CN219181517U - 一种瓦片式x波段tr组件 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种瓦片式X波段TR组件，涉及天线技术领域，包括结构腔体及其内部的基板，基板采用高频多层PCB板，结构腔体的表面固定有环形器盖板，组件电路中的元器件布设在高频多层PCB板的表面、内层、底层，还布设在环形器盖板的内侧，布设在基板的不同层的元器件之间通过基板的同轴垂直结构相连，收发支路中布设在基板上的元器件与布设在环形器盖板中的元器件通过隔离框架上的毛纽扣垂直互连结构相连；该TR组件采用3D立体构建技术形成空间立体结构，节约了平面面积体积，提高了TR组件的集成度。

Description

一种瓦片式X波段TR组件

技术领域

本申请涉及天线技术领域，尤其是一种瓦片式X波段TR组件。

背景技术

TR组件是构成有源相控阵雷达天线的基础，是有源相控阵雷达的核心部件，它的重量、体积、性能、质量、成本和可靠性等指标直接影响有源相控阵雷达相应的整机性能。

TR组件高度集成化是现代有源相控阵雷达的需要，为减小TR组件到天线阵元的传输损耗，要求TR组件与阵元直接连接，装入有源相控阵雷达天线孔径。对于载体为卫星、飞机和舰艇等的有源相控阵雷达天线要求天线阵面轻薄，因此都需要TR组件通过高度集成化技术达成孔径适装要求。传统的“砖块式”TR组件采用平面电路布局的结构形式，所有的电路从收/发的信号输入到信号输出都分布在同一层电路板上。该结构的特点是电路布局简单、生产工艺简单，但缺点是“砖块”较长，容易导致有源相控阵天线较厚，整体体积和重量都比较大，难以满足有源相控阵雷达天线的使用需求。

实用新型内容

本申请人针对上述问题及技术需求，提出了一种瓦片式X波段TR组件，本申请的技术方案如下：

一种瓦片式X波段TR组件，该瓦片式X波段TR组件包括结构腔体，以及布设在结构腔体的内部的基板，基板采用高频多层PCB板，结构腔体的表面固定有环形器盖板，结构腔体内部在基板和环形器盖板之间还设置有隔离框架；结构腔体的底面设置有垂直构型的集合口和低频接口，环形器盖板的外表面设置有垂直构型的N个天线口，N为参数；

结构腔体内部布设的组件电路包括射频模组、电源管理模组和波控模组，射频模组包括双向放大网络、功分网络和N个收发支路，双向放大网络的一端连接结构腔体的底面的集合口、另一端连接功分网络，功分网络连接N个收发支路，每个收发支路分别连接环形器盖板表面的一个天线口；电源管理模组和波控模组的输入端均连接结构腔体的底面的低频接口，电源管理模组的输出端连接组件电路的各个用电元器件，波控模组的输出端连接并控制电源管理模组和射频模组；

电源管理模组和波控模组均布设在结构腔体的底部，双向放大网络的元器件布设在基板的表层，功分网络的元器件布设在基板的表层、内层和底层，N个收发支路的元器件布设在基板的表层和底层以及环形器盖板的内侧；

布设在基板的不同层的元器件之间通过基板的同轴垂直结构相连，收发支路中布设在基板上的元器件与布设在环形器盖板中的元器件通过隔离框架上的毛纽扣垂直互连结构相连，布设在环形器盖板的内侧的元器件连接环形器盖板上的N个天线口。

本申请的有益技术效果是：

本申请公开了一种瓦片式X波段TR组件，采用3D立体构建技术，利用高频多层PCB板技术，将组件电路中的元器件布设在高频多层PCB板的不同层级，并利用同轴垂直结构相连形成空间立体结构，还将部分器件布设在环形器盖板上并利用隔离框架上的毛纽扣垂直互连结构相连，从而形成空间立体结构，节约了平面面积体积，体积小，纵向尺寸薄、重量轻，提高了TR组件的集成度。而且的毛纽扣垂直互连结构和同轴垂直结构形成的垂直互联方式简单、实用、损耗低、可靠性高。

