CN219181418U - 智能家电及其高压发生电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种智能家电及其高压发生电路，该高压发生电路包括依次电连接的控制电路、预设升压电路和电压源；其中，预设升压电路包括电连接的开关单元和升压变压器；升压变压器包括变压模块、绕设于变压模块的初级绕组和次级绕组，开关单元与电压源电连接，电压源用于向开关单元输入初始电压；控制电路用于控制开关单元的导通，以控制变压模块将初始电压传输至次级绕组进行转换处理，得到目标高电压。本实用新型的高压发生电路中，MOS管工作在饱和状态，发热量较小，效率较高；不需要太大的器件体积，使用一颗芯片就实现了高压输出，降低了成本；可实现过流、过压保护，提高了电路的可靠性；通过调节PWM信号的占空比，可连续调节输出电压。

Description

智能家电及其高压发生电路

技术领域

本实用新型涉及集成电路设计技术领域，特别涉及一种智能家电及其高压发生电路。

背景技术

目前，主要采用双管自激振荡电路来驱动高压除尘/除油模块，用于智能家电(例如，吸油烟机、空气净化器)对空气的高压静电净化。双管自激振荡电路是利用磁芯饱和特性工作的电路，其电路结构示意图如图1所示，工作原理为：由于电路中两个三极管的参数不可能完全一致，在通电后，两个三极管不能同时导通，会存在一个三极管先导通，导通的三极管集电极就会通过一定的电流，随着变压器的磁芯逐渐饱和，变压器就会形成一个反向电动势，将此三极管快速关闭，另一个三极管加速导通，这样反复下去，就会向变压器的次级绕组传输能量，变压器为升压变压器，就会将输入电压转换为电压值更高的输出电压。当磁芯饱和时，通过三极管的电流很大，并且三极管工作在放大状态，因此三极管的损耗很大，另外变压器在饱和瞬间就会发热，损耗变大，因此存在三极管和变压器这两个损耗较大的器件，存在电路效率较低的问题；若需要输出相同的能量，则要求三极管和变压器的体积大，另外若要实现带保护功能的高压电路，则需要外部转换单片机或逻辑控制芯片，会带来成本高的弊端；三极管发热较大，对电路可靠性影响较大，另外变压器利用磁饱和特性工作，变压器本身在饱和时，发热较大，三极管和变压器两个高热量器件降低了电路的可靠性；电路采用自激振荡方案，电路参数固定后，电路的振荡频率就固定了，输出电压也固定了，会导致无法调节输出电压的问题。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是为了克服现有技术中采用双管自激震荡电路来驱动高压除尘/除油模块，导致存在电路处理效率低、电路可靠性低、无法调节输出电压、成本高等缺陷，目的在于提供一种智能家电及其高压发生电路。

