CN219098753U - 一种蜂窝分布式气旋多晶硅还原炉 - Google Patents
一种蜂窝分布式气旋多晶硅还原炉 Download PDFInfo
- Publication number
- CN219098753U CN219098753U CN202320144181.XU CN202320144181U CN219098753U CN 219098753 U CN219098753 U CN 219098753U CN 202320144181 U CN202320144181 U CN 202320144181U CN 219098753 U CN219098753 U CN 219098753U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- chassis
- air inlet
- electrodes
- distributed
- reduction furnace
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/10—Process efficiency
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种蜂窝分布式气旋多晶硅还原炉，其包括炉体和底盘，以及设置在所述底盘的多个电极、进气孔和排气孔，所述电极在所述底盘上呈正六边形排布，所述进气孔和/或所述排气孔设置在由所述电极围成的正六边形的中心。实用新型结构简单紧凑，够维持较为稳定而有效的化学气相沉积层，获得较易控制的温场和流场，改善炉内易于雾化生成无定形硅的多发趋势，提高硅棒的外观质量，获得稳定长周期运行。
Description
技术领域
本实用新型涉及多晶硅生产领域，具体涉及一种蜂窝分布式气旋多晶硅还原炉。
背景技术
以多晶硅为原料生产的单晶硅是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的基础材料，现代科学研究、航天、军事工业、农业等等都离不开单晶硅。而多晶硅还原炉就是生产多晶硅的核心设备。
利用主流工艺改良西门子法化学气相沉积生产多晶硅，其控制工艺特点是维持稳定有效的气相沉积扩散层。然而针对目前大型钟罩式分层同心圆排布的还原炉依据现行的多棒数的大型还原炉温场特征及流场模拟，其控制的难点存在内圈层高温场以及各圈层的局部高温场，同时气流场偏流及流通受限，易诱发雾化生成无定型硅，通过氢气调节抑制雾化相对24对棒的炉子较为困难，影响还原炉的稳定长周期运行和多晶硅产品质量。
发明内容
为了解决以上技术问题，本实用新型的目的是提供一种能够维持较为稳定而有效的气相沉积层，获得较易控制的温场和流场，改善炉内易于雾化生成无定形硅的多发趋势，提高硅棒的外观质量，获得稳定长周期运行的蜂窝分布式气旋多晶硅还原炉。
为了达到上述目的，本实用新型的技术方案是，一种蜂窝分布式气旋多晶硅还原炉，其包括炉体和底盘，以及设置在所述底盘的多个电极、进气孔和排气孔，所述电极在所述底盘上呈正六边形排布，所述进气孔和/或所述排气孔设置在由所述电极围成的正六边形的中心。
优选的技术方案，每个由所述电极围成的正六边形的中心设置有所述进气孔，或者设置有由所述进气孔和所述排气孔组成的进气排气孔。
进一步技术方案，所述进气排气孔包括设置在中心部位的进气孔和同心环绕设置在所述进气孔外周的排气孔。
进一步技术方案，所述进气孔分布在所述底盘的外周部位，所述进气排气孔分布在所述底盘的中心部位，并且所述进气排气孔自所述底盘的中心以多个方向向外延伸至所述底盘的边缘部分布。
更进一步地，所述进气排气孔以六个均匀方向直线向所述底盘的边缘部直线延伸分布。
优选的技术方案，所述排气孔组成的点阵图形为中心对称图形，其对称中心为所述底盘的中心点。
优选的技术方案，相邻的两个电极之间的距离为150-300mm。
本实用新型的优点是：
1、本实用新型能够让具有较高温度的中心区域得到有效释放和降低，减少内圈层局部高温；
2、本实用新型的进气孔内套于出气孔设计能够利用气体自身能量的回收利用提升进气的温度，提高转化率，降低单耗；
3、本实用新型够维持较为稳定而有效的化学气相沉积层，获得较易控制的温场和流场，改善炉内易于雾化生成无定形硅的多发趋势，提高硅棒的外观质量，获得稳定长周期运行。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述：
图1为本实用新型结构示意图。
其中：100、底盘；110、电极；120、进气孔；130、进气排气孔。
具体实施方式
实施例：如图1所示，一种蜂窝分布式气旋多晶硅还原炉，其包括炉体和底盘100，以及设置在底盘100的多个电极110、进气孔120和排气孔，电极110在底盘100上呈正六边形排布，进气孔120和排气孔设置在由电极110围成的正六边形的中心。
每个由电极110围成的正六边形的中心设置有进气孔120，或者设置有由进气孔120和排气孔组成的进气排气孔130。
进气排气孔130包括设置在中心部位的进气孔120和同心环绕设置在进气孔120外周的排气孔。
进气孔120分布在底盘100的外周部位，总计设置有36各。
进气排气孔130分布在底盘100的中心部位，并且进气排气孔130自底盘100的中心以六个方向向外延伸至底盘100的边缘部分布。
进气排气孔130以六个均匀方向直线向底盘100的边缘部直线延伸分布，总计设置有25个。
多个排气孔组成的点阵图形为中心对称图形，其对称中心为底盘100的中心点。
相邻的两个电极110之间的距离为250mm。电极110对数总计75对。
