CN219350928U - 一种半导体激光器系统 - Google Patents

Abstract

一种半导体激光器系统，包括：第一半导体激光驱动电路、第二半导体激光驱动电路、第一温控电路、第二温控电路、第一半导体激光器、第二半导体激光器和掺铒光纤放大光路；所述第一半导体激光驱动电路和第二半导体激光驱动电路用于对第一半导体激光器、第二半导体激光器进行驱动，所述第一温控电路和第二温控电路用于实现第一半导体激光器、第二半导体激光器的温度的稳定控制，所述掺铒光纤放大光路用于实现第一半导体激光器、第二半导体激光器输出的激光信号的调制，本方案通过集成电路代替现有技术中的用于对半导体激光器进行驱动的激光器仪器对半导体激光器进行驱动，降低了半导体激光器的驱动成本，同时，也降低了激光器系统的体积和成本。

Description

一种半导体激光器系统

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体激光器系统。

背景技术

半导体激光器是一种窄线宽激光器，半导体激光器的发射功率随注入电流的改变而改变。在光纤传感、光通信和激光雷达等领域具有重要的应用前景。半导体激光器的稳定可靠工作依靠于激光驱动电路和TEC(Thermo Electric Cooler，半导体制冷器)恒温控制电路的稳定运行，激光驱动电路和恒温控制电路的性能决定了半导体激光器输出波长和功率的稳定性。传统的半导体激光器驱动方法一般需要用额外的恒流源仪器和TEC控制仪器完成，成本高且集成度低。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型实施例提供一种半导体激光器系统，以降低半导体激光器系统的整体成本。

为实现上述目的，本实用新型实施例提供如下技术方案：

一种半导体激光器系统，包括：

第一半导体激光驱动电路、第二半导体激光驱动电路、第一温控电路、第二温控电路、第一半导体激光器、第二半导体激光器和掺铒光纤放大光路，其中，至少所述第一半导体激光驱动电路和/或第二半导体激光驱动电路为集成电路；

