CN219275532U - 一种晶片抛光用取片装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种晶片抛光用取片装置，包括真空发生器，所述真空发生器具有进气端以及出气端，还包括用于对晶片本体进行吸附的吸附模块、用于对晶片本体与抛光盘的连接处进行吹扫的吹扫模块以及用于将所述真空发生器与外部高压气源连通的进气模块，吸附模块位于所述真空发生器的一侧，吹扫模块位于所述真空发生器的下部且与吸附模块对应设置，进气模块位于所述真空发生器的上部，本实用新型的有益效果是设有吸附模块与吹扫模块配合，对晶片本体进行吸附取片的同时将晶片本体与抛光盘吹扫分离，提升晶片本体的取片效率，降低碎片率，设有进气模块，可在取片过程中通过惰性气体对晶片本体进行保护，保证晶片表面质量并避免其出现快速氧化。
Description
技术领域
本实用新型涉及晶片研磨抛光技术领域，尤其是涉及一种晶片抛光用取片装置。
背景技术
近年来，随着需求的持续增大和国家也加大了对芯片技术的扶持，国内生产芯片的技术提高明显，而半导体单晶体或多晶体经切片需要后进行研磨、抛光才能达到表面要求，目前主要的研磨、抛光设备是利用载物盘带动晶片与抛光盘进行相互摩擦，辅助添加研磨液或抛光液，抛光结束之后需要将晶片从抛光盘上取出，取片方式主要是用吸盘或晶片夹将晶片取出，而抛光盘与晶片之间缝隙太小，几乎没有空气，由于大气压强问题，会造成取片操作困难，对于一些厚度很薄的晶片会造成大量的碎片现象产生，另外一种取片方式是用水冲洗，将晶片冲开，再用吸盘取出，此类方式会对易氧化或对水敏感的晶片造成表面质量下降。
申请号为：201910499126.0的中国发明专利公开了一种用于抛光设备的上定盘晶片剥离装置。包括水汽连接板；水汽连接板上方设有若干气缸；气缸伸缩杆与气缸安装块相连；气缸安装块块内设有水汽接头和剥离喷头；水汽接头一端与水汽管路相连，另一端与剥离喷头相连；水汽安装板下方设有接液环，接液环设有竖向通孔，通孔内设有塞套，塞套底部与多通接头相连；分液块通过管路与多通接头相连；上定盘上设有若干竖向通孔；剥离塞套固设于通孔内，剥离塞套通过管路与分液块相连。然而该种用于抛光设备的上定盘晶片剥离装置通过雾化后的水汽对晶片进行剥离，该种取片方式会使易氧化或对水敏感的晶片出现表面质量下降的现象，影响晶片加工精度，适用晶片的种类具有一定限制。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种晶片抛光用取片装置。
为实现上述目的，本实用新型提出的技术方案是：
一种晶片抛光用取片装置，包括真空发生器，所述真空发生器具有进气端以及出气端，还包括用于对晶片本体进行吸附的吸附模块、用于对晶片本体与抛光盘的连接处进行吹扫的吹扫模块以及用于将所述真空发生器与外部高压气源连通的进气模块，吸附模块位于所述真空发生器的一侧，吹扫模块位于所述真空发生器的下部且与吸附模块对应设置，进气模块位于所述真空发生器的上部。
吸附模块包括发生端导管以及真空吸盘，所述发生端导管设置在所述真空发生器的一侧上部且与所述真空发生器固定连接，所述发生端导管与所述真空发生器连通，所述真空吸盘设置在所述发生端导管远离所述真空发生器的一端且与所述发生端导管可拆卸连接，所述真空吸盘与所述发生端导管连通，所述真空吸盘的开口朝向下方设置。
所述真空吸盘的直径小于晶片本体的直径。
吹扫模块包括出气导管以及吹扫端口，所述出气导管设置在所述真空发生器的底部且与所述真空发生器固定连接，所述出气导管与所述真空发生器连通，所述吹扫端口设置在所述出气导管远离所述真空发生器的一端且与所述出气导管固定连接，所述吹扫端口与所述出气导管连通。
所述出气导管为柔性管体结构，所述出气导管与所述真空发生器的出气端连通，所述出气导管的形状及角度可调节。
进气模块包括进气导管以及进气腔，所述进气导管设置在所述真空发生器的上端且与所述真空发生器固定连接，所述进气导管与所述真空发生器连通，所述进气腔设置在所述真空发生器的内部且与所述进气导管连通。
所述进气导管与所述真空发生器的进气端连通，所述进气导管远离所述真空发生器的一端与外部高压气源连通。
还包括安装平台，所述安装平台设置在所述真空发生器的下部且与所述真空发生器固定连接。
还包括手持平台，所述手持平台根据抛光晶片的类型可选择使用金属或塑料或橡胶材料制成，所述真空发生器经由所述安装平台配置在所述手持平台上。
本实用新型的有益效果是：
