CN219499362U - 一种双通道高频模拟信号精密增益控制和快速关断电路 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了一种双通道高频模拟信号精密增益控制和快速关断电路,包括关断模块以及增益控制模块,所述关断模块与增益控制模块连接;所述关断模块包括IN_Gain_CH1电源输入端、Signal_DISABLE信号输入端以及MOS管Q15;所述MOS管Q15的S极以及G极与Signal_DISABLE信号输入端连接,MOS管Q15的D极与IN_Gain_CH1电源输入端连接;所述增益控制模块包括运算放大器U1以及OUT_Gain_CH1信号输出端;运算放大器U1的负极与IN_Gain_CH1电源输入端连接,运算放大器U1的输出端与OUT_Gain_CH1信号输出端连接。本实用新型的有益效果是:该电路可以将输出的增益信号过零,使得增益信号得到全范围的精密控制。

Description

一种双通道高频模拟信号精密增益控制和快速关断电路
技术领域
本实用新型涉及电路领域,具体的说涉及到一种双通道高频模拟信号精密增益控制和快速关断电路。
背景技术
在日常生活的电路应用中,经常会遇到一些要求增益控制的电路,增益电路的目的是将输出端输出的信号保证在稳定的状态。但是精密增益控制电路在实现精密电压输出,降低失调电压等功能时,也可能会发生如过流过压等意外,因此需要将增益信号设为0,关闭电路的输出。
实用新型内容
为了克服现有技术的不足,本实用新型提供一种双通道高频模拟信号精密增益控制和快速关断电路,该电路可以将输出的增益信号过零,使得增益信号得到全范围的精密控制。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种双通道高频模拟信号精密增益控制和快速关断电路,包括关断模块以及增益控制模块,所述关断模块与增益控制模块连接;所述关断模块包括IN_Gain_CH1电源输入端、Signal_DISABLE信号输入端以及MOS管Q15;所述MOS管Q15的S极以及G极与Signal_DISABLE信号输入端连接,MOS管Q15的D极与IN_Gain_CH1电源输入端连接;所述增益控制模块包括运算放大器U1以及OUT_Gain_CH1信号输出端;运算放大器U1的负极与IN_Gain_CH1电源输入端连接,运算放大器U1的输出端与OUT_Gain_CH1信号输出端连接。
在上述的电路中,所述增益控制模块还包括电阻R34、电阻R52以及电阻R56;所述运算放大器U1的输出端与接地端之间依次设置有电阻R56、电阻R52以及电阻R34。
在上述的电路中,所述增益控制模块还包括还包括电阻R53;所述运算放大器U1的正极连接在电阻R34以及电阻R52之间,定义该连接点为第一公共点;所述第一公共点与电阻R53连接并接地。
在上述的电路中,所述关断模块还包括电阻R26、电阻R27以及电阻R30;所述电阻R26设置在MOS管Q15的D极与IN_Gain_CH1电源输入端之间;电阻R27以及电阻R30设置在MOS管Q15的S极以及Signal_DISABLE信号输入端之间。
在上述的电路中,所述关断模块还包括还包括电容C32;所述电容C32设置在MOS管Q15的S极与G极之间。
在上述的电路中,所述运算放大器U1的型号为LM358。
本实用新型的有益效果是:该电路可以将输出的增益信号过零,使得增益信号得到全范围的精密控制。
附图说明
图1为本实用新型一种双通道高频模拟信号精密增益控制和快速关断电路的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
以下将结合实施例和附图对本实用新型的构思、具体结构及产生的技术效果进行清楚、完整地描述,以充分地理解本实用新型的目的、特征和效果。显然,所描述的实施例只是本实用新型的一部分实施例,而不是全部实施例,基于本实用新型的实施例,本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下所获得的其他实施例,均属于本实用新型保护的范围。另外,专利中涉及到的所有联接/连接关系,并非单指构件直接相接,而是指可根据具体实施情况,通过添加或减少联接辅件,来组成更优的联接结构。本实用新型创造中的各个技术特征,在不互相矛盾冲突的前提下可以交互组合。
参照图1所示,本实用新型揭示了一种双通道高频模拟信号精密增益控制和快速关断电路,具体的,该电路具有第一通道电路以及第二通道电路;所述第一通道电路包括关断模块10以及增益控制模块20,关断模块10与增益控制模块20连接,所述关断模块10可以将增益信号快速短路,实现快速地软关断;当正极性的模拟信号经过增益控制模块20后,输出的增益信号可以过零,使得增益信号可以得到全范围的精密控制。
所述关断模块10包括IN_Gain_CH1电源输入端、Signal_DISABLE信号输入端、电阻R26、电阻R27、电阻R30、电容C32以及MOS管Q15;所述MOS管Q15的型号为IRF540,具有G、S以及D极,MOS管Q15的S极以及G极与Signal_DISABLE信号输入端连接,MOS管Q15的D极与IN_Gain_CH1电源输入端连接,电阻R27以及电阻R30设置在Signal_DISABLE信号输入端与MOS管Q15的S极之间,电容C32设置在MOS管Q15的S极与G极之间,MOS管Q15的S极还接地;IN_Gain_CH1电源输入端通过电阻R26与MOS管Q15的D极连接。
所述增益控制模块20包括运算放大器U1、OUT_Gain_CH1信号输出端、电阻R34、电阻R52、电阻R53以及电阻R56;所述运算放大器U1的型号为LM358,有正极、负极以及输出端,运算放大器U1的负极与IN_Gain_CH1电源输入端连接,运算放大器U1的输出端与OUT_Gain_CH1信号输出端连接;运算放大器U1的输出端与接地端之间依次设置有电阻R56、电阻R52以及电阻R34,运算放大器U1的正极连接在电阻R52以及电阻R34之间;定义运算放大器U1的正极与电阻R52以及电阻R34之间的连接点为第一公共点,所述第一公共点通过电阻R53与外部电源连接。
电阻R27与电容C32的加入,避免了高速数字信号Signal_DISABLE对模拟信号IN_Gain_CH1通过MOS管Q15的寄生电容进行耦合产生脉冲干扰。当MOS管Q15在关断时,直流阻值远大于电阻R26,运算放大器U1的输入阻抗也远大于电阻R26,从而电阻R26的加入不会对增益的精度产生影响。而且电阻R26的加入还可以降低MOS管Q15短路时电路中的电流。
所述第二通道电路与第一通道电路的结构以及原理都相同,因此不对第二通道电路再进行详细描述。
精密增益控制可以实现精密的电压输出,降低失调电压等;快速关断意味着要快速将增益设为0,即为软关断,在意外发生时,如过流过压时,快速响应,关闭输出,为电路提供可靠的保证。当信号输入时,关断模块10可以将增益信号快速短路,实现快速地软关断;当正极性的模拟信号经过增益控制模块20后,在增益控制模块20的作用下,可以将输出的增益信号可以过零,使得增益信号可以得到全范围的精密控制。
以上是对本实用新型的较佳实施进行了具体说明,但本实用新型创造并不限于所述实施例,熟悉本领域的技术人员在不违背本实用新型精神的前提下还可做出种种的等同变形或替换,这些等同的变形或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。

