CN219553571U - 半导体工艺腔室 - Google Patents

Abstract

本申请公开一种半导体工艺腔室，属于半导体加工技术领域。所公开的半导体工艺腔室包括腔室本体、基座、内衬和接地件，所述基座设置于所述腔室本体内且用于承载晶圆，所述内衬环绕所述基座设置，所述内衬的顶端与所述腔室本体相连，所述接地件包括相连的第一分部和第二分部，所述第一分部贴附于所述内衬的底端，所述第二分部贴附于所述腔室本体。上述方案能够解决相关技术涉及的半导体工艺腔室存在生产晶圆效率较低以及不利于工艺调节的问题。

Description

半导体工艺腔室

技术领域

本申请属于半导体加工技术领域，具体涉及一种半导体工艺腔室。

背景技术

在晶圆表面制成薄膜，即制成金属硅化物的工艺技术中，通常采用半导体工艺设备，例如PVD(Physical Vapor Deposition，物理气相淀积)磁控溅射设备在晶圆表面上沉积薄膜，具体是使靶材的金属原子逸出靶材，以借助逸出的金属原子在工艺腔室内扩散，并对晶圆进行轰击，从而在晶圆上沉积薄膜。

为了避免逸出的金属原子扩散至工艺腔室的内壁，并污染内壁，需要在工艺腔室内设置内衬以对内壁进行遮挡，从而避免工艺腔室长期使用过程中被污染。但由于在工艺过程中内衬上会积累越来越多的电荷，该电荷会对加工晶圆产生不良影响，因此，为及时导走内衬上的电荷，以及为确保内衬两端电位一致，当前所采用的方式是在承载晶圆的基座上安装有接地环和接地弹片，当基座在工艺腔室内上升到加工晶圆的工艺位时，内衬的一端会与接地弹片接触，以将电荷通过接地弹片、接地环和基座导走，并且，由于内衬的另一端设在内壁上，因此，通过此种设置方式可以将内衬接地设置的同时，确保内衬两端电位保持一致。

但随着加工晶圆的次数增加，即基座会在工艺腔室内反复上升到工艺位，此时，内衬和接地环会反复压缩接地弹片，这容易使接地弹片发生过度变形甚至断裂的问题，因此需要定期进行更换，而这容易导致晶圆的生产效率较低，同时，由于接地弹片的限制，基座在工艺腔室内上升的高度有限，进而不利于实现在晶圆上沉积更多不同薄膜厚度的需求，即不利于工艺的调节。

实用新型内容

本申请公开一种半导体工艺腔室，以解决相关技术涉及的半导体工艺腔室存在生产晶圆效率较低以及不利于工艺调节的问题。

为了解决上述技术问题，本申请采用下述技术方案：

一种半导体工艺腔室，包括腔室本体、基座、内衬和接地件，所述基座设置于所述腔室本体内且用于承载晶圆，所述内衬环绕所述基座设置，所述内衬的顶端与所述腔室本体相连，所述接地件包括相连的第一分部和第二分部，所述第一分部贴附于所述内衬的底端，所述第二分部贴附于所述腔室本体。

本申请采用的技术方案能够达到以下有益效果：

本申请中，由于内衬的顶端与腔室本体相连，因此，内衬的顶端处于接地设置的状态，并且由于接地件的第一分部贴附于内衬的底端，与第一分部相连的接地件的第二分部贴附于腔室本体上，因此，内衬的底端通过接地件与腔室本体始终相连，即内衬的底端始终处于接地设置的状态，这使得内衬两端的电位保持一致，以避免影响加工晶圆的工艺效果。同时，由于接地件始终连接内衬的底端和腔室本体，且基座在腔室本体内运动时，接地件不限制基座在腔室本体内的高度，这使得晶圆上可以沉积更多不同厚度的薄膜，并且接地件也不受内衬和接地环的反复压缩，这使得接地件不容易发生过度变形甚至断裂的问题，进而不需要定期进行更换，进而不容易导致晶圆的生产效率较低。因此，本申请公开的半导体工艺设备能够解决相关技术涉及的半导体工艺腔室存在生产晶圆效率较低以及不利于工艺调节的问题。