结构简单，设有吸附模块与吹扫模块配合，对晶片本体进行吸附取片的同时将晶片本体与抛光盘吹扫分离，提升晶片本体的取片效率，降低碎片率，并且取片过程稳定，设有进气模块，可将真空发生器与惰性气体连通，从而在取片过程中通过惰性气体对晶片本体进行保护，保证晶片表面质量的同时避免晶片本体出现快速氧化，满足多种类型的晶片本体取片需求，实用性强。
附图说明
图1是本实用新型整体结构示意图；
图2是本实用新型吸附模块以及吹扫模块与晶片本体配合示意图；
图3是本实用新型取片装置与手持平台配合示意图。
图中：1、真空发生器；2、晶片本体；3、发生端导管；4、真空吸盘；5、出气导管；6、吹扫端口；7、进气导管；8、进气腔；9、安装平台；10、手持平台。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步详细描述，
实施例一：
一种晶片抛光用取片装置，包括真空发生器1，真空发生器1具有进气端以及出气端，还包括用于对晶片本体2进行吸附的吸附模块、用于对晶片本体2与抛光盘的连接处进行吹扫的吹扫模块以及用于将真空发生器1与外部高压气源连通的进气模块，吸附模块位于真空发生器1的一侧，吹扫模块位于真空发生器1的下部且与吸附模块对应设置，进气模块位于真空发生器1的上部，本实用新型整体结构示意图如图1所示。
吸附模块包括发生端导管3以及真空吸盘4，发生端导管3设置在真空发生器1的一侧上部且与真空发生器1固定连接，发生端导管3与真空发生器1连通，真空吸盘4设置在发生端导管3远离真空发生器1的一端且与发生端导管3可拆卸连接，真空吸盘4与发生端导管3连通，真空吸盘4的开口朝向下方设置，吸附模块通过发生端导管3以及真空吸盘4配合，对晶片本体2进行吸附，其中，发生端导管3用于与真空发生器1连通以配合真空吸盘4制造真空环境，真空吸盘4用于在发生端导管3的作用下制造真空环境以对晶片本体2进行吸附。
真空吸盘4的直径小于晶片本体2的直径，其中，真空吸盘4的尺寸及规格可根据晶片本体2的类型以及尺寸进行调整。
吹扫模块包括出气导管5以及吹扫端口6，出气导管5设置在真空发生器1的底部且与真空发生器1固定连接，出气导管5与真空发生器1连通，吹扫端口6设置在出气导管5远离真空发生器1的一端且与出气导管5固定连接，吹扫端口6与出气导管5连通，吹扫模块通过出气导管5以及吹扫端口6配合，对晶片本体2与抛光盘的连接处进行高压吹扫，从而将晶片本体2与抛光盘分离，其中，出气导管5用于为吹扫端口6提供安装支撑，吹扫端口6用于在出气导管5的作用下对晶片本体2与抛光盘的连接处进行高压吹扫，本实用新型吸附模块以及吹扫模块与晶片本体2配合示意图如图2所示。
出气导管5为柔性管体结构，出气导管5与真空发生器1的出气端连通，出气导管5的形状及角度可调节，其中，可根据晶片本体2的位置以及规格对出气导管5的形状以及角度进行适应性调整，从而使出气端口对准晶片本体2下表面边缘已倒角位置。
进气模块包括进气导管7以及进气腔8，进气导管7设置在真空发生器1的上端且与真空发生器1固定连接，进气导管7与真空发生器1连通，进气腔8设置在真空发生器1的内部且与进气导管7连通，进气模块通过进气导管7以及进气腔8配合，构成真空发生器1的进气结构，其中，进气导管7用于将真空发生器1与外部高压气源连通，进气腔8用于容纳进入真空发生器1内部的高压气体。
进气导管7与真空发生器1的进气端连通，进气导管7远离真空发生器1的一端与外部高压气源连通，其中，本方案中外部高压气源为惰性气体气源，气体类型可根据晶片本体2类型进行选择。
还包括安装平台9，安装平台9设置在真空发生器1的下部且与真空发生器1固定连接，其中，安装平台9用于作为真空发生器1的安装结构以便于对真空发生器1进行装配。
还包括手持平台10，手持平台10根据抛光晶片的类型可选择使用金属或塑料或橡胶材料制成，真空发生器1经由安装平台9配置在手持平台10上，其中，手持平台10的形状、尺寸均可根据晶片本体2大小进行调整，工作人员可通过手持平台10对取片装置进行握持，本实用新型取片装置与手持平台10配合示意图如图3所示。
实施例二：
在3英寸锑化镓晶片CMP抛光工艺中，由于锑化镓晶片在空气中或水中极易发生氧化，所以选择高纯氮气作为惰性气体气源接入到取片装置中，气压调整到0.2MP，真空吸盘4选择直径为50mm硅胶材质盘面，将吹扫端口6与真空吸盘4边缘距离调整到13mm。
待晶片抛光结束后，打开抛光机，取下载物盘，此时晶片全部吸附在抛光盘上，将取片装置的真空吸盘4平稳放在晶片上表面，将吹扫端口6对准晶片边缘与抛光盘的接触位置；开启真空发生器1进气端，此时真空吸盘4与晶片之间产生真空，将晶片牢牢吸附住，吹扫端口6的气流进入晶片与抛光盘之间，将晶片与抛光盘分离，从而将晶片平稳的从抛光盘上取出，放置到晶片盒中，完成取片工作。
