CN219659426U - 一种过压防护电路、电子设备和车辆 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种过压防护电路、电子设备和车辆。过压防护电路包括TVS管、二极管、电容和第一电阻;TVS管的第一端分别与连接器的信号输出端、第一电阻的第一端、电容的第一端以及二极管负极连接,TVS管的第二端接地;二极管的正极分别连接电容的第二端以及芯片的输入端,第一电阻的第二端接地。在该接口防护电路中,即使TVS的击穿电压高于芯片的耐压,后级的二极管和电容也能够阻止过压接入芯片,借此提升对接口芯片的防护能力,提高了接口防护电路的可靠性。
Description
技术领域
本实用新型涉及过压保护技术领域,特别涉及一种高速信号接口防护电路、电子设备和车辆。
背景技术
现如今,车辆内电子设备较多且集中,车内电磁环境复杂,很容易在通信设备的信号接口产生浪涌。所述浪涌又称作突波,指的是超出正常工作电压的瞬时过压。然而,在如今电子线路的集成度和精密度不断提高的情况下,目前采用MOS(metal-oxide-semiconductor,场效应管)工艺制造的芯片的耐受过压的能力越来越低,这会导致产生在信号接口的过压对日益精密化的电子线路的危害越来越大。
在现有技术中,例如数字信号接口等高速信号接口电路,通常选用例如瞬态电压抑制二极管(TVS,Transient Voltage Suppressor)等压敏器件实现过压以及ESD(Electro-Static discharge,静电释放)静电防护。其中,高速信号一般为频率大于50MHZ,上升沿(或下降沿)时间小于50皮秒(5*10^-11秒)的高频交流电压/电流。在现有的信号接口过电压保护方案中,一般采用单向TVS或压敏电阻进行防护,所采用的方法一般为:利用器件的非线性特性将过压钳位到一个较低的电压值实现对后级电路的保护。图1展示了一种现有的利用VD(Valve Distributing,阀门分配)进行过压防护的电路图,即是将起保护作用的器件VD的一端连接在内部电路接口线路上,另外一端接地,所述的VD在图1所示电路中所起到的作用与一个单向TVS的作用相同。
然而,发明人意识到,在实际的汽车电子应用中,它的电子设备种类多且线束复杂,容易发生设备接口线束端对整车供电网络正极、负极短路情况,导致电路的电压或者电流瞬间升高,造成通信设备的损坏。而且,由于高速接口的信号速率较高,因而就需要TVS的结电容较小,但是结电容较小的TVS通流能力较差,因而容易出现TVS的击穿电压高于芯片的耐压的情况,最终导致电路的过压防护等级较低。对于需要用于自动驾驶车辆这种复杂多变环境的接口电路,现有的信号接口过电压保护方案的防护等级不足,显然无法满足实际应用需求。
实用新型内容
本实用新型针对上述不足或缺点,提供了一种过压防护电路、电子设备和车辆。在该接口防护电路中,即使TVS的击穿电压高于芯片的耐压,后级的二极管和电容会阻止过高的直流电压接入芯片,借此提升对接口芯片的防护能力,提高了接口防护电路的可靠性。
本实用新型提供了一种过压防护电路,包括TVS管、二极管、电容和第一电阻;TVS管的第一端分别与连接器的信号输出端、第一电阻的第一端、电容的第一端以及二极管负极连接,TVS管的第二端接地;二极管的正极分别连接电容的第二端以及芯片的输入端,第一电阻的第二端接地,TVS管为双向TVS管。
在一些实施例中,上述过压防护电路还包括第二电阻,第二电阻的第一端分别连接连接器的信号输出端以及第一电阻的第一端,第二电阻的第二端分别连接第一电阻的第一端、电容的第一端以及二极管负极连接。
在一些实施例中,在上述过压防护电路中,第二电阻的电阻值范围为0-50欧姆。
在一些实施例中,在上述过压防护电路中,二极管的反向耐压值和电容的耐压值均大于芯片的输入端耐压值。
在一些实施例中,在上述过压防护电路中,电容的电容值范围为0.1-1000纳法。
本实用新型还提供了一种电子设备,电子设备包括芯片、连接器以及过压防护电路;过压防护电路包括TVS管、二极管、电容和第一电阻;TVS管的第一端分别与连接器的信号输出端、第一电阻的第一端、电容的第一端以及二极管负极连接,TVS管的第二端接地;二极管的正极分别连接电容的第二端以及芯片的输入端,第一电阻的第二端接地,TVS管为双向TVS管。
