CN219268835U - 元器件选择电路和电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供一种元器件选择电路和电子设备，所述元器件选择电路包括：两个以上的元器件，所述元器件具有第一端子和第二端子；以及一个以上选择用开关，所述选择用开关具有第一开关端子、第二开关端子和选择端子，在所述选择端子接收到选择信号时，所述选择用开关的所述第一开关端子和所述第二开关端子电导通，其中，至少一个所述选择用开关的所述第一开关端子与至少两个所述元器件的所述第一端子连接。根据本申请，能够减少开关的数量，从而降低成本，减少芯片的尺寸。

Description

元器件选择电路和电子设备

技术领域

本申请涉及电子线路技术领域，尤其涉及一种元器件选择电路和电子设备。

背景技术

在恒压电路或电压检测电路等模拟电路中，有时会设置多个串联连接的电阻用于进行电压设定。为了调整设定电压，或者，为了降低由制造偏差引起的设定电压的偏差，可以通过大电流熔断与电阻并联连接的熔丝的一部分，从而进行电阻值的调整，进行调整设定电压。

图1是现有的熔丝选择电路的一个示意图。在图1中，虚线框1包围的是一个微调电路块。在该电路块中，由1点划线11包围的部分是熔丝切断用双扩散金属氧化物半导体场效应管(DMOS)，该DMOS用于切断熔丝A，因此被标记为DMOS_A。

如图1所示，DMOS_A的源极接地，漏极与熔丝A的一端连接，熔丝A的另一端与电源端子12连接，从而接收电能。DMOS_A的栅极接收解码电路13发送的选择信号。当DMOS_A导通时，电流流过熔丝A，并使熔丝A熔断。

假设电阻R1、R2、R3的电阻值都是1kΩ，熔丝A的电阻值可以忽略不计，那么，在熔丝A熔断之前，虚线框1包围的微调电路块的电阻值为(1kΩ+1kΩ)//1kΩ≒667Ω。在熔丝A熔断之后，虚线框1包围的微调电路块的电阻值成为电阻R2和电阻R3串联的电阻值，所以电阻值为1kΩ+1kΩ＝2kΩ。即，熔丝A的熔断能够调整电阻值。

图1所示的例子包括了8个微调电路块，图2示出了各熔丝(A～H)与熔丝切断用DMOS的连接关系。如图1和图2所示，每个熔丝切断用DMOS用于控制对应的一个熔丝的熔断，所以，熔丝切断用DMOS的数量与熔丝的数量相同，都是8个。

应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

实用新型内容

如图1和图2所示，现有技术中，熔丝切断用DMOS的数量与熔丝的数量相同，即，电路中熔丝的数量为N，熔丝切断用DMOS的数量也是N，其中，N是大于或等于2的自然数。当N增加时，DMOS的数量增加，DMOS占据的芯片尺寸变大，并且成本增加。

为了解决上述问题或至少类似问题，本申请实施例提供一种元器件选择电路和电子设备，在该元器件选择电路中，至少一个选择用开关与至少两个元器件连接，由此，与现有技术相比，一个选择用开关能够选择的元器件的数量增加，能够减少选择用开关的数量，从而降低成本，减少芯片的尺寸。

根据本申请实施例的一个方面，提供一种元器件选择电路，所述元器件选择电路包括：

两个以上的元器件，所述元器件具有第一端子和第二端子；以及

一个以上选择用开关，所述选择用开关具有第一开关端子、第二开关端子和选择端子，在所述选择端子接收到选择信号时，所述选择用开关的所述第一开关端子和所述第二开关端子电导通，其中，至少一个所述选择用开关的所述第一开关端子与至少两个所述元器件的所述第一端子连接。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述选择用开关的所述第二开关端子与第一电源端子连接。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述元器件选择电路还包括：

第一解码电路，其具有一个以上第一输出端子，各第一输出端子分别与一个所述选择用开关的所述选择端子连接，

所述第一解码电路根据接收到的选择控制信号生成所述选择信号，并从所述一个以上所述第一输出端子输出所述选择信号。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，至少一个所述元器件的所述第二端子与第二电源端子电连接。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述第二电源端子的数量为两个以上，