每个收发支路中包含接收双平衡结构，可以替代双环环形器中隔离的作用，提高了该TR组件防负载牵引能力，能够更好地兼顾高增益匹配和低噪声匹配，使得可选用单环环形器，从而降低空间占用和布局压力，释放隔离器占用损耗。该X波段TR组件的发射峰值输出功率可以大于20W，效率可以大于25％，使用效率高。

附图说明

图1是本申请一个实施例中的瓦片式X波段TR组件的结构爆炸图。

图2是本申请一个实施例中的瓦片式X波段TR组件的底面的结构示意图。

图3是本申请一个实施例中的射频模组的电路结构图。

图4是本申请一个实施例中的双向放大网络的电路结构图。

图5是本申请一个实施例中的每个收发支路的电路结构图。

图6是本申请一个实施例中环形器盖板内侧布设的单环环形器的示意图。

图7是本申请一个实施例中的电源管理模组的电路图。

图8是本申请一个实施例中的负电检测电路的电路图。

图9是本申请一个实施例中的栅压偏置电路的电路图。

图10是本申请一个实施例中的波控模组的电路图。

图11是本申请一个实施例中的第一发射调制电路和第二发射调制电路的电路图。

图12是本申请一个实施例中的第三发射调制电路的电路图。

图13是本申请一个实施例中的接收调制电路的电路图。

具体实施方式

下面结合附图对本申请的具体实施方式做进一步说明。

本申请公开了一种瓦片式X波段TR组件，请参考图1所示爆炸图，该瓦片式X波段TR组件包括结构腔体1，以及布设在结构腔体1的内部的基板2，基板2采用高频多层PCB板。结构腔体1的表面固定有环形器盖板4，结构腔体1内部在基板2和环形器盖板4之间还设置有隔离框架3。如图2所示，结构腔体1的底面设置有垂直构型的集合口5和低频接口6。如图1所示，环形器盖板4的外表面设置有垂直构型的N个天线口7，N为参数。在一个实施例中，该瓦片式X波段TR组件为16通道的瓦片式X波段TR组件，则N＝16，16个天线口在环形器盖板4上排列形成4*4的阵列结构。

结构腔体1内部布设的组件电路包括射频模组、电源管理模组和波控模组，其中，射频模组包括双向放大网络、功分网络和N个收发支路，请参考图3，以包含16个收发支路为例。双向放大网络的一端连接结构腔体1的底面的集合口5、另一端连接功分网络，功分网络连接N个收发支路，每个收发支路分别连接环形器盖板4表面的一个天线口。

其中，双向放大网络的元器件布设在基板2的表层，功分网络的元器件布设在基板2的表层、内层和底层，N个收发支路的元器件布设在基板2的表层和底层以及环形器盖板4的内侧。

布设在基板2的不同层的元器件之间通过基板2的同轴垂直结构相连，收发支路中布设在基板2上的元器件与布设在环形器盖板4中的元器件通过隔离框架3上的毛纽扣垂直互连结构8相连，如图1中所示，布设在环形器盖板4的内侧的元器件连接环形器盖板4上的N个天线口7。通过基板2的同轴垂直结构或毛纽扣垂直互连结构8相连的通路包括射频模组中的元器件之间的射频信号通路、电源管理模组与其他元器件之间的供电信号通路、波控模组与其他元器件之间的控制信号通路。另外，隔离框架3还对不同收发支路中的元器件进行分隔和隔离。

如图4所示，双向放大网络中，第一切换开关SW1的固定端用于连接结构腔体1的底面的集合口5，第一切换开关SW1的第一活动端连接第一信号放大器PA1的输入端，第一信号放大器PA1的输出端连接第二切换开关SW2的第一活动端。第二切换开关SW2的第二活动端连接第二信号放大器PA2的输入端，第二信号放大器PA2的输出端连接第一切换开关SW1的第二活动端，第二切换开关SW2的固定端用于连接功分网络。