附图说明

图1为本申请实施例公开的半导体工艺腔室的结构示意图；

图2至图4为本申请实施例公开的第一种接地件在不同角度下的结构示意图；

图5为本申请实施例公开的第一种接地件、内衬和腔室本体的爆炸图；

图6至图8为本申请实施例公开的第二种接地件在不同角度下的结构示意图；

图9为本申请实施例公开的第二种接地件、内衬和腔室本体的爆炸图；

图10至图13为本申请实施例公开的第三种接地件在不同角度下的结构示意图；

图14为本申请实施例公开的第三种接地件、内衬和腔室本体的爆炸图；

图15至图17为本申请实施例公开的第四种接地件在不同角度下的结构示意图；

图18为本申请实施例公开的第四种接地件、内衬和腔室本体的爆炸图；

图19至图21为本申请实施例公开的第五种接地件在不同角度下的结构示意图；

图22为本申请实施例公开的第五种接地件、内衬和腔室本体的爆炸图；

图23为本申请实施例公开的在同一工艺条件下，采用接地环和接地弹片的方式与本申请采用的接地件的方式对晶圆表面的膜层均匀性的影响的对比示意图。

附图标记说明：

100-腔室本体、110-侧壁、120-底壁；

200-基座；

300-内衬；

400-接地件、410-第二连接孔、420-第一分部、421-第一弯折片、422-第三连接孔、430-第二分部、431-第一子分部、432-第二子分部、433-第四连接孔、440-第三分部、441-第二弯折片、442-第五连接孔；

510-第一紧固件、520-第二紧固件、530-第三紧固件、540-第四紧固件；

610-直流电源、620-第一射频电源、630-壳体、640-磁控管、650-靶材、660-陶瓷环、670-压环、680-沉积环、690-波纹管；

710-输气管、720-输液管、730-电压口、740-第二射频电源。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

下面结合附图，通过具体的实施例及其应用场景对本申请实施例公开的半导体工艺腔室进行详细地说明。

请参考图1-图23，本申请公开了一种半导体工艺腔室，所公开的半导体工艺腔室包括腔室本体100、基座200、内衬300和接地件400。

半导体工艺腔室是加工晶圆的腔室，具体地，半导体工艺腔室包括壳体630以及与壳体630电连接的靶材650，壳体630与靶材650围成空腔，该空腔内设置有等离子体水和磁控管640，磁控管640可以在该空腔内旋转，直流电源610和第一射频电源620通过施加电信号给壳体630，以使壳体630施加相应的电压给靶材650。

腔室本体100是半导体工艺腔室的外围部件，其用于为半导体工艺腔室的其他部件提供安装基础，例如壳体630、靶材650、基座200、内衬300和接地件400。

具体地，基座200设置于腔室本体100内且用于承载晶圆，基座200可以在腔室本体100内上升或下降，以使晶圆靠近或远离靶材650，进而使晶圆上可以沉积不同厚度的薄膜。

内衬300用于防止靶材650逸出的金属原子扩散至腔室本体100，即防止污染腔室本体100。具体地，内衬300环绕基座200设置，内衬300的顶端与腔室本体100相连，腔室本体100接地设置，这使得内衬300的顶端通过腔室本体100接地设置。

接地件400包括相连的第一分部420和第二分部430，第一分部420贴附于内衬300的底端，可选地，第一分部420的至少部分可以贴附于内衬300的底端，这使得第一分部420与内衬300的底端之间具有较大的接触面积，第二分部430贴附于腔室本体100上，这使得第二分部430与腔室本体100之间具有较大的接触面积，即接地件400与内衬300和腔室本体100之间均具有较大的接触面积，这使得内衬300的接地效果较好，同时，由于内衬300的底端通过接地件400始终与腔室本体100相连，即内衬300的底端始终处于接地设置的状态，这使得内衬300上的电荷通过接地件400可以始终导出至腔室本体100。

由此可知，内衬300的顶端和内衬300的底端均接地设置，这使得内衬300两端的电位差较小，并且此种设置方式可以及时导走内衬300上的电荷，进而内衬300不容易吸引从靶材650逸出的金属原子，进而不容易影响加工晶圆的工艺效果，即能够获得更优的工艺效果，进而晶圆上沉积的薄膜的均匀性更好。