所述第一半导体激光驱动电路的输出端与所述第一半导体激光器的驱动信号输入端相连；

所述第二半导体激光驱动电路的输出端与所述第二半导体激光器的驱动信号输入端相连；

所述第一温控电路用于对所述第一半导体激光器进行温度恒定控制；所述第二温控电路用于对所述第一半导体激光器进行温度恒定控制；

所述掺铒光纤放大光路的输入端与所述第一半导体激光器和所述第二半导体激光器的输出端相连；

所述掺铒光纤放大光路的输出端与半导体激光器的输出端相连。

可选的，上述半导体激光器系统中，所述第一半导体激光驱动电路包括：

第一控制器、第一DAC电路、第一幅度调节电路、脉冲产生电路、第一恒流源模块和电流耦合模块；

所述第一控制器的第一输出端与所述第一DAC电路的输入端相连，所述第一控制器的第二输出端与所述与第一脉冲控制信号调节电路的输入端连接；

所述第一DAC电路的输出端与所述第一幅度调节电路的输入端相连；

所述脉冲产生电路的输入端与所述第一控制器的第二输出端相连；

所述第一恒流源模块的输入端分别与所述第一幅度调节电路的输出端和所述脉冲产生电路的输出端相连；

所述第一恒流源模块的输出端与所述电流耦合模块的输入端相连，以将所述第一恒流源模块生成的基线电流信号和脉冲电流信号发送给所述电流耦合模块；

所述电流耦合模块的输出端作为所述第一半导体激光驱动电路的输出端。

可选的，上述半导体激光器系统中，所述电流耦合模块为直流耦合模块或交流耦合模块；

所述直流耦合模块包括：第一电阻和第一电感；

所述第一电阻的第一端作为所述直流耦合模块的第一输入端，用于获取所述脉冲电流信号；

所述第一电感的第一端作为所述直流耦合模块的第二输入端，用于获取所述基线电流信号；

所述第一电感和所述第一电阻的第二端作为所述直流耦合模块的输出端；

所述交流耦合模块包括：第二电阻、第二电感和滤波电容；

所述滤波电容的第一端作为所述交流耦合模块的第一输入端，用于获取所述脉冲电流信号；

所述第二电阻的第一端与所述滤波电容的第二端相连；

所述第二电感的第一端作为所述直流耦合模块的第二输入端，用于获取所述基线电流信号；

所述第二电感和所述第二电阻的第二端作为所述交流耦合模块的输出端。

可选的，上述半导体激光器系统中，所述第二半导体激光驱动电路包括：

第二控制器、第二DAC电路、第二幅度调节电路和第二恒流源模块；

所述第二控制器的输出端与所述第二DAC电路的输入端相连；

所述第二DAC电路的输出端与所述第二幅度调节电路的输入端相连；

所述第二幅度调节电路的输出端与所述第二恒流源模块的输入端相连，所述第二恒流源模块的输出端作为所述第二半导体激光驱动电路的输出端。

可选的，上述半导体激光器系统中，所述第一控制器和所述第二控制器为同一控制器。

可选的，上述半导体激光器系统中，所述第一温控电路所述第二温控电路的结构相同或不同，其中，所述第一温控电路或所述第二温控电路，包括：

温度传感器、PID调节电路、第三控制器和TEC恒温控制电路；

所述PID调节电路的第一端与所述第三控制器的第一端相连；

所述第三控制器的温度信号输入端与所述温度传感器的输出端相连，所述温度传感器用于检测并输出所述第一半导体激光器或所述第二半导体激光器的温度，所述第三控制器的输出端与所述TEC恒温控制电路的输入端相连，所述TEC恒温控制电路的输出端作为温控电路的输出端。

可选的，上述半导体激光器系统中，所述掺铒光纤放大光路，包括：

波分复用器、掺铒光纤、滤波器和第一隔离器；

所述波分复用器的第一输入端与所述第一半导体激光器的输出端相连；

所述波分复用器的第二输入端与所述第二半导体激光器的输出端相连；

所述波分复用器的输出端通过掺铒光纤与所述滤波器的输入端相连；

所述滤波器的输出端通过所述第一隔离器与所述激光器的输出端相连。

可选的，上述半导体激光器系统中，还包括：

设置在所述波分复用器与所述第一半导体激光器之间的第二隔离器。

可选的，上述半导体激光器系统中，还包括：

设置在所述波分复用器与所述第一半导体激光器和所述第二半导体激光器之间的光纤熔接机。

可选的，上述半导体激光器系统中，所述第一半导体激光器和第二半导体激光器为输出波长相同或不同的激光器。

基于上述技术方案介绍可见，本实用新型实施例提供的上述方案中，通过集成电路代替现有技术中的用于对半导体激光器进行驱动的激光器仪器对半导体激光器进行驱动，降低了半导体激光器的驱动成本，同时，也降低了激光器系统的体积和成本。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例公开的半导体激光器系统的结构示意图；

图2为本申请实施例公开的半导体激光驱动电路的结构示意图；

图3为本申请另一实施例公开的半导体激光驱动电路的结构示意图；

图4为本申请实施例提供的温控电路的结构示意图；

图5为本申请实施例提供的掺铒光纤放大光路的结构示意图；

图6为半导体激光器的控制信号示意图；

图7a和图7b为电流耦合模块的结构示意图；

图8为TEC恒温控制电路输出的TEC驱动信号的PWM控制波形。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

本专利提出一种半导体激光器系统，该系统通过集成电路对半导体激光器的驱动，替换了现有技术中大体积的激光器仪器。通过控制器芯片来产生重频可调的窄脉冲信号，来对激光器的功率进行调节，可以直接通过程序来调节激光器的各项输出参数，提高了系统运行的可靠性。本实用新型无需引入大体积的激光器仪器和额外的信号发生器等模块，结构简单、成本低。

具体的，参见图1，本申请实施例公开的半导体激光器系统，可以包括：

第一半导体激光驱动电路100、第二半导体激光驱动电路200、第一温控电路300、第二温控电路400、第一半导体激光器500、第二半导体激光器600和掺铒光纤放大光路700，其中，至少所述第一半导体激光驱动电路和/或第二半导体激光驱动电路为集成电路，上述各个模块的具体连接方式如下：

所述第一半导体激光驱动电路100的输出端与所述第一半导体激光器500的驱动信号输入端相连，所述第一半导体激光驱动电路100用于生成所述第一半导体激光器500的驱动信号；