功分网络采用等分功分网络，完成发射激励信号的N等分功分以及接收信号的N路信号功合，可以采用现有的功分网络结构实现，本申请不作图示。在一个实施例中，将功分网络中无源元器件布设在基板的内层，从而可以释放出基板的表面和底层的更多空间。功分网络中其余的器件根据实际需要布设在基板的表层和底层。

各个收发支路的结构相同，请参考图5，每个收发支路包括收发链路、单环环形器和接收双平衡式结构，收发链路的发射端连接单环环形器的第一端口，单环环形器的第二端口与该收发支路对应的一个天线口双向连接，单环环形器的第三端口通过接收双平衡式结构连接收发链路的接收端，收发链路的收发公共端口连接功分网络。基于单环环形器的工作原理，单环环形器从第一端口接收到的信号从第二端口输出，单环环形器从第二端口接收到的信号从第三端口输出。单环环形器和接收双平衡式结构中的元器件均布设在环形器盖板4的内侧，收发链路中的元器件均布设在基板2上。请参考图6，其示出了16个收发支路中的16个单环环形器9布设在环形器盖板4的内侧的示意图。

在该实施例中，收发支路中采用接收双平衡式结构，替代双环环形器中隔离的作用，提高了该TR组件防负载牵引能力，能够更好地兼顾高增益匹配和低噪声匹配，使得环形器可选用单环环形器以降低空间占用和布局压力，释放隔离器占用损耗。

如图5所示，在接收双平衡式结构中，输入Lange电桥的输入端连接单环环形器的第三端口，输入Lange电桥的第一个输出端连接第三负载，输入Lange电桥的第二个输出端通过第一限幅器连接第一低噪声放大器LNA1的输入端，输入Lange电桥的第三个输出端通过第二限幅器连接第二低噪声放大器LNA2的输入端，第一低噪声放大器LNA1的输出端和第二低噪声放大器LNA2的输入端分别连接输出Lange电桥的两个不同的输入端，输出Lange电桥的第一个输出端连接第二负载，输出Lange电桥的第二个输出端用于连接收发链路的接收端。第一负载一般采用50Ω负载，第二负载一般采用大功率50Ω负载。

在收发链路中，收发公共端口的一端双向连接功分网络，收发公共端口的另一端双向连接单刀双掷开关K1的固定端，单刀双掷开关K1的第一活动端连接单刀双掷开关K2的第一活动端，单刀双掷开关K2的固定端通过公共链路连接单刀双掷开关K3的固定端，单刀双掷开关K3的第一活动端连接功率放大器DPA的输入端，功率放大器DPA的输出端通过第一调幅调相电路连接高功率放大器HPA的输入端，高功率放大器HPA的输出端作为该收发链路的发射端连接单环环形器的第一端口。其中，公共链路包括依次串联的第三低噪声放大器LNA3、数控移相器、第四低噪声放大器LNA4、数控衰减器和第五低噪声放大器LNA5。

单刀双掷开关K3的第二活动端连接单刀双掷开关K4的固定端，单刀双掷开关K4的第一活动端连接单刀双掷开关K1的第二活动端，单刀双掷开关K4的第二活动端连接第一负载。第一负载一般采用50Ω负载。第二调幅调相电路的输入端作为收发链路的接收端连接接收双平衡式结构，第二调幅调相电路的输出端连接单刀双掷开关K2的第二活动端。

对于每个收发支路，收发链路中的第一调幅调相电路和高功率放大器HPA布设在基板2的表层，收发链路中的其余元器件布设在基板2的底层。在另一个实施例中，高功率放大器HPA布设在基板2的表层且布设在无氧铜上，加强其散热能力。

如图5通过不同阴影区域示出了不同元器件的布设位置。因此，高功率放大器HPA的输出端通过隔离框架3上的毛纽扣垂直互连结构8连接单环环形器的第一端口，第一调幅调相电路的输入端通过基板2的同轴垂直结构连接功率放大器DPA的输出端。接收双平衡式结构通过隔离框架上的毛纽扣垂直互连结构连接到基板2的表层后通过基板2的同轴垂直结构连接到基板2的底层的第二调幅调相电路的输入端。

