CN219831842U - 一种防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及非接触智能卡领域，尤其涉及一种防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡，其包括激励天线体和微型模块；微型模块包括芯片和第一导电线圈，第一导电线圈与芯片连接；第一导电线圈与激励天线体互感；第一导电线圈的截面积小于激励天线体的截面积。激励天线体和第一导电线圈的互感设计使得芯片、第一导电线圈不会直接与激励天线体连接，进而避免了涡流产生时直接作用于芯片，减小受涡流影响的第一导电线圈的截面积，来达到降低涡流强度的目的；同时将第一导电线圈截面积设置小于激励天线体截面积，即使在强大的电场作用下，涡流产生的热量也不足以对芯片产生致命的损伤。
Description
技术领域
本实用新型涉及非接触智能卡领域，尤其涉及一种防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡。
背景技术
非接触智能卡在各个领域的应用越来越普遍，其无源和感应通信的特点，使用户的使用和操作非常便利。近年来，手机无线充电技术越来越成熟，充电效率和功率不断提升，非接触智能卡和手机往往会重叠在一起，比如有用户将非接触智能卡直接放在手机背面的保护套里，也有用户误将非接触智能卡(比如汽车钥匙卡)放在汽车的手机无线充电器表面，手机再叠放在卡片之上。当上述情况启动了无线充电器工作，手机与无线充电器之间会产生强大的电场。在强大的电场作用下，夹在手机和无线充电器中间的非接触智能卡，将被手机的金属化或类金属化的后盖影响进而形成涡流。当涡流达到一定的程度，非接触智能卡的天线开始发热，直接作用于智能卡的芯片上，将芯片损坏。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种能够减少涡流影响，保护芯片的防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡。
为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：一种防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡，包括激励天线体和微型模块；所述微型模块包括芯片和第一导电线圈，所述第一导电线圈与芯片的两端连接；所述第一导电线圈与激励天线体互感；所述第一导电线圈的截面积小于激励天线体的截面积。
进一步地，所述激励天线体的截面积为第一导电线圈的截面积的10-100倍。
进一步地，所述激励天线体的截面积为第一导电线圈的截面积的30倍。
进一步地，所述激励天线体两端为开放式结构；所述激励天线体的两端之间设有绝缘层；所述激励天线体的两端与绝缘层形成电容器。
进一步地，所述第一导电线圈由漆包线环绕而成，所述第一导电线圈为单层平面线圈或多层立体线圈。
进一步地，所述第一导电线圈由导电材料在薄膜上通过减除法或加成法制作而成；所述导电材料为单面、双面或多层。
进一步地，所述激励天线体为多圈环绕结构；所述第一导电线圈设于激励天线体内圈一侧；所述第一导电线圈与激励天线体部分重叠。
进一步地，所述激励天线体包括顺向绕制的漆包线。
进一步地，所述激励天线体包括在薄膜上经过减除法或加成法制作的导电材料。
进一步地，还包括微型发光模块，所述微型发光模块包括发光二极管和第二导电线圈，所述第二导电线圈与发光二极管的两端连接；所述第二导电线圈与激励天线体互感。
本实用新型的有益效果在于：由激励天线体与第一导电线圈的互感，当外部阅读器与激励天线体配合时，由激励天线体为第一导电线圈、芯片提供能量；激励天线体和第一导电线圈的互感设计使得芯片、第一导电线圈不会直接与激励天线体连接，进而避免了涡流产生时直接作用于芯片，减小受涡流影响的第一导电线圈的截面积，来达到降低涡流强度的目的；同时将第一导电线圈截面积设置小于激励天线体截面积，即使在强大的电场作用下，涡流产生的热量也不足以对芯片产生致命的损伤。
附图说明
图1为非接触式智能卡置于手机和启动的无线充电器之间的磁力线的分布示意图；
图2为本实用新型的具体实施方式的防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡的结构示意图；
图3为本实用新型的具体实施方式的防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡的微型模块的结构示意图；
图4为本实用新型的具体实施方式的防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡的微型发光模块的结构示意图。
标号说明：
1、激励天线体；2、微型模块；21、芯片；22、第一导电线圈；3、微型发光模块；31、发光二极管；32、第二导电线圈。
具体实施方式
为详细说明本实用新型的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
请参照图2至图4所示，一种防止涡流热冲击损伤芯片21的非接触智能卡，包括激励天线体1和微型模块2；所述微型模块2包括芯片21和第一导电线圈22，所述第一导电线圈22与芯片21的两端连接；所述第一导电线圈22与激励天线体1互感；所述第一导电线圈22的截面积小于激励天线体1的截面积。
