CN219181232U - 充电保护电路及电子设备 - Google Patents

Abstract

本公开涉及电子设备技术领域，具体提供了一种充电保护电路及电子设备。一种充电保护电路包括电源输入端子、OVP开关、至少两个电源芯片以及控制电路，电源芯片的电压检测引脚通过切换开关连接电源输入端子的电源线，电源输入引脚连接OVP开关的输出端，控制引脚连接OVP开关的第一控制端，控制电路包括检测端和第二控制端，检测端连接电源线以及控制引脚，第二控制端连接切换开关以控制切换开关切换导通。本公开实施方式中，可以实现每个电源芯片对OVP开关的控制，从而在某个电源芯片出现故障时，既可以保证其他电源芯片正常工作，实现对电子设备的充电，同时还保证可以正常检测输入电压，实现过压保护，保证充电安全。

Description

充电保护电路及电子设备

技术领域

本公开涉及电子设备技术领域，具体涉及一种充电保护电路及电子设备。

背景技术

随着电子设备技术的发展，快速充电已经成为移动终端的标配功能，而且移动终端的充电功率越来越高，由10瓦、20瓦逐渐发展至40瓦、67瓦，甚至到120瓦、180瓦。由于充电功率的提高，电子设备充电过程的发热问题和充电安全问题成为必须考虑的问题。

实用新型内容

为提高充电保护电路效果和充电安全性，本公开实施方式提供了一种充电保护电路以及具有该电路的电子设备。

第一方面，本公开实施方式提供了一种充电保护电路，应用于电子设备，所述电路包括：

电源输入端子，用于连接外部电源；

OVP开关，包括输入端、输出端和第一控制端，所述输入端连接所述电源输入端子；

至少两个电源芯片，所述电源芯片包括电压检测引脚、电源输入引脚以及控制引脚，每个所述电源芯片的所述电压检测引脚通过切换开关连接所述电源输入端子的电源线，所述电源输入引脚连接所述OVP开关的所述输出端，所述控制引脚连接所述OVP开关的所述第一控制端；以及

控制电路，包括检测端和第二控制端，所述检测端连接所述电源线以及所述控制引脚，所述第二控制端连接所述切换开关以控制所述切换开关切换导通。

在一些实施方式中，所述切换开关包括信号输入端、信号控制端以及与所述电源芯片相同数量的信号输出端，所述信号输入端连接所述电源输入端子的电源线，每个信号输出端连接一个所述电源芯片的所述电压检测引脚，所述信号控制端连接所述控制电路。

在一些实施方式中，所述控制电路的检测端包括第一检测端和第二检测端，所述第一检测端连接所述电源输入端子的电源线，所述第二检测端连接所述电源芯片的所述控制引脚，所述第二控制端连接所述切换开关的控制端，以控制所述切换开关的所述信号输入端与其中一个所述信号输出端导通。

在一些实施方式中，所述OVP开关包括晶体管开关，所述晶体管开关包括MOS管或三极管。

在一些实施方式中，所述OVP开关包括MOS管，所述MOS管包括源极、栅极和漏极，所述MOS管的源极作为所述OVP开关的所述输入端，所述MOS管的栅极作为所述OVP开关的所述第一控制端，所述MOS管的所述漏极作为所述OVP开关的所述输出端。