电源管理模组和波控模组的输入端均连接结构腔体1的底面的低频接口6，电源管理模组的输出端连接整个组件电路中各个用电元器件的供电端，波控模组的输出端连接并控制电源管理模组和射频模组。在一个实施例中，电源管理模组和波控模组均布设在结构腔体1的底部并与所需连接的元器件相连。

如图7所示，在电源管理模组中，第一低压差线性稳压器LDO1的输入端连接低频接口6中的+5V供电端，第一低压差线性稳压器LDO1的输出端连接波控模组的正电源端提供+4.8V电压以及连接各个收发支路中的公共链路中的元器件的供电端提供+4.8V电压。第一低压差线性稳压器LDO1的输出端还通过第二发射调制电路连接各个收发支路中的功率放大器DPA的供电端。第一低压差线性稳压器LDO1的输出端还通过接收调制电路连接各个收发支路中的第一低噪声放大器LNA1、第二低噪声放大器LNA2的供电端以及双向放大网络中的第二信号放大器PA2的供电端。第一低压差线性稳压器LDO1的输出端还通过第一发射调制电路连接双向放大网络中的第一信号放大器PA1的供电端，第一发射调制电路、第二发射调制电路、接收调制电路和分别受控于波控模组。

第二低压差线性稳压器LDO2的输入端连接低频接口6中的-5V供电端，第二低压差线性稳压器LDO2的输出端连接波控模组的负电源端提供-4.8V电压以及连接各个开关的供电端，也即在本申请中，各个收发支路中的开关采用有源开关。

该电源管理模组还包括负电检测电路，请参考图7，负电检测电路的正电压端连接低频接口中的+5V供电端、负电压端连接第二低压差线性稳压器的输出端、输出端连接LDO1的使能端提供使能信号EN。请参考图8，负电检测电路的正电压端连接第一电阻R1的一端和第二电阻R2的一端，第二电阻R2的另一端连接二极管D1的阳极，二极管D1的阴极连接第三电阻R3的一端、二极管D2的阴极和三极管D3的基极，第三电阻R3的另一端接地，二极管D2的阳极连接负电检测电路的负电压端，三极管D3的发射极接地，三极管D3的集电极和第一电阻R1的另一端相连并连接。在该负电检测电路中，负电压端获取到的-4.8V电压经过稳压二极管D2后，三极管D3的基极B处的电位约为0.2V，由于D1的单向导电性，可保证无电压泄露至正电压端，此时D3截止，负电检测电路的输出端输出+5V的高电平作为使能信号EN至LDO1的使能端，使得LDO1被使能而正常输出。当正电压端的+5V正常输入、负电压端无负电压输入时，负电压端至D2一端可视为开路，+5V电压经R2和D1后，通过R3下拉至地，可保证-4.8V端电压泄露在很小的电压值内，此时D3的基极B处的电位为高，D3导通，使得负电检测电路的输出端输出约为0.2V的低电平作为使能信号EN至LDO1的使能端，使得LDO1关断停止输出。

栅压偏置电路的输入端连接第二低压差线性稳压器的输出端获取-4.8V电压并输出-2V电压给各个收发支路中的高功率放大器HPA的栅压供电，栅压偏置电路受控于波控模组，请参考图9，栅压偏置电路的输入端连接带隙基准电路和电阻R0的一端，带隙基准电路输出-1.2V电压给控制电路，波控模组提供的控制信号Ctrl4连接电阻R0的另一端以及控制电路，控制电路根据Ctrl4可

以输出-1.6V～-3V电压，在一个实施例中，控制电路输出-2V电压并经过跟随电5路后作为栅压偏置电路的输出。

第一低压差线性稳压器输出的+4.8V电压连接至第三发射调制电路内置的负电检测模块的正电压端，栅压偏置电路输出的-2V电压连接至第三发射调制电路内置的负电检测模块的负电压端，第三发射调制电路内部的负电检测模块

