CN219268868U - 抗干扰装置及通信装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种抗干扰装置及通信装置，抗干扰装置包括：监测模块，输入端接收信号发生端发出的通讯信号，根据通讯信号的信号参数输出第一控制信号或第二控制信号；控制模块，输入端连接监测模块的输出端，根据第一控制信号或第二控制信号控制第一滤波电路和第二滤波电路的通断；第一滤波电路，输入端连接控制模块的输出端，滤除通讯信号中幅值大于或等于第一预设幅值的干扰信号；第二滤波电路，输入端连接控制模块的输出端，滤除通讯信号中幅值小于或等于第二预设幅值的干扰信号，第二预设幅值小于第一预设幅值。本申请提出的抗干扰装置在通讯信号传输到信号接收端之前就滤除了干扰信号，无需切换载频来避免干扰，保证了通讯信号的有效传输。

Description

抗干扰装置及通信装置

技术领域

本实用新型涉及通信领域，特别是涉及一种抗干扰装置及通信装置。

背景技术

行业内的无线通讯抗干扰技术大多为跳频技术，即先计算不同载频传输下通信数据传输的完整率，从而判断出对应载频传输下的干扰程度，完整率越高即表示干扰程度越低，因此根据计算结果最终筛选出干扰程度较低的若干个载频作为跳频范围，在载频传输频段存在干扰、堵塞等情况时切换载频避开干扰，从而以较低成本实现通信传输过程中的有效抗干扰。但是，此种抗干扰技术在面对频段较宽的干扰信号时很容易出现多次切换载频的情况，从而严重影响传输过程。

实用新型内容

本实用新型为了解决现有的抗干扰技术容易出现频繁切换载频而影响信号传输的技术问题，提出一种抗干扰装置及通信装置。

本实用新型采用的技术方案是：

本实用新型提出了一种抗干扰装置及通信装置，其中抗干扰装置包括：

监测模块，输入端接收信号发生端发出的通讯信号，根据所述通讯信号的信号参数输出第一控制信号或第二控制信号；

控制模块，输入端连接所述监测模块的输出端，根据所述第一控制信号或所述第二控制信号控制第一滤波电路和第二滤波电路的通断；

第一滤波电路，输入端连接所述控制模块的输出端，滤除所述通讯信号中幅值大于或等于第一预设幅值的干扰信号；

第二滤波电路，输入端连接所述控制模块的输出端，滤除所述通讯信号中幅值小于或等于第二预设幅值的干扰信号，所述第二预设幅值小于所述第一预设幅值。

进一步的，所述监测模块还包括采样端，所述采样端连接所述第一滤波电路和所述第二滤波电路的输出端。

优选的，所述控制模块包括比较器U1，所述比较器U1的正向输入端和反向输入端均连接所述监测模块，所述监测模块向所述比较器U1的反向输入端输出基准电压，所述监测模块向所述比较器U1的正向输入端输出所述第一控制信号或所述第二控制信号，所述第一控制信号为电压值大于所述基准电压的高电平信号，所述第二控制信号为电压值小于所述基准电压的低电平信号。

优选的，所述第一滤波电路包括：NMOS管Q1、光耦隔离器U2、电阻R6和电阻R7、三极管VT1、电容C5和电容C6，所述NMOS管Q1的栅极连接所述比较器U1的输出端，所述NMOS管Q1的源极连接电源，所述NMOS管Q1的漏极连接所述光耦隔离器U2的输入侧，所述光耦隔离器U2的输出侧连接所述三极管VT1的集电极，所述三极管VT1的发射极连接信号接收端，所述电容C5的一端连接所述三极管VT1的基极另一端接地，所述电容C6的一端连接所述三极管VT1的发射极另一端接地，所述电阻R7的一端连接所述三极管VT1的发射极另一端接地，所述电阻R6的一端连接所述三极管VT1的集电极另一端连接所述三极管VT1的基极。

优选的，所述第二滤波电路包括：PMOS管Q2、光耦隔离器U3、电感L1和电容C7，所述PMOS管Q2的栅极连接所述比较器U1的输出端，所述PMOS管Q2的源极连接电源，所述PMOS管Q2的漏极连接所述光耦隔离器U3的输入侧，所述光耦隔离器U3的输出侧连接所述电感L1，所述电感L1的另一端连接信号接收端，所述电容C7的一端连接在所述电感L1和信号接收端之间另一端接地。

通信装置，包括上文所述的抗干扰装置。

与现有技术比较，本实用新型提出的抗干扰装置在通讯信号传输到信号接收端之前就滤除了干扰信号，从而无需切换载频来避免干扰，进而保证了通讯信号的有效传输。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例中抗干扰装置的原理图；

