CN219301295U - 一种纳米级氧化亚钴低温煅烧装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种纳米级氧化亚钴低温煅烧装置，包括炉体，炉体的侧边滑动连接有抽拉屉，抽拉屉的内壁固定有煅烧管，煅烧管上设置有进料口和出料口，煅烧管的中心处转动连接有旋转轴，旋转轴上位于煅烧管的内部通过连接杆固定有刮板，旋转轴上位于抽拉屉的外壁固定有从动齿轮，从动齿轮与侧边的主动齿轮啮合连接，主动齿轮固定在电机的动力输出端上，电机通过电机架固定在抽拉屉的外壁。本实用新型刮板将纳米氧化钴原材料在煅烧管内跟随刮板旋转，由于重力作用不断从高点落到底部，达到分散与气体充分接触的目的，使原材料粉末受热均匀，与气体得到充分接触，可以在高温条件下得到充分晶化，反应完全，获得所需粒径的纳米级氧化亚钴。
Description
技术领域
本实用新型涉及纳米级氧化亚钴制备技术领域，具体为一种纳米级氧化亚钴低温煅烧装置。
背景技术
纳米级氧化亚钴，是一种黑色粉末，不溶于水和醇，溶于稀酸和热的浓氢氧化钠溶液。通常作为生产硬质合金、超耐热合金、绝缘材料和磁性材料的主要原料，以及化学工业中的催化剂和染料等。
目前，纳米级氧化亚钴材料的煅烧设备主要采用电热炉(包括普通电热炉及台车炉或者可分体式的电热炉)和回转窑或者旋转炉煅烧，两种设备或多或少都存在炉体内部温度不均匀，使得纳米级氧化亚钴受热不均匀，容易出现过烧或者煅烧不充分的现象，进而导致晶粒粒径超出控制范围，粒径分布宽，造成产品质量不稳定。因此，设计一种纳米级氧化亚钴低温煅烧装置是很有必要的。
实用新型内容
针对上述情况，为克服现有技术的缺陷，本实用新型提供一种纳米级氧化亚钴低温煅烧装置，该装置结构新颖，构思巧妙，实现在地面上对FTU进行简单的巡视和运维，提升巡视和运维的效率，保证工作人员的安全。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种纳米级氧化亚钴低温煅烧装置，包括炉体，所述炉体的侧边滑动连接有抽拉屉，所述抽拉屉的内壁固定有煅烧管，所述煅烧管上设置有进料口和出料口，所述煅烧管的中心处转动连接有旋转轴，所述旋转轴上位于煅烧管的内部通过连接杆固定有刮板，所述旋转轴上位于抽拉屉的外壁固定有从动齿轮，所述从动齿轮与侧边的主动齿轮啮合连接，所述主动齿轮固定在电机的动力输出端上，所述电机通过电机架固定在抽拉屉的外壁。
优选的，所述出料口和进料口上旋接固定有端盖。
优选的，所述旋转轴的外端固定有进气接头，所述刮板上等距离分布有出气口，所述进气接头通过位于旋转轴和连接杆内部的供气通道与出气口连通，所述煅烧管的顶部一侧安装有排气口。
优选的，所述炉体包括加热装置、温度控制装置以及气体输入装置。
优选的，所述煅烧管采用高铝陶瓷件煅烧管。
优选的，所述煅烧管的尾端通过支撑件固定在抽拉屉的内壁。
本实用新型的有益效果为：
刮板将纳米氧化钴原材料在煅烧管内跟随刮板旋转，由于重力作用不断从高点落到底部，达到分散与气体充分接触的目的，使原材料粉末受热均匀，与气体得到充分接触，可以在高温条件下得到充分晶化，反应完全，获得所需粒径的纳米级氧化亚钴。
附图说明
附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中：
图1是本实用新型整体正视平面结构示意图；
图2是本实用新型整体展开平面结构示意图；
图3是本实用新型刮板区域平面结构示意图；
图中标号：1、炉体；2、抽拉屉；3、煅烧管；4、出料口；5、进料口；6、电机架；7、电机；8、主动齿轮；9、从动齿轮；10、旋转轴；11、进气接头；12、排气口；13、连接杆；14、刮板；15、出气口；16、供气通道；17、支撑件。
具体实施方式
在下文中，仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样，在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。
在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。
下面将结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述。
实施例一
由图1、图2和图3给出，本实用新型提供如下技术方案：一种纳米级氧化亚钴低温煅烧装置，包括炉体1，炉体1的侧边滑动连接有抽拉屉2，抽拉屉2的内壁固定有煅烧管3，煅烧管3上设置有进料口5和出料口4，煅烧管3的中心处转动连接有旋转轴10，旋转轴10上位于煅烧管3的内部通过连接杆13固定有刮板14，旋转轴10上位于抽拉屉2的外壁固定有从动齿轮9，从动齿轮9与侧边的主动齿轮8啮合连接，主动齿轮8固定在电机7的动力输出端上，电机7通过电机架6固定在抽拉屉2的外壁，煅烧过程中由电机7驱使主动齿轮8旋转，从而通过从动齿轮9驱动旋转轴10在煅烧管3的内部旋转，使刮板14将纳米氧化钴原材料在煅烧管3内跟随刮板14旋转，由于重力作用不断从高点落到底部，使原材料粉末受热均匀，可以在高温条件下得到充分晶化，反应完全，获得所需粒径的纳米级氧化亚钴。