在一些实施方式中，所述MOS管导通时栅极电压为源极电压的2倍。

在一些实施方式中，在每个电源芯片的控制引脚与所述OVP开关的连接电路上设置有二极管，所述二极管允许电流从所述电源芯片向所述OVP开关单向通过。

在一些实施方式中，所述电子设备包括移动终端，所述控制电路包括所述移动终端的SoC。

在一些实施方式中，所述电源输入端子包括Type-C端子，所述电源芯片包括电荷泵芯片。

第二方面，本公开实施方式提供了一种电子设备，包括根据第一方面任意实施方式所述的充电保护电路。

本公开实施方式的充电保护电路包括电源输入端子、OVP开关、至少两个电源芯片以及控制电路，OVP开关包括输入端、输出端和第一控制端，输入端连接电源输入端子，电源芯片的电压检测引脚通过切换开关连接电源输入端子的电源线，电源输入引脚连接OVP开关的输出端，控制引脚连接OVP开关的第一控制端，控制电路包括检测端和第二控制端，检测端连接电源线以及控制引脚，第二控制端连接切换开关以控制切换开关切换导通。本公开实施方式中，通过控制电路对切换电路的控制，可以实现每个电源芯片对OVP开关的控制，从而在某个电源芯片出现故障时，既可以保证其他电源芯片正常工作，实现对电子设备的充电，同时还保证可以正常检测输入电压，实现过压保护，保证充电安全。

附图说明

为了更清楚地说明本公开具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本公开的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是相关技术中OVP电路的电路结构图。

图2是根据本公开一些实施方式中充电保护电路的电路结构图。

图3是根据本公开一些实施方式中充电保护电路的电路结构图。

图4是根据本公开一些实施方式中充电保护电路的电流结构图。

图5是根据本公开一些实施方式中电子设备的结构框图。

具体实施方式

下面将结合附图对本公开的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本公开一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本公开中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本公开保护的范围。此外，下面所描述的本公开不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。

随着电子设备技术飞速发展，快速充电已经成为电子设备的标配功能之一，而且电子设备的快充功率越来越高。例如以智能手机为例，智能手机的快充峰值功率已经由最初的10W、20W，逐渐升高至40W、67W，甚至如今部分手机的充电功率已经达到120W、180W，手机充电时间也由最初的几个小时缩短至十几分钟、甚至几分钟。

发热问题一直是限制快充效率的主要因素之一，对于智能手机来说，其内部堆叠程度极高，散热能力受限。因此相关技术中，为实现大功率快充，需要采用多个电源芯片实现功率堆叠，通过将电源芯片分散布局，可以有效将充电发热分散在整个手机，避免局部热量集中导致的充电安全问题。

OVP(Over Voltage Protection，过压保护)电路是一种用于电子设备内部，防止电子设备因输入电压过高导致损坏的保护电路。OVP电路中设置有一个MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应管)，当电子设备检测到输入电压过压时，可控制该MOS管关闭，从而截断外部过压的电压输入，防止电子设备内部电路引过压损坏。

例如图1示出了相关技术中智能手机的过压保护OVP电路结构，下面结合图1对OVP电路的原理进行说明。

如图1所示，充电接口即为智能手机的充电口，其一般可以是例如Type-C接口、Micro USB接口等。电荷泵芯片A和电荷泵芯片B为两个电源芯片，电荷泵芯片A和电荷泵芯片B的功率电路为并联结构，从而实现功率堆叠，实现大功率的快充。同时，电荷泵芯片A和电荷泵芯片B可以在手机中分散设置，从而将充电热量分散，提高充电安全。

OVP MOS为一个可控制通断的MOS管，其源极S连接充电接口的VBUS电源线，漏极D分别连接电荷泵芯片A和电荷泵芯片B的OVP_VBUS(电源)引脚，栅极G连接电荷泵芯片A的OVP_GATE引脚，同时电荷泵芯片A的VBUS_SENSE引脚连接充电接口的VBUS电源线。

在相关技术中，当充电接口通过充电器与外部电源连接时，电荷泵芯片A的VBUS_SENSE引脚会检测到电压，电荷泵芯片A的OVP_GATE引脚输出电压使得OVP MOS导通，电荷泵芯片A和B功率导通，为后续负载充电。当电荷泵芯片A的VBUS_SENSE引脚检测到VBUS电压超出阈值，说明输入电压过压，为保护电路，电荷泵芯片A立即关闭OVP_GATE引脚的输出电压，从而OVP MOS关断，不再充电，防止后级电路过压损坏。

本案发明人研究发现，上述方案虽然可以实现一定程度的过压保护，但是充电效果及充电安全性仍存在不足。也即，当电荷泵芯片A发生故障时，充电电路将完全失效无法充电，或者，过压保护将完全失效电路损坏风险剧增。