从上述描述可知，本实用新型的有益效果在于：由激励天线体1与第一导电线圈22的互感，当外部阅读器与激励天线体1配合时，由激励天线体1为第一导电线圈22、芯片21提供能量；激励天线体1和第一导电线圈22的互感设计使得芯片21、第一导电线圈22不会直接与激励天线体1连接，进而避免了涡流产生时直接作用于芯片21，减小受涡流影响的第一导电线圈22的截面积，来达到降低涡流强度的目的；同时将第一导电线圈22截面积设置小于激励天线体1截面积，即使在强大的电场作用下，涡流产生的热量也不足以对芯片21产生致命的损伤。
进一步地，所述激励天线体1的截面积为第一导电线圈22的截面积的10-100倍。
由上述描述可知，通过将第一导电线圈22的截面积设置为远小于激励天线体1的截面积使得产生的涡流热量不足以对芯片21造成致命损伤。
进一步地，所述激励天线体1的截面积为第一导电线圈22的截面积的30倍。
由上述描述可知，上述第一导电线圈22的截面积与激励天线体1截面积的1:30设计为最佳比例。
进一步地，所述激励天线体1两端为开放式结构；所述激励天线体1的两端之间设有绝缘层；所述激励天线体1的两端与绝缘层形成电容器。
由上述描述可知，由于激励天线体1两端的开放式结构设计，使得激励天线体1不能形成直流回路，由此在电场作用下无法形成涡流，进而实现对芯片21的保护。
进一步地，所述第一导电线圈22与激励天线体1之间设有绝缘层。
由上述描述可知，通过绝缘层来将第一导电线圈22和激励天线体1进行分隔，避免两者之间的导电介质接触使得两者直接连接，影响正常使用。
进一步地，所述第一导电线圈22由漆包线环绕而成，所述第一导电线圈22为单层平面线圈或多层立体线圈。
由上述描述可知，可以根据智能卡的结构设计来对第一导电线圈22的样式进行调整，可选为由漆包线环绕而成的单层平面线圈或多层立体线圈。
进一步地，所述第一导电线圈22由导电材料在薄膜上通过减除法或加成法制作而成；所述导电材料为单面、双面或多层。
由上述描述可知，可以根据智能卡的结构设计来对第一导电线圈22的样式进行调整，可选为导电材料于薄膜上通过减除法或加成法制作而成，其中导电材料可选为单面、双面或多层，多层导电材料层间通过贯孔连接。
进一步地，所述激励天线体1由多圈环绕结构；所述第一导电线圈22设于激励天线体1内圈一侧；所述第一导电线圈22与激励天线体1部分重叠。
由上述描述可知，通过第一导电线圈22位于激励天线体1内圈一侧设计以及两者部分重叠的设计以确保第一导电线圈22与激励天线体1之间的能量传输效率。
进一步地，所述激励天线体1包括顺向绕制的漆包线。
由上述描述可知，可以根据智能卡的结构设计来对激励天线体1的样式进行调整，可选为漆包线顺向绕制的形式。
进一步地，所述激励天线体1包括在薄膜上经过减除法或加成法制作的导电材料。
由上述描述可知，可以根据智能卡的结构设计来对激励天线体1的样式进行调整，可选为导电材料在薄膜上经过减除法或加成法制作的形式。
进一步地，还包括微型发光模块3，所述微型发光模块3包括发光二极管和第二导电线圈32，所述第二导电线圈32与发光二极管31的两端连接；所述第二导电线圈32与激励天线体1互感。
由上述描述可知，在阅读器与激励天线体1配合时微型发光模块3能够发光进而提醒操作者的操作有效，阅读器与激励天线体1正常配合。第二导电线圈32采用与激励天线体1互感的形式，避免了激励天线体1与发光二极管31的直接连接，进而避免了涡流产生时直接作用于发光二极管。
参照图1至图4所示，本实用新型的实施例一为：
本实用新型的应用场景：当非接触智能卡和手机重叠时启动了无线充电器工作，手机与无线充电器之间会产生强大的电场。在强大的电场作用下，夹在手机和无线充电器中间的非接触智能卡，将被手机的金属化或类金属化的后盖影响进而形成涡流。如图1所示，位于手机和无线充电器之间的非接触智能卡会使一部分的磁力线发生改变，该部分磁力线进而作为形成涡流的磁力线；当涡流达到一定的程度，非接触智能卡的天线开始发热，直接作用于智能卡的芯片21上，将芯片21损坏。
如图2至图4所示，本实施例的防止涡流热冲击损伤芯片21的非接触智能卡，包括卡体、激励天线体1、微型模块2和微型发光模块3。
所述卡体由多层绝缘热熔型薄膜材料叠层热压成型，其包括上覆盖膜、下覆盖膜、第一中间层、第二中间层和第三中间层。所述上覆盖膜设于第一中间层上侧，所述第一中间层与上覆盖膜之间设有微型模块2和微型发光模块3；所述第二中间层设于第一中间层和第三中间层之间；所述第三中间层与第二中间层之间设有激励天线体1；所述第三中间层下侧设有下覆盖膜。
如图3所示，所述微型模块2包括芯片21和第一导电线圈22，所述第一导电线圈22由一组自粘型漆包线密集多圈顺向环绕而成，所述第一导电线圈22可以是单层平面线圈，也可以是多层立体线圈，所述第一导电嫌弃线圈的首尾和芯片21的两个电极对应焊接在一起。
所述第一导电线圈22与激励天线体1互感；所述第一导电线圈22的截面积小于激励天线体1的截面积；所述激励天线体1的截面积为第一导电线圈22的截面积的10-100倍。
在本实施例中，所述激励天线体1的截面积为第一导电线圈22的截面积的30倍。
如图2所示，所述激励天线体1的导电图形由漆包在绝缘薄膜上的线顺向绕制而成，漆包线的起点和终点为开放式结构；所述激励天线体1的导电图形的起点和终点具有大截面积的投影重叠面，该投影重叠面之间设置了一层薄的绝缘材料，具体地，所述绝缘材料形成的绝缘层上设有连通起点和终点的连接点。由激励天线体1的导电图形的起点和终点与两者之间的绝缘层形成电容器，所述激励天线体1形成串联谐振电路。设计时可以通过改变投影重叠面的截面积和绝缘材料的厚度来对电容器容量大小进行调整。
