CN219810149U - 用于芯片高低温测试的制冷制热机构 - Google Patents
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- 230000007246 mechanism Effects 0.000 title claims abstract description 60
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 18
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 18
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 7
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 claims description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 5
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 3
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种用于芯片高低温测试的制冷制热机构，包括箱体，在所述箱体的左右两侧设置有第一半导体冷凝机构，该第一半导体冷凝机构通过冷凝连接块与设置在箱体内的芯片接触板相连，在所述箱体内还设置有用于放置待测试芯片的针模机构，所述箱体的上侧边缘环向嵌设有密封圈，在所述箱体的上方盖设有盖板，在所述盖板的中心设置有第二半导体冷凝机构，该第二半导体冷凝机构位于所述针模机构的正上方。其显著效果是：采用半导体制冷制热模块大幅减小高低温箱的体积，升降温速度快。
Description
技术领域
本实用新型涉及到集成电路生产技术领域，具体涉及一种用于芯片高低温测试的制冷制热机构。
背景技术
集成电路，简称IC，在进入市场之前，必须进行不同温度下的电性能测试，以模拟集成电路在不同工作条件下的温度应力，高温一般在120℃，低温-40℃。高低温测试问题是集成电路检测工作中的老化问题。
然而，目前芯片的高低温老化测试普遍采用的通用型高低温老化试验箱，其普遍采用压缩机制冷，升降温速度慢，影响测试效率。
发明内容
针对现有技术的不足，本实用新型的目的是提供一种用于芯片高低温测试的制冷制热机构，采用半导体的制冷制热方式以实现快速升降温。
为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：
一种用于芯片高低温测试的制冷制热机构，其关键在于：包括箱体，在所述箱体的左右两侧设置有第一半导体冷凝机构，该第一半导体冷凝机构通过冷凝连接块与设置在箱体内的芯片接触板相连，在所述箱体内还设置有用于放置待测试芯片的针模机构，所述箱体的上侧边缘环向嵌设有密封圈，在所述箱体的上方盖设有盖板，在所述盖板的中心设置有第二半导体冷凝机构，该第二半导体冷凝机构位于所述针模机构的正上方。
进一步的，所述针模机构包括设于所述箱体中心的针模底座，在所述针模底座上设置有承载底座，在所述承载底座上依次设置有产品针板与产品载板，所述产品载板上开设放置待测试芯片的容置槽。
进一步的，在所述盖板的中心开设有过孔，所述第二半导体冷凝机构嵌设于该过孔内。
进一步的，在所述芯片接触板与所述箱体之间设置有隔热堵块。
本实用新型的显著效果是：
1、采用三个半导体制冷制热模块进行芯片高低温测试的制热升温或制冷降温，在电源正接时半导体模块实现制热，反接时实现制冷，相较于传统技术大幅减小了高低温箱的体积，同时制热可达15℃/分钟，降温最高可达12℃/分钟，升降温速度快，有助于提高高低温测试效率；
2、箱体内设的针模机构具有产品针板(SOCKET)，可实现不取出芯片IC，保证IC在稳定的温度下的情况下进行烧录测试。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图；
图2是本实用新型的前视图；
图3是图2的A-A剖视图；
图4是本实用新型的右视图；
图5是图4的B-B剖视图；
图6是本实用新型的俯视图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的具体实施方式以及工作原理作进一步详细说明。
如图1-图5所示，一种基于半导体制冷制热的芯片高低温测试装置，包括所述的制冷制热机构，具体的：包括箱体1以及固定在箱体1后侧的支撑板2，在所述箱体1内还设有温度传感器3，在所述箱体1的左右两侧设置有第一半导体冷凝机构4，该第一半导体冷凝机构4通过冷凝连接块4与设置在箱体1内的芯片接触板5相连，该芯片接触板5与箱体之间设置有隔热堵块13，在所述箱体1内还设置有用于放置待测试芯片的针模机构6，在所述支撑板2的前侧中部并排设置有两套滑轨7，在两条滑轨7上之间跨设有连接机构8，该连接机构8的上端与固定在支撑板2上部的驱动机构9相连，所述连接机构8的下端通过散热器13固定连接有散热铝块10，在所述散热铝块10的底部连接有下移后能够盖设在所述箱体1上的盖板11，在所述盖板11的中心设置有第二半导体冷凝机构14，所述箱体1的上侧边缘嵌设有密封圈12，以确保箱体1为密封环境，避免热量损失。
参见附图3与附图5，所述针模机构6包括设于所述箱体1中心的针模底座61，在所述针模底座61上设置有承载底座62，在所述承载底座62上依次设置有产品针板63与产品载板64，所述产品载板64上开设放置待测试芯片的容置槽65。
两侧的第一半导体冷凝机构4通过冷凝连接块4将温度传递至芯片接触板5，芯片接触板5散热或吸热从而对箱体1内的温度进行升降，从而实现对芯片的高低温测试。
参见附图2，所述连接机构8包括上连接板81与下连接板82，所述上连接板81与所述驱动机构9的下端相连，所述上连接板81的下表面通过两个连接块83与所述下连接板82相连，所述下连接板82的后侧通过滑块84与所述滑轨7相连，在所述下连接板82的下表面连接所述散热铝块10，在所述下连接板82的中心开设有散热孔85。