的输出端连接驱动器的输入端，驱动器的电源端连接低频接口中的+28V供电0端，驱动器的输出端用于驱动第三发射调制电路的输出端进行各个收发支路中的高功率放大器的漏压供电，第三发射调制电路受控于波控模组。负电检测模块的电路结构与图8所示的负电检测电路相同，该实施例不再赘述。

如图10所示，波控模组包括接口保护电路和逻辑控制器，逻辑控制器的正

电源端连接波控模组的正电源端，逻辑控制器的负电源端连接波控模组的负电5源端，接口保护电路的供电端连接波控模组的负电源端。电源管理模组连接波控模组的正电源端提供+4.8V电压，电源管理模组连接波控模组的负电源端提供-4.8V电压。接口保护电路的输入端连接低频接口中的控制信号输入端，接口保护电路的输出端连接逻辑控制器的信号输出端，逻辑控制器的信号输出端连接电源管理模组和射频模组中的元器件。

0在电源管理模组和波控模组中，各个发射调制电路和接收调制电路均可以采用现有的脉冲调制电路实现，接口保护电路也可以采用现有常规的电路实现。第一发射调制电路和第二发射调制电路的电路结构相同，一种电路结构如图11所示，波控模组提供给第一发射调制电路的Ctrl1分别经过延时电路Delay-3和

延时电路Delay-4后输入与门AND1的两个输入端，与门AND1的输出端连接5PMOS管P2的栅极，第一发射调制电路的输入端获取LDO1输出的+4.8V电压并提供给与门AND1和P2的漏极，P2的源极作为第一发射调制电路的输出端连接PA1的供电端。第二发射调制电路的电路相同，不再赘述。

第三发射调制电路的一种电路结构如图12所示，第三发射调制电路获取到

的+28V电压用于给驱动器供电，由于驱动器需要使用+28V电压、电压较高，0因此第三发射调制电路内部还内置了一个负电检测模块，该负电检测模块的结构与图8相同，但是该负电检测模块的正电压端获取+4.8V电压、负电压端获取-2V电压，输出端连接与门AND2的一个输入端，波控模组提供给第三发射调制电路的Ctrl3经过延时电路Delay-5后连接与门AND2的另一个输入端，与门AND2的输出端连接至驱动器的输入端，驱动器的输出端连接至PMOS管P3的栅极，驱动器的输出端还经过延时电路Delay-6连接PMOS管P4的栅极，P3的漏极连接+28V电压、源极连接至HPA的供电端，P4的漏极连接至HPA的供电端、源极接地。

接收调制电路的一种电路结构如图13所示，波控模组提供给接收调制电路的Ctrl0分别经过延时电路Delay-1和延时电路Delay-2连接或非门NOR1的两个输入端，NOR1的输出端连接PMOS管P1的栅极，P1的漏极连接+4.8V电压，P1的源极连接至LNA1、LNA2和PA2的供电端。

以上所述的仅是本申请的优选实施方式，本申请不限于以上实施例。可以理解，本领域技术人员在不脱离本申请的精神和构思的前提下直接导出或联想到的其他改进和变化，均应认为包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种瓦片式X波段TR组件，其特征在于，所述瓦片式X波段TR组件包括结构腔体，以及布设在所述结构腔体的内部的基板，所述基板采用高频多层PCB板，所述结构腔体的表面固定有环形器盖板，所述结构腔体内部在所述基板和所述环形器盖板之间还设置有隔离框架；所述结构腔体的底面设置有垂直构型的集合口和低频接口，所述环形器盖板的外表面设置有垂直构型的N个天线口，N为参数；

所述结构腔体内部布设的组件电路包括射频模组、电源管理模组和波控模组，所述射频模组包括双向放大网络、功分网络和N个收发支路，所述双向放大网络的一端连接所述结构腔体的底面的集合口、另一端连接所述功分网络，所述功分网络连接N个收发支路，每个收发支路分别连接所述环形器盖板表面的一个天线口；所述电源管理模组和所述波控模组的输入端均连接所述结构腔体的底面的低频接口，所述电源管理模组的输出端连接所述组件电路的各个用电元器件，所述波控模组的输出端连接并控制所述电源管理模组和所述射频模组；