可选地，接地件400的制成材料可以是导电性能较好的材料，例如银。在另一种实施例中，考虑到接地件400的制造成本，接地件400所采用的制成材料可以是铜或铝。

可选地，半导体工艺腔室还包括陶瓷环660，陶瓷环660设在靶材650的两端，同时，陶瓷环660设在内衬300的顶端，以使内衬300绝缘设置。

可选地，半导体工艺腔室还包括压环670和沉积环680，沉积环680设置在基座200的环形边缘上，以用于遮挡基座200的环形边缘，进而防止基座200受到污染，压环670设在内衬300靠近基座200的端部上，以用于遮挡内衬300与沉积环680之间的间隙，进而避免逸出的金属原子穿过内衬300与沉积环680之间的间隙，扩散至基座200的下方，对腔室本体100造成污染。并且在不影响压环670正常发挥作用的前提下，基座200在腔室本体100内的高度可以增加，以使基座200具有更多个可以加工晶圆的工艺位，即此种设置方式能够使基座200在允许的范围内自由的调节工艺位的高低，这对工艺的开发调试具有很好的影响。

可选地，虽然基座200上设置有沉积环680，但基座200上仍然可能存在一定的电荷，因此，为及时导走基座200上的电荷，即为确保基座200接地设置，基座200和腔室本体100之间设置有波纹管690，基座200可以通过波纹管690将电荷导走至腔室本体100，即波纹管690的制成材料为能够导电的材料。此外，由于波纹管690具有一定的弹性，因此，基座200在腔室本体100内运动的过程中，波纹管690可以变形，与此同时，波纹管690具有密封作用，因此，波纹管500也可以始终保证腔室本体100与基座200之间的密封，从而保证半导体工艺腔室的环境不被破坏。此外，在波纹管690的弹性限制下，基座200运动时的稳定性和准直性较好。

本申请中，由于内衬300的顶端与腔室本体100相连，因此，内衬300的顶端处于接地设置的状态，并且由于接地件400的第一分部420贴附于内衬300的底端，与第一分部420相连的接地件400的第二分部430贴附于腔室本体100上，因此，内衬300的底端通过接地件400与腔室本体100始终相连，即内衬300的底端始终处于接地设置的状态，这使得内衬300两端的电位保持一致，以避免影响加工晶圆的工艺效果。同时，由于接地件400始终连接内衬300的底端和腔室本体100，且基座200在腔室本体100内运动时，接地件400不限制基座200在腔室本体100内的高度，这使得晶圆上可以沉积更多不同厚度的薄膜，并且接地件400也不受内衬300和接地环的反复压缩，这使得接地件400不容易发生过度变形甚至断裂的问题，进而不需要定期进行更换，进而不容易导致晶圆的生产效率较低。因此，本申请公开的半导体工艺设备能够解决相关技术涉及的半导体工艺腔室存在生产晶圆效率较低以及不利于工艺调节的问题。

此外，采用本申请所公开的接地方式可以在不影响腔室本体100的结构的情况下，对内衬300的接地设置进行优化，这使得改进效果较为显著，并且具有成本较低以及适配性较强的优点。

可选地，第一分部420的宽度与第二分部430的宽度可以不相同，第一分部420的厚度与第二分部430的厚度也可以不相同。

在另一种实施例中，为方便加工制造接地件400，接地件400各处的宽度均相同，且各处的厚度也均相同，即第一分部420的宽度与第二分部430的宽度相同，第一分部420的厚度与第二分部430的厚度相同。可选地，接地件400的宽度可以为20毫米，接地件400的厚度可以为2毫米，当然，本申请实施例对此不作具体限制。

可选地，腔室本体100包括侧壁110，内衬300的顶端与侧壁110相连，即内衬300的顶端通过侧壁110接地设置，第二分部430可以贴附在除侧壁110之外的腔室本体100的其他区域上。

在另一种实施例中，由于在不同半导体工艺腔室中，不同内衬300在腔室本体100内的设置位置可能不同，即内衬300的设置高度可能不同，虽然内衬300在腔室本体100内的设置高度可能会增大，但内衬300与侧壁110之间的距离始终较近，因此，请参考图2至图5，第二分部430沿竖直方向延伸，且第二分部430贴附于侧壁110上，即将接地件400与侧壁110相连，这使得接地件400与侧壁110具有较大的接触面积的同时，接地件400所使用的材料较少，进而接地件400的生产成本较低，且此种设置方式使得接地件400可以更好地适配不同规格的内衬300。

可选地，为确保第二分部430更容易与侧壁110相连，第二分部430可以沿竖直向上的方向延伸，即第二分部430的延伸方向与侧壁110的延伸方向相平行，此时，当操作人员打开腔室本体100时，第二分部430朝向操作人员，这使得操作人员更容易将第二分部430安装在侧壁110上。