各所述第二电源端子与至少一个所述元器件的所述第二端子电连接。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述元器件选择电路还包括：

至少一个电源开关，所述电源开关的第一电源开关端子与第二电源端子电连接，所述电源开关的第二电源开关端子与至少一个所述元器件的所述第二端子电连接。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述元器件选择电路还包括：

第二解码电路，其具有一个以上第一输出端子，各第一输出端子分别与一个所述选择用开关的选择端子连接，

所述第二解码电路还具有一个以上第二输出端子，各第二输出端子分别与一个所述电源开关的选择端子连接，

所述第二解码电路根据接收到的选择控制信号生成所述选择信号和电源开关选择信号，并从所述一个以上所述第一输出端子输出所述选择信号，从所述一个以上的所述第二输出端子输出所述电源开关选择信号。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述元器件选择电路还包括：

串联连接的至少两个第一子电路，

各第一子电路分别与各第二子电路并联连接，

所述第二子电路包括所述元器件。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述元器件包括熔丝。

根据本申请实施例的另一个方面，还提供一种电子设备，所述电子设备具有如上述实施例的任一方面所述的元器件选择电路。

本申请的有益效果在于：在元器件选择电路中，至少一个选择用开关与至少两个元器件连接，由此，能够减少选择用开关的数量，从而降低成本，减少芯片的尺寸。

参照后文的说明和附图，详细公开了本申请的特定实施方式，指明了本申请的原理可以被采用的方式。应该理解，本申请的实施方式在范围上并不因而受到限制。在所附权利要求的精神和条款的范围内，本申请的实施方式包括许多改变、修改和等同。

附图说明

所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：

图1是现有的熔丝选择电路的一个示意图；

图2示出了各熔丝与熔丝切断用DMOS的连接关系；

图3是实施例1的元器件选择电路的一个示意图；

图4是图3中各元器件与选择用开关的连接关系的一个示意图；

图5是图3中选择用开关和第二电源端子的状态组合与被选择的元器件之间关系的一个示意图；

图6是实施例2的元器件选择电路的一个示意图；

图7是图6中各元器件与选择用开关和电源开关的连接关系的一个示意图；

图8是图6中选择用开关和电源开关的状态组合与被选择的元器件之间关系的一个示意图。

具体实施方式

参照附图，通过下面的说明书，本申请的前述以及其它特征将变得明显。在说明书和附图中，具体公开了本申请的特定实施方式，其表明了其中可以采用本申请的原则的部分实施方式，应了解的是，本申请不限于所描述的实施方式，相反，本申请包括落入所附权利要求的范围内的全部修改、变型以及等同物。

实施例1

本申请实施例提供一种元器件选择电路。

图3是实施例1的元器件选择电路的一个示意图。如图3所示，本申请的元器件选择电路3包括：两个以上的元器件31以及一个以上的选择用开关32。

在本申请的元器件选择电路3中，选择用开关32用于对元器件31进行选择。元器件31可以是熔丝，由此，被选择用开关32选择的熔丝可以被施加电压，并流过电流，从而熔断。此外，本申请不限于此，元器件31也可以除了熔丝之外的其它的电子元件，被选择用开关32选择的元器件31可以与预定的电路连接，或者被施加预定的电压，从而实现对应的功能。

在图3中，示出了8个元器件31，分别被标记为A1，A2，B1，B2，C1，C2，D1，D2。本申请中元器件31的数量不限于8个。此外，该两个以上的元器件31的种类可以相同，也可以不同，例如，该两个以上的元器件31可以都是熔丝，也可以部分是熔丝，部分是除了熔丝之外的其它的电子元件，该其它的电子元件例如是发光二极管(LED)等元件。

如图3所示，元器件31可以具有第一端子311和第二端子312，此外，元器件31还可以具有其它的端子，本申请对此并不做限制。

在本申请中，选择用开关32可以是金属氧化物半导体晶体管(MOS)，例如，选择用开关32是能够耐高压和高电流的双扩散金属氧化物半导体场效应管(DMOS)。此外，本申请不限于此，选择用开关32也可以是双极性晶体管(bipolar transistor)或其它的能起到开关作用的元件。