在一些实施例中,上述电子设备还包括第二电阻,第二电阻的第一端分别连接连接器的信号输出端以及第一电阻的第一端,第二电阻的第二端分别连接第一电阻的第一端、电容的第一端以及二极管负极连接。
在一些实施例中,在上述过压防护电路中,第二电阻的电阻值范围为0-50欧姆。
在一些实施例中,在上述电子设备中,二极管的反向耐压值和电容的耐压值均大于芯片的输入端耐压值,和/或电容的电容值范围为0.1-1000纳法。
本实用新型还提供了一种车辆,包括上述实施例中的所提到的任一电子设备。
采用上述的过压防护电路,即使所采用的TVS的结电容较小,通流能力较差,导致出现TVS管的击穿电压高于芯片的耐压的情况下,后级的二极管和电容能够阻止过高的电压接入芯片的输入端,借此提升对接口芯片的防护能力,实现在保证设备间传输的数据信号的质量的前提下,提升了对接口芯片的防护能力,提高了接口防护电路的可靠性。
此外,采用将小容值电容与芯片串联的同时,与电容并联一个二极管的方式,可以保护耐压值低于TVS管的击穿电压值和汽车供电系统电压值的芯片。不仅如此,小容值的电容可以当芯片由高电平变为低电平时,对高速信号进行解耦合处理,避免芯片的输出电压在下降沿上产生边沿单调性的问题,也不会改变边沿时间。采用上述方式,既可以提高高速信号中下降沿的单调性,还保留了高速信号的完整性。
附图说明
图1为一种现有的过压防护电路设计图;
图2为本实用新型一个或多个实施例中一种过压防护电路设计图;
图3为一种双向TVS管的工作特性曲线图;
图4为本实用新型一个或多个实施例中的高速信号的单个周期内的V-t图;
图5为本实用新型一个或多个实施例中一种能防止电路振铃效应的过压防护电路示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处描述的具体实施例仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
本实用新型提供的一种过压防护电路,如图2所示,其中连接器的信号输出端会输出高速信号,不定时地产生浪涌电压,该浪涌又称瞬时过压。因此,需要如图2中所示的过压防护电路10连接于被保护的芯片与连接器的信号输出端之间以防止连接器信号输出端发出的瞬时过压对后级芯片造成损坏。
在本实施例中,如图2所示的过压防护电路10,TVS管106的第一端分别与连接器的信号输出端、第一电阻105的第一端、电容103的第一端以及二极管104负极连接,TVS管106的第二端接地;二极管104的正极分别连接电容103的第二端以及芯片的输入端,第一电阻105的第二端接地。
在本实施例中,TVS管106的第一端同时与连接器的信号输出端和电容103的第一端连接,而且,TVS管106的第一端在经电容103又与芯片的输入端连接,同时,TVS管106的第二端接地。通过这样的连接方式,TVS管106的第二端接地,可用于作为连接器的信号输出端的接地导流支路。从TVS管106的使用方法上来说,若选用某个双向的TVS管作为TVS管106,该TVS管的两端均可选择其一以作为上述第一端,另一端可作为上述第二端。当连接器的信号输出端产生浪涌,即信号输出端产生瞬时过压作用于上述TVS管106的第一端时,将会导致TVS管106两端的瞬时电压大于或等于TVS管106自身的钳位电压值,TVS管106的瞬时阻抗变得非常小,此时,可将该时刻的TVS管106视为瞬时电流导通的器件,该器件可用于将瞬时过压导流后接地,实现对后级电路以及芯片的防护。
其中,TVS管106又称作瞬变电压抑制二极管,其外形与普通二极管无异。一种TVS管106的工作特性曲线如图3所示,其中,VRWM为关断电压,VBR为击穿电压,VCL为钳位电压。基于该工作特性曲线可以知道,当TVS管106两端的反向电压大于VRWM后,TVS管106开始反向导通;反向电压大于VBR后,TVS管106开始被击穿,此时电流开始突变;反向电压大于VCL时,TVS管106处于(雪崩)击穿状态,此时流过TVS管106的电流急剧增加,而此时TVS管106两端的电压差值变化不大,TVS管106电压被钳位(又称为钳制)。若工作电压大于VRWM,那么在被保护电路正常工作时,TVS管106就会被击穿,若再将工作电压经过TVS管106接地导通,电路不能正常工作。VCL就是钳位电压值(又称为钳制电压),当工作电压的突波(相当于浪涌)持续时间较长时,TVS管106能将突波电压值钳位至VCL,类似于稳压二极管的稳压电位值。