图2为本实用新型实施例中抗干扰装置的电路结构图。

具体实施方式

为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

行业内的无线通讯抗干扰技术大多为跳频技术，即先计算不同载频传输下通信数据传输的完整率，从而判断出对应载频传输下的干扰程度，完整率越高即表示干扰程度越低，因此根据计算结果最终筛选出干扰程度较低的若干个载频作为跳频范围，在载频传输频段存在干扰、堵塞等情况时切换载频避开干扰，从而以较低成本实现通信传输过程中的有效抗干扰。但是，此种抗干扰技术在面对频段较宽的干扰信号时很容易出现多次切换载频的情况，从而严重影响传输过程。

因此，为了解决现有的抗干扰技术容易出现频繁切换载频而影响信号传输的问题，本实用新型提出一种抗干扰装置，包括：

监测模块，监测模块的输入端接收信号发射端发出的通讯信号并根据通讯信号的信号参数输出第一控制信号或第二控制信号；

控制模块，控制模块的输入端连接监测模块的输出端，控制模块用于传输通讯信号并根据第一控制信号或第二控制信号控制第一滤波电路和第二滤波电路的通断；

第一滤波电路，第一滤波电路的输入端连接控制模块的输出端，第一滤波电路用于滤除通讯信号中幅值大于或等于第一预设幅值的干扰信号；

第二滤波电路，第二滤波电路的输入端连接控制模块的输出端，第一滤波电路用于滤除通讯信号中幅值小于或等于第二预设幅值的干扰信号，第二预设幅值小于第一预设幅值。

由此可知，本实用新型提出的抗干扰装置在通讯信号传输到信号接收端之前就滤除了干扰信号，从而无需切换载频来避免干扰，进而保证了通讯信号的有效传输。

下面结合附图以及实施例对本实用新型的原理及结构进行详细说明。

如图1所示，本实用新型提出了一种抗干扰装置，包括：

监测模块，监测模块的输入端接收信号发生端发出的通讯信号，同时监测模块根据通讯信号的丢包率、错误率、失真幅度输出第一控制信号或第二控制信号；

控制模块，控制模块的输入端连接监测模块的输出端，控制模块根据第一控制信号或第二控制信号控制第一滤波电路和第二滤波电路的通断，从而将通讯信号传输至第一滤波电路或第二滤波电路；

第一滤波电路，第一滤波电路的输入端连接控制模块的输出端，第一滤波电路用于滤除通讯信号中幅值大于或等于第一预设幅值的干扰信号；

第二滤波电路，第二滤波电路的输入端连接控制模块的输出端，第二滤波电路用于滤除幅值小于或等于第二预设幅值的干扰信号，其中第二预设幅值小于第一预设幅值。

具体的，如图2所示，在本实施例中，控制模块包括：比较器U1，比较器U1的正向输入端和反向输入端均连接监测模块，监测模块向比较器U1的反向输入端持续输出基准电压，监测模块向比较器U1的正向输入端输出第一控制信号或第二控制信号。第一滤波电路包括：NMOS管Q1、光耦隔离器U2、电阻R6、电阻R7、三极管VT1、电容C5和电容C6，其中NMOS管Q1的源极连接电源，NMOS管Q1的栅极连接比较器U1的输出端，NMOS管Q1的漏极连接光耦隔离器U2的输入侧，光耦隔离器U2的输出侧连接三极管VT1的集电极，三极管VT1的基极连接电容C5，三极管VTI的发射极连接信号接收端，电阻R6连接在三极管VT1的基极和集电极之间，电容C5的另一端接地，电容C6的一端连接三极管VT1的发射极，电容C6的另一端接地，电阻R7的一端连接三极管VT1的发射极，电阻R7的另一端接地。第二滤波电路包括：PMOS管Q2、光耦隔离器U3、电感L1和电容C7，其中PMOS管Q2的源极连接电源，PMOS管Q2的栅极连接比较器U1的输出端，PMOS管Q2的漏极连接光耦隔离器U3的输入侧，光耦隔离器U3的输出侧连接电感L1，电感L1的另一端连接信号接收端，电容C7的一端连接在电感L1和信号接收端之间，电容C7的另一端接地。

对应的，在本实施例中，监测模块接收通讯信号后对通讯信号的丢包率、错误率和失真幅度进行分析，并根据分析结果输出第一控制信号或第二控制信号。其中，第一控制信号为电压值大于基准电压的高电平信号，第二控制信号为电压值小于基准电压的低电平信号。具体的，当丢包率小于或等于预设丢包率，或错误率小于或等于预设错误率，或失真幅度小于预设幅度时，监测模块对应输出第二控制信号，从而控制第二滤波电路导通、第一滤波电路断开，第二滤波电路滤除通讯信号中幅值小于或等于第二预设幅值的信号；当丢包率大于预设丢包率，或错误率大于预设错误率，或失真幅度大于或等于预设幅度时，监测模块对应输出第一控制信号，从而控制第一滤波电路导通、第二滤波电路断开，第一滤波电路滤除通讯信号中幅值大于或等于第一预设幅值的信号。