本实用新型是通过下述技术方案来解决上述技术问题：

本实用新型提供一种高压发生电路，所述高压发生电路包括依次电连接的控制电路、预设升压电路和电压源；

其中，所述预设升压电路包括电连接的开关单元和升压变压器；

所述升压变压器包括变压模块、绕设于所述变压模块的初级绕组和次级绕组，所述开关单元与所述电压源电连接，所述电压源用于向所述开关单元输入初始电压；

所述控制电路用于驱动所述开关单元的导通，以驱动所述变压模块将所述初始电压传输至所述次级绕组进行变压转换处理，输出目标高电压。

较佳地，所述高压发生电路还包括电连接的电压采样电路和阻抗转换电路；

所述电压采样电路与所述次级绕组电连接；

所述阻抗转换电路与所述控制电路电连接；

所述电压采样电路用于对所述目标高电压进行采样，以得到采样电压并输出至所述阻抗转换电路；

所述阻抗转换电路用于将所述采样电压转换成第一阻抗，再将所述第一阻抗转换为第二阻抗并输出至所述控制电路；

其中，所述第一阻抗的阻抗值大于所述第二阻抗的阻抗值。

较佳地，所述高压发生电路还包括倍压整流电路；

其中，所述倍压整流电路的输入端与所述次级绕组电连接，所述倍压整流电路的输出端与所述电压采样电路电连接；

所述倍压整流电路用于将所述目标高电压进行整流倍压处理，以得到处理后的所述目标高电压；

所述电压采样电路还用于对处理后的所述目标高电压进行采样，以得到所述采样电压并输出至所述阻抗转换电路。

较佳地，所述开关单元包括MOS(Metal Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体)管；

所述预设升压电路还包括第一电容、第二电容和第一电阻；

所述初级绕组包括第一绕组管脚和第二绕组管脚；

所述第一电容的一端分别与所述电压源的输出端、所述第一绕组管脚电连接，所述第一电容的另一端接地；

所述MOS管的漏极与所述第二绕组管脚电连接，所述MOS管的栅极与所述第二电容的一端电连接，所述MOS管的源极分别与所述第二电容的另一端、所述第一电阻的一端电连接，所述第一电阻的另一端接地。

较佳地，当所述MOS管处于导通状态时，所述初级绕组导通，所述变压模块用于将所述初始电压传输至所述次级绕组进行变压转换处理，以得到所述目标高电压，所述初级绕组用于存储能量；

当所述MOS管处于断开状态时，所述变压模块用于将所述初级绕组存储的所述能量传输至所述次级绕组进行变压转换处理，以输出所述目标高电压。

较佳地，所述控制电路包括PWM(Pulse Width Modulation，脉冲宽度调制)发生芯片；

所述PWM发生芯片用于生成PWM信号，并调节所述PWM信号的占空比以控制所述MOS管的导通与断开。

较佳地，所述控制电路还包括第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容和第七电容；

所述PWM发生芯片的第一管脚分别与所述第三电阻的一端、所述第四电容的一端电连接；

所述PWM发生芯片的第二管脚分别与所述第三电阻的另一端、所述第四电容的另一端、所述第七电阻的一端电连接；

所述PWM发生芯片的第三管脚分别与所述第五电容的一端、所述第六电阻的一端电连接，所述第五电容的另一端接地；

所述PWM发生芯片的第四管脚分别与所述第七电容的一端、所述第二电阻的一端电连接；

所述PWM发生芯片的第五管脚、所述第七电容的另一端和所述第六电容的一端均接地；

所述PWM发生芯片的第六管脚与所述第四电阻的一端电连接；

所述第四电阻的另一端分别与所述第五电阻的一端、所述第二电容的一端电连接；

所述第五电阻的另一端分别与所述第二电容的另一端、所述第六电阻的另一端电连接；

所述PWM发生芯片的第七管脚分别与所述电压源的输出端、所述第六电容的另一端电连接；

所述PWM发生芯片的第八管脚分别与所述第二电阻的另一端、所述第三电容的一端电连接，所述第三电容的另一端接地。

较佳地，所述控制电路还包括误差放大器；

所述误差放大器的一端与所述第一管脚电连接，所述误差放大器的另一端与所述第二管脚电连接；

所述误差放大器用于基于所述采样电压调节所述PWM发生芯片生成的所述PWM信号的占空比；

所述第三管脚用于对所述预设升压电路中的电流进行采样；

所述第四管脚用于设置所述PWM发生芯片的开关驱动频率；

所述第五管脚用于提供接地参考电平；

所述第六管脚用于基于所述开关驱动频率驱动所述MOS管；

所述第七管脚用于为所述PWM发生芯片供电；

所述第八管脚用于输出稳压电源。

较佳地，所述倍压整流电路包括第八电容、第九电容、第一二极管和第二二极管；

所述次级绕组包括第三绕组管脚和第四绕组管脚；

所述第八电容的一端与所述第四绕组管脚电连接，所述第八电容的另一端分别与所述第二二极管的阴极、第一二极管的阳极电连接；

所述第九电容的一端、所述第三绕组管脚和所述第二二极管的阳极均接地，所述第九电容的另一端与所述第一二极管的阴极电连接。

较佳地，所述电压采样电路包括第八电阻、第十电容和滑动变阻器；

所述第八电阻的一端与所述第一二极管的阴极电连接，所述第八电阻的另一端分别与所述第十电容的一端、所述滑动变阻器的滑片电连接；

所述第十电容的另一端与所述滑动变阻器的一端均接地。

较佳地，所述阻抗转换电路包括第一放大器和第十一电容；

所述第一放大器的第一供电端分别与所述电压源的输出端、所述第十一电容的一端电连接；所述第十一电容的另一端接地；

所述第一放大器的第二供电端接地；

所述第一放大器的正向输入端与所述第八电阻的另一端电连接；

所述第一放大器的反向输入端分别与所述第一放大器的输出端、所述第七电阻的另一端电连接。

本实用新型还提供一种智能家电，所述智能家电包括上述的高压发生电路。

在符合本领域常识的基础上，上述各优选条件，可任意组合，即得本实用新型各较佳实例。

本实用新型的积极进步效果在于：

本实用新型的高压发生电路中，控制电路通过控制预设升压电路中MOS管的导通与断开，以控制预设升压电路中的升压变压器转换初始电压为目标高电压，电路中的MOS管工作在饱和状态，发热量较小，效率较高；电路只采用1个MOS管，且MOS管工作在饱和状态，发热量较小，输出相同的能量，MOS管不需要太大的体积，变压器也不需要太大的体积，使用一颗芯片就实现了高压输出功能，而不需要单片机及其他逻辑控制芯片，使得有效降低了电路成本；电路中没有大发热器件，可实现过流、过压保护，有效地提高了电路的可靠性；控制电路采用PWM信号驱动预设升压电路，通过调节PWM信号的占空比，可连续调节变压器传输能量的大小，即可连续调节输出电压。

附图说明

图1为现有技术的双管自激振荡电路的结构示意图。

图2为本实用新型实施例1的高压发生电路的结构示意图。

图3为本实用新型实施例2的高压发生电路的模块示意图。

图4为本实用新型实施例2的高压发生电路的结构示意图。

图5为本实用新型实施例2的PWM发生芯片的电路结构示意图。

具体实施方式

下面举个较佳实施例，并结合附图来更清楚完整地说明本实用新型。

实施例1

本实施例提供一种高压发生电路，如图2所示，该高压发生电路包括依次电连接的控制电路1、预设升压电路2和电压源3；

其中，预设升压电路2包括电连接的开关单元21和升压变压器22。

具体地，电路中只采用1个开关单元，且开关单元工作在饱和状态时，发热量较小，就能够输出相同的能量；且开关单元不需要太大的体积，变压器也不需要太大的体积，从而有效降低电路的投入成本。

升压变压器22包括变压模块221、绕设于变压模块的初级绕组222和次级绕组223，开关单元21与电压源3电连接，电压源3用于向开关单元21输入初始电压；

控制电路1用于驱动开关单元21的导通，以驱动变压模块221将初始电压传输至次级绕组223进行变压转换处理，输出目标高电压。

本实施例中，高压发生电路中的控制电路通过控制预设升压电路中开关单元的导通与断开，以控制预设升压电路中的升压变压器转换初始电压为目标高电压，电路中的开关单元工作在饱和状态，发热量较小，效率较高；电路中没有大发热器件，可实现过流、过压保护，提高了电路的可靠性。

实施例2

本实施例提供一种高压发生电路，如图3和图4所示，是对实施例1的进一步改进。

在一可实施的方案中，高压发生电路还包括电连接的电压采样电路4和阻抗转换电路5；

电压采样电路4与次级绕组223电连接；

阻抗转换电路5与控制电路1电连接；

电压采样电路4用于对目标高电压进行采样，以得到采样电压并输出至阻抗转换电路5；

阻抗转换电路5用于将采样电压转换成第一阻抗，再将第一阻抗转换为第二阻抗并输出至控制电路1；

其中，第一阻抗的阻抗值大于第二阻抗的阻抗值。

在一可实施的方案中，高压发生电路还包括倍压整流电路6；

其中，倍压整流电路6的输入端与次级绕组223电连接，倍压整流电路6的输出端与电压采样电路4电连接；

倍压整流电路6用于将目标高电压进行整流倍压处理，以得到处理后的目标高电压；

电压采样电路4还用于对处理后的目标高电压进行采样，以得到采样电压并输出至阻抗转换电路5。

在一可实施的方案中，开关单元21包括MOS管Q；

预设升压电路2还包括第一电容C1、第二电容C2和第一电阻R1；

初级绕组222包括第一绕组管脚2221和第二绕组管脚2222；

第一电容C1的一端分别与电压源3的输出端、第一绕组管脚2221电连接，第一电容C1的另一端接地；

MOS管Q的漏极与第二绕组管脚2222电连接，MOS管Q的栅极与第二电容C2的一端电连接，MOS管Q的源极分别与第二电容C2的另一端、第一电阻R1的一端电连接，第一电阻R1的另一端接地。