具体地,常规的TVS管分为单向TVS管和双向TVS管,在现有过压防护电路中一般采用单向TVS管,类似于如图1中所示的VD(阀门分配器,就是一个TVS管)。然而,在本实施例中,由于连接器的信号输出端一般会输出高频的交流信号,因此本实施例采用双向的TVS管106,既能实现对高频交流过压的防护,也保留了对直流过压的防护能力。而且,当双向的TVS管106两端经受瞬间的高能量冲击时,它与单向TVS管一样能以极高的速度使其阻抗骤然降低,同时吸收一个大电流,将其两端间的电压钳位在一个预定的数值上,从而确保后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击而损坏。一般TVS管106的反应时间比RC回路短,最高达1*10^-12秒。其中,RC回路为电阻-电容电路。通过上述的电路设计,可将瞬时过压导流后接地,实现对芯片的过压防护。
在本实施例中,连接器信号输出端的输出信号为高速信号,该高速信号的特性为:频率大于50MHZ,上升沿(或下降沿)时间小于50皮秒。
图4展示了一种高速信号的一个周期内的V-t图,在该V-t图中,③到④段中信号突然高于下降沿的回沟,通常是由于连接器信号输出端的信号传输路径过长和阻抗不连续造成的反射、多负载的反射或者驱动输出阻抗较大所引起的接受信号过缓等引起的,上述信号下降沿不连续的问题又称为边沿单调性问题。
在本实施例中,上述电容103的第一端与TVS管106连接,第二端与芯片的输入端连接,电容103用于芯片为下降沿提供高速信号通路,避免上述的边沿单调性问题。具体地,当芯片从高电平变为低电平输出时,芯片会产生一个下降沿输出,此时,由于二极管会承受反向电压,在二极管关断(二极管反向不导通而限制电流通过)的过程中,二极管104两端的电压/电流出现反向恢复的过程,产生反向恢复电压/电流,会导致电路出现边沿单调性的问题。这种边沿单调性的问题容易导致后级设备误触发,以及会延长下降沿时间,难以达到高速信号频率的工作稳定性要求。本实施例将电容103与二极管并联,即可解决该边沿单调性的问题。
进一步地,在一个实施例中,选用电容103的电容值范围为0.1-1000纳法,属于小容值的电容。由于小容值的电容可以将高频信号通过,防止在下降沿上产生边沿单调性的问题,并且不会改变边沿时间。
而且,在本实施例中采用二极管104与电容103并联的方式,二极管104的正极与芯片的输入端连接,负极与TVS管106的第一端连接。当连接器信号输出端的线缆对电源短接时,会导致二极管负极的电压瞬间上升。此时,二极管可以利用自身的反向特性对后级芯片进行过压防护。
在本实施例中,第一电阻105的第一端连接于TVS管106与二极管104的负极之间,第一电阻105的第二端接地。其中,第一电阻105的任一端均可选择作为上述第一端,另一端作为上述第二端。在本实施例中,当芯片从高电平变为低电平输出时,二极管会关断(反向不导通)而产生反向恢复电压/电流,此时第一电阻105对电路提供一个弱下拉,以维持芯片的低电平状态。
具体地,上述弱下拉指的是通过第一电阻105将后级的芯片、电容103和二极管104(相当于负载)接地,而且第一电阻105的阻值远远大于二极管104的饱和导通内阻。
在一些实施例中,上述另一种过压防护电路还包括第二电阻107,第二电阻107的第一端分别连接连接器的信号输出端以及第一电阻105的第一端,第二电阻107的第二端分别连接第一电阻105的第一端、电容103的第一端以及二极管104负极连接。
示例性地,如图5所示的过压防护电路11,该过压防护电路包括:TVS管106、二极管104、电容103、第一电阻105和第二电阻107。其中,第二电阻107连接于TVS管106的第一端和第一电阻105的第一端之间,用于对连接器信号输出端输出的高速信号进行阻抗匹配,防止因高速信号通路的阻抗不连续导致的振铃问题的发生。
具体地,在如图5所示的过压防护电路11中,高速信号通路的阻抗不连续体现在:从连接器信号输出端输出的高速信号需要先后经过TVS管106,第一电阻105,电容103和二极管;连接器外接的电路阻抗也不连续,连接器外接的电路自身也会包括若干个电阻、电容103和电感,导致在连接器将高速信号接入过压防护电路之前,高速信号已经通过了一段阻抗不连续电路。因此,本实施例将第二电阻107连接于TVS管106的第一端和第一电阻105之间,用于对连接器信号输出端输出的高速信号进行阻抗匹配,防止振铃问题的发生,从而提高信号质量。其中,上述第二电阻107一般选用电阻值范围为0-50欧姆的小阻值电阻。