通过上述的连接结构，既能够方便驱动机构9带动散热铝块10上下移动，还能够有效的隔绝散热铝块10、散热器13与驱动机构9之间的热量传递，从而加快本装置的升降温速度。
参见附图4，所述驱动机构9包括支撑组件91、固定座92、手柄93、铰接件94以及滑动杆95，所述支撑组件91固定于所述支撑板2上，所述固定座92与所述支撑组件91固定连接，所述固定座92的上部与所述手柄93铰接，该手柄93还通过所述铰接件94与所述滑动杆95的上端铰接，所述滑动杆95的中部限位于固定座92下部形成的滑套中，所述滑动杆95的下端与所述连接机构8固定连接。
进一步的，所述支撑组件91包括两个与所述支撑板2固定连接的支撑块，在两个所述支撑块上跨接有安装板，在该安装板上固定所述固定座92。
通过上述的驱动机构9从而可以通过连接机构8带动散热铝块10、盖板11上下移动，从而在测试前后方便取出芯片。
测试时，控制驱动机构9带动连接机构8上移以打开盖板11，然后将待测试芯片放置在针模机构6产品载板64上开设的容置槽65内并固定，控制驱动机构9带动连接机构8下移以合上盖板11，使得盖板11与箱体1之间组合成一密闭空间，通过正接、反接电源，实现第一半导体冷凝机构4、第二半导体冷凝机构14的制热、制冷，从而实现芯片的高低温测试。
本实施例所述的高低温测试装置采用了分设于箱体1左右两侧以及顶部的第一半导体冷凝机构4、第二半导体冷凝机构14等三个半导体制冷制热模块进行芯片高低温测试的制热升温或制冷降温，在电源正接时半导体模块实现制热，反接时实现制冷，相较于传统技术大幅减小了高低温箱的体积，同时制热可达15℃/分钟，降温最高可达12℃/分钟，升降温速度快，有助于提高高低温测试效率；箱体1内设的针模机构6具有产品针板(SOCKET)，可实现不取出芯片IC，保证IC在稳定的温度下的情况下进行烧录测试；由于部分IC的失效是可逆的，本装置能避免取出后IC无法达到测试温度，无法检出IC在某一温度下的失效，使得测试结果的准确度更高。
以上对本实用新型所提供的技术方案进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以对本实用新型进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本实用新型权利要求的保护范围内。
Claims (5)
1.一种用于芯片高低温测试的制冷制热机构，其特征在于：包括箱体，在所述箱体的左右两侧设置有第一半导体冷凝机构，该第一半导体冷凝机构通过冷凝连接块与设置在箱体内的芯片接触板相连，在所述箱体内还设置有用于放置待测试芯片的针模机构，所述箱体的上侧边缘环向嵌设有密封圈，在所述箱体的上方盖设有盖板，在所述盖板的中心设置有第二半导体冷凝机构，该第二半导体冷凝机构位于所述针模机构的正上方。
2.根据权利要求1所述的用于芯片高低温测试的制冷制热机构，其特征在于：在所述箱体内还设有温度传感器。
3.根据权利要求1所述的用于芯片高低温测试的制冷制热机构，其特征在于：所述针模机构包括设于所述箱体中心的针模底座，在所述针模底座上设置有承载底座，在所述承载底座上依次设置有产品针板与产品载板，所述产品载板上开设放置待测试芯片的容置槽。
4.根据权利要求1所述的用于芯片高低温测试的制冷制热机构，其特征在于：在所述盖板的中心开设有过孔，所述第二半导体冷凝机构嵌设于该过孔内。
5.根据权利要求1所述的用于芯片高低温测试的制冷制热机构，其特征在于：在所述芯片接触板与所述箱体之间设置有隔热堵块。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202321004319.2U CN219810149U (zh) | 2023-04-28 | 2023-04-28 | 用于芯片高低温测试的制冷制热机构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202321004319.2U CN219810149U (zh) | 2023-04-28 | 2023-04-28 | 用于芯片高低温测试的制冷制热机构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN219810149U true CN219810149U (zh) | 2023-10-10 |
Family
ID=88213964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202321004319.2U Active CN219810149U (zh) | 2023-04-28 | 2023-04-28 | 用于芯片高低温测试的制冷制热机构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN219810149U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117091316A (zh) * | 2023-10-19 | 2023-11-21 | 成都电科星拓科技有限公司 | 高低温工况模拟模块、芯片可靠性自动化测试系统及方法 |
| CN117168085A (zh) * | 2023-11-02 | 2023-12-05 | 苏州韬盛电子科技有限公司 | 一种用于芯片高低温测试的散热冷却装置 |
-
2023
- 2023-04-28 CN CN202321004319.2U patent/CN219810149U/zh active Active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
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