Claims (6)

1.一种双通道高频模拟信号精密增益控制和快速关断电路,其特征在于,包括关断模块以及增益控制模块,所述关断模块与增益控制模块连接;
所述关断模块包括IN_Gain_CH1电源输入端、Signal_DISABLE信号输入端以及MOS管Q15;所述MOS管Q15的S极以及G极与Signal_DISABLE信号输入端连接,MOS管Q15的D极与IN_Gain_CH1电源输入端连接;
所述增益控制模块包括运算放大器U1以及OUT_Gain_CH1信号输出端;运算放大器U1的负极与IN_Gain_CH1电源输入端连接,运算放大器U1的输出端与OUT_Gain_CH1信号输出端连接。
2.根据权利要求1所述的一种双通道高频模拟信号精密增益控制和快速关断电路,其特征在于,所述增益控制模块还包括电阻R34、电阻R52以及电阻R56;
所述运算放大器U1的输出端与接地端之间依次设置有电阻R56、电阻R52以及电阻R34。
3.根据权利要求2所述的一种双通道高频模拟信号精密增益控制和快速关断电路,其特征在于,所述增益控制模块还包括电阻R53;
所述运算放大器U1的正极连接在电阻R34以及电阻R52之间,定义该连接点为第一公共点;所述第一公共点与电阻R53连接并接地。
4.根据权利要求1所述的一种双通道高频模拟信号精密增益控制和快速关断电路,其特征在于,所述关断模块还包括电阻R26、电阻R27以及电阻R30;
所述电阻R26设置在MOS管Q15的D极与IN_Gain_CH1电源输入端之间;电阻R27以及电阻R30设置在MOS管Q15的S极以及Signal_DISABLE信号输入端之间。
5.根据权利要求1所述的一种双通道高频模拟信号精密增益控制和快速关断电路,其特征在于,所述关断模块还包括电容C32;
所述电容C32设置在MOS管Q15的S极与G极之间。
6.根据权利要求1所述的一种双通道高频模拟信号精密增益控制和快速关断电路,其特征在于,所述运算放大器U1的型号为LM358。
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