所述第二半导体激光驱动电路200的输出端与所述第二半导体激光器600的驱动信号输入端相连，所述第二半导体激光驱动电路200用于生成所述第二半导体激光器600的驱动信号；

所述第一温控电路300用于实现所述第一半导体激光器500温度的稳定控制；

所述第二温控电路400用于实现所述第二半导体激光器600温度的稳定控制；

所述掺铒光纤放大光路的输入端与所述第一半导体激光器500和所述第二半导体激光器600的输出端相连；

所述掺铒光纤放大光路的输出端与半导体激光器的输出端相连，所述掺铒光纤放大光路用于实现所述第一半导体激光器500和所述第二半导体激光器600输出的激光信号的调制。

上述方案中，所述第一半导体激光驱动电路100和第二半导体激光驱动电路200均为集成电路结构，通过集成电路代替现有技术中的用于对半导体激光器进行驱动的激光器仪器对半导体激光器进行驱动，降低了半导体激光器的驱动成本，同时，也降低了激光器系统的体积和成本。

所述第一半导体激光驱动电路100的结构可以根据用户需求自行设定，只要其能够生成所述第一半导体激光器500的驱动信号即可，例如，参见图2，所述第一半导体激光驱动电路100包括：

第一控制器101、第一DAC电路102、第一幅度调节电路103、脉冲产生电路104、第一恒流源模块105和电流耦合模块106；

所述第一控制器101的第一输出端与所述第一DAC电路102的输入端相连，所述第一控制器101的第二输出端与所述脉冲产生电路104的输入端相连，所述第一控制器101可以采用FPGA或其他MCU控制器芯片实现，所述第一控制器101用于根据设定的频率产生脉冲生成信号，将所述脉冲生成通过其第二输出端发送给所述脉冲产生电路104；同时第一控制器101还用于产生一个设定幅值的电平信号，该电平信号经过第一DAC电路102完成数字信号到模拟信号的转换，转换后的模拟量信号经所述第一幅度调节电路103调节后，输入给所述第一恒流源模块105；

所述第一DAC电路102的输出端与所述第一幅度调节电路103的输入端相连，所述第一DAC电路102用于将由第一控制器101获取到的数字电平信号转换为模拟信号，并通过所述第一幅度调节电路103发送给恒流源电路；

所述第一幅度调节电路103，用于将所述第一DAC电路102的输出信号调节至预设电压幅度范围内后，发送给所述第一恒流源模块105；

所述脉冲产生电路104，用于基于所述第一控制器101输出的脉冲生成信号生成对应的脉冲信号，并将所述脉冲信号发送至所述第一恒流源模块105；

所述第一恒流源模块105的输入端与所述第一幅度调节电路103的输出端和所述脉冲产生电路104的输出端相连，所述第一恒流源模块105的输出端与所述电流耦合模块106的输入端相连；所述第一恒流源模块105，用于将第一DAC电路输出的模拟信号，转换成目标信号，产生电流幅值恒定的基线电流，同时根据所述脉冲产生电路104输出的脉冲信号，产生不同重复频率和脉宽的脉冲电流信号，将所述基线电流信号和所述脉冲电流信号发送给所述电流耦合模块106；

所述电流耦合模块106的输出端作为所述第一半导体激光驱动电路100的输出端，所述电流耦合模块106用于对所述基线电流信号和脉冲电流信号进行叠加，叠加后的脉冲信号输入给所述第一半导体激光器500，所述第一半导体激光器500将叠加后的脉冲信号作为控制信号进行输出激光的控制，以通过该脉冲信号控制所述第一半导体激光器500的输出重频、占空比和功率。

参见图3，在本申请实施例公开的技术方案中，所述第二半导体激光驱动电路200包括：

第二控制器201、第二DAC电路202、第二幅度调节电路203和第二恒流源模块204；

所述第二控制器201的输出端与所述第二DAC电路202的输入端相连，与所述第一控制器101相对应，用于产生一个设定幅值的电平信号；

所述第二DAC电路202的输出端与所述第二幅度调节电路303的输入端相连，所述第二DAC电路202的功能与所述第一DAC电路102相对应，用于将所述第一控制器101输出的电平信号转换为模拟信号；

