CN219881569U - 激光刻蚀设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种激光刻蚀设备。设备包括上扫描腔和刻划腔，上扫描腔的上端设有第一扫描装置，上扫描腔下端设有第一真空吸附平台，第一真空吸附平台上设有第一吸附孔；刻划腔的一端连通上扫描腔的一端，刻划腔的上端设有激光装置，刻划腔的下端设有第二真空吸附平台，第二真空吸附平台上设有第二吸附孔；上扫描腔和刻划腔的下端设有可以上下移动的传输带。该设备可以提高芯片刻线的准确性，在刻线前，通过扫描确保上工序刻线和本工序刻线始终保持预定距离，提高芯片转化率。

Description

激光刻蚀设备

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种激光刻蚀设备。

背景技术

钙钛矿太阳能电池是利用钙钛矿型的有机金属卤化物半导体作为吸光材料的太阳能电池。近年来，钙钛矿太阳能电池的最高光电转换效率从3.8％提高到了25.7％。该光电转换效率不仅超过了发展较早的其它薄膜太阳能电池，更是已经逼平甚至超过了诸如多晶硅太阳能电池等发展多年的产业化太阳能电池技术，显示出巨大的产业开发前景。

钙钛矿太阳能电池一般包括：1.前电极，为透明导电玻璃或柔性透明导电膜；2.第一载流子传输层，为P型或者N型半导体材料，为金属氧化物或有机半导体材料；3.钙钛矿光吸收层ABX₃材料，A为甲胺基MA、甲脒基FA、铯Cs等一价基团或离子；B为铅Pb、Sn等二价元素或两个一价元素离子；X为卤族元素或其他负一价基团；4.第二载流子传输层，为N型或者P型半导体材料，为金属氧化物或有机半导体材料；5.背电极，可以是金属材料、石墨或者导电氧化物。

在产业化钙钛矿太阳能电池模块的生产过程中，不同的薄膜被沉积在大面积玻璃基板上。每层薄膜被沉积后，均利用激光对膜层进行刻蚀，并使各个电池之间自动串联起来。这样，就能够根据电池宽度设定电池和模块的电流。精确的选择性非接触式激光加工，能够可靠地集成到薄膜太阳能电池模块的生产线中，前电极层进行P1激光刻蚀；第一载流子传输层、钙钛矿吸收层和第二载流子传输层进行P2激光刻蚀；背电极层进行P3激光刻蚀。

目前主流的激光设备，采用Inline设计，芯片通过传动系统将芯片传动到刻划区域，通过定位气缸进行定位，使用视觉检测利用三点定位的原理，检测第一根线的一侧边缘与最后一根线的两侧边缘，用于刻线的定位，然后进行刻线的盲刻。但是在前道工序刻线出现偏移或者倾斜时，不能及时纠正本工序刻线。芯片在前道进行镀膜工艺后，芯片会由于高温的影响，产生翘曲，导致前道工序刻线也会根据芯片的翘曲产生波动，在进行后续刻划时，由于没有对中间的刻线进行扫描，只能进行盲刻，盲刻的刻线会与前道工序刻线重叠或者分离；而且盲刻的刻线由于芯片的翘曲，刻划的焦点不能实时作用在膜层上，导致刻划效果变差，出现需刻划的膜层没有完全刻断或者不该刻划的膜层出现损伤的问题。

实用新型内容

本实用新型旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本实用新型的一个目的在于提出一种激光刻蚀设备。该设备可以将高温翘曲的芯片吸平，提高芯片刻线的准确性，同时在刻线前，通过扫描确保上工序刻线和本工序刻线始终保持预定距离，提高芯片转化率。