所述电源管理模组和所述波控模组均布设在所述结构腔体的底部，所述双向放大网络的元器件布设在所述基板的表层，所述功分网络的元器件布设在所述基板的表层、内层和底层，N个收发支路的元器件布设在所述基板的表层和底层以及所述环形器盖板的内侧；

布设在所述基板的不同层的元器件之间通过所述基板的同轴垂直结构相连，收发支路中布设在所述基板上的元器件与布设在所述环形器盖板中的元器件通过所述隔离框架上的毛纽扣垂直互连结构相连，布设在所述环形器盖板的内侧的元器件连接所述环形器盖板上的N个天线口。

2.根据权利要求1所述的瓦片式X波段TR组件，其特征在于，每个收发支路包括收发链路、单环环形器和接收双平衡式结构，所述收发链路的发射端连接所述单环环形器的第一端口，所述单环环形器的第二端口与一个天线口双向连接，所述单环环形器的第三端口通过所述接收双平衡式结构连接所述收发链路的接收端，所述收发链路的收发公共端口连接所述功分网络；

所述单环环形器和所述接收双平衡式结构中的元器件均布设在所述环形器盖板的内侧，所述收发链路中的元器件均布设在所述基板上。

3.根据权利要求2所述的瓦片式X波段TR组件，其特征在于，在所述接收双平衡式结构中，输入Lange电桥的输入端连接所述单环环形器的第三端口，所述输入Lange电桥的第一个输出端连接第三负载，所述输入Lange电桥的第二个输出端通过第一限幅器连接第一低噪声放大器的输入端，所述输入Lange电桥的第三个输出端通过第二限幅器连接第二低噪声放大器的输入端，所述第一低噪声放大器的输出端和所述第二低噪声放大器的输入端分别连接输出Lange电桥的两个不同的输入端，所述输出Lange电桥的第一个输出端连接第二负载，所述输出Lange电桥的第二个输出端用于连接所述收发链路的接收端。

4.根据权利要求2所述的瓦片式X波段TR组件，其特征在于，在所述收发链路中，收发公共端口的一端双向连接所述功分网络，所述收发公共端口的另一端双向连接单刀双掷开关K1的固定端，单刀双掷开关K1的第一活动端连接单刀双掷开关K2的第一活动端，单刀双掷开关K2的固定端通过公共链路连接单刀双掷开关K3的固定端，单刀双掷开关K3的第一活动端连接功率放大器的输入端，所述功率放大器的输出端通过第一调幅调相电路连接高功率放大器的输入端，所述高功率放大器的输出端作为所述收发链路的发射端连接所述单环环形器的第一端口；所述公共链路包括依次串联的第三低噪声放大器、数控移相器、第四低噪声放大器、数控衰减器和第五低噪声放大器；

单刀双掷开关K3的第二活动端连接单刀双掷开关K4的固定端，单刀双掷开关K4的第一活动端连接单刀双掷开关K1的第二活动端，单刀双掷开关K4的第二活动端连接第一负载；第二调幅调相电路的输入端作为所述收发链路的接收端连接所述接收双平衡式结构，所述第二调幅调相电路的输出端连接单刀双掷开关K2的第二活动端。

5.根据权利要求4所述的瓦片式X波段TR组件，其特征在于，所述收发链路中的第一调幅调相电路和所述高功率放大器布设在所述基板的表层，所述收发链路中的其余元器件布设在所述基板的底层；

所述高功率放大器的输出端通过所述隔离框架上的毛纽扣垂直互连结构连接所述单环环形器的第一端口，所述第一调幅调相电路的输入端通过所述基板的同轴垂直结构连接所述功率放大器的输出端；