所述第二幅度调节电路203的输出端与所述第二恒流源模块204的输入端相连，其与所述第一幅度调节电路103相对应，用于将所述第二DAC电路202输出的模拟信号的幅值调节到允许范围内；

所述第二恒流源模块204的输出端作为所述第二半导体激光驱动电路200的输出端，所述第二恒流源模块204与所述第一恒流源模块105相对应，用于将第二DAC电路202输出的模拟信号，转换成目标信号，产生电流幅值恒定的基线电流，将所述基线电流信号发送给所述第二半导体激光器600。

上述第二半导体激光驱动电路200中，所述第二控制器201用于基于设定规则产生电平信号，所述电平信号经过所述第二DAC电路202以及第二幅度调节电路203调节后，发送给所述第二恒流源模块204，所述第二恒流源模块204基于将所述第二幅度调节电路203的输出信号产生电流幅值恒定的基线电流，并将所述基线电流输入至所述第二半导体激光器600，通过该基线电流驱动所述第二半导体激光器600，实现所述第二半导体激光器600的输出功率的控制。

在本申请另一实施例公开的技术方案中，上述集成系统还可以包括电源模块，所述电源模块用于对上述集成系统中的各个用电器件供电。

在本实施例公开的技术方案中，所述第一半导体激光驱动电路100中的第一控制器101和所述第二半导体激光驱动电路200中的第二控制器201可以集成在同一个控制器中，通过该控制器实现所述第一半导体激光驱动电路100和所述第二半导体激光驱动电路200的控制。所述第一半导体激光器500和所述第二半导体激光器600可以为相同或不同类型的半导体激光器，例如，所述第一半导体激光器500可以为1550nm激光器，所述第二半导体激光器600可以为980nm泵浦激光器。

在本实施例公开的技术方案中，所述第一温控电路300和/或所述第二温控电路400的结构可以根据用户需求自行设计，所述第一温控电路300和/或所述第二温控电路400的电路结构可以相同，具体结构可以根据用户需求自行设计，只要其能够保证所述第一半导体激光器500和第二半导体激光器600的温度稳定即可，具体的，参见图4所示，所述第一温控电路300或所述第二温控电路400包括：

PID调节电路301、第三控制器302和TEC恒温控制电路303、温度传感器304；

所述PID调节电路301的第一端与所述第三控制器302的第一端相连；

所述第三控制器302的温度信号输入端与所述温度传感器304的输出端相连，所述温度传感器用于检测并输出第一半导体激光器/第二半导体激光器的温度，所述第三控制器302的输出端与所述TEC恒温控制电路303的输入端相连，所述TEC恒温控制电路303的输出端作为温控电路的输出端。

上述方案中，所述温度传感器实时监测所述第一半导体激光器/第二半导体激光器的温度，并通过所述第三控制器302将采集到的激光器温度信号发送给所述PID调节电路301，所述PID调节电路301在获取到激光器温度后，基于预先设定的激光器温度进行闭环调节，产生与获取到的激光器温度相对应的脉冲生成信号，将所述脉冲生成信号发送给所述第三控制器302，所述第三控制器302在获取到所述脉冲生成信号后，生成与所述脉冲生成信号相适配的占空比可调的PWM驱动信号，将该PWM驱动信号发送给所述TEC恒温控制电路303，通过该PWM驱动信号可以控制TEC恒温控制电路303的制冷和制热功能从而实现第一半导体激光器500和第二半导体激光器600温度的稳定控制。所述第一温控电路300和第二温控电路400中的第三控制器302的功能类似，只是由于不同半导体激光器的最佳工作温度不同，因此在此处给不同的半导体激光器配置了不同的温控回路，即，为第一半导体激光器500配置第一温控电路300，为第二半导体激光器600配置第二温控电路400。

在本实施例公开的技术方案中，参见图5，所述掺铒光纤放大光路700，包括：

波分复用器701、掺铒光纤702、滤波器703和第一隔离器704；

所述波分复用器701的第一输入端与所述第一半导体激光器500的输出端相连；

所述波分复用器701的第二输入端与所述第二半导体激光器600的输出端相连；

所述波分复用器701的输出端通过掺铒光纤702与所述滤波器703的输入端相连，所述掺铒光纤的长度可以根据用户需求自行设定，例如，为了保证最好的光功率放大效果，所述掺铒光纤的长度可以为7m；