可选地，为使第二分部430可以更稳定地设在侧壁110上，半导体工艺腔室还包括第四紧固件540，第二分部430设有第四连接孔433，第四紧固件540的一端穿过第四连接孔433，并与侧壁110相连，这使得第二分部430通过第四紧固件540可以较为稳定、可靠地设在侧壁110上，进而使得接地件400在侧壁110上设置地更加稳定，进而更容易确保接地件400稳定工作。

可选地，该第四紧固件540可以是螺栓，侧壁110上可以开设有螺纹孔，螺栓穿过第四连接孔433并与螺纹孔螺纹配合，这使得第二分部430可以从侧壁110上拆卸下来，进而使得接地件400可以从侧壁110上拆卸下来，以在接地件400出现意外损坏时，操作人员可以更容易地进行维修或更换。

可选地，腔室本体100包括侧壁110，内衬300的顶端可以直接与侧壁110相连，即内衬300的顶端直接通过侧壁110接地设置。在另一种实施例中，如图1以及如图6至图18所示，内衬300的底端不仅通过接地件400接地设置，内衬300的顶端也通过接地件400接地设置，具体地，第二分部430包括第一子分部431和第二子分部432，第一子分部431、第二子分部432和第一分部420依次相连，且第一子分部431设于内衬300的顶端与侧壁110之间，由此可知，内衬300的顶端和内衬300的底端均通过接地件400与侧壁110相连，这使得内衬300的两端更容易通过接地件400将电荷导走，进而使得内衬300的两端的电位更为一致。

此外，在该实施例中，第一子分部431可以沿水平方向延伸，即在竖直方向上，内衬300与第一子分部431叠置，且第一子分部431可以贴附在侧壁110的顶面上，以使第二分部430贴附于侧壁110的顶面。

可选地，第二子分部432可以沿竖直方向延伸，即此时接地件400的形状为弯折状，且第二子分部432与侧壁110之间可以存在一定的间距。在另一种实施例中，由于在不同半导体工艺腔室中，不同内衬300在腔室本体100内的设置位置可能不同，即内衬300除顶端之外的部分可能会靠近侧壁110设置，这使得接地件400也会靠近侧壁110设置，此时，第二子分部432也可以贴附于侧壁110上，即第一子分部431和第二子分部432均贴附于侧壁110上，这使得接地件400与侧壁110的接触面积更大，进而内衬300的接地效果更好。

可选地，为使第一子分部431和内衬300均可以稳定地设在侧壁110上，第一子分部431和内衬300可以分别通过不同的紧固件安装在侧壁110上。

在另一种实施例中，第一子分部431和内衬300可以通过同一紧固件安装在侧壁110上，具体地，半导体工艺腔室还包括第一紧固件510，内衬300的顶端设有第一连接孔，第一子分部431设有第二连接孔410，第一紧固件510的一端依次穿过第一连接孔和第二连接孔410，并与侧壁110相连，这使得第一子分部431与内衬300可以通过第一紧固件510较为稳定、可靠地设在侧壁110上，即实现接地件400与内衬300通过同一紧固件安装在侧壁110上的目的。

由此可知，在该实施例中，通过同一紧固件可以同时将接地件400与内衬300安装在侧壁110上，这使得接地件400与侧壁110之间以及内衬300与侧壁110之间均不需要额外的紧固件实现相连，这在一定程度上可以减少用于连接接地件400和侧壁110以及内衬300和侧壁110的部件，并简化半导体工艺腔室的安装工序。

可选地，该第一紧固件510可以是螺栓，侧壁110上可以开设有螺纹孔，螺栓依次穿过第一连接孔和第二连接孔410并与螺纹孔螺纹配合，这使得第一子分部431和内衬300可以从侧壁110上拆卸下来，即接地件400和内衬300可以从侧壁110上拆卸下来，以在接地件400和内衬300出现意外损坏时，操作人员可以更容易将接地件400和内衬300从侧壁110上拆卸下来进行维修或更换。

可选地，第一分部420沿水平方向延伸，第一分部420的一端与内衬300的底端相贴合，第一分部420的另一端可以抵接在侧壁110上，即第一分部420不仅可以通过第二分部430接地设置，还可以通过自身的端部接地设置，这使得内衬300上的电荷可以更加及时地被导走，即内衬300上的电荷被导走的速率更快。

在另一种实施例中，请参考图10至图14，为使第一分部420的另一端与侧壁110更容易连接，第一分部420的另一端设有沿竖直方向延伸的第一弯折片421，即第一弯折片421的延伸方向与侧壁110的延伸方向相平行，第一弯折片421可以贴附于侧壁110，以使第一弯折片421与侧壁110相连，通过此种设置方式在确保第一分部420与侧壁110的接触面积较大的同时，第一分部420与侧壁110更容易实现相连。此外，通过此种设置方式可以使内衬300上的电荷被导走的速率更快的同时，导走的电荷也更多。