在本实施例中，将以选择用开关32是DMOS为例进行说明，该说明同样适用于开关元件32是其它元件的情况。

在本申请中，选择用开关32的数量是一个以上，例如，图3所示的选择用开关32的数量是4个，分别被标记为DMOS_A，DMOS_B，DMOS_C，DMOS_D。需要说明的是，本实施例的选择用开关32的数量不限于4个。

选择用开关32具有第一开关端子321(例如，DMOS的漏极)、第二开关端子322(例如，DMOS的源极)和选择端子323(例如，DMOS的栅极)。在选择端子323接收到选择信号时，选择用开关321的第一开关端子321和第二开关端子322电导通。

在本申请中，如图3所示，至少一个选择用开关32的第一开关端子321与至少两个元器件31的第一端子311连接。由此，可以通过一个选择用开关32来控制至少两个元器件31的选择，能够减少选择用开关32的数量，从而降低成本，减少芯片的尺寸。

例如，DMOS_A的漏极与元器件A1的第一端子311连接，并且，DMOS_A的漏极与元器件A2的第一端子311连接，由此，DMOS_A可以用于元器件A1和A2这二者的选择，此外，DMOS_A的漏极也可以与3个或4个以上的元器件31连接；DMOS_B的漏极与元器件B1的第一端子连接，并且，DMOS_B的漏极与元器件B2的第一端子连接，由此，DMOS_B可以用于元器件B1和B2这二者的选择，此外，DMOS_B的漏极也可以与3个或4个以上的元器件31连接；DMOS_C的漏极与元器件C1的第一端连接，并且，DMOS_C的漏极与元器件C2的第一端连接，由此，DMOS_C可以用于元器件C1和C2这二者的选择，此外，DMOS_C的漏极也可以与3个或4个以上的元器件31连接；DMOS_D的漏极与元器件D1的第一端连接，并且，DMOS_D的漏极与元器件D2的第一端连接，由此，DMOS_D可以用于元器件D1和D2这二者的选择，此外，DMOS_D的漏极也可以与3个或4个以上的元器件31连接。

在本实施例中，选择用开关32的第二开关端子322与第一电源端子33连接。其中，第一电源端子33例如是接地端子。

如图3所示，元器件选择电路3还包括：至少一个电源开关38。

在本申请中，电源开关38可以是金属氧化物半导体晶体管(MOS)，例如，电源开关38是能够耐高压和高电流的双扩散金属氧化物半导体场效应管(DMOS)。此外，本申请不限于此，电源开关38也可以是双极性晶体管(bipolar transistor)或其它的能起到开关作用的元件。

在本实施例中，将以电源开关38是DMOS为例进行说明，该说明同样适用于电源开关38是其它元件的情况。

在本申请中，电源开关38的数量是一个以上，例如，图3所示的电源开关38的数量是2个，分别被标记为，DMOS_1，DMOS_2。需要说明的是，本实施例的电源开关38的数量不限于2个。例如，电源开关38的数量可以与一个选择用开关32所连接的元器件31的数量相同，由此，通过电源开关38与选择用开关32的状态组合，可以对元器件选择电路3中的任意元器件31进行选择并施加电压。

如图3所示，电源开关38的第一电源开关端子(例如，DMOS的漏极)与第二电源端子35电连接。电源开关38的第二电源开关端子(例如，DMOS的源极)与至少一个元器件31的第二端子312电连接。其中，在实施例1中，第二电源端子35的数量例如是1个。

如图3所示，元器件选择电路3还包括：解码电路39。

如图3所示，解码电路39具有一个以上第一输出端子391，各第一输出端子391分别与一个选择用开关32的选择端子323连接。解码电路39还具有一个以上第二输出端子392，各第二输出端子392分别与一个电源开关38的选择端子(例如，DMOS的栅极)连接。解码电路39可以根据接收到的选择控制信号生成选择信号和电源开关选择信号，并从一个以上第一输出端子391输出该选择信号，从一个以上的第二输出端子392输出电源开关选择信号。

如图3所示，元器件选择电路3还包括：串联连接的至少两个第一子电路36。其中，第一子电路36与第二子电路37并联设置。在图3中，第一子电路36包括串联连接的两个电阻R1、R2，此外，第一子电路36也可以具有其它的电路结构。第二子电路37包括元器件31。此外，第二子电路37还可以包括电阻R3，电阻R3可以与元器件31串联或采用其它的连接方式。