本实用新型的一个方面，本实用新型公开了一种激光刻蚀设备。根据本实用新型的实施例，该设备包括：

上扫描腔，所述上扫描腔的上端设有第一扫描装置，所述上扫描腔下端设有第一真空吸附平台，所述第一真空吸附平台上设有第一吸附孔；

刻划腔，所述刻划腔的一端连通所述上扫描腔的一端，所述刻划腔的上端设有激光装置，所述刻划腔的下端设有第二真空吸附平台，所述第二真空吸附平台上设有第二吸附孔；

所述上扫描腔和所述刻划腔的下端设有可以上下移动的传输带。

根据本实用新型上述实施例的激光刻蚀设备，包括上扫描腔和刻划腔，上扫描腔和刻划腔的下端设有可以上下移动的传输带，上扫描腔的上端设有第一扫描装置，上扫描腔下端设有第一真空吸附平台，第一真空吸附平台上设有第一吸附孔，完成上道工序的芯片传输至上扫描腔内，此时上扫描腔内的传输带向下移动，使芯片置于上扫描腔内的第一真空吸附平台上，第一真空吸附平台通过其上面的第一吸附孔牢固的将芯片吸附在第一真空吸附平台上，因为上道工序高温的影响，芯片产生翘曲，通过第一真空吸附平台的吸附力可以将芯片翘曲的部分吸平，避免了芯片翘曲对本工序刻划的影响，在本工序刻划中可以使激光焦点实时对应需要刻划的膜层上，同时上扫描腔的上端设有第一扫描装置，可以对前道工序刻线的路径实时掌控，从而使本工序刻线与前道工序的刻线始终保持设定的距离，避免出现倾斜的情况，进而增加工艺窗口，降低死区面积，提高芯片转换率。

刻划腔的一端连通上扫描腔的一端，刻划腔的上端设有激光装置，所述刻划腔的下端设有第二真空吸附平台，所述第二真空吸附平台上设有第二吸附孔，芯片在上扫描腔内完成扫描后，上扫描腔内的第一真空吸附平台解除吸附，上扫描腔内的传输带上移，芯片置于传输带上，将芯片传输至刻划腔，此时刻划腔内的传输带下移，芯片置于刻划腔的第二真空吸附平台上，通过第二真空吸附平台上的第二吸附孔将芯片牢牢吸附固定，激光装置开始对芯片进行刻划。由此，该设备可以将高温翘曲的芯片吸平，提高芯片刻线的准确性，同时在刻线前，通过扫描确保上工序刻线和本工序刻线始终保持预定距离，提高芯片转化率。

另外，根据本实用新型上述实施例的激光刻蚀设备还可以具有如下技术特征：

在本实用新型的一些实施例中，所述激光装置包括激光头、折光器、分光器和激光器，所述激光器发射激光，所述分光器将所述激光分成多束光，所述折光器将所述多束光折送至所述激光头对芯片进行划线。由此，可以节约激光器，提高刻划效率。

在本实用新型的一些实施例中，所述分光器包括物理分光器和DOE分光器，所述物理分光器由多个镜片组成。由此，可以节约激光器，提高刻划效率。

在本实用新型的一些实施例中，所述激光头的旁边设有集尘口，所述集尘口连接集尘器。由此，可以实现较好的集尘、吸尘效果。

在本实用新型的一些实施例中，激光装置还包括冷水机。由此，可以对激光器进行冷却。

在本实用新型的一些实施例中，还包括上料传输腔，所述上料传输腔的一端连通所述上扫描腔的另一端，所述上料传输腔的下端设有上料传输带，在所述上料传输腔另一端的芯片入口处设有定位机构。由此，可以纠正前工序芯片的偏斜。

在本实用新型的一些实施例中，沿所述上料传输带的传输方向所述上料传输腔的两端分别设有第一夹爪。由此，可以夹持芯片放置在上扫描腔内。

在本实用新型的一些实施例中，沿所述上料传输带的传输方向所述上料传输腔和所述上扫描腔的两端分别设有第一滑轨，所述第一夹爪沿所述第一滑轨移动。由此，可以夹持芯片放置在上扫描腔内。

在本实用新型的一些实施例中，还包括下扫描腔，所述下扫描腔的一端连通所述刻划腔的另一端，所述下扫描腔的上端设有第二扫描装置，所述下扫描腔下端设有第三真空吸附平台，所述第三真空吸附平台上设有第三吸附孔，所述下扫描腔的下端设有可以上下移动的传输带。由此，刻划完成后通过再次扫描，实现对刻线的自检，降低芯片的不合格率。

在本实用新型的一些实施例中，还包括下料传输腔，所述下料传输腔的一端连通所述下扫描腔的另一端，所述下料传输腔的下端设有下料传输带，沿所述下料传输带的传输方向所述下扫描腔的两端分别设有第二夹爪，沿所述下料传输带的传输方向所述下料传输腔和所述下扫描腔的两端分别设有第二滑轨，所述第二夹爪沿所述第二滑轨移动。由此，可以将芯片从下扫描腔内夹持输送至下料传输腔内。

本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是本实用新型实施例的激光刻蚀设备俯视结构图；

图2是本实用新型实施例的物理分光器分光过程图；

图3是本实用新型实施例的DOE分光器分光效果图；

图4是本实用新型实施例1制备的钙钛矿太阳能电池基本结构示意图。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。

本实用新型的一个方面，本实用新型公开了一种激光刻蚀设备。根据本实用新型的实施例，参考图1，该设备包括：上扫描腔100和刻划腔200。

根据本实用新型的实施例，参考图1，上扫描腔100的上端设有第一扫描装置110，上扫描腔100的下端设有第一真空吸附平台400和可以上下移动的传输带500，第一真空吸附平台400上设有第一吸附孔401。完成上道工序的芯片传输至上扫描腔100内，此时上扫描腔100内的传输带500向下移动，使芯片置于上扫描腔100内的第一真空吸附平台400上，第一真空吸附平台400通过其上面的第一吸附孔401将芯片牢固吸附在第一真空吸附平台400上，因为上道工序高温的影响，芯片产生翘曲，通过第一真空吸附平台400的吸附力可以将芯片翘曲的部分吸平，避免了芯片翘曲对本工序刻划的影响，在本工序刻划中可以使激光焦点实时对应需要刻划的膜层上，同时上扫描腔100的上端设有第一扫描装置110，可以对前道工序刻线的路径实时掌控，从而使本工序刻线与前道工序的刻线始终保持设定的距离，避免出现倾斜的情况，进而增加工艺窗口，降低死区面积，提高芯片转换率。

根据本实用新型的实施例，参考图1，刻划腔200的一端连通上扫描腔100的一端，刻划腔200的上端设有激光装置(未示出)，刻划腔200的下端设有第二真空吸附平台410和可以上下移动的传输带500，第二真空吸附平台410上设有第二吸附孔411。芯片在上扫描腔100内完成扫描后，上扫描腔100内的第一真空吸附平台400解除吸附，上扫描腔100内的传输带500上移，芯片置于传输带500上，将芯片传输至刻划腔200，此时刻划腔200内的传输带500下移，芯片置于刻划腔200的第二真空吸附平台410上，通过第二吸附孔411将芯片牢牢吸附固定，激光装置开始对芯片进行刻划。

根据本实用新型的实施例，参考图1，激光装置包括激光头10、折光器20、分光器30和激光器40，激光器40发射激光，分光器30将激光分成多束光，折光器20将多束光折送至激光头10对芯片进行划线。通过分光器20将激光器40产生的一束激光分成了多束激光，节约了激光器，可同时刻划多条线，提高了刻划效率。

根据本实用新型的实施例，分光器30包括物理分光器和DOE分光器，物理分光器由多个镜片组成。物理分光器可以一次分多束光，并能够灵活调整光束的偏移，分出的光束也比较稳定。例如，参考图2，激光器发射的10mw的激光通过第一全反射镜1全反射至第一反射透光镜2，其中将10mw光的50％光透过第一反射透光镜2到第二全反射镜3，10mw光的50％反射到第二反射透光镜4，第二全反射镜3将5mw光全部反射到第三反射透光镜8，第二反射透光镜4将5mw光的75％的光透过到第四反射透光镜5，第二反射透光镜4将5mw光的25％的光反射至衰减镜片12，第四反射透光镜5将5mw光的25％的光反射至衰减镜片12，第四反射透光镜5将3.75mw光的66.66％透过到第六反射透光镜6，第六反射透光镜6将3.75mw光的33.33％的光反射到衰减镜片12，第六反射透光镜6将2.5mw光的50％透过至第三全反射镜7，第三全反射镜7将2.5mw光的50％反射至衰减镜片12，第三反射透光镜8将5mw光的25％反射至衰减镜片12，第三反射透光镜8将5mw光的75％透光至第五反射透光镜9，第五反射透光镜9将5mw光的25％反射至衰减镜片12，第五反射透光镜9将3.75mw光的66.66％的光透过到第七反射透光镜10，第七反射透光镜10将3.75mw光的33.33％反射到衰减镜片12，第七反射透光镜10将2.5mw光的50％透过到第四全反射镜11，第四全反射镜11将2.5mw光的50％全反射至衰减镜片12，衰减镜片12可以对每束激光的功率进行矫正。如图3，矫正后的激光通过光纤引导至DOE分光器800，利用衍射原理再将物理分光器分出的每一束光分为4束，每束激光后均有衰减片，对分光后的激光进行矫正，通过物理分光与DOE分光将一束激光分为32束，并且每束激光可以实现相同的功率。由此，本申请通过将物理分光器和DOE分光结合，可以节约激光器，提高刻划效率。需要说明的是，物理分光器具体分光的光束数量可根据实际进行设定，具体可通过改变全反射镜和反射透光镜的数量进行确定。

根据本实用新型的实施例，激光头10的旁边设有集尘口(未示出)，集尘口连接集尘器。在激光头对膜层进行刻蚀时，会产生很多粉尘，从而影响激光的刻蚀，在激光头10的旁边设有集尘口，实时将激光刻蚀产生的粉尘吸附至集尘器中，提高刻划的精确度。需要说明的是，集尘口可以通过优化，调整与激光头的距离与角度，实现较好的集尘、吸尘效果，对于具体的角度和距离，本领域技术人员可根据实际进行选择。进一步地，激光装置还包括冷水机50，可以对激光器40进行冷却。

根据本实用新型的实施例，参考图1，设备还包括上料传输腔600，上料传输腔600的一端连通上扫描腔100的另一端，上料传输腔600的下端设有上料传输带610，在上料传输腔600另一端的芯片入口处设有定位机构620。芯片在完成上一工序后，可能会产生细微的偏斜，定位机构620可以重新调整芯片的位置，然后经过上料传输带610输送至上扫描腔100内。

根据本实用新型的实施例，参考图1，沿上料传输带610的传输方向上料传输腔600的两端分别设有第一夹爪630，从而可以夹持上料传输带610上的芯片至上扫描腔100内。进一步地，沿上料传输带610的传输方向上料传输腔600和上扫描腔100的两端分别设有第一滑轨640，第一夹爪630沿第一滑轨640移动。通过直线电机控制，第一夹爪630夹持芯片，沿着第一滑轨640移动至上扫描腔100内，然后将芯片放置在上扫描腔100内的传输带500上。

根据本实用新型的实施例，参考图1，设备还包括下扫描腔300，下扫描腔300的一端连通刻划腔200的另一端，下扫描腔300的上端设有第二扫描装置310，下扫描腔300的下端设有第三真空吸附平台420和可以上下移动的传输带500，第三真空吸附平台420上设有第三吸附孔421。芯片刻划完成后，刻划腔200内的第二真空吸附平台410解除对芯片的吸附，刻划腔200内的传输带500上移，将芯片传输至下扫描腔300内，此时下扫描腔300内的传输带500下移，下扫描腔300内的第三真空吸附平台420通过第三吸附孔421将芯片进行吸附，第二扫描装置310对芯片进行扫描，从而可以对刻划后的芯片进行自检，实时掌握本工序刻线和上工序刻线的准确距离，为后期工艺分析提供可靠数据，在下扫描腔内完成扫描的芯片运出设备。

根据本实用新型的实施例，参考图1，设备还包括下料传输腔700，下料传输腔700的一端连通下扫描腔300的另一端，下料传输腔700的下端设有下料传输带710，沿下料传输带710的传输方向下扫描腔300的两端分别设有第二夹爪720，从而第二夹爪720可以将芯片从下扫描腔300内夹持放置在下料传输腔700的下料传输带710。进一步地，沿下料传输带710的传输方向下料传输腔700和下扫描腔300的两端分别设有第二滑轨730，第二夹爪720沿第二滑轨730移动。通过直线电机控制，第二夹爪720夹持芯片，沿着第二滑轨730移动至下料传输腔700内，然后将芯片放置在下料传输腔700内的下料传输带710上。