在一些实施例中,上述过压防护电路,二极管104的反向耐压值和电容103的耐压值均大于芯片的输入端耐压值。
在本实施例中,若所采用的TVS管106的击穿电压值大于后级芯片的耐压值,当连接器信号输出端的线缆对电源短接时,在如图2所示的过压防护电路中,此时的连接器信号输出端的输出电压一般会超过TVS管106的击穿电压,则TVS管106会将连接器信号输出端的电压值钳位至自身的钳位电压值而直接加载至电容103的一端以及二极管负极上,导致电容103的一端以及二极管104的电压瞬间上升。由于二极管104和电容103并联,二极管104和电容103将会承受相等的瞬时过压值,再加上二极管和电容103需要阻止过压接入芯片,因此,二极管104的反向耐压值和电容103的耐压值需要均大于芯片的输入端耐压值,借此提升对接口芯片的防护能力,提高了接口防护电路的可靠性。
示例性地,一般汽车的低压电源系统电压为12V或24V,当连接器信号输出端的线缆对电源短接时,上述电压值一般超过了TVS管106的击穿电压,若选用击穿电压值为9.6V的TVS管106,此时TVS管106会将上述电源系统输入的12V的电压值钳位至9.6V,然后直接加载至电容103的一端以及二极管负极上。然而,芯片的耐压值仅有3V,此时就需要利用二极管的反向特性和电容103来对后级芯片进行过压防护,因此,此时需要将二极管104的反向耐压值和电容103的耐压值均设置为大于9.6V,即大于芯片的输入端耐压值3V,借此实现对接口芯片的双重保护,提高了接口防护电路的可靠性。
在一些实施例中,在上述过压防护电路内,电容103的电容值范围为0.1-1000纳法。
在本实施例中,电容103选择电容值范围为0.1-1000纳法的电容,属于小容值的电容。其作用是:当芯片从高电平变为低电平输出,电容103会为下降沿提供通路。这是因为高速信号为高频交流信号,该交流信号接入二极管后会使二极管不停地承受反向电压,在二极管关断的过程中,会有电压反向恢复的过程,会在电压下降上产生边沿单调性的问题,这种边沿单调性的问题会导致后级设备误触发,以及会延长下降沿时间,难以达到高速信号频率的工作稳定性要求。若将上述小容值的电容103与二极管并联,即可解决该问题。由于小容值的电容103可以将高频信号通过,防止在下降沿上产生边沿单调性的问题,维持高速信号应有的边沿时间,提高高速信号频率的工作稳定性。电容103的大小与连接端口传输的数据信号的频率成反向关系。通过上述的方案,不但可以使得电容103能够有效滤除浪涌中的直流部分,还可以保证电容103对连接端口传输的数据信号的影响较小。
本实用新型还提供了一种电子设备,电子设备包括芯片、连接器以及过压防护电路;过压防护电路包括TVS管106、二极管104、电容103和第一电阻105;TVS管106的第一端分别与连接器的信号输出端、第一电阻105的第一端、电容103的第一端以及二极管104负极连接,TVS管106的第二端接地;二极管104的正极分别连接电容103的第二端以及芯片的输入端,第一电阻105的第二端接地。
电子设备中的过压防护电路如图2所示,包括:TVS管106、二极管104、电容103和第一电阻105;TVS管106的第一端分别与连接器的信号输出端和芯片输入端连接,TVS管106的第二端接地;电容103连接于TVS管106与芯片输入端之间;二极管104与电容103并联;二极管104的正极与芯片的输入端连接,二极管104的负极与TVS管106的第一端连接;第一电阻105的第一端连接于TVS管106与二极管104的负极之间,第一电阻105的第二端接地。
在本实施例中,连接器信号输出端的输出信号为高速信号,该高速信号的特性为:频率大于50MHZ,上升沿(或下降沿)时间小于50皮秒。
具体地,常规的TVS管分为单向TVS管和双向TVS管,由于连接器的信号输出端一般会输出高频的交流信号,因此本实施例采用双向的TVS管106。采用双向的TVS管106,既能实现对高频交流过压的防护,也保留了对直流过压的防护能力。而且,当TVS管106两端经受瞬间的高能量冲击时,它能以极高的速度使其阻抗骤然降低,同时吸收一个大电流,将其两端间的电压钳位在一个预定的数值上,从而确保后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击而损坏。