本实施例结构简单紧凑，适用于改善多棒大直径还原炉，化学气相沉积多发性无定型硅粉雾化现象，优化料表的设计瓶颈，给予各圈层较好的电流和进料提升空间，良好可控的温场和气流场，获得稳定且高效的化学气相沉积扩散层，实现长周期稳定运行，可持续节能降耗提升产品质量。
Claims (7)
1.一种蜂窝分布式气旋多晶硅还原炉，其包括炉体和底盘，以及设置在所述底盘的多个电极、进气孔和排气孔，其特征在于：所述电极在所述底盘上呈正六边形排布，所述进气孔和/或所述排气孔设置在由所述电极围成的正六边形的中心。
2.根据权利要求1所述的一种蜂窝分布式气旋多晶硅还原炉，其特征在于：每个由所述电极围成的正六边形的中心设置有所述进气孔，或者设置有由所述进气孔和所述排气孔组成的进气排气孔。
3.根据权利要求2所述的一种蜂窝分布式气旋多晶硅还原炉，其特征在于：所述进气排气孔包括设置在中心部位的进气孔和同心环绕设置在所述进气孔外周的排气孔。
4.根据权利要求2所述的一种蜂窝分布式气旋多晶硅还原炉，其特征在于：所述进气孔120分布在所述底盘的外周部位，所述进气排气孔分布在所述底盘的中心部位，并且所述进气排气孔自所述底盘的中心以多个方向向外延伸至所述底盘的边缘部分布。
5.根据权利要求4所述的一种蜂窝分布式气旋多晶硅还原炉，其特征在于：所述进气排气孔以六个均匀方向直线向所述底盘的边缘部直线延伸分布。
6.根据权利要求1所述的一种蜂窝分布式气旋多晶硅还原炉，其特征在于：所述排气孔组成的点阵图形为中心对称图形，其对称中心为所述底盘的中心点。
7.根据权利要求1所述的一种蜂窝分布式气旋多晶硅还原炉，其特征在于：相邻的两个电极之间的距离为150-300mm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202320144181.XU CN219098753U (zh) | 2023-02-07 | 2023-02-07 | 一种蜂窝分布式气旋多晶硅还原炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202320144181.XU CN219098753U (zh) | 2023-02-07 | 2023-02-07 | 一种蜂窝分布式气旋多晶硅还原炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN219098753U true CN219098753U (zh) | 2023-05-30 |
Family
ID=86455809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202320144181.XU Active CN219098753U (zh) | 2023-02-07 | 2023-02-07 | 一种蜂窝分布式气旋多晶硅还原炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN219098753U (zh) |
-
2023
- 2023-02-07 CN CN202320144181.XU patent/CN219098753U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN219098753U (zh) | 一种蜂窝分布式气旋多晶硅还原炉 | |
| WO2012171149A1 (zh) | 多晶硅还原炉 | |
| CN201962075U (zh) | 多晶硅还原炉 | |
| CN108201868A (zh) | 一种空心阴极磁旋转弧等离子体裂解煤制乙炔反应装置 | |
| CN102267698B (zh) | 一种18对棒的多晶硅还原炉的排布方式和连接方法 | |
| CN109133066B (zh) | 一种电子级多晶硅还原炉底盘及还原炉 | |
| CN201215800Y (zh) | 半导体刻蚀设备的上部电极 | |
| CN108557824B (zh) | 一种气相可控型多晶硅还原炉 | |
| CN209242690U (zh) | 一种电子级多晶硅还原炉底盘及还原炉 | |
| CN112960674B (zh) | 多晶硅还原炉的底盘、底盘组件以及还原炉 | |
| CN105271241B (zh) | 用于生产多晶硅的反应器 | |
| CN217555822U (zh) | 一种48对棒多晶硅还原炉底盘 | |
| US20180282162A1 (en) | Apparatus and method for manufacturing graphene | |
| CN101973551B (zh) | 一种多晶硅还原炉 | |
| CN212504015U (zh) | 还原炉底盘结构 | |
| CN113912065A (zh) | 一种还原炉 | |
| CN210367009U (zh) | 一种大型还原炉底盘 | |
| CN206735808U (zh) | 一种多晶硅还原炉底盘 | |
| CN216687510U (zh) | 一种多晶硅还原炉的底盘进出气结构 | |
| CN215855135U (zh) | 多晶硅还原炉的底盘、底盘组件以及还原炉 | |
| CN106115711A (zh) | 一种多晶硅还原炉 | |
| CN108715449B (zh) | 化学气相沉积制备碳化硅海绵的装置 | |
| CN211035255U (zh) | 一种用于生产多晶硅的超大型反应器 | |
| CN207158795U (zh) | 一种气相可控型多晶硅还原炉 | |
| CN220265285U (zh) | 一种84对棒多晶硅还原炉底盘 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |