CN219842911U - 一种具有永磁体的灭弧室 - Google Patents

Abstract

一种具有永磁体的灭弧室，属于低压电器技术领域。包括壳体，壳体内具有一灭弧腔，在该壳体的后侧构成有一永磁体容纳腔，而在壳体的前侧构成有一动触头摆动间隙，该动触头摆动间隙以及所述的永磁体容纳腔彼此前后对应；所述永磁体容纳腔内安装有永磁体，所述永磁体至少包括一上永磁块和一下永磁块，该上永磁块与下永磁块上下间隔设置，上永磁块伸入灭弧室内部的磁极和下永磁块伸入灭弧室内部的磁极极性相反。优点：由磁极彼此相反的上、下永磁块将产生于动触头摆动间隙区域并且进入灭弧腔内的电弧拉长而便于电弧快速熄灭，从而能显著提高灭弧速度。

Description

一种具有永磁体的灭弧室

技术领域

本实用新型属于低压电器技术领域，具体涉及一种具有永磁体的灭弧室。

背景技术

断路器作为低压配电网络中对电路和用电设施起保护作用的重要的电器设备（也称“开关电器”），具体而言，其在配电线路中起承载、接通和分断正常电流、接通和分断故障电流、保护负载安全、避免受到故障电流的破坏的作用。配置于断路器内的灭弧室的作用是熄灭电弧，避免电弧对断路器自身带来损害。

由于相对于交流分断情形而言，在直流分断中，电弧往往更难熄灭，因而给领域内的技术人员在对直流断路器设计中显著增大了技术层面的关注度。为了提高灭弧能力，利用永磁体将电弧驱向灭弧室的一侧以实现分断不同电流方向的直流电流这不失为是一种有益的技术措施。但是，由于每次分断都仅仅用到了断路器的一侧，因而灭弧室的空间并未得到全面利用。

实用新型内容

本实用新型的任务在于提供一种有助于充分利用灭弧室的空间而得以使电弧拉长而显著提高灭弧速度的具有永磁体的灭弧室。

本实用新型的任务是这样来完成的，一种具有永磁体的灭弧室，包括壳体，壳体内具有一灭弧腔，在该壳体的后侧构成有一永磁体容纳腔，而在壳体的前侧构成有一动触头摆动间隙，该动触头摆动间隙以及所述的永磁体容纳腔彼此前后对应；所述永磁体容纳腔内安装有永磁体，所述永磁体 至少包括一上永磁块和一下永磁块，该上永磁块与下永磁块上下间隔设置，上永磁块伸入灭弧室内部的磁极和下永磁块伸入灭弧室内部的磁极极性相反。

在本实用新型的一个具体的实施例中，还包括导磁体，所述的导磁体包括与所述壳体的左端外壁相配合的左导磁体和与壳体的右端外壁相配合的右导磁体。

在本实用新型的另一个具体的实施例中，在所述壳体的左端前侧构成有一左导磁体前壁体插嵌槽，所述左导磁体构成有一敞口朝向右的左导磁体壳体左端插入腔，所述壳体的左端插入左导磁体壳体左端插入腔，而左导磁体的左导磁体前壁体与所述左导磁体前壁体插嵌槽插嵌配合；在壳体的右端前侧构成有一右导磁体前壁体插嵌槽，所述右导磁体构成有一敞口朝向左的右导磁体壳体右端插入腔，所述壳体的右端插入右导磁体壳体右端插入腔，而右导磁体的右导磁体前壁体与所述右导磁体前壁体插嵌槽插嵌配合。

在本实用新型的又一个具体的实施例中，所述永磁体容纳腔包括彼此独立的一上永磁块腔和一下永磁块腔，或者为由所述上永磁块腔 和下永磁块腔合而为一而构成一永磁块公共容纳腔。

在本实用新型的再一个具体的实施例中，所述左导磁体以及右导磁体各为磁钢并且形状呈“匚”字形。

在本实用新型的还有一个具体的实施例中，在所述灭弧腔内设置有灭弧组件，该灭弧组件包括一左灭弧栅片组和一右灭弧栅片组，左灭弧栅片组位于所述灭弧腔的左端，而右灭弧栅片组位于所述灭弧腔的右端，所述左灭弧栅片组由自下而上间隔设置的多枚左灭弧栅片构成，所述右灭弧栅片组由自下而上间隔设置的多枚右灭弧栅片构成。

在本实用新型的更而一个具体的实施例中，构成所述左灭弧栅片组的所述左灭弧栅片各具有一左灭弧栅片第一缺口和左灭弧栅片第二缺口，该左灭弧栅片第一缺口以及左灭弧栅片第二缺口的开口部位朝向所述动触头摆动间隙，并且左灭弧栅片第二缺口位于左灭弧栅片第一缺口的左侧。

在本实用新型的进而一个具体的实施例中，构成所述右灭弧栅片组的所述右灭弧栅片各具有一右灭弧栅片第一缺口和右灭弧栅片第二缺口，该右灭弧栅片第一缺口以及右灭弧栅片第二缺口的开口部位同样朝向所述动触头摆动间隙，并且右灭弧栅片第二缺口位于右灭弧栅片第一缺口的右侧。

在本实用新型的又更而一个具体的实施例中，所述灭弧组件还包括有中间灭弧栅片组，该中间灭弧栅片组位于所述上永磁块以及下永磁块之间，并且该中间灭弧栅片组由自下而上间隔设置的多枚中间灭弧栅片构成。

本实用新型提供的技术方案由于在壳体的后侧构成有一永磁体容纳腔，在永磁体容纳腔内设置了由上、下永磁块组成的永磁体，因而由磁极彼此相反的上、下永磁块将产生于动触头摆动间隙区域并且进入灭弧腔内的电弧拉长而便于电弧快速熄灭，从而能显著提高灭弧速度。

附图说明

图1为本实用新型的壳体、左导磁体、右导磁体和永磁体的一实施例示意图；

图2为图1组装后的结构图；

图3为图2的正面剖视图；

图4为在灭弧腔内设置灭弧组件的一实施例示意图；

图5为在灭弧腔内设置灭弧组件的另一个实施例示意图；

图6为在灭弧腔内设置灭弧组件的再一个实施例示意图；

图7为本实新型的永磁体的另一个实施例示意图。

具体实施方式

为了能够更加清楚地理解本实用新型的技术实质和有益效果，将在下面以实施例的方式作详细说明，但是对实施例的描述均不是对本实用新型方案的限制，任何依据本实用新型构思所作出的仅仅为形式上的而非实质性的等效变换都应视为本实用新型的技术方案范畴。

在下面的描述中凡是涉及上、下、左、右、前和后的方向性或称方位性的概念都是以图1所处的位置状态为基准的，因而不能将其理解为对本实用新型提供的技术方案的特别限定。

实施例1

请参见图1至图3，示出了一具有灭弧腔11（即灭弧室，以下同）的壳体1，在该壳体1的后侧构成有一永磁体容纳腔12，而在壳体1的前侧构成有一动触头摆动间隙13，该动触头摆动间隙13以及前述的永磁体容纳腔12彼此前后对应，还包括导磁体，导磁体包括一与前述壳体1的左端外壁相配合的左导磁体2和一与壳体1的右端外壁相配合的并且与前述左导磁体2相对应的右导磁体3以及一永磁体4，该永磁体4安装在前述永磁体容纳腔12内。

作为本实用新型提供的技术方案的技术要点：前述永磁体4 包括一上永磁块41和一下永磁块42，该上永磁块41以及下永磁块42以既彼此间隔又相互上下平行的状态安装在前述永磁体容纳腔12内，其中，前述上永磁块41以及下永磁块42的磁极方向相反；前述动触头摆动间隙13同时与上永磁块41以及下永磁块42的前方相对应

由图1和图2的示意可知，上、下永磁块41、42的磁极方向在触头系统的探出方向上，即沿图2中所示的X的方向上；上、下永磁块41、42间隔设置，即沿图2中的Z方向间隔设置。此外，申请人尚需强调的是：本实施例虽然例举了两枚永磁块即一枚为上永磁块41，另一枚为下永磁块42，但并不意味着只有两枚，例如可以有多枚，只要满足相邻永磁块的磁极方向相反的要求即可，并且还只要满足均在灭弧室即灭弧腔11的上下方向上间隔设置的要求。

图3所示为电弧在本实施例中受拉伸的情形，由于上、下永磁块41、42的磁极是相对的，而电弧本身在动触头与静触头之间产生，因而上、下永磁块41、42之间产生如图2所示的磁场，该磁场使得在电弧的前后两个段中，受到方向相反的向两侧的拉伸，例如靠近动触头的电弧向右，则靠近静触头的电弧向左。若动触头与静触头之间的电流方向相反，则上述的左右方向应发生对调。