在一可实施的方案中，当MOS管Q处于导通状态时，初级绕组222导通，变压模块221用于将初始电压传输至次级绕组223进行变压转换处理，以得到目标高电压，初级绕组222用于存储能量；

当MOS管Q处于断开状态时，变压模块221用于将初级绕组222存储的能量传输至次级绕组223进行变压转换处理，以输出目标高电压。

本实施方式中，当MOS管Q处于导通状态时，初级绕组222导通，升压变压器22可将初始电压VCC转换为目标高电压U1，初级绕组222同时存储多余的能量。U1与VCC的关系为：VCC/U1＝N1/N2，其中，N1、N2分别为升压变压器22的初级绕组222和次级绕组223的线圈匝数。当MOS管Q处于断开状态时，升压变压器22将初级绕组222存储的能量转换为目标高电压U1。

在一可实施的方案中，控制电路1包括PWM发生芯片U；

PWM发生芯片U用于生成PWM信号，并调节PWM信号的占空比以控制MOS管Q的导通与断开。

本实施方式中，PWM发生芯片U采用UC3843BP芯片，或者采用同类型的其他芯片。UC3843BP芯片的电路结构示意图如图5所示，其属于本领域成熟的技术，此处不再赘述。

PWM发生芯片U通过检测处理后的目标高电压以及通过升压变压器的初级绕组的电流，控制MOS管的导通与断开；另外，芯片集成了过流保护功能，当电路发生异常时，保护电路的可靠工作。

在一可实施的方案中，控制电路1还包括第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6和第七电容C7；

PWM发生芯片U的第一管脚U1分别与第三电阻R3的一端、第四电容C4的一端电连接；

PWM发生芯片U的第二管脚U2分别与第三电阻R3的另一端、第四电容C4的另一端、第七电阻R7的一端电连接；

PWM发生芯片U的第三管脚U3分别与第五电容C5的一端、第六电阻R6的一端电连接，第五电容C5的另一端接地；

PWM发生芯片U的第四管脚U4分别与第七电容C7的一端、第二电阻R2的一端电连接；

PWM发生芯片U的第五管脚U5、第七电容C7的另一端和第六电容C6的一端均接地；

PWM发生芯片U的第六管脚C6与第四电阻R4的一端电连接；

第四电阻R4的另一端分别与第五电阻R5的一端、第二电容C2的一端电连接；

第五电阻R5的另一端分别与第二电容C2的另一端、第六电阻R6的另一端电连接；

PWM发生芯片U的第七管脚U7分别与电压源3的输出端、第六电容C6的另一端电连接；

PWM发生芯片U的第八管脚U8分别与第二电阻R2的另一端、第三电容C3的一端电连接，第三电容C3的另一端接地。

在一可实施的方案中，控制电路1还包括误差放大器11。

误差放大器11的一端与第一管脚U1电连接，误差放大器11的另一端与第二管脚U2电连接。

误差放大器11用于基于采样电压调节PWM发生芯片U生成的PWM信号的占空比。

具体地，第一管脚U1为COMP脚，第二管脚U2为VFB脚，第二管脚U2与误差放大器11的反向输入端电连接。在高压发生电路中，电压采样电路对经过处理后的目标高电压进行采样，得到的采样电压通过阻抗转换电路送入第二管脚U2，然后送入误差放大器11。误差放大器11的基准电压为2.5V，将采样电压与基准电压做比较，形成闭环过程，调节PWM信号的占空比，以控制MOS管的导通与断开，从而控制目标高电压的幅值，进而得到目标高电压。

第三管脚U3用于对预设升压电路2中的电流进行采样。

具体地，第三管脚U3为ISENSE脚，第三管脚U3为电流采样的输入口，构成电流反馈，用于电流调节及电路保护。

第四管脚U4用于设置PWM发生芯片U的开关驱动频率。

具体地，第四管脚U4为R22/C22脚，PWM发生芯片U内部时钟频率设置口，设置PWM发生芯片U的开关驱动频率。

第五管脚U5用于提供接地参考电平。

具体地，第五管脚U5为GND脚。

第六管脚U6用于基于开关驱动频率驱动MOS管Q。

具体地，第六管脚U6为OU22PU22脚，第四管脚U4设置的开关驱动频率通过第六管脚U6来驱动MOS管Q。

第七管脚U7用于为PWM发生芯片U供电。

具体地，第七管脚U7为VCC脚，是PWM发生芯片U的供电引脚，为PWM发生芯片U内部逻辑处理供电。

第八管脚U8用于输出稳压电源。

具体地，第八管脚U8为VREF脚，是PWM发生芯片U内部稳压电源的输出引脚，能够给芯片外部电路提供电压为5V的电源。

在一可实施的方案中，倍压整流电路6包括第八电容C8、第九电容C9、第一二极管D1和第二二极管D2；

次级绕组223包括第三绕组管脚2231和第四绕组管脚2232；

第八电容C8的一端与第四绕组管脚2232电连接，第八电容C8的另一端分别与第二二极管D2的阴极、第一二极管D1的阳极电连接；

第九电容C9的一端、第三绕组管脚2231和第二二极管D2的阳极均接地，第九电容C9的另一端与第一二极管D1的阴极电连接。

本实施方式中，倍压整流电路6为2倍压电路，可将升压变压器22输出的目标高电压U1整流倍压为2U1的电压值，即处理后的目标高电压HV＝2U1。

在一可实施的方案中，电压采样电路4包括第八电阻R8、第十电容C10和滑动变阻器R9；

第八电阻R8的一端与第一二极管D1的阴极电连接，第八电阻R8的另一端分别与第十电容C10的一端、滑动变阻器R9的滑片电连接；

第十电容C10的另一端与滑动变阻器R9的一端均接地。

本实施方式中，电压采样电路4通过电阻分压，对处理后的目标高电压HV进行采样，将采样得到的采样电压U_r送入阻抗转换电路进行处理。U_r＝(HV*R9)/(R9+R8)。从控制角度来说，电压采样作为控制外环，形成了高压发生电路的电压闭环调节。

在一可实施的方案中，阻抗转换电路5包括第一放大器51和第十一电容C11；

第一放大器51的第一供电端511分别与电压源3的输出端、第十一电容C11的一端电连接；第十一电容C11的另一端接地；

第一放大器51的第二供电端512接地；

第一放大器51的正向输入端513与第八电阻R8的另一端电连接；

第一放大器51的反向输入端514分别与第一放大器51的输出端515、第七电阻R7的另一端电连接。

本实施方式中，阻抗转换电路5用集成运放搭接而成，集成运放具有高输入阻抗，低输出阻抗的特点。电压采样电路4采用电阻采样，采样电阻的电阻值很高，阻抗值也很高。阻抗转换电路5将采样电压U_r转换成第一阻抗，再将第一阻抗转换为PWM发生芯片U能够识别的第二阻抗，以保证电压采样的准确性，其中，第一阻抗的阻抗值大于第二阻抗的阻抗值。

本实施例的高压发生电路的工作原理：

控制电路中的PWM发生芯片通过调节PWM信号的占空比来控制预设升压电路中MOS管的导通与断开，当MOS管处于导通状态时，预设升压电路中的升压变压器的初级绕组导通，升压变压器将初始电压转换为目标高电压，初级绕组同时存储多余的能量；当MOS管处于断开状态时，升压变压器将初级绕组存储的能量转换为目标高电压。倍压整流电路将目标高电压整流倍压为两倍，电压采样电路对整流倍压处理后的目标高电压进行采样，得到采样电压输入阻抗转换电路进行处理后再传输给PWM发生芯片，以使得PWM发生芯片调节PWM信号的占空比。