当监测模块分析出通讯信号的丢包率小于或等于预设丢包率，或错误率小于或等于预设错误率，或失真幅度小于预设幅度(即三个条件至少满足一个条件)时，监测模块输出第二控制信号(低电平信号)，从而比较器U1的正向输入端的电位低于反向输入端的电位，比较器U1输出低电平信号，此时NMOS管Q1截止、PMOS管Q2导通，从而第一滤波电路断开、第二滤波电路导通，第二滤波电路对通讯信号进行滤波，通过设置电感L1和电容C7的参数可使第二滤波电路滤除幅值小于或等于第二预设幅度的信号，排除干扰。当监测模块分析出通讯信号的丢包率大于预设丢包率且错误率大于预设错误率且失真幅度大于或等于预设幅度(即三个条件全部满足)时，监测模块输出第一控制信号(高电平信号)，从而比较器U1的正向输入端的电位高于反向输入端的电位，比较器U1输出高电平信号，此时NMOS管Q1导通、PMOS管Q2截止，从而第一滤波电路导通、第二滤波电路断开，第一滤波电路对通讯信号进行滤波，通过设置电阻R6、电阻R7、三极管VT1、电容C5和电容C6的参数可使第一滤波电路滤除幅值大于第一预设幅度的信号，排除干扰。

进一步的，监测模块还包括采样端，采样端连接第一滤波电路和第二滤波电路的输出端，采样端采集经第一滤波电路和第二滤波电路滤除后的通讯信号，然后再将滤波后的通讯信号和滤波前的通讯信号进行对比分析，判断滤波效果并将滤波效果反馈给用户。

具体的，型号为TFN LT35的监测器、BERTScope BSA系列的误码率分析仪等可以对通信信号的误码率、丢包率和失真幅度进行分析，或者也可用ARM控制器搭配相应软件和外围电路对通信信号进行分析。

本实用新型还提出一种通信装置，该通讯装置包括上文提出的抗干扰装置。

需要注意的是，上述所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本实用新型的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。

此外，需要说明的是，使用“第一”、“第二”等词语来限定零部件，仅仅是为了便于对相应零部件进行区别，如没有另行声明，上述词语并没有特殊含义，因此不能理解为对本实用新型保护范围的限制。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (6)

1.抗干扰装置，其特征在于，包括：

监测模块，输入端接收信号发生端发出的通讯信号，根据所述通讯信号的信号参数输出第一控制信号或第二控制信号；

控制模块，输入端连接所述监测模块的输出端，根据所述第一控制信号或所述第二控制信号控制第一滤波电路和第二滤波电路的通断；

第一滤波电路，输入端连接所述控制模块的输出端，滤除所述通讯信号中幅值大于或等于第一预设幅值的干扰信号；

第二滤波电路，输入端连接所述控制模块的输出端，滤除所述通讯信号中幅值小于或等于第二预设幅值的干扰信号，所述第二预设幅值小于所述第一预设幅值。

2.如权利要求1所述的抗干扰装置，其特征在于，所述监测模块还包括采样端，所述采样端连接所述第一滤波电路和所述第二滤波电路的输出端。

3.如权利要求1所述的抗干扰装置，其特征在于，所述控制模块包括比较器U1，所述比较器U1的正向输入端和反向输入端均连接所述监测模块，所述监测模块向所述比较器U1的反向输入端输出基准电压，所述监测模块向所述比较器U1的正向输入端输出所述第一控制信号或所述第二控制信号，所述第一控制信号为电压值大于所述基准电压的高电平信号，所述第二控制信号为电压值小于所述基准电压的低电平信号。

4.如权利要求3所述的抗干扰装置，其特征在于，所述第一滤波电路包括：NMOS管Q1、光耦隔离器U2、电阻R6和电阻R7、三极管VT1、电容C5和电容C6，所述NMOS管Q1的栅极连接所述比较器U1的输出端，所述NMOS管Q1的源极连接电源，所述NMOS管Q1的漏极连接所述光耦隔离器U2的输入侧，所述光耦隔离器U2的输出侧连接所述三极管VT1的集电极，所述三极管VT1的发射极连接信号接收端，所述电容C5的一端连接所述三极管VT1的基极另一端接地，所述电容C6的一端连接所述三极管VT1的发射极另一端接地，所述电阻R7的一端连接所述三极管VT1的发射极另一端接地，所述电阻R6的一端连接所述三极管VT1的集电极另一端连接所述三极管VT1的基极。

5.如权利要求3所述的抗干扰装置，其特征在于，所述第二滤波电路包括：PMOS管Q2、光耦隔离器U3、电感L1和电容C7，所述PMOS管Q2的栅极连接所述比较器U1的输出端，所述PMOS管Q2的源极连接电源，所述PMOS管Q2的漏极连接所述光耦隔离器U3的输入侧，所述光耦隔离器U3的输出侧连接所述电感L1，所述电感L1的另一端连接信号接收端，所述电容C7的一端连接在所述电感L1和信号接收端之间另一端接地。

6.通信装置，其特征在于，包括权利要求1-5任意一项所述的抗干扰装置。

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