例如一种情况下，若电荷泵芯片A的VBUS_SENSE引脚损坏，电荷泵A无法检测到VBUS电压，但是OVP MOS为常开MOS管，从而即使输入电压VBUS过压，由于电荷泵芯片A的VBUS_SENSE无法检测到电压变化，从而不会切断OVP MOS，导致电路过压充电，充电风险大大增加，甚至引起电子设备烧毁或爆炸。

例如另一个情况下，若电荷泵芯片A内部功率电路损坏，导致OVP_GATE引脚无法输出有效的控制电压，从而无法开启OVP MOS，即使后级的电荷泵芯片B完好无损，也无法实现充电，导致充电效果不佳。

基于上述相关技术存在的缺陷，本公开实施方式提供了一种充电保护电路以及具有该电路的电子设备，旨在提高电子设备的充电效果和安全性。

第一方面，本公开实施方式提供了一种充电保护电路，该电路可应用电子设备中，实现对电子设备充电过程的过压保护。本公开实施方式中，电子设备可以是任何适于实施的设备类型，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，本公开对此不作限制。

在一些实施方式中，本公开示例的充电保护电路包括电源输入端子、OVP开关、至少两个电源芯片、切换开关以及控制电路。

如图2所示，本公开实施方式中，电源输入端子100是指电子设备与外部电源连接的充电接口，例如一个示例中，电子设备以智能手机为例，电源输入端子100即为手机充电口。本公开实施方式中，对于电源输入端子100的接口类型不作限制，其可以是任何适于实施的供电接口，例如USB接口、Micro USB接口、Type-C接口等，本公开对此不再赘述。电源输入端子100包括多条线路，例如信号线、时钟线、供电线等，图2实施方式中，仅示出电源输入端子100的供电线VBUS，也叫电源线。

本公开实施方式中，电源芯片300是指用于实现电源管理的充电芯片，其后级连接电子设备的负载，负载例如包括电子设备的主板、电池等。本公开对此电源芯片300的具体芯片类型不作限制，例如可以是电荷泵(Charge Pump)芯片、电源管理芯片等，本公开对此不再赘述。

值得说明的是，本公开实施方式中，电源芯片300的数量包括至少两个，例如图2示例中，电子设备中包括n个电源芯片300。可以理解，电源芯片300互相并联可以实现功率叠加，从而实现大功率的快充，而且将多个电源芯片300分散布置，可以有效将充电过程中产生的热量进行分散，提高电子设备的散热能力，保护充电安全。

本公开实施方式中，多个电源芯片300均通过OVP开关200与电源输入端子100的电源线VBUS连接。OVP开关200为可以控制通断的开关，例如MOS管、三极管等。

例如图2示例中，OVP开关200包括输入端S1、输出端C1以及第一控制端K1，输入端S1连接电源输入端子100的电源线VBUS，输出端C1连接各个电源芯片300的电源输入引脚OVP_VBUS，第一控制端K1分别连接各个电源芯片300的控制引脚OVP_GATE，也即，每个电源芯片300均可以控制OVP开关的通断。

每个电源芯片300的电压检测引脚VBUS_SENSE通过切换开关400连接至电源输入端子100的电源线VBUS，也即，切换开关400可以选通任意一路的电压检测引脚VBUS_SENSE与电源线VBUS的连接。

切换开关400包括信号输入端S2、控制端K2以及多个信号输出端C2。信号输入端S2连接电源输入端子100的电源线VBUS，每个信号输出端C2连接一个电源芯片300的电压检测引脚VBUS_SENSE。切换开关400的信号控制端K2连接控制电路500，也即，控制电路500输出控制信号，从而控制切换开关400的信号输入端S2与某一路的信号输出端C2导通。

