的散热,使得芯片内部温度高于芯片外部,例如,芯片内部的温度会高于基板表面和封装体表面的问题。相较于热电转换结构设置在芯片外部的问题,本申请实施例中,将第一端与封装体内的芯片本体连接,可以使得第一端和第二端的温差更大,而热电转换效率与温差相关,温差越大,热电转换效率越高,因此,将第一端和芯片本体连接,将第二端延伸出封装体外可以有效提高热电转换效率越高。
电能输出端120,与热电转换单元110的第二端连接,用于输出电能。
热电转换单元110通过温差转换得到电能之后,可以将电能输出使用。本实施例中,电能输出端120可以是与热电转换单元110电连接的导线或接口等,用电器件或设备可以与电能输出端120电连接,以将热电转换的电能输出至用电器件或设备进行使用。电能输出端120的结构可以有不同形式,上述仅为示例,不应成为对本申请的限制。
在一些实施例中,用电器件可以是热能回收结构100所连接的芯片本体,将电能输出端120与芯片本体的电源端连接,以为芯片本体供电。
一实施例中,热电转换单元110可以为多个,每一热电转换单元110至少包括两个导热柱111;热电转换单元110的第一端包括两个导热柱111的第一端,热电转换单元110的第二端包括两个导热柱111的第二端,两个导热柱111之间能够产生塞贝克效应;每一热电转换单元110内,两个导热柱111的第一端电连接;不同热电转换单元110中能够产生塞贝克效应的两个导热柱111的第二端电连接。
塞贝克效应为一种热电效应,其原理为将两种不同材料类型的导体连接成闭合回路,若两个接点的温度不同,则闭合回路中将产生一个电势,称为“热电势”,且温度差越大,热电势亦越大。塞贝克效应的具体原理可以参考现有技术,在此不再展开。
本实施例中,热电转换单元110可以是由塞贝克效应的导热柱111组成,导热柱111至少具有两根,且两根分别为不同类型的材料,例如,P型导电材料和N型导电材料,具有塞贝克效应的材料可以参考现有技术,在此不进行赘述。
本实施例中,热电转换单元110的第一端包括两个导热柱111的第一端,热电转换单元110的第二端包括两个导热柱111的第二端。如图2所示,热电转换单元110或导热柱111的第一端均为与芯片本体连接的一端,反之,热电转换单元110或导热柱111的第二端均为延伸出封装体外的一端。
如图2所示,同一热电转换单元110内,两个导热柱111的第一端电连接,其中,导热柱111的第一端可以通过导线材料连接,在一些实施例还可以通过芯片本体上的导电层实现两个导热柱111之间的电连接。
如图2所示,当同一热电转换单元110仅有一对导热柱111时,不同热电转换单元110之间,不同材料类型的导热柱111电连接,例如,第一个热电转换单元110中的P型材料导热柱111与第二个热电转换单元110中的P型材料导热柱111电连接。当同一热电转换单元110包括多对导热柱111时,连接方式与上述相似,在此不再赘述。
在一些实施例中,热电转换单元110还可以是具有珀尔帖(Peltier)效应或具有汤姆逊(Thompson)效应的材料组成,珀尔帖效应和汤姆逊效应可以参考现有技术,热电转换单元110的结构可以根据所使用的原理进行适应性调整,在此不进行赘述。
其中,以热电转换单元110包括两个导热柱111为例,热电转换单元110数量可以根据芯片的类型进行设置,包括但不限于根据芯片本体中发热器件的数量、芯片尺寸进行选择,例如,一个较大芯片相较于一个较小尺寸的芯片,可以设置更多的热电转换单元110。
在一些实施例中,热电转换单元110在芯片本体上均匀分布,例如,当导热柱111的直径为30um时,热电转换单元110中P型材料的导热柱111和N型材料导热柱111之间可以间隔40um,不同热电转换单元110之间可以间隔50um,上述仅为示例,不应成为对本申请的限制。
一实施例中,芯片本体的表面具有多个凹槽,每一导热柱111分别设置于不同的凹槽内。