所述接收双平衡式结构通过所述隔离框架上的毛纽扣垂直互连结构连接到所述基板的表层后通过所述基板的同轴垂直结构连接所述第二调幅调相电路的输入端。

6.根据权利要求5所述的瓦片式X波段TR组件，其特征在于，所述高功率放大器布设在所述基板的表层且布设在无氧铜上。

7.根据权利要求1所述的瓦片式X波段TR组件，其特征在于，所述功分网络中无源元器件布设在所述基板的内层。

8.根据权利要求4所述的瓦片式X波段TR组件，其特征在于，在所述电源管理模组中，第一低压差线性稳压器的输入端连接所述低频接口中的+5V供电端，所述第一低压差线性稳压器的输出端连接所述波控模组的正电源端提供+4.8V电压以及连接各个收发支路中的公共链路中的元器件的供电端提供+4.8V电压；所述第一低压差线性稳压器的输出端还通过第二发射调制电路连接各个收发支路中的功率放大器的供电端；所述第一低压差线性稳压器的输出端还通过接收调制电路连接各个收发支路中的第一低噪声放大器和第二低噪声放大器的供电端，所述接收调制电路和所述第二发射调制电路分别受控于所述波控模组；

第二低压差线性稳压器的输入端连接所述低频接口中的-5V供电端，所述第二低压差线性稳压器的输出端连接所述波控模组的负电源端提供-4.8V电压以及连接各个开关的供电端；

栅压偏置电路的输入端连接所述第二低压差线性稳压器的输出端获取-4.8V电压并输出-2V电压给各个收发支路中的高功率放大器的栅压供电；所述第一低压差线性稳压器输出的+4.8V电压连接至第三发射调制电路内置的负电检测模块的正电压端，所述栅压偏置电路输出的-2V电压连接至所述第三发射调制电路内置的负电检测模块的负电压端，所述第三发射调制电路内部的负电检测模块的输出端连接驱动器的输入端，驱动器的电源端连接所述低频接口中的+28V供电端，驱动器的输出端用于驱动所述第三发射调制电路的输出端进行各个收发支路中的高功率放大器的漏压供电，所述栅压偏置电路和所述第三发射调制电路受控于所述波控模组；

负电检测电路的正电压端连接所述低频接口中的+5V供电端、负电压端连接所述第二低压差线性稳压器的输出端，所述负电检测电路的正电压端连接第一电阻R1的一端和第二电阻R2的一端，所述第二电阻R2的另一端连接二极管D1的阳极，所述二极管D1的阴极连接第三电阻R3的一端、二极管D2的阴极和三极管D3的基极，所述第三电阻R3的另一端接地，所述二极管D2的阳极连接所述负电检测电路的负电压端，所述三极管D3的发射极接地，所述三极管D3的集电极和所述第一电阻R1的另一端相连并连接所述第一低压差线性稳压器的使能端。

9.根据权利要求8所述的瓦片式X波段TR组件，其特征在于，所述双向放大网络中，第一切换开关的固定端用于连接所述结构腔体的底面的集合口，所述第一切换开关的第一活动端连接第一信号放大器的输入端，所述第一信号放大器的输出端连接第二切换开关的第一活动端；所述第二切换开关的第二活动端连接第二信号放大器的输入端，所述第二信号放大器的输出端连接所述第一切换开关的第二活动端，所述第二切换开关的固定端用于连接所述功分网络；

所述第一低压差线性稳压器的输出端还通过第一发射调制电路连接所述双向放大网络中的所述第一信号放大器的供电端，所述第一发射调制电路也受控于波控模组；所述第一低压差线性稳压器的输出端还通过所述接收调制电路连接所述双向放大网络中的所述第二信号放大器的供电端。

10.根据权利要求1所述的瓦片式X波段TR组件，其特征在于，所述波控模组包括接口保护电路和逻辑控制器，所述逻辑控制器的正电源端连接所述波控模组的正电源端，所述逻辑控制器的负电源端连接所述波控模组的负电源端，所述接口保护电路的供电端连接所述波控模组的正电源端；所述电源管理模组连接所述波控模组的正电源端和负电源端进行供电；

所述接口保护电路的输入端连接所述低频接口中的控制信号输入端，所述接口保护电路的输出端连接所述逻辑控制器的信号输出端，所述逻辑控制器的信号输出端连接所述电源管理模组和所述射频模组中的元器件。

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