CN219087099U - 偏置电路及射频功率放大电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种偏置电路及射频功率放大电路，该偏置电路包括偏置晶体管和偏置调整电路；偏置晶体管的第一端耦合至偏置电源端，偏置晶体管的第二端耦合至供电电源端，偏置晶体管的第三端耦合至功率放大器的信号输入路径；偏置调整电路，耦合至功率放大器的信号输入路径和偏置晶体管第一端之间；偏置调整电路，被配置随着功率放大器的输入功率的变化，适应性调整偏置晶体管的第一端的电信号大小，以使偏置调整电路根据功率放大器的输入功率的变化，将偏置晶体管的第一端的电信号大小调整到合适的范围，从而避免偏置晶体管输出的偏置信号过大，导致功率放大器出现过热或者非线性失真的情况，提高功率放大器的线性度。

Description

偏置电路及射频功率放大电路

技术领域

本实用新型涉及射频技术领域，尤其涉及一种偏置电路及射频功率放大电路。

背景技术

射频功率放大电路作为通信系统中发射机前端的重要组成部分，其主要功能是将较低功率的射频信号转换为较高功率的射频信号，其典型应用是驱动发射机中的天线，将已调制的射频信号放大到所需功率值后通过天线发射，射频功率放大器的设计指标通常包括增益、饱和输出功率、功率附加效率、线性度、带宽等。

在无线通信系统中，为了使得功率放大器能够处于正常工作状态，通常需要设计相应的偏置电路为功率放大器中的晶体管提供偏置信号。目前，现有的偏置电路随着输出输入功率的增加，无法自适应调整偏置信号的大小，导致射频功率放大电路中的功率放大器线性度较差，严重影响移动通信系统的性能。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种偏置电路及射频功率放大电路，以解决射频功率放大电路中的功率放大器线性度较差问题。

一种偏置电路，被配置为向功率放大器提供偏置信号，包括偏置晶体管和偏置调整电路；

所述偏置晶体管的第一端耦合至偏置电源端，所述偏置晶体管的第二端耦合至供电电源端，所述偏置晶体管的第三端耦合至所述功率放大器的信号输入路径；

所述偏置调整电路，耦合至所述功率放大器的信号输入路径和所述偏置晶体管第一端之间；所述偏置调整电路，被配置随着所述功率放大器的输入功率的变化，适应性调整所述偏置晶体管的第一端的电信号大小。

进一步地，所述偏置调整电路被配置为当所述功率放大器的输入功率大于或等于目标功率时，将所述偏置晶体管的第一端电信号调整为第一电信号；当所述功率放大器的输入功率小于所述目标功率时，将所述偏置晶体管的第一端的电信号调整为第二电信号，其中，所述第一电信号小于所述第二电信号，所述目标功率为所述功率放大器的回退功率。

进一步地，所述偏置调整电路包括第一分压电路、功率检测电路和第一滤波电路；

所述第一分压电路的第一端，耦合至所述偏置晶体管的第一端，所述第一分压电路的第二端耦合至接地端；

所述功率检测电路的第一端耦合至所述信号输入路径，所述功率检测电路的第二端与所述第一分压电路的第二端相连；所述第一滤波电路的第一端与所述第一分压电路的第一端相连，所述第一滤波电路的第二端与接地端相连；

其中，所述第一滤波电路，被配置为将至少部分射频输入信号释放到地，所述功率放大器的输入功率的变化导致所述第一分压电路调整所述偏置晶体管的第一端的电信号的大小。

进一步地，所述偏置电路还包括第二分压电路；所述第二分压电路的第一端，与所述功率检测电路的第二端和所述第一分压电路的第二端相连，所述第二分压电路的第二端，与所述接地端相连。

进一步地，所述第一分压电路包括第一二极管，所述第一二极管的阳极为所述第一分压电路的第一端，所述第一二极管的阴极为所述第一分压电路的第二端。

进一步地，所述第一分压电路包括第一晶体管；所述第一晶体管的集电极耦合至所述偏置电源端和所述偏置晶体管的第一端，所述第一晶体管的基极与所述第一晶体管的基极的集电极相连，所述第一晶体管的发射极耦合至接地端。

进一步地，所述第一滤波电路包括第一电容。

进一步地，所述偏置调整电路还包括信号隔离电路；所述信号隔离电路的第一端，与所述第一分压电路的第一端和所述第一滤波电路的第一端相连，所述信号隔离电路的第二端与所述偏置晶体管的第一端相连，被配置为至少阻隔部分所述信号输入路径中的射频输入信号流向至所述偏置晶体管的第一端中。

进一步地，所述信号隔离电路包括第一电感。

进一步地，所述信号隔离电路还包括第二电容；所述第二电容与所述第一电感并联连接。

进一步地，所述功率检测电路包括电阻、电感或者电容中的至少一种。

进一步地，所述偏置晶体管为双极结型晶体管，所述偏置晶体管的第一端为基极，所述偏置晶体管的第二端为集电极，所述偏置晶体管的第三端为发射极；或者，所述偏置晶体管为场效应晶体管，所述偏置晶体管的第一端为栅极，所述偏置晶体管的第二端为源极，所述偏置晶体管的第三端为漏极。

一种射频功率放大电路，包括功率放大器和上述的偏置电路。

上述偏置电路及射频功率放大电路，偏置电路包括偏置晶体管和偏置调整电路，偏置晶体管的第一端耦合至偏置电源端，偏置晶体管的第二端耦合至供电电源端，偏置晶体管的第三端耦合至功率放大器的信号输入路径，以向功率放大器提供偏置信号。偏置调整电路，耦合至功率放大器的信号输入路径和偏置晶体管第一端之间，且偏置调整电路被配置随着功率放大器的输入功率的变化，适应性调整偏置晶体管的第一端的电信号大小。本申请通过将偏置调整电路耦合至功率放大器的信号输入路径和偏置晶体管第一端之间，并使偏置调整电路随着功率放大器的输入功率的变化，适应性调整偏置晶体管的第一端的电信号大小，以使偏置调整电路根据功率放大器的输入功率的变化，将偏置晶体管的第一端的电信号大小调整到合适的范围，从而避免偏置晶体管输出的偏置信号过大，导致功率放大器出现过热或者非线性失真的情况，提高功率放大器的线性度。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对本实用新型实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型一实施例中偏置电路的一电路示意图；

图2是本实用新型一实施例中偏置电路的另一电路示意图

图3是本实用新型一实施例中偏置电路的另一电路示意图；

图4是本实用新型一实施例中偏置电路的另一电路示意图；

图5是本实用新型一实施例中偏置电路的另一电路示意图。

图中：1、偏置电路；11、偏置晶体管；12、偏置调整电路；121、第一分压电路；122、功率检测电路；123、第一滤波电路；124、第二分压电路；13、信号隔离电路；2、功率放大器。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

应当理解的是，本实用新型能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本实用新型的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大自始至终相同附图标记表示相同的元件。

应当明白，当元件或层被称为“在…上”、“与…相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在…上”、“与…直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本实用新型教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。

空间关系术语例如“在…下”、“在…下面”、“下面的”、“在…之下”、“在…之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在…下面”和“在…下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本实用新型的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

为了彻底理解本实用新型，将在下列的描述中提出详细的结构及步骤，以便阐释本实用新型提出的技术方案。本实用新型的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本实用新型还可以具有其他实施方式。

本实施例提供一种偏置电路1，如图1所示，被配置为向功率放大器2提供偏置信号，包括偏置晶体管11和偏置调整电路12；偏置晶体管11的第一端耦合至偏置电源端Iref，偏置晶体管11的第二端耦合至供电电源端Vbat，偏置晶体管11的第三端耦合至功率放大器2的信号输入路径；偏置调整电路12，耦合至功率放大器2的信号输入路径和偏置晶体管11第一端之间；偏置调整电路12，被配置随着功率放大器2的输入功率的变化，适应性调整偏置晶体管11的第一端的电信号大小。

其中，该功率放大器2被配置为对射频输入信号进行放大，输出射频放大信号。

在一具体实施例中，该功率放大器2包括信号输入路径、功率放大晶体管Q21和信号输出路径。可选地，该信号输入路径包括信号输入端RFIn，该信号输出路径包括信号输出端RFOut。该功率放大晶体管Q21可以是双极结型晶体管或场效应晶体管。进一步地，该信号输入路径还包括隔直电容C1，被配置为防止信号输入端RFIn。

作为一示例，该功率放大晶体管Q21的第一端耦合至隔直电容C1的第一端，该隔直电容C1的第二端耦合至信号输入端RFIn，该功率放大晶体管Q21的第二端耦合至信号输出端RFOut，该功率放大晶体管Q21的第三端接地。其中，功率放大晶体管Q21为双极结型晶体管，功率放大晶体管Q21的第一端为基极，功率放大晶体管Q21的第二端为集电极，功率放大晶体管Q21的第三端为发射极；或者，功率放大晶体管Q21为场效应晶体管，功率放大晶体管Q21的第一端为栅极，功率放大晶体管Q21的第二端为源极，功率放大晶体管Q21的第三端为漏极。

在一具体实施例中，偏置电路1包括偏置晶体管11，偏置晶体管11的第一端耦合至偏置电源端Iref，偏置晶体管11的第二端耦合至供电电源端Vbat，偏置晶体管11的第三端耦合至功率放大器2的信号输入路径。其中，该偏置电源端Iref被配置为向偏置晶体管11提供初始偏置信号。该初始偏置信号是指偏置信号源(图中未示出)输出的信号。具体地，该偏置信号源输出初始偏置信号至偏置电源端Iref。可选地，偏置信号源可以是电流源，也可以是电压源。初始偏置信号可以是偏置电流，也可以是偏置电压。

示例性地，该偏置晶体管11的第三端可以是与隔直电容C1的第二端和功率放大晶体管Q21的第一端相连。

进一步地，偏置晶体管11的第三端可以是通过驱动电阻R1与隔直电容C1的第二端和功率放大晶体管Q21的第一端相连。

在一实施例中，偏置晶体管11可以是双极结型晶体管，也可以是场效应晶体管。

在一具体实施例中，偏置晶体管11为双极结型晶体管，偏置晶体管11的第一端为基极，偏置晶体管11的第二端为集电极，偏置晶体管11的第三端为发射极。

在另一具体实施例中，偏置晶体管11为场效应晶体管，偏置晶体管11的第一端为栅极，偏置晶体管11的第二端为源极，偏置晶体管11的第三端为漏极。

需要说明的是，随着功率放大器2的输入功率增大，偏置电路1输出到功率放大器2的偏置信号就会越大，从而导致功率放大器2容易出现过热，或者非线性失真的情况，进而影响功率放大器2的线性度。

为了解决上述问题，在一具体实施例中，偏置电路1还包括偏置调整电路12，该偏置调整电路12耦合至功率放大器2的信号输入路径和偏置晶体管11第一端之间；偏置调整电路12，被配置随着功率放大器2的输入功率的变化，适应性调整偏置晶体管11的第一端的电信号大小。其中，偏置调整电路12通过检测功率放大器2的信号输入路径的射频输入信号的大小检测功率放大器2的输入功率。适应性调整是指根据功率放大器2的输入功率的变化，将偏置晶体管11的第一端的电信号大小调整到合适的范围，从而避免偏置晶体管11输出的偏置信号过大，导致功率放大器2出现过热或者非线性失真的情况，提高功率放大器2的线性度。

在本实施例中，偏置电路1包括偏置晶体管11和偏置调整电路12，偏置晶体管11的第一端耦合至偏置电源端Iref，偏置晶体管11的第二端耦合至供电电源端Vbat，偏置晶体管11的第三端耦合至功率放大器2的信号输入路径，以向功率放大器2提供偏置信号。偏置调整电路12，耦合至功率放大器2的信号输入路径和偏置晶体管11第一端之间，且偏置调整电路12被配置随着功率放大器2的输入功率的变化，适应性调整偏置晶体管11的第一端的电信号大小。本申请通过将偏置调整电路12耦合至功率放大器2的信号输入路径和偏置晶体管11第一端之间，并使偏置调整电路12随着功率放大器2的输入功率的变化，适应性调整偏置晶体管11的第一端的电信号大小，以使偏置调整电路12根据功率放大器2的输入功率的变化，将偏置晶体管11的第一端的电信号大小调整到合适的范围，从而避免偏置晶体管11输出的偏置信号过大，导致功率放大器2出现过热或者非线性失真的情况，提高功率放大器2的线性度。

在一实施例中，偏置调整电路12被配置为当功率放大器2的输入功率大于或等于目标功率时，将偏置晶体管11的第一端电信号调整为第一电信号；当功率放大器2的输入功率小于目标功率时，将将偏置晶体管11的第一端的电信号调整为第二电信号，其中，第一电信号小于第二电信号，目标功率为功率放大器2的回退功率。

其中，目标功率是指功率放大器2的回退功率。偏置晶体管11的第一端电信号是指控制偏置晶体管11输出偏置信号的电信号。第一电信号为在功率放大器2的输入功率大于或等于目标功率时，偏置晶体管11的第一端的电信号。第二电信号为在功率放大器2的输入功率小于目标功率时，偏置晶体管11的第一端的电信号。第一电信号小于第二电信号。