控制电路500包括检测端，如图2所示，检测端包括第一检测端D1以及第二检测端D2，控制电路500还包括第二控制端K3，第一检测端D1连接电源输入端子100的电源线VBUS，从而检测VBUS电压信号确认电子设备是否插入外部电源。第二检测端D2分别连接每个电源芯片300的控制引脚OVP_GATE，从而检测控制信号电压。第二控制端连接切换开关400的控制端K2。

控制电路500根据两个检测端得到的电压信号之间的关系，可以确定当前用于控制OVP开关200的电源芯片300是否出现故障，若出现故障，则可以通过第二控制端K3向切换开关400的信号控制端K2发送控制信号，将信号输入端S2与当前信号输出端C2的导通切换至其他信号输出端C2。

例如一个示例场景中，假设切换开关400的信号输入端S2与电源芯片1的电压检测引脚VBUS_SENSE导通。

在电源芯片1未故障的情况下，当电源输入端子100连接外部电源，电源芯片1的电压检测引脚VBUS_SENSE可以检测到电压信号，电源芯片1通过控制引脚OVP_GATE输出控制电压，控制OVP开关200导通，从而实现为后级电路的供电。此时，控制电路500的第一检测端D1和第二检测端D2分别检测到电压关系符合正常电压关系，从而无需通过第二控制端K2发送切换信号。

在电源芯片1故障的情况下，当电源输入端子100连接外部电源，电源芯片1的电压检测引脚VBUS_SENSE无法正常检测到电压信号，从而电源芯片1的控制引脚OVP_GATE输出控制的控制电压也非预期电压。此时，控制电路500的第一检测端D1和第二检测端D2分别检测到电压关系不符合正常电压关系，从而控制电路500通过第二控制端K2向切换开关400发送切换信号，切换开关400根据切换信号将切换为信号输入端S2与电源芯片2的电压检测引脚VBUS_SENSE导通。从而电源芯片2即可重复上述过程，控制OVP开关200的正常工作。

通过上述可以看到，在本公开实施方式中，通过控制电路500对切换开关400的控制，可以实现每个电源芯片300对OVP开关200的控制，从而在某个电源芯片300出现故障时，既可以保证其他电源芯片300正常工作，实现对电子设备的充电，同时还保证可以正常检测输入电压，实现过压保护，保证充电安全。

图3示出了本公开一些实施方式中充电保护电路的结构，在图3示例中，为便于说明和理解，电子设备将以智能手机为例，电源芯片以电荷泵芯片为例，电源芯片的数量为2个。

在图3示例中，电源输入端子100可以是手机的充电接口，例如一个示例中，电源输入端子100为手机的Type-C充电接口。控制电路500可以是手机的SoC(System on Chip，系统级芯片)，电源芯片300包括电荷泵芯片1和电荷泵芯片2。

在本示例中，OVP开关200为晶体管开关，例如MOS管或者三极管，例如图3示例中，OVP开关200采用MOS管。MOS管包括有三个极，也即栅极G、源极S和漏极D，MOS管的基本工作原理是：通过对栅极G施加控制电平，从而使得源极S与漏极D导通或断开。MOS管可以分为NMOS和PMOS，根据控制电平的不同又可以分为增强型和耗尽型，而本公开实施方式中，对MOS管的类型不作任何限制，均可以实现本公开方案。本领域技术人员可以根据具体需求实现硬件选择和逻辑控制，本公开对此不再赘述。

如图3所示，MOS管的源极S连接电源输入端子100的电源线VBUS，MOS管的漏极D连接电荷泵芯片1和电荷泵芯片2的电源输入引脚OVP_VBUS，MOS管的栅极G分别连接电荷泵芯片1和电荷泵芯片2的控制引脚OVP_GATE。

在本公开示例中，为实现MOS管的导通，需要保证电荷泵芯片的控制引脚OVP_GATE输出电压为源极S电压的2倍。从而，控制电路500即可通过第一检测端D1获取VBUS电压，也即源极S电压，通过第二检测端D2获取OVP_GATE输出电压，并通过对比两者之间的电压关系，确定当前电荷泵芯片是否出现故障。