其中，由于全部取片工作没有水的参与，并且在晶片转移过程中始终有氮气对其表面进行保护，晶片表面质量完好。
实施例三：
在进行30mm*30mm硫化锌方形多晶片的表面抛光作业时，在实施例二的基础上进行如下调整：选择高纯氩气作为惰性气体气源，真空吸盘4选择直径25mm软硅胶，将吹扫端口6与真空吸盘4边缘距离调整为4mm，取片过程与实施例二的取片过程相同。
其中，真空发生器1选择现有技术已公开的真空发生器1即可。
工作原理：
使用时，将真空吸盘4放置在晶片本体2上面并保证二者贴合无缝隙，同时调整将吹扫端口6对准晶片本体2下表面边缘已倒角位置，打开真空发生器1进气模块，此时真空吸盘4内呈真空状态，将晶片本体2吸附牢固，同时吹扫端口6的气流将晶片本体2与抛光盘分离，然后提起手持平台10将晶片本体2取出，放置到正确位置后关闭真空发生器1进气模块，完成取片操作。
本实用新型的有益效果是结构简单，设有吸附模块与吹扫模块配合，对晶片本体进行吸附取片的同时将晶片本体与抛光盘吹扫分离，提升晶片本体的取片效率，降低碎片率，并且取片过程稳定，设有进气模块，可将真空发生器与惰性气体连通，从而在取片过程中通过惰性气体对晶片本体进行保护，保证晶片表面质量的同时避免晶片本体出现快速氧化，满足多种类型的晶片本体取片需求，实用性强。
以上对本实用新型的一个实施例进行了详细说明，但内容仅为本实用新型的较佳实施例，不能被认为用于限定本实用新型的实施范围。凡依本实用新型申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本实用新型的专利涵盖范围之内。
Claims (9)
1.一种晶片抛光用取片装置，包括真空发生器(1)，所述真空发生器(1)具有进气端以及出气端，其特征在于，还包括用于对晶片本体(2)进行吸附的吸附模块、用于对晶片本体(2)与抛光盘的连接处进行吹扫的吹扫模块以及用于将所述真空发生器(1)与外部高压气源连通的进气模块，吸附模块位于所述真空发生器(1)的一侧，吹扫模块位于所述真空发生器(1)的下部且与吸附模块对应设置，进气模块位于所述真空发生器(1)的上部。
2.如权利要求1所述的一种晶片抛光用取片装置，其特征在于，吸附模块包括发生端导管(3)以及真空吸盘(4)，所述发生端导管(3)设置在所述真空发生器(1)的一侧上部且与所述真空发生器(1)固定连接，所述发生端导管(3)与所述真空发生器(1)连通，所述真空吸盘(4)设置在所述发生端导管(3)远离所述真空发生器(1)的一端且与所述发生端导管(3)可拆卸连接，所述真空吸盘(4)与所述发生端导管(3)连通，所述真空吸盘(4)的开口朝向下方设置。
3.如权利要求2所述的一种晶片抛光用取片装置，其特征在于，所述真空吸盘(4)的直径小于晶片本体(2)的直径。
4.如权利要求3所述的一种晶片抛光用取片装置，其特征在于，吹扫模块包括出气导管(5)以及吹扫端口(6)，所述出气导管(5)设置在所述真空发生器(1)的底部且与所述真空发生器(1)固定连接，所述出气导管(5)与所述真空发生器(1)连通，所述吹扫端口(6)设置在所述出气导管(5)远离所述真空发生器(1)的一端且与所述出气导管(5)固定连接，所述吹扫端口(6)与所述出气导管(5)连通。
5.如权利要求4所述的一种晶片抛光用取片装置，其特征在于，所述出气导管(5)为柔性管体结构，所述出气导管(5)与所述真空发生器(1)的出气端连通，所述出气导管(5)的形状及角度可调节。
6.如权利要求5所述的一种晶片抛光用取片装置，其特征在于，进气模块包括进气导管(7)以及进气腔(8)，所述进气导管(7)设置在所述真空发生器(1)的上端且与所述真空发生器(1)固定连接，所述进气导管(7)与所述真空发生器(1)连通，所述进气腔(8)设置在所述真空发生器(1)的内部且与所述进气导管(7)连通。
7.如权利要求6所述的一种晶片抛光用取片装置，其特征在于，所述进气导管(7)与所述真空发生器(1)的进气端连通，所述进气导管(7)远离所述真空发生器(1)的一端与外部高压气源连通。
8.如权利要求7所述的一种晶片抛光用取片装置，其特征在于，还包括安装平台(9)，所述安装平台(9)设置在所述真空发生器(1)的下部且与所述真空发生器(1)固定连接。
9.如权利要求8所述的一种晶片抛光用取片装置，其特征在于，还包括手持平台(10)，所述手持平台(10)根据抛光晶片的类型可选择使用金属或塑料或橡胶材料制成，所述真空发生器(1)经由所述安装平台(9)配置在所述手持平台(10)上。
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