在一具体实施例中，当功率放大器2的输入功率大于或等于目标功率时，偏置调整电路12将偏置晶体管11的第一端的电信号调整为第一电信号，从而免偏置晶体管11输出的偏置信号过大，导致功率放大器2出现过热或者非线性失真的情况，提高功率放大器2的线性度。

在另一具体实施例中，当功率放大器2的输入功率小于目标功率时，偏置调整电路12将偏置晶体管11的第一端的电信号调整为第二电信号，以保证偏置晶体管11能够输出足够大的偏置信号，保证功率放大器2的增益。

在本实施例中，将偏置调整电路12配置为当功率放大器2的输入功率大于或等于目标功率时，将偏置晶体管11的第一端电信号调整为第一电信号，从而免偏置晶体管11输出的偏置信号过大，导致功率放大器2出现过热或者非线性失真的情况，提高功率放大器2的线性度。将偏置调整电路12配置为当功率放大器2的输入功率小于目标功率时，将将偏置晶体管11的第一端的电信号调整为第二电信号，其中，第一电信号小于第二电信号，目标功率为功率放大器2的回退功率，以保证偏置晶体管11能够输出足够大的偏置信号，保证功率放大器2的增益。

在一实施例中，如图2所示，偏置调整电路12包括第一分压电路121、功率检测电路122和第一滤波电路123；第一分压电路121的第一端，耦合至偏置晶体管11的第一端，第一分压电路121的第二端耦合至接地端；功率检测电路122的第一端耦合至信号输入路径，功率检测电路122的第二端与第一分压电路121的第二端相连；第一滤波电路123的第一端与第一分压电路121的第一端相连，第一滤波电路123的第二端与接地端相连；其中，第一滤波电路123，被配置为将至少部分射频输入信号释放到地，功率放大器2的输入功率的变化导致第一分压电路121调整偏置晶体管11的第一端的电信号的大小。

在一具体实施例中，偏置调整电路12包括第一分压电路121，第一分压电路121的第一端，耦合至偏置晶体管11的第一端，第一分压电路121的第二端耦合至接地端。可选地，该第一分压电路121可以用于稳定偏置晶体管11的静态工作点。

在一具体实施例中，功率检测电路122的第一端耦合至信号输入路径，功率检测电路122的第二端与第一分压电路121的第二端相连。在本实施例中，功率检测电路122根据信号输入路径中射频输入信号的功率波动，并将射频输入信号的功率波动反馈至第一分压电路121。

在一具体实施例中，第一滤波电路123的第一端与第一分压电路121的第一端相连，第一滤波电路123的第二端与接地端相连。在本实施例中，第一滤波电路123形成射频输入信号的接地通路，从而使功率检测电路122能够将射频输入信号的功率波动反馈至第一分压电路121，进而使第一分压电路121根据射频输入信号的功率波动，调整偏置晶体管11的第一端的电信号的大小。

在本实施例中，通过将第一分压电路121的第一端，耦合至偏置晶体管11的第一端，第一分压电路121的第二端耦合至接地端，并将功率检测电路122的第一端耦合至信号输入路径，功率检测电路122的第二端与第一分压电路121的第二端相连，以根据信号输入路径中射频输入信号的功率波动，并将射频输入信号的功率波动反馈至第一分压电路121，并将第一滤波电路123的第一端与第一分压电路121的第一端相连，第一滤波电路123的第二端与接地端相连，使第一滤波电路123形成射频输入信号的接地通路，并使功率检测电路122能够将射频输入信号的功率波动反馈至第一分压电路121，进而使第一分压电路121根据射频输入信号的功率波动，调整偏置晶体管11的第一端的电信号的大小，避免偏置晶体管11输出的偏置信号过大，提高功率放大器2的线性度。

在一实施例中，偏置电路1还包括第二分压电路124；第二分压电路124的第一端，与功率检测电路122的第二端和第一分压电路121的第二端相连，第二分压电路124的第二端，与接地端相连。

在一具体实施例中，偏置电路1还包括第二分压电路124，该第二分压电路124的第一端，与功率检测电路122的第二端和第一分压电路121的第二端相连，第二分压电路124的第二端，与接地端相连。在本实施例中，第二分压电路124与第一分压电路121串联连接，用于稳定偏置晶体管11的静态工作点。