优选的，出料口4和进料口5上旋接固定有端盖，方便进出料。
优选的，炉体1包括加热装置、温度控制装置以及气体输入装置，用于提供煅烧所需的高温环境以及对特殊气体含量的特殊要求。
优选的，煅烧管3采用高铝陶瓷件煅烧管，耐高温、传热均匀。
优选的，煅烧管3的尾端通过支撑件17固定在抽拉屉2的内壁，保证煅烧管3固定的稳定性。
实施例二
参照图2和图3，作为另一优选实施例，与实施例一的区别在于，旋转轴10的外端固定有进气接头11，刮板14上等距离分布有出气口15，进气接头11通过位于旋转轴10和连接杆13内部的供气通道16与出气口15连通，煅烧管3的顶部一侧安装有排气口12，将进气接头11通过旋转接头与气体输入装置连接，出气口15随着刮板14在煅烧管3的内部转动，方便将气氛充分的分布在煅烧管3内，使纳米氧化钴原材料与气体得到充分接触。
工作原理：将需要煅烧的纳米氧化钴原材料放入煅烧管3内，煅烧管3随抽拉屉2一起进入炉体1内，将炉体1的煅烧温度升高到700℃到1000℃，煅烧时还通过气体输入装置往煅烧管3内输入气体，通过煅烧管3炉顶排气口12排气，煅烧过程中由电机7驱使主动齿轮8旋转，从而通过从动齿轮9驱动旋转轴10在煅烧管3的内部旋转，使刮板14将纳米氧化钴原材料在煅烧管3内跟随刮板14旋转，由于重力作用不断从高点落到底部，达到分散与气体充分接触的目的，使原材料粉末受热均匀，与气体得到充分接触，可以在高温条件下得到充分晶化，反应完全，获得所需粒径的纳米级氧化亚钴。
最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种纳米级氧化亚钴低温煅烧装置，包括炉体(1)，所述炉体(1)的侧边滑动连接有抽拉屉(2)，所述抽拉屉(2)的内壁固定有煅烧管(3)，所述煅烧管(3)上设置有进料口(5)和出料口(4)，其特征在于：所述煅烧管(3)的中心处转动连接有旋转轴(10)，所述旋转轴(10)上位于煅烧管(3)的内部通过连接杆(13)固定有刮板(14)，所述旋转轴(10)上位于抽拉屉(2)的外壁固定有从动齿轮(9)，所述从动齿轮(9)与侧边的主动齿轮(8)啮合连接，所述主动齿轮(8)固定在电机(7)的动力输出端上，所述电机(7)通过电机架(6)固定在抽拉屉(2)的外壁。
2.根据权利要求1所述的一种纳米级氧化亚钴低温煅烧装置，其特征在于：所述出料口(4)和进料口(5)上旋接固定有端盖。
3.根据权利要求1所述的一种纳米级氧化亚钴低温煅烧装置，其特征在于：所述旋转轴(10)的外端固定有进气接头(11)，所述刮板(14)上等距离分布有出气口(15)，所述进气接头(11)通过位于旋转轴(10)和连接杆(13)内部的供气通道(16)与出气口(15)连通，所述煅烧管(3)的顶部一侧安装有排气口(12)。
4.根据权利要求1所述的一种纳米级氧化亚钴低温煅烧装置，其特征在于：所述炉体(1)包括加热装置、温度控制装置以及气体输入装置。
5.根据权利要求1所述的一种纳米级氧化亚钴低温煅烧装置，其特征在于：所述煅烧管(3)采用高铝陶瓷件煅烧管。
6.根据权利要求1所述的一种纳米级氧化亚钴低温煅烧装置，其特征在于：所述煅烧管(3)的尾端通过支撑件(17)固定在抽拉屉(2)的内壁。
Priority Applications (1)
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| CN202222771294.0U CN219301295U (zh) | 2022-10-20 | 2022-10-20 | 一种纳米级氧化亚钴低温煅烧装置 |
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| CN219301295U true CN219301295U (zh) | 2023-07-04 |
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Family Applications (1)
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| CN202222771294.0U Active CN219301295U (zh) | 2022-10-20 | 2022-10-20 | 一种纳米级氧化亚钴低温煅烧装置 |
Country Status (1)
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|---|---|
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2022
- 2022-10-20 CN CN202222771294.0U patent/CN219301295U/zh active Active
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