一种实施例中，为使第一弯折片421可以更稳定地设在侧壁110上，第一弯折片421与侧壁110之间可以通过粘接的方式实现相连。

另一种实施例中，半导体工艺腔室还包括第二紧固件520，第一弯折片421设有第三连接孔422，第二紧固件520的一端穿过第三连接孔422与侧壁110相连，这使得第一弯折片421通过第二紧固件520可以较为稳定、可靠地设在侧壁110上，进而使得接地件400在侧壁110上设置地更加稳定，进而更容易确保接地件400稳定工作。

可选地，该第二紧固件520可以是螺栓，侧壁110上可以开设有螺纹孔，螺栓穿过第三连接孔422并与螺纹孔螺纹配合，这使得第一弯折片421可以从侧壁110上拆卸下来，进而使得接地件400可以从侧壁110上拆卸下来，以在接地件400出现意外损坏时，操作人员可以更容易地进行维修或更换。

可选地，接地件400可以仅包括第一分部420和第二分部430。在另一种实施例中，请参考图15至图22，接地件400还包括第三分部440，第三分部440与第一分部420相连，即第二分部430、第一分部420和第三分部440依次相连，腔室本体100可以包括相连的侧壁110和底壁120，且第二分部430贴附于侧壁110，第三分部440与底壁120相连，即第三分部440处于接地设置的状态，第三分部440可以沿竖直方向延伸，以使第三分部440的延伸方向垂直于底壁120的延伸方向，进而使第三分部440较容易与底壁120相连。

由此可知，第一分部420不仅通过第二分部430与侧壁110相连，以使内衬300的底端接地设置，第一分部420还通过第三分部440与底壁120相连，以使内衬300的底端接地设置，即内衬300的底端能够充分接地，进而内衬300底端的电荷可以较为快速地被导走。此外，由于接地件400不仅与侧壁110相连，还与底壁120相连，这使得接地件400在腔室本体100内的设置稳定性更好，同时，第三分部440在一定程度上可以支撑第一分部420，以使第一分部420与内衬300的底端相贴合地更加稳定，以确保内衬300的接地稳定性。

可选地，第三分部440的一端可以与第一分部420相连，第三分部440的另一端可以直接抵接在底壁120上，以实现内衬300通过第三分部440接地设置的目的。

为使第三分部440与底壁120更容易相连，且连接的稳定性较好，在另一种实施例中，第三分部440的一端与第一分部420相连，第三分部440的另一端设有沿水平方向延伸的第二弯折片441，即第二弯折片441的延伸方向平行于底壁120的延伸方向，且第二弯折片441贴附于底壁120，即第二弯折片441与底壁120具有较大的接触面积，以使第二弯折片441更容易与底壁120相连，进而使接地件400与底壁120更容易相连，且连接的稳定性较好。此外，由于接地件400与底壁120的接触面积较大，因此，通过此种设置方式可以使内衬300上的电荷被导走的速率更快的同时，导走的电荷也更多。

可选地，为使第二弯折片441更稳定地设在底壁120上，半导体工艺腔室还包括第三紧固件530，第二弯折片441设有第五连接孔442，第三紧固件530的一端穿过第五连接孔442，并与底壁120相连，这使得第二弯折片441通过第三紧固件530可以较为稳定、可靠地设在底壁120上，进而使得接地件400在底壁120上设置得更加稳定，进而更容易确保接地件400稳定工作。

可选地，该第三紧固件530可以是螺栓，底壁120上可以开设有螺纹孔，螺栓穿过第五连接孔442并与螺纹孔螺纹配合，这使得第二弯折片441可以从底壁120上拆卸下来，进而使得接地件400可以从底壁120上拆卸下来，以在接地件400出现意外损坏时，操作人员可以更容易地进行维修或更换。

可选地，为确保内衬300的各处的电荷被导走的速率一致，接地件400的数量可以为一个，此时，接地件400可以环绕内衬300设置。

在另一种实施例中，接地件400的数量为至少两个，各接地件400沿环绕内衬300的方向间隔设置，通过此种设置方式使得内衬300的各处的电荷被导走的速率较为一致，从而避免影响加工晶圆的工艺效果，同时，此种设置方式也可以避免影响腔室本体100内的其他部件的设置。