在一实施例中，第一分压电路121包括第一二极管D1211，第一二极管D1211的阳极为第一分压电路121的第一端，第一二极管D1211的阴极为第一分压电路121的第二端。

在一具体实施例中，第一分压电路121包括第一二极管D1211，第一二极管D1211的阳极为第一分压电路121的第一端，第一二极管D1211的阴极为第一分压电路121的第二端。在本实施例中，当功率放大器2的输入功率大于或等于目标功率时，反馈到第一分压电路121中的第一二极管D1211上的射频输入信号的功率较大，利用第一二极管D1211的整形作用，第一二极管D1211将偏置晶体管11的第一端的电信号调整为第一电信号，从而免偏置晶体管11输出的偏置信号过大，导致功率放大器2出现过热或者非线性失真的情况，提高功率放大器2的线性度。当功率放大器2的输入功率小于目标功率时，反馈到第一分压电路121中的第一二极管D1211上的射频输入信号的功率较小，第一二极管D1211将偏置晶体管11的第一端的电信号调整为第二电信号，以保证偏置晶体管11能够输出足够大的偏置信号，保证功率放大器2的增益。

进一步地，如图3所示，第二分压电路124包括第二二极管D1241，第二二极管D1241的阳极为第二分压电路124的第一端，第二二极管D1241的阴极为第二分压电路124的第二端。

在一实施例中，第一分压电路121包括第一晶体管(图中未示出)；第一晶体管的集电极耦合至偏置电源端Iref和偏置晶体管11的第一端，第一晶体管的基极与第一晶体管的基极的集电极相连，第一晶体管的发射极耦合至接地端。

在本实施例中，第一分压电路121包括第一晶体管，将第一晶体管的集电极耦合至偏置电源端Iref和偏置晶体管11的第一端，并第一晶体管的基极与第一晶体管的基极的集电极相连，并第一晶体管的发射极耦合至接地端，从而可以将第一晶体管等效成第一二极管D1211，具有与第一二极管D1211相似的特性，在此不再赘述。

在一实施例中，第一滤波电路123包括第一电容C1231。

在本实施例中，第一滤波电路123包括第一电容C1231，通过将第一电容C1231的第一端与第一分压电路121的第一端相连，将第一电容C1231的第二端与接地端相连，便能够形成射频输入信号的接地通路，从而使功率检测电路122能够将射频输入信号的功率波动反馈至第一分压电路121，进而使第一分压电路121根据射频输入信号的功率波动，调整偏置晶体管11的第一端的电信号的大小。

在一实施例中，偏置调整电路12还包括信号隔离电路13；信号隔离电路13的第一端，与第一分压电路121的第一端和第一滤波电路123的第一端相连，信号隔离电路13的第二端与偏置晶体管11的第一端相连，被配置为至少阻隔部分信号输入路径中的射频输入信号流向至偏置晶体管11的第一端中。

在本实施例中，通过将信号隔离电路13的第一端，与第一分压电路121的第一端和第一滤波电路123的第一端相连，信号隔离电路13的第二端与偏置晶体管11的第一端相连，并使该信号隔离电路13能够至少阻隔部分信号输入路径中的射频输入信号流向至偏置晶体管11的第一端中，从而使射频输入信号不会流向偏置晶体管11的第一端，防止射频输入信号在功率放大器2的输入功率大于或等于目标功率时，使偏置晶体管11输出较大的偏置信号，从而提高功率放大器2的线性度。

在一实施例中，如图4所示，信号隔离电路13包括第一电感L13。

在本实施例中，信号隔离电路13包括第一电感L13，通过将第一电感L13的第一端，与第一分压电路121的第一端和第一滤波电路123的第一端相连，并将第一电感L13的第二端与偏置晶体管11的第一端相连，便能够使信号隔离电路13至少阻隔部分信号输入路径中的射频输入信号流向至偏置晶体管11的第一端中。

在一实施例中，信号隔离电路13还包括第二电容C13；第二电容C13与第一电感L13并联连接。

在本实施例中，信号隔离电路13还包括第二电容C13；第二电容C13与第一电感L13并联连接，从而使第一电感L13和第二电容C13形成并联LC谐振电路，从而使信号隔离电路13对射频输入信号开路，从而使信号隔离电路13至少阻隔部分信号输入路径中的射频输入信号流向至偏置晶体管11的第一端中。