如图2所示,导热柱111可以是直接嵌入芯片本体内部的。本实施例中,在芯片本体的表面上开设凹槽(或称“孔洞”),以使导热柱111可以通过凹槽或孔洞与芯片本体内部连接,增加接触面积,从而使得芯片本体散发的热量能够更好地传递至导热柱111上进行散热,提高散热效率,以及可以使得导热柱111两端的温差更大,提高热电转换效率。
在一些其他的实施例中,导热柱111还可以是通过粘接、焊接或其他的方式与芯片本体连接,上述仅为示例,不应成为对本申请的限制。
一实施例中,热能回收结构100还包括选通单元130,选通单元130包括多个输入端和一个输出端,选通单元130用于基于控制指令使多个输入端中的任意一者与输出端之间的连通;选通单元130的不同输入端分别与不同的热电转换单元110的第二端电连接,每一选通单元130的输出端与电能输出端120电连接。
请参阅图3,图3为本申请实施例提供的选通单元130的连接示意图。
本实施例中,每一个选通单元130可以为一个包括数据选择器的芯片,或多个选通单元130设置在同一芯片上,每一选通单元130为芯片上的一个数据选择器。数据选择器为在多路数据传送过程中,能够根据需要将其中任意一路选出来的电路。
例如,选通单元130可以包括二选一、三选一、四选一等的数据选择器电路等。示例性地,当选通单元130包括二选一的数据选择器电路时,选通单元130包括两个输入端和一个输出端,两个输入端分别与不同的热电转换单元110连接,输出端可以与电能输出端120连接,由此,选通单元130可以输入端所连接的热电转换单元110中的任意一者与电能输出端120连接,以将选择连接的热电转换单元110转换的电能输出。其他类型的数据选择器与热电转换单元110的连接方式与上述类似,在此不再赘述。
其中,在将不同热电转换单元110与同一选通单元130连接时,需将相同材料类型的导热柱111与选通单元130的输入端连接,例如,分别将两个热电转换单元110的P型材料导热柱111与同一选通单元130的输入端连接。
金属凸点(Bump)和触点(Pad)分别设置在芯片相对的两个表面上,如图3所示,选通单元130的芯片底部通过金属凸点与导热柱111连接,并在选通单元130芯片内部的硅穿孔(TSV)内设置导线,将金属凸点与触点连接,从而可以将导热柱111与选通单元130芯片的数据选择器电路连接。
在一些实施例,选通单元130的芯片可以为经过减薄处理的芯片。可以理解,导线具有一定的电阻,会影响电传导的性能,经减薄处理的芯片,其厚度会小于常规芯片的厚度,从而可以使得金属凸点和触点之间的距离减小,进而提高选通单元130的电传导性能,降低选通单元130对热电转换效率的影响。
一实施例中,热能回收结构100还包括选通控制器,选通控制器与选通单元130电连接,选通控制器用于向选通单元130发出控制指令,以控制不同热电转换单元110与电能输出端120之间的连通。
各类具有选通性质的器件通过需通过控制信号实现选通。本实施例中,选通控制器为发出控制信号的电路与设备,选通控制器的控制信号输出端与选通单元130的控制端连接,选通控制器可以向选通单元130发送控制信号,以控制选通单元130的选通。选通控制器的类型可以根据选通单元130的类型进行选择,例如,当选通单元130为传输门组成的数据选择器电路时,选通控制器可以为输出高低电平的信号。上述仅为示例,不应成为对本申请的限定。
本实施例中,通过选通控制器,一方面,可以便于选择不同位置的热电转换单元110输出电能,例如,一些热电转换单元110与芯片本体中热源的温度更近,该类热电转换单元110第一端和第二端温差更大,选择该类热电转换单元110能够更好地输出电能。另一方面,当热电转换单元110存在故障时,可以通过选通控制器使故障的热电转换单元110不与电能输出端120连接,减少因故障热电转换单元110无法输出电能导致热电转换效率降低的情况。
一实施例中,选通单元130为多个,不同选通单元130之间并联和/或串联;多个选通单元130被配置为基于选通控制器的控制,使多个热电转换单元110并联和/或串联,以使电能输出端120输出预设电压。