可选地，接地件400可以为分体式结构件。在另一种实施例中，接地件400为一体式结构件，通过此种设置方式可以提高接地件400的结构强度。

可选地，半导体工艺腔室还可以包括输气管710、输液管720、电压口730和第二射频电源740，电压口730和第二射频电源740可以共同向基座200输送电信号，以改变基座200的电性。

可选地，请参考图23，该图为在相同工艺条件下，使用常规的接地环和接地弹片导走内衬300上的电荷的方式与本申请采用的接地件400导走内衬300上的电荷的方式对晶圆加工时的膜层均匀性的影响的对比图，该晶圆的尺寸为12寸，图23中，纵轴代表晶圆表面的膜层厚度值(Thickness，THK)(单位为)，横轴代表晶圆上的不同取样点(横轴的数值代表取样点的编号)，测试结果显示，使用常规的接地环和接地弹片的方式使得晶圆的膜层均匀性为2.55％、沉积速率为2.58A/s，而使用本申请中的接地件400，例如接地铜片的方式使得晶圆的膜层均匀性为1.84％、沉积速率为2.64A/s，且从图中可以看出采用本申请中的接地件400使得晶圆表面的膜层厚度值的变化幅度较小。由此可知，采用本申请中的接地件400的方式使得晶圆表面的膜层均匀性更好，即晶圆表面各处的膜层厚度较为一致，进而晶圆的加工工艺结果较好。

本申请上文实施例中重点描述的是各个实施例之间的不同，各个实施例之间不同的优化特征只要不矛盾，均可以组合形成更优的实施例，考虑到行文简洁，在此则不再赘述。

以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请。对于本领域技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的权利要求范围之内。

Claims (10)

1.一种半导体工艺腔室，其特征在于，包括腔室本体(100)、基座(200)、内衬(300)和接地件(400)，所述基座(200)设置于所述腔室本体(100)内且用于承载晶圆，所述内衬(300)环绕所述基座(200)设置，所述内衬(300)的顶端与所述腔室本体(100)相连，所述接地件(400)包括相连的第一分部(420)和第二分部(430)，所述第一分部(420)贴附于所述内衬(300)的底端，所述第二分部(430)贴附于所述腔室本体(100)。

2.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述腔室本体(100)包括侧壁(110)，所述内衬(300)的顶端与所述侧壁(110)相连，所述第二分部(430)沿竖直方向延伸，且所述第二分部(430)贴附于所述侧壁(110)。

3.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述腔室本体(100)包括侧壁(110)，所述内衬(300)的顶端与所述侧壁(110)相连，所述第二分部(430)包括第一子分部(431)和第二子分部(432)，所述第一子分部(431)、所述第二子分部(432)和所述第一分部(420)依次相连，且所述第一子分部(431)设于所述内衬(300)的顶端与所述侧壁(110)之间。

4.根据权利要求3所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述半导体工艺腔室还包括第一紧固件(510)，所述内衬(300)的顶端设有第一连接孔，所述第一子分部(431)设有第二连接孔(410)，所述第一紧固件(510)的一端依次穿过所述第一连接孔和所述第二连接孔(410)，并与所述侧壁(110)相连。

5.根据权利要求3所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第一分部(420)沿水平方向延伸，所述第一分部(420)的一端与所述内衬(300)的底端相贴合，所述第一分部(420)的另一端设有沿竖直方向延伸的第一弯折片(421)，所述第一弯折片(421)与所述侧壁(110)相连。

6.根据权利要求5所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述半导体工艺腔室还包括第二紧固件(520)，所述第一弯折片(421)设有第三连接孔(422)，所述第二紧固件(520)的一端穿过所述第三连接孔(422)与所述侧壁(110)相连。

7.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述腔室本体(100)包括相连的侧壁(110)和底壁(120)，所述接地件(400)还包括第三分部(440)，所述第二分部(430)、所述第一分部(420)和所述第三分部(440)依次相连，且所述第二分部(430)贴附于所述侧壁(110)，所述第三分部(440)与所述底壁(120)相连。

8.根据权利要求7所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第三分部(440)的一端与所述第一分部(420)相连，所述第三分部(440)的另一端设有沿水平方向延伸的第二弯折片(441)，所述第二弯折片(441)贴附于所述底壁(120)。

9.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述接地件(400)的数量为至少两个，各所述接地件(400)沿环绕所述内衬(300)的方向间隔设置。

10.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述接地件(400)为一体式结构件。