在一实施例中，功率检测电路122包括电阻、电感或者电容中的至少一种。

作为一示例，功率检测电路122包括第一检测电容C1221。

作为一示例，功率检测电路122包括串联连接的第一检测电容C1221、第一检测电阻和/或第一检测电感(图中未示出)。

需要说明书的是，通过使功率检测电路122包括电阻、电感或者电容中的至少一种，便能够使功率检测电路122根据信号输入路径中射频输入信号的功率波动，并将射频输入信号的功率波动反馈至第一分压电路121。

本实施例提供一种射频功率放大电路，包括功率放大器2和上述的偏置电路1。

以上所述实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (13)

1.一种偏置电路，被配置为向功率放大器提供偏置信号，其特征在于，包括偏置晶体管和偏置调整电路；

所述偏置晶体管的第一端耦合至偏置电源端，所述偏置晶体管的第二端耦合至供电电源端，所述偏置晶体管的第三端耦合至所述功率放大器的信号输入路径；

所述偏置调整电路，耦合至所述功率放大器的信号输入路径和所述偏置晶体管第一端之间；所述偏置调整电路，被配置随着所述功率放大器的输入功率的变化，适应性调整所述偏置晶体管的第一端的电信号大小。

2.如权利要求1所述的偏置电路，其特征在于，所述偏置调整电路被配置为当所述功率放大器的输入功率大于或等于目标功率时，将所述偏置晶体管的第一端电信号调整为第一电信号；当所述功率放大器的输入功率小于所述目标功率时，将所述偏置晶体管的第一端的电信号调整为第二电信号，其中，所述第一电信号小于所述第二电信号，所述目标功率为所述功率放大器的回退功率。

3.如权利要求1所述的偏置电路，其特征在于，所述偏置调整电路包括第一分压电路、功率检测电路和第一滤波电路；

所述第一分压电路的第一端，耦合至所述偏置晶体管的第一端，所述第一分压电路的第二端耦合至接地端；

所述功率检测电路的第一端耦合至所述信号输入路径，所述功率检测电路的第二端与所述第一分压电路的第二端相连；所述第一滤波电路的第一端与所述第一分压电路的第一端相连，所述第一滤波电路的第二端与接地端相连；

其中，所述第一滤波电路，被配置为将至少部分射频输入信号释放到地，所述功率放大器的输入功率的变化导致所述第一分压电路调整所述偏置晶体管的第一端的电信号的大小。

4.如权利要求3所述的偏置电路，其特征在于，所述偏置电路还包括第二分压电路；所述第二分压电路的第一端，与所述功率检测电路的第二端和所述第一分压电路的第二端相连，所述第二分压电路的第二端，与所述接地端相连。

5.如权利要求3所述的偏置电路，其特征在于，所述第一分压电路包括第一二极管，所述第一二极管的阳极为所述第一分压电路的第一端，所述第一二极管的阴极为所述第一分压电路的第二端。

6.如权利要求3所述的偏置电路，其特征在于，所述第一分压电路包括第一晶体管；所述第一晶体管的集电极耦合至所述偏置电源端和所述偏置晶体管的第一端，所述第一晶体管的基极与所述第一晶体管的基极的集电极相连，所述第一晶体管的发射极耦合至接地端。

7.如权利要求3所述的偏置电路，其特征在于，所述第一滤波电路包括第一电容。

8.如权利要求3所述的偏置电路，其特征在于，所述偏置调整电路还包括信号隔离电路；所述信号隔离电路的第一端，与所述第一分压电路的第一端和所述第一滤波电路的第一端相连，所述信号隔离电路的第二端与所述偏置晶体管的第一端相连，被配置为至少阻隔部分所述信号输入路径中的射频输入信号流向至所述偏置晶体管的第一端中。

9.如权利要求8所述的偏置电路，其特征在于，所述信号隔离电路包括第一电感。

10.如权利要求9所述的偏置电路，其特征在于，所述信号隔离电路还包括第二电容；所述第二电容与所述第一电感并联连接。

11.如权利要求3所述的偏置电路，其特征在于，所述功率检测电路包括电阻、电感或者电容中的至少一种。

12.如权利要求1所述的偏置电路，其特征在于，所述偏置晶体管为双极结型晶体管，所述偏置晶体管的第一端为基极，所述偏置晶体管的第二端为集电极，所述偏置晶体管的第三端为发射极；或者，所述偏置晶体管为场效应晶体管，所述偏置晶体管的第一端为栅极，所述偏置晶体管的第二端为源极，所述偏置晶体管的第三端为漏极。

13.一种射频功率放大电路，其特征在于，包括功率放大器和权利要求1至12任意一项所述的偏置电路。

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