例如一个示例中，切换开关400的信号输入端S2默认与信号输出端C2-1导通。

在电荷泵芯片1无故障的情况下，在电源输入端子100与外部电源接通之后，电荷泵芯片1的电压检测引脚VBUS_SENSE检测到电压信号，从而控制引脚OVP_GATE输出2倍于VBUS的电压信号至MOS管栅极G，从而控制MOS管导通，电源经过电荷泵芯片1和电荷泵芯片2为后级电路充电。

在电荷泵芯片1存在故障的情况下，为便于理解本公开方案相对于图1传统方案的优势，下面同样以图1相同的故障场景进行分别说明。

1)电荷泵芯片1的电压检测引脚VBUS_SENSE损坏。

此时电荷泵芯片1无法正常通过电压检测引脚VBUS_SENSE检测到VUS电压，从而电荷泵芯片1的控制引脚OVP_GATE无法正常输出2倍于VBUS的电压信号至MOS管栅极G。控制电路500通过第一检测端D1获取到的VBUS电压，与通过第二检测端D2获取到的OVP_GATE电压也就不再是2倍关系，从而控制电路500确定电荷泵芯片1存在故障。

在确定电荷泵芯片1存在故障的情况下，控制电路500通过第二控制端K3向切换开关400的信号控制端K2输出切换信号，从而切换开关400将信号输入端S2切换至与信号输出端C2-2导通，也即，电荷泵芯片2的电压检测引脚VBUS_SENSE与VBUS连接。

此时，通过电荷泵芯片2实现对VBUS电压的检测，进而电荷泵芯片2通过控制引脚OVP_GATE输出2倍于VBUS的电压，控制OVP MOS管导通。可以理解，在此情况下，将由电荷泵芯片2来正常控制OVP MOS的通断，既可以实现正常充电，也可以有效实现过压保护功能，保障充电安全。

2)电荷泵芯片1的内部功率电路损坏。

由于电荷泵芯片1的内部功率电路损坏，从而电荷泵芯片1的控制引脚OVP_GATE无法电压，也即电荷泵芯片1的OVP_GATE电压为零。当电源输入端子100连接外部电源，控制电路500通过第一检测端D1检测到VBUS电压信号，同时通过第二检测端D2检测到电荷泵芯片1的OVP_GATE电压为零，两者的电压关系不满足2倍关系，从而确定电荷泵芯片1故障。

在确定电荷泵芯片1存在故障的情况下，控制电路500通过第二控制端K3向切换开关400的信号控制端K2输出切换信号，从而切换开关400将信号输入端S2切换至与信号输出端C2-2导通，也即，电荷泵芯片2的电压检测引脚VBUS_SENSE与VBUS连接。

此时，通过电荷泵芯片2实现对VBUS电压的检测，进而电荷泵芯片2通过控制引脚OVP_GATE输出2倍于VBUS的电压，控制OVP MOS管导通。可以理解，在此情况下，虽然电荷泵芯片1故障无法工作，但是电荷泵芯片2仍然可以正常工作，而且可以有效实现过压保护，也即，在电荷泵芯片1完全损坏的情况下，仍然可以正常为电子设备充电，提高充电效果。

通过本公开上述与图1相关技术方案的对比可知，本公开实施方式中，通过控制电路对切换电路的控制，可以实现每个电源芯片对OVP开关的控制，从而在某个电源芯片出现故障时，既可以保证其他电源芯片正常工作，实现对电子设备的充电，同时还保证可以正常检测输入电压，实现过压保护，保证充电安全。

在一些实施方式中，为避免电源芯片之间出现电流倒灌、损坏器件，可以在每个电源芯片的控制引脚OVP_GATE与OVP开关的连接电路上设置单向二极管，下面结合图4进行说明。

如图4所示，与图3实施方式的区别在于，每个电荷泵芯片的控制引脚OVP_GATE与OVP MOS栅极G连接的电路上设有单向的二极管600，二极管600仅允许电流从电荷泵芯片向OVP开关单向通过，反向则截止。