请参阅图4和图5,图4为本申请实施例提供的选通单元130串联示意图,图5为本申请实施例提供的选通单元130连接示意图。
如图4所示,一选通单元130的输入端可以与上一选通单元130的输出端通过热电转换单元110连接,从而实现串联。如图5所示,图5所示的选通单元130为包括二选一数据选择器的芯片,对于任意一个选通单元130,其包括两个输入端和输出端,两个输入端可以分别与两个热电转换单元110连接,输出端可以通过一个热电转换单元110与下一选通单元130的输入端连接,由此,选通单元130可以根据自身的选通,实现不同选通单元130之间串联和/或并联,进而实现不同热电转换单元110之间的并联和/串联。
可以理解,不同热电转换单元110转换的电能,各自的电压可能不同,用电设备可能对电源电压有要求,因此,本实施例中,可以通过选通控制器对各选通单元130进行控制,以使不同热电转换单元110之间通过并联和/或串联,从而使得输出的电压为符合用电设备需求的预设电压。
一实施例中,热能回收结构100还可以包括储能单元,储能单元与电能输出端120连接。
本实施例中,储能单元可以为各类能够存储电能的器件或设备,例如,电容器、电池等,上述仅为示例。通过储能单元将热电转换单元110所转换得到的电能进行存储,储能单元可以为芯片本体和/或其他器件供电,从而可以提高对热能的利用率。
一实施例中,热能回收结构100还可以包括液冷模块,液冷模块为通过液体进行散热的模块,液冷模块包括壳体141和散热液体142。
请参阅图6,图6为本申请实施例提供的液冷模块连接示意图。
本实施例中,液冷模块的壳体141可以与封装体的外表面连接形成空腔,在空腔内可以填充散热液体142。其中,热电转换单元110的第二端置于散热液体142中。
相较于气体,液体具有更好的吸收热量的能力,吸收相同热量后,液体的温度变化更小,由此,通过液冷模块,可以降低热电转换单元110的第二端所处环境的温度变化率,提高热电转换单元110的散热效率。同时,由于散热液体142的温度变化较小,当芯片本体温度升高时,可以使得热电转换单元110的第二端和第一端之间的温差更大,从而提高热电转换单元110的热电转换效率。
一实施例中,空腔可以包括入水口和出水口;液冷模块还可以包括液冷控制单元143;液冷控制单元143与空腔的入水口和出水口连接,液冷控制单元143用于调控散热液体142的流量。
本实施例中,液冷模块可以为能够进行散热液体142循环的模块。通过在空腔上入水口和出水口,空腔外部液体能够进入空腔内,空腔内的液体能够输出至外部。设置液冷控制单元143,并将液冷控制单元143与入水口和出水口连接,由此,可以通过液冷控制单元143控制空腔内的液体流动,以使空腔内的液体进行循环。其中,液冷控制单元143可以为泵浦(Pump)或其他能够控制液体流动的控制设备。
本实施例中,通过液冷控制单元143控制空腔内的散热液体142流动,可以使得空腔内的散热液体142维持在一个较低的温度,从而维持热电转换单元110第二端的温度,保持或增大热电转换单元110第二端和第一端之间的温差,从而使得热电转换单元110具有较高的热电转换效率。
基于同一发明构思,本申请实施例还提供一种芯片,请参阅图7,图7为本申请实施例提供的一种芯片的示意图,该芯片包括芯片本体210、封装体220、基板230和上述任一项实施例提供的热能回收结构100。
芯片本体210,设置于基板230上。封装体220,对芯片本体210进行覆盖,以使芯片本体210在封装体220内。
热能回收结构100,穿过封装体220与芯片本体210连接。
基于同一发明构思,本申请实施例还提供一种电子设备,电子设备包括上述实施提供的芯片。