至此，电弧被上、下永磁块41、42拉扯呈大致S形，被拉长的电弧更容易熄灭，其次，电弧被拉扯后更容易接触到灭弧室的壳体，从而电弧能量被消耗，电弧也更容易熄灭。

依据本领域的专业常识，前述的灭弧室是断路器的重要部件，其通常与触头系统（未示出）配合，触头系统包括动触头（未示出）和静触头（未示出），即所述的灭弧室位于动触头与静触头的打开方向的一侧，当动触头与静触头打开时，其上产生的电弧会进入作为灭弧室的灭弧腔11，并在灭弧腔11内熄灭，从而电流被切断。

由图1和图2所示，前述永磁体容纳腔12构成于前述壳体1的长度方向的后侧并且在前述灭弧腔11的朝着前述动触头摆动间隙13的方向延伸即向前延伸，前述动触头摆动间隙13构成于壳体1的长度方向的前侧并且由该动触头摆动间隙13使前述灭弧腔11与外界相通；前述左导磁体2与前述壳体1的左端外壁彼此贴合配合，前述右导磁体3与前述壳体1的右端外壁相互贴合配合；当前述上永磁块41的上永磁块N极朝向前方，而上永磁块41的上永磁块S极朝向后方时，则前述下永磁块42的下永磁块S极朝向前方，而下永磁块42的下永磁块N极朝向后方。由前述说明可以毫无疑问地确定上、下永磁块41、42是以磁极相反的形式设置的。

请重点参见图1，在前述壳体1的左端前侧构成有一左导磁体前壁体插嵌槽14a，该左导磁体前壁体插嵌槽14a的开口方向朝向左，在壳体1的右端前侧构成有一右导磁体前壁体插嵌槽14b，该右导磁体前壁体插嵌槽14b的开口方向朝向右；前述左导磁体2构成有一敞口朝向右的左导磁体壳体左端插入腔21，前述壳体1的左端插入左导磁体壳体左端插入腔21，而左导磁体2的左导磁体前壁体22与前述左导磁体前壁体插嵌槽14a插嵌配合，并且左导磁体壳体左端插入腔21的左导磁体左壁体23的右侧面与壳体1的壳体左侧壁15a的左侧面相贴触，而左导磁体壳体左端插入腔21的左导磁体后壁体24的前侧面与壳体1的壳体左端后壁体15b的后侧面相贴触，以及右导磁体壳体右端插入腔31的右导磁体右壁体33的左侧面与壳体1的壳体右侧壁体15c的右侧面相贴合，而右导磁体壳体右端插入腔31的右导磁体后壁体34的前侧面与壳体1的壳体右端后壁体15d的后侧面相贴触；前述右导磁体3构成有一敞口朝向左的右导磁体壳体右端插入腔31，前述壳体1的右端插入右导磁体壳体右端插入腔31，而右导磁体3的右导磁体前壁体32与前述右导磁体前壁体插嵌槽14b插嵌配合。

由图1和图2的示意可知，由于永磁体容纳腔12沿图2中Z方向设置，前述灭弧腔11即前述的灭弧室的前后方向是指动触头与静触头配合的打开方向，即触头上的动触点与静触头上的静触点的连线方向。前述壳体1的左端前侧面以及右端前侧面在图2所示的y方向上处于同一平面。

继续见图1和图2并且结合图3，在本实施例中，由于前述永磁体容纳腔12包括彼此独立的一上永磁块腔121和一下永磁块腔122，因而上永磁块腔121朝向上的一侧以及朝向后的一侧各形成上永磁块腔敞口，下永磁块腔122朝向下的一侧以及朝向后的一侧同样各形成下永磁块腔敞口，并且上永磁块腔121的上永磁块腔底壁1211与下永磁块腔122的下永磁块腔顶壁1221之间保持有永磁块腔间隔距123。前述上永磁块41以嵌置状态安装在前述上永磁块腔121内并且该上永磁块41的后端探出上永磁块腔121朝向后的一侧的前述上永磁块腔敞口，前述下永磁块42以嵌置状态定位在前述下永磁块腔122内并且该下永磁块42的后端探出下永磁块腔122朝向后的一侧的下永磁块腔敞口；前述上永磁块41的后端探出前述上永磁块腔121的程度与前述左导磁体后壁体24的厚度相等，前述右导磁体后壁体34的厚度与左导磁体后壁体24的厚度相等；前述下永磁块42的后端探出前述下永磁块腔122的程度与上永磁块41探出上永磁块腔121的程度相同。

由前述说明可知：上、下永磁块41、42的后侧面与左、右导磁体后壁体24、34的后侧面处于同一平面上。

申请人需要说明的是：如果将前述的上、下永磁块腔121、122的形状由图1和图2所示的矩形的形状改为其它形状如圆形并且将上、下永磁块41、42的形状作适应性改变，那么也应当视为本实用新型的公开的技术内涵范畴。此外，在前述圆形的情形下，左、右导磁体后壁体24、34的相向一侧并且在对应于圆形的上、下永磁块41、42的位置也作适应性改变如改为相互对应的半圆形。上、下永磁块41、42改为圆形后，彼此以磁极相反的方式设置。