示例性地,在TVS管的使用方法上,若选用某个双向的TVS管,该TVS管的两端均可选择其一以作为上述第一端,另一端可作为上述第二端。当连接器的信号输出端产生浪涌,即信号输出端产生瞬时过压作用于上述TVS管106的第一端时,将会导致TVS管106两端的瞬时电压大于或等于TVS管106自身的钳位电压值,TVS管106的瞬时阻抗变得非常小,此时,可将该时刻的TVS管106视为瞬时电流导通的器件,该器件可用于将瞬时过压导流后接地,实现对后级电路以及芯片的防护。
在本实施例中,电容103的第一端与TVS管106连接,第二端有与芯片输入端连接,电容103用于芯片为下降沿提供高速信号通路,避免上述的边沿单调性问题。具体地,当芯片从高电平变为低电平输出时,芯片会产生一个下降沿输出,此时,由于二极管会承受反向电压,在二极管关断(二极管反向不导通)的过程中,二极管104两端的电压/电流出现反向恢复的过程,产生反向恢复电压/电流,会导致电路出现边沿单调性的问题。这种边沿单调性的问题容易导致后级设备误触发,以及会延长下降沿时间,难以达到高速信号频率的工作稳定性要求。本实施例将电容103与二极管并联,即可解决该边沿单调性的问题。
进一步地,在一个实施例中,选用电容103的电容值范围为0.1-1000纳法,属于小容值的电容。由于小容值的电容可以将高频信号通过,防止在下降沿上产生边沿单调性的问题,并且不会改变边沿时间。
而且,在本实施例中采用二极管104与电容103并联的方式,二极管104的正极与芯片的输入端连接,负极与TVS管106的第一端连接。当连接器信号输出端的线缆对电源短接时,会导致二极管负极的电压瞬间上升。此时,二极管可以利用自身的反向特性对后级芯片进行过压防护。
在本实施例中,第一电阻105的第一端连接于TVS管106与二极管104的负极之间,第一电阻105的第二端接地。其中,第一电阻105的任一端均可选择作为上述第一端,另一端作为上述第二端。在本实施例中,当芯片从高电平变为低电平输出时,二极管会关断(反向不导通)而产生反向恢复电压/电流,此时第一电阻105对电路提供一个弱下拉,以芯片的低电平状态。
具体地,上述弱下拉指的是通过第一电阻105将后级的芯片、电容103和二极管(相当于负载)接地,而且第一电阻105的阻值远远大于二极管104的饱和导通内阻。
在一些实施例中,上述电子设备还包括第二电阻107,第二电阻107的第一端分别连接连接器的信号输出端以及第一电阻105的第一端,第二电阻107的第二端分别连接第一电阻105的第一端、电容103的第一端以及二极管104负极连接。
示例性地,如图5所示的过压防护电路11,该过压防护电路包括:TVS管106、二极管104、电容103、第一电阻105和第二电阻107。TVS管106的第一端分别与连接器的信号输出端、第一电阻105的第一端、电容103的第一端以及二极管104负极连接,TVS管106的第二端接地;二极管104的正极分别连接电容103的第二端以及芯片的输入端,第一电阻105的第二端接地。第二电阻107的第一端分别连接连接器的信号输出端以及第一电阻105的第一端,第二电阻107的第二端分别连接第一电阻105的第一端、电容103的第一端以及二极管104负极连接。其中,第二电阻107连接于TVS管106的第一端和第一电阻105的第一端之间,用于对连接器信号输出端输出的高速信号进行阻抗匹配,防止因高速信号通路的阻抗不连续导致的振铃问题的发生。其中,第二电阻107一般选用电阻值范围为0-50欧姆的小阻值电阻。
示例性地,在本实施例中的电子设备的过压防护电路中,高速信号通路的阻抗不连续体现在:从连接器信号输出端输出的高速信号需要先后经过TVS管106,第一电阻105,电容103和二极管;连接器外接的电路阻抗也不连续,连接器外接的电路自身也会包括若干个电阻、电容103和电感,导致在连接器将高速信号接入过压防护电路之前,高速信号已经通过了一段阻抗不连续电路。因此,本实施例将第二电阻107连接于TVS管106的第一端和第一电阻105之间,用于对连接器信号输出端输出的高速信号进行阻抗匹配,防止振铃问题的发生,从而提高信号质量。
在一些实施例中,在上述电子设备中,二极管104的反向耐压值和电容103的耐压值均大于芯片的输入端耐压值。