从而，当其中一个电荷泵芯片通过控制引脚OVP_GATE向MOS管输出电压时，电流不会倒灌进入其他电荷泵芯片的控制引脚OVP_GATE，保证电路安全。

通过上述可知，本公开实施方式中，通过控制电路对切换电路的控制，可以实现每个电源芯片对OVP开关的控制，从而在某个电源芯片出现故障时，既可以保证其他电源芯片正常工作，实现对电子设备的充电，同时还保证可以正常检测输入电压，实现过压保护，保证充电安全。而且通过二极管的单向导通性，避免电流倒灌，保护电路安全。

第二方面，本公开实施方式提供了一种电子设备，该电子设备包括上述任意实施方式的充电保护电路。

本公开实施方式中，电子设备可以是任何适于实施的设备类型，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，本公开对此不作限制。

图5示出了本公开一些实施方式中的电子设备的结构框图，参照图5，电子设备1800可以包括以下一个或多个组件：处理组件1802，存储器1804，电源组件1806，多媒体组件1808，音频组件1810，输入/输出(I/O)接口1812，传感器组件1816，以及通信组件1818。

处理组件1802通常控制电子设备1800的整体操作，诸如与显示，电话呼叫，数据通信，相机操作和记录操作相关联的操作。处理组件1802可以包括一个或多个处理器1820来执行指令。此外，处理组件1802可以包括一个或多个模块，便于处理组件1802和其他组件之间的交互。例如，处理组件1802可以包括多媒体模块，以方便多媒体组件1808和处理组件1802之间的交互。又如，处理组件1802可以从存储器读取可执行指令，以实现电子设备相关功能。

存储器1804被配置为存储各种类型的数据以支持在电子设备1800的操作。这些数据的示例包括用于在电子设备1800上操作的任何应用程序或方法的指令，联系人数据，电话簿数据，消息，图片，视频等。存储器1804可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现，如静态随机存取存储器(SRAM)，电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，可擦除可编程只读存储器(EPROM)，可编程只读存储器(PROM)，只读存储器(ROM)，磁存储器，快闪存储器，磁盘或光盘。

电源组件1806为电子设备1800的各种组件提供电力。电源组件1806可以包括电源管理系统，一个或多个电源，及其他与为电子设备1800生成、管理和分配电力相关联的组件。

多媒体组件1808包括在所述电子设备1800和用户之间的提供一个输出接口的显示屏。在一些实施例中，多媒体组件1808包括一个前置摄像头和/或后置摄像头。当电子设备1800处于操作模式，如拍摄模式或视频模式时，前置摄像头和/或后置摄像头可以接收外部的多媒体数据。每个前置摄像头和后置摄像头可以是一个固定的光学透镜系统或具有焦距和光学变焦能力。

音频组件1810被配置为输出和/或输入音频信号。例如，音频组件1810包括一个麦克风(MIC)，当电子设备1800处于操作模式，如呼叫模式、记录模式和语音识别模式时，麦克风被配置为接收外部音频信号。所接收的音频信号可以被进一步存储在存储器1804或经由通信组件1818发送。在一些实施例中，音频组件1810还包括一个扬声器，用于输出音频信号。

I/O接口1812为处理组件1802和外围接口模块之间提供接口，上述外围接口模块可以是键盘，点击轮，按钮等。这些按钮可包括但不限于：主页按钮、音量按钮、启动按钮和锁定按钮。

传感器组件1816包括一个或多个传感器，用于为电子设备1800提供各个方面的状态评估。例如，传感器组件1816可以检测到电子设备1800的打开/关闭状态，组件的相对定位，例如所述组件为电子设备1800的显示器和小键盘，传感器组件1816还可以检测电子设备1800或电子设备1800一个组件的位置改变，用户与电子设备1800接触的存在或不存在，电子设备1800方位或加速/减速和电子设备1800的温度变化。传感器组件1816可以包括接近传感器，被配置用来在没有任何的物理接触时检测附近物体的存在。传感器组件1816还可以包括光传感器，如CMOS或CCD图像传感器，用于在成像应用中使用。在一些实施例中，该传感器组件1816还可以包括加速度传感器，陀螺仪传感器，磁传感器，压力传感器或温度传感器。