在本实施例中，前述上永磁块腔121的深度是与前述上永磁块41的厚度相适应的，而上永磁块腔121的自左至右的上永磁块腔宽度是与上永磁块41的宽度相适应的；前述下永磁块腔122的深度是与前述下永磁块42的厚度相适应的，而下永磁块腔122的自左至右的下永磁块腔宽度是与下永磁块42的宽度相适应的。

在本实施例中，前述左导磁体2以及右导磁体3各为磁钢并且形状呈“匚”字形，即左、右导磁体2、3的形状呈相向对应的“匚”字形。

实施例2

请参见图4，在前述灭弧腔11内设置有灭弧组件5，该灭弧组件5包括一左灭弧栅片组51和一右灭弧栅片组52，左灭弧栅片组51位于前述灭弧腔11的左端，而右灭弧栅片组52位于前述灭弧腔11的右端，前述左灭弧栅片组51由自下而上间隔设置的多枚左灭弧栅片构成，前述右灭弧栅片组52由自下而上间隔设置的多枚右灭弧栅片构成，并且构成左灭弧栅片组51的左灭弧栅片的数量、厚薄程度以及形状是与构成右灭弧栅片组52的右灭弧栅片相同的；上下对应的前述上永磁块41以及下永磁块42位于左灭弧栅片组51与右灭弧栅片组52的后端相向一侧之间。

由图4所示，构成前述左灭弧栅片组51的前述左灭弧栅片各具有一左灭弧栅片第一缺口511和左灭弧栅片第二缺口512，该左灭弧栅片第一缺口511以及左灭弧栅片第二缺口512的开口部位朝向前述动触头摆动间隙13，并且左灭弧栅片第二缺口512位于左灭弧栅片第一缺口511的左侧；构成前述右灭弧栅片组52的前述右灭弧栅片各具有一右灭弧栅片第一缺口521和右灭弧栅片第二缺口522，该右灭弧栅片第一缺口521以及右灭弧栅片第二缺口522的开口部位同样朝向前述动触头摆动间隙13，并且右灭弧栅片第二缺口522位于右灭弧栅片第一缺口521的右侧。

由于左灭弧栅片第一缺口511、左灭弧栅片第二缺口512、右灭弧栅片第一缺口521以及右灭弧栅片第二缺口522的存在，因而使左、右灭弧栅片组51、52能担当起对电弧的吸引工作，使电弧得以更快地进入左、右灭弧栅片组51、52并快速熄灭。又，由于左灭弧栅片第一缺口511以及右灭弧栅片第一缺口521临近上、下永磁块41、42，因而可防止上、下永磁块41、42的磁场直接通过左、右灭弧栅片组51、52而未对电弧施加磁场。由于灭弧栅片与壳体1的灭弧腔11的腔壁上的槽插嵌固定属于公知技术，因而不再赘述。其余均对实施例1的描述。

实施例3

请参见图5，在所述灭弧组件5的结构体系中除了前述的左、右灭弧栅片组51、52还包括有中间灭弧栅片组53，该中间灭弧栅片组53位于所述上永磁块41以及下永磁块42之间，并且该中间灭弧栅片组53由自下而上间隔设置的多枚中间灭弧栅片构成，具体而言，中间灭弧栅片组53阵列在灭弧腔11的中间即位于左、右灭弧栅片组51、52之间，并且与上、下永磁块41、42之间保持有间距，构成中间灭弧栅片组53的各中间灭弧栅片的两端分别与构成左、右灭弧栅片组51、52的左、右灭弧栅片之间保持有间隙（也可称间距）。其余均同对实施例2的描述。

实施例4

请参见图6，本实施例仅有如图5所示那样的中间灭弧栅片组53，并且摒弃了即去除了左、右灭弧栅片组51、52。其余均同对实施例1的描述。

实施例5

请参见图7，由该图7所示，相对于实施例1的图1、图2所示结构，本实施例将前述前述上永磁块腔121和下永磁块腔122合而为一而构成一永磁块公共容纳腔124，由于将实施例1的上、下永磁块腔121、122合而为一而构成为一个永磁块公共容纳腔124，因而上永磁块41以及下永磁块42以彼此上下对应并且相互保持有永磁块间隔距离的状态安装在永磁块公共容纳腔124 内，并且该永磁块公共容纳腔124朝向上、朝向下以及朝向后的一侧各形成敞口。其余同对实施例2的描述。