所述滤波器703的输出端通过所述第一隔离器704与所述激光器的输出端相连。

在该掺铒光纤放大光路中，首先由图2中半导体激光驱动电路完成第一半导体激光器500和第二半导体激光器600的驱动，之后在第一半导体激光器500和第二半导体激光器600的后端接入波分复用器701，通过所述波分复用器701实现第一半导体激光器500和第二半导体激光器600的输出激光的耦合，波分复用器701通过掺铒光纤将耦合的将发送给滤波器703，通过滤波器703获得更为稳定的激光信号，再通过第一隔离器704将滤波后的激光信号通过激光器输出端输出。

在本申请另一实施例公开的技术方案中，为了保护第一半导体激光器或第二半导体激光器不被烧毁，可以在所述第一半导体激光器或第二半导体激光器与所述波分复用器701之间设置一个隔离器，记为第二隔离器800。

在本方案中，所述第一半导体激光器500可以为1550nm脉冲激光器，所述1550nm脉冲激光器的控制信号如图6所示，此时，所述第一控制器101需要产生脉宽为10ns，重频为10kHz的脉冲信号，具体的，所述第一控制器101输出的控制信号的重频和脉宽都可以根据项目需求通过程序进行调整，在此不再限定。

在本实施例公开的技术方案中，半导体激光器中电流耦合模块的电路如图7a或图7b所示，图7a为直流耦合电路，脉冲电流是在基线电流的基础上直接进行叠加的；参见图7a所述直流耦合电路由第一电抗器L1和第一电阻器R1构成，所述第一电阻R1的第一端作为所述直流耦合模块的第一输入端，用于获取所述脉冲电流信号；所述第一电感L1的第一端作为所述直流耦合模块的第二输入端，用于获取所述基线电流信号；所述第一电感L1和所述第一电阻R1的第二端作为所述直流耦合模块的输出端；图7b为交流耦合电路，第二电阻R2、第二电感L2和滤波电容C，所述滤波电容C的第一端作为所述交流耦合模块的第一输入端，用于获取所述脉冲电流信号；所述第二电阻R2的第一端与所述滤波电容的第二端相连；所述第二电感L2的第一端作为所述直流耦合模块的第二输入端，用于获取所述基线电流信号；所述第二电感L2和所述第二电阻R2的第二端作为所述交流耦合模块的输出端。相较于直流耦合电路而言，所述交流耦合电路可以提供更小的噪声值，直流耦合或交流耦合电路的选取视脉冲激光器工作场景需求而定。

在本申请实施例公开的上述方案中，所述TEC恒温控制电路303输出的TEC驱动信号的PWM控制波形如图8所示，所述温控电路中的控制器可以根据相应温度传感器采集回来的温度信号配合所述PID电路，完成PWM控制波形的占空比调整，再基于该PWM控制波形控制TEC恒温控制电路303的制冷功能和加热功能。

在本申请另一实施例公开的技术方案中，为了减小插入损耗，上述方案中，还可以包括光纤熔接机，所述光纤熔接机设置在所述波分复用器701与所述第一半导体激光器500和所述第二半导体激光器600之间。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种半导体激光器系统，其特征在于，包括：

第一半导体激光驱动电路、第二半导体激光驱动电路、第一温控电路、第二温控电路、第一半导体激光器、第二半导体激光器和掺铒光纤放大光路，其中，至少所述第一半导体激光驱动电路和/或第二半导体激光驱动电路为集成电路；

所述第一半导体激光驱动电路的输出端与所述第一半导体激光器的驱动信号输入端相连；

所述第二半导体激光驱动电路的输出端与所述第二半导体激光器的驱动信号输入端相连；

所述第一温控电路用于对所述第一半导体激光器进行温度恒定控制；所述第二温控电路用于对所述第一半导体激光器进行温度恒定控制；

所述掺铒光纤放大光路的输入端与所述第一半导体激光器和所述第二半导体激光器的输出端相连；

所述掺铒光纤放大光路的输出端与半导体激光器的输出端相连。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器系统，其特征在于，所述第一半导体激光驱动电路包括：