下面参考具体实施例，对本实用新型进行描述，需要说明的是，这些实施例仅仅是描述性的，而不以任何方式限制本实用新型。

实施例1

(1)参考图4，在超白玻璃衬底6上形成透明导电层(TCO层)作为底电极层5，对底电极层5进行P1激光刻蚀后，P1刻蚀区域使底电极层5形成多个间隔分布的子底电极层，其中，底电极层5上可以形成一个或多个间隔分布的P1刻蚀区域。在衬底6上形成底电极层5之前可以预先对衬底6进行清洗，具体可以依次采用清洗剂清洗和去离子高温高压冲洗，再用热的压缩空气吹干，或者先后经过工业清洗剂、乙醇、丙酮和去离子水超声清洗，以去除衬底表面的杂质。

需要说明的是，本领域技术人员可根据实际对具体的激光刻蚀工艺参数以及P1刻蚀区域的宽度进行选的，例如激光功率可以为15-25％，例如可以为15％、17％、19％、21％、23％或25％等；激光脉宽可以为2-200ns，例如可以为2ns、10ns、20ns、30ns、50ns、80ns、100ns、130ns、160ns或200ns等；激光频率可以为5-200kHz，例如可以为5kHz、10kHz、20kHz、50kHz、80kHz、120kHz、150kHz、180kHz或200kHz等；激光加工速率可以为0.2-2m/s，例如可以为0.2m/s、0.5m/s、0.8m/s、1.2m/s、1.5m/s、1.8m/s或2m/s等。每个P1刻蚀区域的宽度可以为20-50μm，例如可以为20μm、25μm、30μm、35μm、40μm、45μm或50μm等。

(2)在底电极层5和P1刻蚀区域上依次形成第一载流子传输层4、钙钛矿吸收层3和第二载流子传输层2，并基于预设的P1刻蚀区域和P2刻蚀区域之间的间距对第一载流子传输层4、钙钛矿吸收层3和第二载流子传输层2进行P2离焦激光刻蚀。在P2离焦激光刻蚀前，芯片因为前道工序高温会翘起，参考图1，此时，将上述芯片先通过上扫描腔100，上扫描腔100内的传输带500向下移动，使芯片置于上扫描腔100内的第一真空吸附平台400上，第一真空吸附平台400通过其上面的第一吸附孔401将芯片牢固吸附在第一真空吸附平台400上，通过第一真空吸附平台400的吸附力可以将芯片翘曲的部分吸平，上扫描腔100的上端的第一扫描装置110，可以对前道工序(1)刻线的路径实时掌控，从而使本工序刻线与前道工序的刻线始终保持设定的距离，避免出现倾斜的情况。芯片在上扫描腔100内完成扫描后，上扫描腔100内的第一真空吸附平台400解除吸附，上扫描腔100内的传输带500上移，芯片置于传输带500上，将芯片传输至刻划腔200，此时刻划腔200内的传输带500下移，芯片置于刻划腔200的第二真空吸附平台410上，通过第二吸附孔411将芯片牢牢吸附固定，激光装置开始对芯片进行刻划。具体地，P2离焦激光刻蚀通过调整焦点的位置，在离焦的情况下对第一载流子传输层4、钙钛矿吸收层3和第二载流子传输层2薄膜进行P2刻蚀，利用激光焦深边缘区域的能量对薄膜进行加工。完成刻蚀后，将芯片传输至下扫描腔300内，下扫描腔300内的传输带500下移，下扫描腔300内的第三真空吸附平台420通过第三吸附孔421将芯片进行吸附，第二扫描装置310对芯片进行扫描，从而可以对刻划后的芯片进行自检。

需要说明的是，本领域技术人员可根据实际对P2离焦激光刻蚀的具体工艺参数进行选择。P2离焦激光刻蚀采用的激光功率可以为10-80％，例如可以为10％、20％、30％、40％、50％、60％、70％或80％等；激光脉宽可以为2-200ns，例如可以为2ns、10ns、20ns、30ns、50ns、80ns、100ns、130ns、160ns或200ns等；激光频率可以为15-85kHz，例如可以为15kHz、20kHz、25kHz、35kHz、45kHz、55kHz、65kHz、75kHz或85kHz等；激光加工速率为0.2-2m/s，例如可以为0.2m/s、0.5m/s、0.8m/s、1.2m/s、1.5m/s、1.8m/s或2m/s等；离焦距离可以为0.01-2mm，例如可以为0.01mm、0.05mm、0.1mm、0.3mm、0.5mm、0.8mm、1mm、1.2mm、1.5mm、1.8mm或2mm等。P2离焦激光刻蚀在刻蚀面上形成的激光光斑直径可以为10-100μm，例如可以为10μm、20μm、30μm、50μm、65μm、80μm或100μm等，每个P2刻蚀区域的宽度可以为50-500μm，例如可以为50μm、100μm、150μm、200μm、250μm、300μm、350μm、400μm、450μm或500μm等，每个P2刻蚀区域中可以分布独立地包括多根P2刻蚀线且相邻两根P2刻蚀线的中心间距可以为5～100μm，例如可以为10μm、20μm、30μm、50μm、65μm、80μm或100μm等。

(3)在第二载流子传输层2和P2刻蚀区域上形成顶电极层1，并基于预设的P1刻蚀区域和P3刻蚀区域之间的间距对顶电极层1、第一载流子传输层4、钙钛矿吸收层3和第二载流子传输层2进行P3离焦激光刻蚀，得到具有串联结构的钙钛矿组件。

需要说明的是，本领域技术人员可根据实际对P3离焦激光刻蚀的工艺参数进行选择。例如P3离焦激光刻蚀采用的激光功率可以为10-80％，激光脉宽可以为2-200ns，激光频率可以为15-85kHz，激光加工速率可以为0.2-2m/s，正离焦可以为0.01-2mm，P3离焦激光刻蚀在刻蚀面上形成的激光光斑直径为10-100μm，每个P3刻蚀区域的宽度为50-500μm。P3离焦激光刻蚀可以采用波长为1064nm的红外激光、波长为532nm的绿激光或波长为355nm的紫外激光进行。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (10)

1.一种激光刻蚀设备，其特征在于，包括：

上扫描腔，所述上扫描腔的上端设有第一扫描装置，所述上扫描腔下端设有第一真空吸附平台，所述第一真空吸附平台上设有第一吸附孔；

刻划腔，所述刻划腔的一端连通所述上扫描腔的一端，所述刻划腔的上端设有激光装置，所述刻划腔的下端设有第二真空吸附平台，所述第二真空吸附平台上设有第二吸附孔；

所述上扫描腔和所述刻划腔的下端设有可以上下移动的传输带。

2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述激光装置包括激光头、折光器、分光器和激光器，所述激光器发射激光，所述分光器将所述激光分成多束光，所述折光器将所述多束光折送至所述激光头对芯片进行划线。

3.根据权利要求2所述的设备，其特征在于，所述分光器包括物理分光器和DOE分光器，所述物理分光器由多个镜片组成。

4.根据权利要求2所述的设备，其特征在于，所述激光头的旁边设有集尘口，所述集尘口连接集尘器。

5.根据权利要求2所述的设备，其特征在于，所述激光装置还包括冷水机。

6.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，还包括上料传输腔，所述上料传输腔的一端连通所述上扫描腔的另一端，所述上料传输腔的下端设有上料传输带，所述上料传输腔另一端的芯片入口处设有定位机构。

7.根据权利要求6所述的设备，其特征在于，沿所述上料传输带的传输方向所述上料传输腔的两端分别设有第一夹爪。

8.根据权利要求7所述的设备，其特征在于，沿所述上料传输带的传输方向所述上料传输腔和所述上扫描腔的两端分别设有第一滑轨，所述第一夹爪沿所述第一滑轨移动。

9.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，还包括下扫描腔，所述下扫描腔的一端连通所述刻划腔的另一端，所述下扫描腔的上端设有第二扫描装置，所述下扫描腔下端设有第三真空吸附平台，所述第三真空吸附平台上设有第三吸附孔，所述下扫描腔的下端设有可以上下移动的传输带。

10.根据权利要求9所述的设备，其特征在于，还包括下料传输腔，所述下料传输腔的一端连通所述下扫描腔的另一端，所述下料传输腔的下端设有下料传输带，沿所述下料传输带的传输方向所述下扫描腔的两端分别设有第二夹爪，沿所述下料传输带的传输方向所述下料传输腔和所述下扫描腔的两端分别设有第二滑轨，所述第二夹爪沿所述第二滑轨移动。