本实施例中，控制电路通过控制预设升压电路中MOS管的导通与断开，以控制预设升压电路中的升压变压器转换初始电压为目标高电压，电路中的MOS管工作在饱和状态，发热量较小，效率较高；电路只采用1个MOS管，且MOS管工作在饱和状态，发热量较小，输出相同的能量，MOS管不需要太大的体积，变压器也不需要太大的体积，使用一颗芯片就实现了高压输出功能，而不需要单片机及其他逻辑控制芯片，使得有效降低了电路成本；电路中没有大发热器件，可实现过流、过压保护，有效地提高了电路的可靠性；控制电路采用PWM信号驱动预设升压电路，通过调节PWM信号的占空比，可连续调节变压器传输能量的大小，即可连续调节输出电压。

实施例3

本实施例提供一种智能家电，该智能家电包括如实施例1或实施例2所述的高压发生电路。

具体地，智能家电包括油烟机、空气净化器等，智能家电中包含的高压发生电路中的控制电路通过控制预设升压电路中开关单元的导通与断开，以控制预设升压电路中的升压变压器转换初始电压为目标高电压，电路中的开关单元工作在饱和状态，发热量较小，效率较高；电路中只采用1个开关单元，且开关单元工作在饱和状态时，发热量较小，就能够输出相同的能量；且开关单元不需要太大的体积，变压器也不需要太大的体积，从而有效降低电路的投入成本；电路中没有大发热器件，可实现过流、过压保护，提高了电路的可靠性。

虽然以上描述了本实用新型的具体实施方式，但是本领域的技术人员应当理解，这仅是举例说明，本实用新型的保护范围是由所附权利要求书限定的。本领域的技术人员在不背离本实用新型的原理和实质的前提下，可以对这些实施方式做出多种变更或修改，但这些变更和修改均落入本实用新型的保护范围。

Claims (12)

1.一种高压发生电路，其特征在于，所述高压发生电路包括依次电连接的控制电路、预设升压电路和电压源；

其中，所述预设升压电路包括电连接的开关单元和升压变压器；

所述升压变压器包括变压模块、绕设于所述变压模块的初级绕组和次级绕组，所述开关单元与所述电压源电连接，所述电压源用于向所述开关单元输入初始电压；

所述控制电路用于驱动所述开关单元的导通，以驱动所述变压模块将所述初始电压传输至所述次级绕组进行变压转换处理，输出目标高电压。

2.如权利要求1所述的高压发生电路，其特征在于，所述高压发生电路还包括电连接的电压采样电路和阻抗转换电路；

所述电压采样电路与所述次级绕组电连接；

所述阻抗转换电路与所述控制电路电连接；

所述电压采样电路用于对所述目标高电压进行采样，以得到采样电压并输出至所述阻抗转换电路；

所述阻抗转换电路用于将所述采样电压转换成第一阻抗，再将所述第一阻抗转换为第二阻抗并输出至所述控制电路；

其中，所述第一阻抗的阻抗值大于所述第二阻抗的阻抗值。

3.如权利要求2所述的高压发生电路，其特征在于，所述高压发生电路还包括倍压整流电路；

其中，所述倍压整流电路的输入端与所述次级绕组电连接，所述倍压整流电路的输出端与所述电压采样电路电连接；

所述倍压整流电路用于将所述目标高电压进行整流倍压处理，以得到处理后的所述目标高电压；

所述电压采样电路还用于对处理后的所述目标高电压进行采样，以得到所述采样电压并输出至所述阻抗转换电路。

4.如权利要求3所述的高压发生电路，其特征在于，所述开关单元包括MOS管；

所述预设升压电路还包括第一电容、第二电容和第一电阻；

所述初级绕组包括第一绕组管脚和第二绕组管脚；

所述第一电容的一端分别与所述电压源的输出端、所述第一绕组管脚电连接，所述第一电容的另一端接地；

所述MOS管的漏极与所述第二绕组管脚电连接，所述MOS管的栅极与所述第二电容的一端电连接，所述MOS管的源极分别与所述第二电容的另一端、所述第一电阻的一端电连接，所述第一电阻的另一端接地。