在本实施例中,若所采用的TVS管106的击穿电压值大于后级芯片的耐压值,当连接器信号输出端的线缆对电源短接时,在如图2所示的过压防护电路中,此时的连接器信号输出端的输出电压一般会超过TVS管106的击穿电压,则TVS管106会将连接器信号输出端的电压值钳位至自身的钳位电压值而直接加载至电容103的一端以及二极管负极上,导致电容103的一端以及二极管104的电压瞬间上升。由于二极管104和电容103并联,二极管104和电容103将会承受相等的瞬时过压值,再加上二极管和电容103需要阻止过压接入芯片,因此,二极管104的反向耐压值和电容103的耐压值需要均大于芯片的输入端耐压值,借此提升对接口芯片的防护能力,提高了接口防护电路的可靠性。
示例性地,一般汽车的低压电源系统电压为12V或24V,当电子设备内的连接器信号的线缆对电源短接时,上述电压值一般超过了TVS管106的击穿电压,若选用击穿电压值为9.6V的TVS管106,此时TVS管106会将上述电源系统输入的12V的电压值钳位至9.6V,然后直接加载至电容103的一端以及二极管负极上。然而,芯片的耐压值仅有3V,此时就需要利用二极管的反向特性和电容103来对后级芯片进行过压防护,因此,此时需要将二极管104的反向耐压值和电容103的耐压值均设置为大于9.6V,即大于芯片的输入端耐压值3V,借此实现对接口芯片的双重保护,提高了接口防护电路的可靠性。
本实用新型还提供了一种车辆,包括上述实施例中的所提到的所有电子设备。
示例性地,一种车辆包括上述电子设备,其中,电子设备包括芯片、连接器以及过压防护电路。在上述车辆中,车辆中的高速信号发生设备为电子设备中的连接器,车辆中的信号处理芯片为电子设备中的芯片。然后,将上述过压防护电路中的TVS管106的第二端连接于车辆的金属架,即可达到TVS管106的第二端接地导通的效果,实现对车辆信号处理芯片的防护。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种过压防护电路,其特征在于,包括TVS管、二极管、电容和第一电阻;所述TVS管的第一端分别与连接器的信号输出端、第一电阻的第一端、所述电容的第一端以及所述二极管负极连接,所述TVS管的第二端接地;所述二极管的正极分别连接所述电容的第二端以及芯片的输入端,所述第一电阻的第二端接地,所述TVS管为双向TVS管。
2.根据权利要求1所述的过压防护电路,其特征在于,还包括第二电阻,所述第二电阻的第一端分别连接所述连接器的信号输出端以及所述第一电阻的第一端,所述第二电阻的第二端分别连接所述第一电阻的第一端、所述电容的第一端以及所述二极管负极连接。
3.根据权利要求2所述的过压防护电路,其特征在于,所述第二电阻的电阻值范围为0-50欧姆。
4.根据权利要求1所述的过压防护电路,其特征在于,所述二极管的反向耐压值和所述电容的耐压值均大于所述芯片的输入端耐压值。
5.根据权利要求1所述的过压防护电路,其特征在于,所述电容的电容值范围为0.1-1000纳法。
6.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括芯片、连接器以及过压防护电路;所述过压防护电路包括TVS管、二极管、电容和第一电阻;所述TVS管的第一端分别与连接器的信号输出端、第一电阻的第一端、所述电容的第一端以及所述二极管负极连接,所述TVS管的第二端接地;所述二极管的正极分别连接所述电容的第二端以及所述芯片的输入端,所述第一电阻的第二端接地,所述TVS管为双向TVS管。
7.如权利要求6所述的电子设备,其特征在于,还包括第二电阻,所述第二电阻的第一端分别连接所述连接器的信号输出端以及第一电阻的第一端,所述第二电阻的第二端分别连接所述第一电阻的第一端、所述电容的第一端以及所述二极管负极连接。
8.如权利要求7所述的电子设备,其特征在于,所述第二电阻的电阻值范围为0-50欧姆。
9.如权利要求6所述的电子设备,其特征在于:
所述二极管的反向耐压值和电容的耐压值均大于所述芯片的输入端耐压值;
和/或
所述电容的电容值范围为0.1-1000纳法。
10.一种车辆,其特征在于,包括如权利要求6-9任意一项所述的电子设备。
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