如图4所示，所述微型发光模块3包括发光二极管和第二导电线圈32，所述第二导电线圈32由一组自粘型漆包线密集多圈顺向环绕而成，第二导电线圈32可以是单层平面线圈，也可以是多层立体线圈，第二导电线圈32的首尾和发光二极管的两个电极对应焊接在一起；所述第二导电线圈32与激励天线体1互感。
本实用新型的实施例二为：
本实施例二与实施例一的区别在于：
所述第一导电线圈22、第二导电线圈32以及激励天线体1均由导电材料在薄膜上通过减除法或加成法制作而成，所使用的导电材料可以是单面、双面或多层，采用多层导电材料时，多层导电材料层间通过贯孔连接。
由导电材料在薄膜上经过减除法或加成法制作而成，导电材料可以是单面、双面或多层，多层导电材料层间通过贯孔连接。
本实用新型的工作原理：采用激励天线体1和芯片21、第一导线线圈分离的方式，减小受涡流影响的线圈的截面积，来达到降低涡流强度的目的。设计激励天线体1为一组开放式的导体，头尾都是开放型的结构，使其不能形成直流回路，因此在电场作用下无法形成涡流。设计芯片21连接的第一导电线圈22与激励天线体1的截面积之间比，使第一导电线圈22的截面积远小于激励天线体1，如此一来在强大的电场作用下，涡流产生的热量也不足以对芯片21产生致命的损伤，从而达到保护芯片21的目的。
综上所述，本实用新型提供的一种防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡，由激励天线体与第一导电线圈的互感，当外部阅读器与激励天线体配合时，由激励天线体为第一导电线圈、芯片提供能量；激励天线体和第一导电线圈的互感设计使得芯片、第一导电线圈不会直接与激励天线体连接，进而避免了涡流产生时直接作用于芯片，减小受涡流影响的第一导电线圈的截面积，来达到降低涡流强度的目的；同时将第一导电线圈截面积设置小于激励天线体截面积，即使在强大的电场作用下，涡流产生的热量也不足以对芯片产生致命的损伤。
以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡，其特征在于，包括激励天线体和微型模块；所述微型模块包括芯片和第一导电线圈，所述第一导电线圈与芯片的两端连接；所述第一导电线圈与激励天线体互感；所述第一导电线圈的截面积小于激励天线体的截面积。
2.根据权利要求1所述的防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡，其特征在于，所述激励天线体的截面积为第一导电线圈的截面积的10-100倍。
3.根据权利要求2所述的防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡，其特征在于，所述激励天线体的截面积为第一导电线圈的截面积的30倍。
4.根据权利要求1所述的防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡，其特征在于，所述激励天线体两端为开放式结构；所述激励天线体的两端之间设有绝缘层；所述激励天线体的两端与绝缘层形成电容器。
5.根据权利要求1所述的防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡，其特征在于，所述第一导电线圈由漆包线环绕而成，所述第一导电线圈为单层平面线圈或多层立体线圈。
6.根据权利要求1所述的防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡，其特征在于，所述第一导电线圈由导电材料在薄膜上通过减除法或加成法制作而成；所述导电材料为单面、双面或多层。
7.根据权利要求1所述的防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡，其特征在于，所述激励天线体为多圈环绕结构；所述第一导电线圈设于激励天线体内圈一侧；所述第一导电线圈与激励天线体部分重叠。
8.根据权利要求1所述的防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡，其特征在于，所述激励天线体包括顺向绕制的漆包线。
9.根据权利要求1所述的防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡，其特征在于，所述激励天线体包括在薄膜上经过减除法或加成法制作的导电材料。
10.根据权利要求1所述的防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡，其特征在于，还包括微型发光模块，所述微型发光模块包括发光二极管和第二导电线圈，所述第二导电线圈与发光二极管的两端连接；所述第二导电线圈与激励天线体互感。
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| CN118399063A (zh) * | 2024-06-26 | 2024-07-26 | 金邦达有限公司 | Nfc智能卡和nfc智能卡的工作方法 |
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