5.如权利要求4所述的高压发生电路，其特征在于，当所述MOS管处于导通状态时，所述初级绕组导通，所述变压模块用于将所述初始电压传输至所述次级绕组进行变压转换处理，以输出所述目标高电压，所述初级绕组用于存储能量；

当所述MOS管处于断开状态时，所述变压模块用于将所述初级绕组存储的所述能量传输至所述次级绕组进行变压转换处理，以输出所述目标高电压。

6.如权利要求4所述的高压发生电路，其特征在于，所述控制电路包括PWM发生芯片；

所述PWM发生芯片用于生成PWM信号，并调节所述PWM信号的占空比以控制所述MOS管的导通与断开。

7.如权利要求6所述的高压发生电路，其特征在于，所述控制电路还包括第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容和第七电容；

所述PWM发生芯片的第一管脚分别与所述第三电阻的一端、所述第四电容的一端电连接；

所述PWM发生芯片的第二管脚分别与所述第三电阻的另一端、所述第四电容的另一端、所述第七电阻的一端电连接；

所述PWM发生芯片的第三管脚分别与所述第五电容的一端、所述第六电阻的一端电连接，所述第五电容的另一端接地；

所述PWM发生芯片的第四管脚分别与所述第七电容的一端、所述第二电阻的一端电连接；

所述PWM发生芯片的第五管脚、所述第七电容的另一端和所述第六电容的一端均接地；

所述PWM发生芯片的第六管脚与所述第四电阻的一端电连接；

所述第四电阻的另一端分别与所述第五电阻的一端、所述第二电容的一端电连接；

所述第五电阻的另一端分别与所述第二电容的另一端、所述第六电阻的另一端电连接；

所述PWM发生芯片的第七管脚分别与所述电压源的输出端、所述第六电容的另一端电连接；

所述PWM发生芯片的第八管脚分别与所述第二电阻的另一端、所述第三电容的一端电连接，所述第三电容的另一端接地。

8.如权利要求7所述的高压发生电路，其特征在于，所述控制电路还包括误差放大器；

所述误差放大器的一端与所述第一管脚电连接，所述误差放大器的另一端与所述第二管脚电连接；

所述误差放大器用于基于所述采样电压调节所述PWM发生芯片生成的所述PWM信号的占空比；

所述第三管脚用于对所述预设升压电路中的电流进行采样；

所述第四管脚用于设置所述PWM发生芯片的开关驱动频率；

所述第五管脚用于提供接地参考电平；

所述第六管脚用于基于所述开关驱动频率驱动所述MOS管；

所述第七管脚用于为所述PWM发生芯片供电；

所述第八管脚用于输出稳压电源。

9.如权利要求8所述的高压发生电路，其特征在于，所述倍压整流电路包括第八电容、第九电容、第一二极管和第二二极管；

所述次级绕组包括第三绕组管脚和第四绕组管脚；

所述第八电容的一端与所述第四绕组管脚电连接，所述第八电容的另一端分别与所述第二二极管的阴极、第一二极管的阳极电连接；

所述第九电容的一端、所述第三绕组管脚和所述第二二极管的阳极均接地，所述第九电容的另一端与所述第一二极管的阴极电连接。

10.如权利要求9所述的高压发生电路，其特征在于，所述电压采样电路包括第八电阻、第十电容和滑动变阻器；

所述第八电阻的一端与所述第一二极管的阴极电连接，所述第八电阻的另一端分别与所述第十电容的一端、所述滑动变阻器的滑片电连接；

所述第十电容的另一端与所述滑动变阻器的一端均接地。

11.如权利要求10所述的高压发生电路，其特征在于，所述阻抗转换电路包括第一放大器和第十一电容；

所述第一放大器的第一供电端分别与所述电压源的输出端、所述第十一电容的一端电连接；所述第十一电容的另一端接地；

所述第一放大器的第二供电端接地；

所述第一放大器的正向输入端与所述第八电阻的另一端电连接；

所述第一放大器的反向输入端分别与所述第一放大器的输出端、所述第七电阻的另一端电连接。

12.一种智能家电，其特征在于，所述智能家电包括如权利要求1-11中任一项所述的高压发生电路。

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