本实施例中,电子设备可以是单片机、计算机、服务器或移动终端等,其使用了本申请上述实施例所提供的芯片。以上对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围,而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
在本申请的描述中,还需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
以上所述仅为本申请的实施例而已,并不用于限制本申请的保护范围,对于本领域的技术人员来说,本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (11)
1.一种热能回收结构,其特征在于,包括:
热电转换单元;
每一所述热电转换单元包括第一端和第二端,所述第一端用于与封装体内的芯片本体连接,所述第二端自所述芯片本体的表面延伸出所述封装体外;
所述热电转换单元用于基于所述第一端和所述第二端之间的温差产生电能;
所述第二端用于与电能输出端连接,所述电能输出端用于输出所述电能。
2.根据权利要求1所述的热能回收结构,其特征在于,所述热电转换单元为多个,每一所述热电转换单元至少包括两个导热柱;
所述热电转换单元的第一端包括两个所述导热柱的第一端,所述热电转换单元的第二端包括两个所述导热柱的第二端,两个所述导热柱之间能够产生塞贝克效应;
每一所述热电转换单元内,两个所述导热柱的第一端电连接;
不同所述热电转换单元中能够产生塞贝克效应的两个所述导热柱的第二端电连接。
3.根据权利要求2所述的热能回收结构,其特征在于,所述芯片本体的表面具有多个凹槽,每一所述导热柱分别设置于不同的所述凹槽内。
4.根据权利要求1所述的热能回收结构,其特征在于,所述热电转换单元为多个,所述热能回收结构还包括选通单元,所述选通单元包括多个输入端和一个输出端,所述选通单元用于基于控制指令使多个所述输入端中的任意一者与所述输出端之间的连通;
所述选通单元的不同输入端分别与不同的所述热电转换单元的第二端电连接,每一所述选通单元的输出端与所述电能输出端电连接。
5.根据权利要求4所述的热能回收结构,其特征在于,所述热能回收结构还包括选通控制器,所述选通控制器与所述选通单元电连接,所述选通控制器用于向所述选通单元发出所述控制指令,以控制不同所述热电转换单元与所述电能输出端之间的连通。
6.根据权利要求5所述的热能回收结构,其特征在于,所述选通单元为多个,不同所述选通单元之间并联和/或串联;
多个所述选通单元被配置为基于所述选通控制器的控制,使多个所述热电转换单元并联和/或串联,以使所述电能输出端输出预设电压。
7.根据权利要求1所述的热能回收结构,其特征在于,所述热能回收结构还包括储能单元,所述储能单元与所述电能输出端连接。
8.根据权利要求1-7任一项所述的热能回收结构,其特征在于,所述热能回收结构还包括液冷模块;所述液冷模块包括壳体和散热液体,所述壳体与所述封装体的外表面连接形成空腔,所述空腔填充有所述散热液体;所述热电转换单元的第二端置于所述空腔内。
9.根据权利要求8所述的热能回收结构,其特征在于,所述壳体包括入水口和出水口;所述液冷模块还包括液冷控制单元;
所述液冷控制单元与所述壳体的入水口和出水口连接,所述液冷控制单元用于调控所述散热液体的流量。
10.一种芯片,其特征在于,包括:
芯片本体;
封装体,所述芯片本体设置在所述封装体内;
如权利要求1-9任一项所述的热能回收结构,穿过所述封装体与所述芯片本体连接。
11.一种电子设备,其特征在于,包括:如权利要求10所述的芯片。
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CN202321370918.6U CN219892176U (zh) | 2023-05-31 | 2023-05-31 | 一种热能回收结构、芯片及电子设备 |
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