通信组件1818被配置为便于电子设备1800和其他设备之间有线或无线方式的通信。电子设备1800可以接入基于通信标准的无线网络，如Wi-Fi，2G，3G，4G，5G或6G，或它们的组合。在一个示例性实施例中，通信组件1818经由广播信道接收来自外部广播管理系统的广播信号或广播相关信息。在一个示例性实施例中，所述通信组件1818还包括近场通信(NFC)模块，以促进短程通信。例如，在NFC模块可基于射频识别(RFID)技术，红外数据协会(IrDA)技术，超宽带(UWB)技术，蓝牙(BT)技术和其他技术来实现。

在示例性实施例中，电子设备1800可以被一个或多个应用专用集成电路(ASIC)、数字信号处理器(DSP)、数字信号处理设备(DSPD)、可编程逻辑器件(PLD)、现场可编程门阵列(FPGA)、控制器、微控制器、微处理器或其他电子元件实现。

显然，上述实施方式仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本公开创造的保护范围之中。

Claims (10)

1.一种充电保护电路，其特征在于，应用于电子设备，所述电路包括：

电源输入端子，用于连接外部电源；

OVP开关，包括输入端、输出端和第一控制端，所述输入端连接所述电源输入端子；

至少两个电源芯片，所述电源芯片包括电压检测引脚、电源输入引脚以及控制引脚，每个所述电源芯片的所述电压检测引脚通过切换开关连接所述电源输入端子的电源线，所述电源输入引脚连接所述OVP开关的所述输出端，所述控制引脚连接所述OVP开关的所述第一控制端；以及

控制电路，包括检测端和第二控制端，所述检测端连接所述电源线以及所述控制引脚，所述第二控制端连接所述切换开关以控制所述切换开关切换导通。

2.根据权利要求1所述的充电保护电路，其特征在于，

所述切换开关包括信号输入端、信号控制端以及与所述电源芯片相同数量的信号输出端，所述信号输入端连接所述电源输入端子的电源线，每个信号输出端连接一个所述电源芯片的所述电压检测引脚，所述信号控制端连接所述控制电路。

3.根据权利要求2所述的充电保护电路，其特征在于，

所述控制电路的检测端包括第一检测端和第二检测端，所述第一检测端连接所述电源输入端子的电源线，所述第二检测端连接所述电源芯片的所述控制引脚，所述第二控制端连接所述切换开关的控制端，以控制所述切换开关的所述信号输入端与其中一个所述信号输出端导通。

4.根据权利要求1至3任一项所述的充电保护电路，其特征在于，

所述OVP开关包括晶体管开关，所述晶体管开关包括MOS管或三极管。

5.根据权利要求4所述的充电保护电路，其特征在于，

所述OVP开关包括MOS管，所述MOS管包括源极、栅极和漏极，所述MOS管的源极作为所述OVP开关的所述输入端，所述MOS管的栅极作为所述OVP开关的所述第一控制端，所述MOS管的所述漏极作为所述OVP开关的所述输出端。

6.根据权利要求5所述的充电保护电路，其特征在于，

所述MOS管导通时栅极电压为源极电压的2倍。

7.根据权利要求1所述的充电保护电路，其特征在于，

在每个电源芯片的控制引脚与所述OVP开关的连接电路上设置有二极管，所述二极管允许电流从所述电源芯片向所述OVP开关单向通过。

8.根据权利要求1所述的充电保护电路，其特征在于，

所述电子设备包括移动终端，所述控制电路包括所述移动终端的SoC。

9.根据权利要求1所述的充电保护电路，其特征在于，

所述电源输入端子包括Type-C端子，所述电源芯片包括电荷泵芯片。

10.一种电子设备，其特征在于，包括根据权利要求1至9任一项所述的充电保护电路。

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