综上所述，本实用新型提供的技术方案弥补了已有技术中的缺憾，顺利地完成了发明创造任务，如实地兑现了申请人在上面的技术效果栏中载述的技术效果。

Claims (9)

1.一种具有永磁体的灭弧室，包括壳体(1)，壳体(1)内具有一灭弧腔(11)，在该壳体(1)的后侧构成有一永磁体容纳腔(12)，而在壳体(1)的前侧构成有一动触头摆动间隙(13)，该动触头摆动间隙(13)以及所述的永磁体容纳腔(12)彼此前后对应；所述永磁体容纳腔(12)内安装有永磁体(4)，其特征在于：所述永磁体(4) 至少包括一上永磁块(41)和一下永磁块(42)，该上永磁块(41)与下永磁块(42)上下间隔设置，上永磁块(41)伸入灭弧室内部的磁极和下永磁块(42)伸入灭弧室内部的磁极极性相反。

2.根据权利要求1所述的一种具有永磁体的灭弧室，其特征在于：还包括导磁体，所述的导磁体包括与所述壳体(1)的左端外壁相配合的左导磁体(2)和与壳体(1)的右端外壁相配合的右导磁体(3)。

3.根据权利要求2所述的一种具有永磁体的灭弧室，其特征在于：在所述壳体(1)的左端前侧构成有一左导磁体前壁体插嵌槽(14a)，所述左导磁体(2)构成有一敞口朝向右的左导磁体壳体左端插入腔(21)，所述壳体(1)的左端插入左导磁体壳体左端插入腔(21)，而左导磁体(2)的左导磁体前壁体(22)与所述左导磁体前壁体插嵌槽(14a)插嵌配合；在壳体(1)的右端前侧构成有一右导磁体前壁体插嵌槽(14b)，所述右导磁体(3)构成有一敞口朝向左的右导磁体壳体右端插入腔(31)，所述壳体(1)的右端插入右导磁体壳体右端插入腔(31)，而右导磁体(3)的右导磁体前壁体(32)与所述右导磁体前壁体插嵌槽(14b)插嵌配合。

4.根据权利要求3所述的一种具有永磁体的灭弧室，其特征在于：所述永磁体容纳腔(12)包括彼此独立的一上永磁块腔(121)和一下永磁块腔(122)，或者为由所述上永磁块腔(121) 和下永磁块腔(122)合而为一而构成一永磁块公共容纳腔(124)。

5.根据权利要求2或3所述的一种具有永磁体的灭弧室，其特征在于：所述左导磁体(2)以及右导磁体(3)各为磁钢并且形状呈“匚”字形。

6.根据权利要求1或2所述的一种具有永磁体的灭弧室，其特征在于：在所述灭弧腔(11)内设置有灭弧组件(5)，该灭弧组件(5)包括一左灭弧栅片组(51)和一右灭弧栅片组(52)，左灭弧栅片组(51)位于所述灭弧腔(11)的左端，而右灭弧栅片组(52)位于所述灭弧腔(11)的右端，所述左灭弧栅片组(51)由自下而上间隔设置的多枚左灭弧栅片构成，所述右灭弧栅片组(52)由自下而上间隔设置的多枚右灭弧栅片构成。

7.根据权利要求6所述的一种具有永磁体的灭弧室，其特征在于：构成所述左灭弧栅片组(51)的所述左灭弧栅片各具有一左灭弧栅片第一缺口(511)和左灭弧栅片第二缺口(512)，该左灭弧栅片第一缺口(511)以及左灭弧栅片第二缺口(512)的开口部位朝向所述动触头摆动间隙(13)，并且左灭弧栅片第二缺口(512)位于左灭弧栅片第一缺口(511)的左侧。

8.根据权利要求6所述的一种具有永磁体的灭弧室，其特征在于：构成所述右灭弧栅片组(52)的所述右灭弧栅片各具有一右灭弧栅片第一缺口(521)和右灭弧栅片第二缺口(522)，该右灭弧栅片第一缺口(521)以及右灭弧栅片第二缺口(522)的开口部位同样朝向所述动触头摆动间隙(13)，并且右灭弧栅片第二缺口(522)位于右灭弧栅片第一缺口(521)的右侧。

9.根据权利要求8所述的一种具有永磁体的灭弧室，其特征在于：所述灭弧组件(5)还包括有中间灭弧栅片组(53)，该中间灭弧栅片组(53)位于所述上永磁块(41)以及下永磁块(42)之间，并且该中间灭弧栅片组(53)由自下而上间隔设置的多枚中间灭弧栅片构成。