第一控制器、第一DAC电路、第一幅度调节电路、脉冲产生电路、第一恒流源模块和电流耦合模块；

所述第一控制器的第一输出端与所述第一DAC电路的输入端相连，所述第一控制器的第二输出端与脉冲产生电路的输入端连接；

所述第一DAC电路的输出端与所述第一幅度调节电路的输入端相连；

所述脉冲产生电路的输入端与所述第一控制器的第二输出端相连；

所述第一恒流源模块的输入端分别与所述第一幅度调节电路的输出端和所述脉冲产生电路的输出端相连；

所述第一恒流源模块的输出端与所述电流耦合模块的输入端相连，以将所述第一恒流源模块生成的基线电流信号和脉冲电流信号发送给所述电流耦合模块；

所述电流耦合模块的输出端作为所述第一半导体激光驱动电路的输出端。

3.根据权利要求2所述的半导体激光器系统，其特征在于，所述电流耦合模块为直流耦合模块或交流耦合模块；

所述直流耦合模块包括：第一电阻和第一电感；

所述第一电阻的第一端作为所述直流耦合模块的第一输入端，用于获取所述脉冲电流信号；

所述第一电感的第一端作为所述直流耦合模块的第二输入端，用于获取所述基线电流信号；

所述第一电感和所述第一电阻的第二端作为所述直流耦合模块的输出端；

所述交流耦合模块包括：第二电阻、第二电感和滤波电容；

所述滤波电容的第一端作为所述交流耦合模块的第一输入端，用于获取所述脉冲电流信号；

所述第二电阻的第一端与所述滤波电容的第二端相连；

所述第二电感的第一端作为所述直流耦合模块的第二输入端，用于获取所述基线电流信号；

所述第二电感和所述第二电阻的第二端作为所述交流耦合模块的输出端。

4.根据权利要求2所述的半导体激光器系统，其特征在于，所述第二半导体激光驱动电路包括：

第二控制器、第二DAC电路、第二幅度调节电路和第二恒流源模块；

所述第二控制器的输出端与所述第二DAC电路的输入端相连；

所述第二DAC电路的输出端与所述第二幅度调节电路的输入端相连；

所述第二幅度调节电路的输出端与所述第二恒流源模块的输入端相连，所述第二恒流源模块的输出端作为所述第二半导体激光驱动电路的输出端。

5.根据权利要求4所述的半导体激光器系统，其特征在于，所述第一控制器和所述第二控制器为同一控制器。

6.根据权利要求1所述的半导体激光器系统，其特征在于，所述第一温控电路所述第二温控电路的结构相同或不同，其中，所述第一温控电路或所述第二温控电路，包括：

温度传感器、PID调节电路、第三控制器和TEC恒温控制电路；

所述PID调节电路的第一端与所述第三控制器的第一端相连；

所述第三控制器的温度信号输入端与所述温度传感器的输出端相连，所述温度传感器用于检测并输出所述第一半导体激光器或所述第二半导体激光器的温度，所述第三控制器的输出端与所述TEC恒温控制电路的输入端相连，所述TEC恒温控制电路的输出端作为温控电路的输出端。

7.根据权利要求1所述的半导体激光器系统，其特征在于，所述掺铒光纤放大光路，包括：

波分复用器、掺铒光纤、滤波器和第一隔离器；

所述波分复用器的第一输入端与所述第一半导体激光器的输出端相连；

所述波分复用器的第二输入端与所述第二半导体激光器的输出端相连；

所述波分复用器的输出端通过掺铒光纤与所述滤波器的输入端相连；

所述滤波器的输出端通过所述第一隔离器与所述激光器的输出端相连。

8.根据权利要求7所述的半导体激光器系统，其特征在于，还包括：

设置在所述波分复用器与所述第一半导体激光器之间的第二隔离器。

9.根据权利要求7所述的半导体激光器系统，其特征在于，还包括：

设置在所述波分复用器与所述第一半导体激光器和所述第二半导体激光器之间的光纤熔接机。

10.根据权利要求1所述的半导体激光器系统，其特征在于，所述第一半导体激光器和第二半导体激光器为输出波长相同或不同的激光器。

Images