在元器件31是熔丝的情况下，当元器件31被选择并被施加电压时，元器件31会被熔断，从而改变第一子电路36和第二子电路37的连接关系，从而调整电阻值。

图4是图3中各元器件与选择用开关和电源开关的连接关系的一个示意图。图5是图3中选择用开关和电源开关的状态组合与被选择的元器件之间关系的一个示意图。

在图5中：电源开关(例如，DMOS_1和DMOS_2)的状态为ON，表示该电源开关导通，与该电源开关连接的元器件被施加电压第二电源端子的电压；电源开关(例如，DMOS_1和DMOS_2)的状态为OFF，表示该电源开关关断，与该电源开关连接的元器件没有被施加电压第二电源端子的电压；选择用开关(例如，DMOS_A、DMOS_B、DMOS_C、DMOS_D)的状态为ON，表示该选择开关的第一开关端子和第二开关端子之间电导通；选择用开关(例如，DMOS_A、DMOS_B、DMOS_C、DMOS_D)的状态为OFF，表示该选择开关关断，即，该选择开关的第一开关端子和第二开关端子之间不导通。

如图3、图4和图5所示，电源开关38的状态与选择用开关32的状态进行组合，可以对不同的元器件31进行选择，并对其施加电压。例如，当元器件31是熔丝时，被选择的熔丝可以被熔断，从而调整元器件选择电路的电阻值。

根据本申请实施例的方案，当元器件31的数量是N时，选择用开关32的数量是N/2，电源开关的数量是2，所以，DMOS的总的数量为(N/2+2)，因而相比于图1所示的现有技术，本申请的实施例能够减少开关的数量，从而降低成本，减少芯片的尺寸。

实施例2

本申请实施例提供一种元器件选择电路。

图6是实施例2的元器件选择电路的一个示意图。如图6所示，本申请的元器件选择电路3a包括：两个以上的元器件31以及一个以上的选择用开关32。

实施例2的元器件选择电路3a与实施例1的元器件选择电路3的相同之处不再进行说明，对于具有相同附图标记的部件的说明可以参考实施例1的对应说明。

实施例2与实施例1的区别在于：实施例2中的解码电路34替代了实施例1的解码电路39，实施例2中的两个以上第二电源端子35代替了实施例1的电源开关38。

下面，上述区别进行详细说明。

如图6所示，解码电路34具有一个以上第一输出端子341，各第一输出端子341分别与一个选择用开关32的选择端子323连接。解码电路34根据接收到的选择控制信号生成选择信号，并从该一个以上第一输出端子341输出该选择信号，从而使对应的选择用开关32的第一开关端子321和第二开关端子322导通。

如图6所示，至少一个元器件31的第二端子312与第二电源端子35电连接，第二电源端子35可以从第二电源接收电压(例如，该电压的值可以大于0)。由此，第二电源端子35可以为该至少一个元器件31供电。

如图6所示，第二电源端子35的数量可以为两个以上，各第二电源端子35与至少一个元器件31的第二端子312电连接。例如，在图6中，第二电源端子35的数量是两个，它们分别被标记为351、352，其中，第二电源端子351与元器件A1、B1、C1、D1各自的第二端子电连接，第二电源端子352与元器件A2、B2、C2、D2各自的第二端子电连接。

由此，该两个以上的第二电源端子35可以与该一个以上选择用开关32进行组合，从而能够选择不同元器件，并对选择的元器件施加电压。例如，当DMOS_A导通，并且第二电源端子352被施加电压时，元器件A2被选择，并被第二电源端子352施加电压。

图7是图6中各元器件与选择用开关的连接关系的一个示意图。图8是图6中选择用开关和第二电源端子的状态组合与被选择的元器件之间关系的一个示意图。

在图8中：第二电源端子的状态为ON，表示该第二电源端子被施加电压；第二电源端子的状态为OFF，表示该第二电源端子没有被施加电压；选择用开关(例如，DMOS)的状态为ON，表示该选择开关的第一开关端子和第二开关端子之间电导通；选择用开关(例如，DMOS)的状态为ON，表示该选择开关关断，即，该选择开关的第一开关端子和第二开关端子之间不导通。

如图6、图7和图8所示，第二电源端子的状态与选择用开关的状态进行组合，可以对不同的元器件31进行选择，并对其施加电压。例如，当元器件31是熔丝时，被选择的熔丝可以被熔断，从而调整元器件选择电路的电阻值。

根据本申请实施例2的方案，当元器件31的数量是N时，选择用开关32的数量是N/2，因而相比于图1所示的现有技术，本申请的实施例能够减少选择用开关的数量，从而降低成本，减少芯片的尺寸；此外，实施例2与实施例1相比，减少了至少两个电源开关38，由此，能够比实施例1进一步减少DMOS的使用数量，从而进一步减少芯片的尺寸。

实施例3

实施例3提供一种电子设备。

实施例3的电子设备具有实施例1所述的元器件选择电路3或实施例2所述的元器件选择电路3a，实施例1中关于元器件选择电路3的说明以及实施例2中关于元器件选择电路3a的说明被合并于此，此处不再赘述。

根据本实施例3，该电子设备的元器件选择电路中，开关的数量被减少，从而降低成本，减少芯片的尺寸，由此，降低了该电子设备的成本和尺寸。

以上结合具体的实施方式对本申请进行了描述，但本领域技术人员应该清楚，这些描述都是示例性的，并不是对本申请保护范围的限制。本领域技术人员可以根据本申请的精神和原理对本申请做出各种变型和修改，这些变型和修改也在本申请的范围内。

Claims (10)

1.一种元器件选择电路，其特征在于，所述元器件选择电路包括：

两个以上的元器件，所述元器件具有第一端子和第二端子；以及

一个以上选择用开关，所述选择用开关具有第一开关端子、第二开关端子和选择端子，在所述选择端子接收到选择信号时，所述选择用开关的所述第一开关端子和所述第二开关端子电导通，

其中，

至少一个所述选择用开关的所述第一开关端子与至少两个所述元器件的所述第一端子连接。

2.如权利要求1所述的元器件选择电路，其特征在于，

所述选择用开关的所述第二开关端子与第一电源端子连接。

3.如权利要求1所述的元器件选择电路，其特征在于，所述元器件选择电路还包括：

第一解码电路，其具有一个以上第一输出端子，各第一输出端子分别与一个所述选择用开关的所述选择端子连接，

所述第一解码电路根据接收到的选择控制信号生成所述选择信号，并从所述一个以上所述第一输出端子输出所述选择信号。

4.如权利要求1所述的元器件选择电路，其特征在于，

至少一个所述元器件的所述第二端子与第二电源端子电连接。

5.如权利要求4所述的元器件选择电路，其特征在于，

所述第二电源端子的数量为两个以上，

各所述第二电源端子与至少一个所述元器件的所述第二端子电连接。

6.如权利要求1所述的元器件选择电路，其特征在于，所述元器件选择电路还包括：

至少一个电源开关，所述电源开关的第一电源开关端子与第二电源端子电连接，所述电源开关的第二电源开关端子与至少一个所述元器件的所述第二端子电连接。

7.如权利要求6所述的元器件选择电路，其特征在于，所述元器件选择电路还包括：

第二解码电路，其具有一个以上第一输出端子，各第一输出端子分别与一个所述选择用开关的选择端子连接，

所述第二解码电路还具有一个以上第二输出端子，各第二输出端子分别与一个所述电源开关的选择端子连接，

所述第二解码电路根据接收到的选择控制信号生成所述选择信号和电源开关选择信号，并从所述一个以上所述第一输出端子输出所述选择信号，从所述一个以上的所述第二输出端子输出所述电源开关选择信号。

8.如权利要求1所述的元器件选择电路，其特征在于，所述元器件选择电路还包括：

串联连接的至少两个第一子电路，

各第一子电路分别与各第二子电路并联连接，

所述第二子电路包括所述元器件。

9.如权利要求1至8中的任一项所述的元器件选择电路，其特征在于，

所述元器件包括熔丝。

10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求1至9中的任一项所述的元器件选择电路。

Images