CN219005199U - 一种拼接型O-Ring槽 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种拼接型O‑Ring槽,拼接型O‑Ring槽的环形内斜面与环形外斜面分别属于第一环件与第二环件,将第一环件与第二环件拼接成完整的拼接型O‑Ring槽后进行固定连接,不仅降低了机械加工的难度,降低了特殊夹具的制备、特殊刀具的限制、多次装夹的繁琐以及加工设备的成本,还可以通过对拼接型O‑Ring槽的组成部分进行组装与拆分,便于装卸O‑Ring,有利于对内部槽面进行数据监测以及抛光处理,而且可以采用两种不同的材料组装成拼接型O‑Ring槽,解决加工材料的单一性,并测试不同材料的密封性。
Description
技术领域
本实用新型属于机械加工技术领域,涉及O-Ring槽,尤其涉及一种拼接型O-Ring槽。
背景技术
物理气相沉积(Physical Vapour Deposition,PVD)指的是,在真空条件下,采用低电压、大电流的电弧放电技术,利用气体放电使材料源蒸发并使被蒸发物质与气体都发生电离,然后通过电场的加速作用,使被蒸发物质及其反应产物沉积在工件上形成某种特殊功能的薄膜。PVD技术是半导体芯片制造业、太阳能行业、LCD制造业等多种行业的核心技术,主要方法有真空蒸镀、电弧等离子体镀、离子镀膜、分子束外延和溅射镀膜等。
磁控溅射是PVD技术中比较常用的一种,通过在靶阴极表面引入磁场,利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。由于磁控溅射是在低气压下进行高速溅射,必须有效地提高气体的离化率,以此实现了溅射高速率、低温度、低损伤。然而,长时间的磁控溅射,往往会使靶材产生大量的热量,如果不及时进行冷却,容易造成溅射靶材局部烧焦或呈现晶粒化现象。现有技术中,多是采用在靶座内设置冷却通道的方式,但是该种方式靶座和靶材接触面积小,冷却效果低,传热不显著。
由于溅射靶材的强度不一,在实际应用过程中,需要将符合性能要求的溅射靶材和具有一定强度的背板结合制成靶材组件,然后安装在溅射机台上,在磁场、电场作用下有效地进行溅射控制。现有技术中,在背板中开设冷却通道形成冷却背板,一方面可以为溅射靶材提供支撑作用,另一方面可以有效地传导热量,对溅射靶材进行有效地冷却。
溅射靶材在磁控溅射镀膜的过程中需要注意以下五点:溅射准备,靶材清洁,靶材安装,短路及密封性检测,靶材预溅射。其中,冷却通道是否漏水是短路及密封性检测是否合格的关键因素。由于靶材的磁控溅射环境是真空的,一旦发生真空室内漏水或漏气,真空室内有挥发成分,真空室没有充入氩气,真空室内充入空气等情况,都会导致杂质成分和靶材成分发生反应,引起溅射靶材中毒,生成黑色物质覆盖在溅射靶材表面,严重影响磁控溅射镀膜的成膜速度和成膜质量。其中,冷却通道对应的进出水口存在一定的漏水风险。
O-Ring,中文名O型密封圈或者O型圈,是一种截面是圆形或者说是O形的橡胶密封圈,其主要作用是密封,如气密封、水密封、油密封等。在溅射靶材对应的冷却通道进出水口处设有O-Ring槽,一般为燕尾槽或直槽,然后将O-Ring放进O-Ring槽内,再将水路连接。O-Ring槽的效果主要是在产品端面开槽后放入O-Ring圈,以此达到使用时防止端面漏气漏水的目的,槽的尺寸和表面粗糙度极大地影响O-Ring装入后密封性的效果。
现在加工O-Ring槽普遍采用多把铣刀且受不同材料加工性质的影响,增大了加工刀具及设备等成本。CN108555539A公开了一种O-Ring槽加工方法及装置,所述方法应用于加工设备,所述加工设备包括至少一个铣刀及至少一个槽刀,以及铣刀加工模块与槽刀加工模块。所述方法包括:确定待加工溅射靶材的加工点;根据O-Ring槽的加工规格信息,利用目标铣刀在加工点进行加工,得到初始槽,其中,初始槽位于所述待加工溅射靶材内;根据O-Ring槽的加工规格信息,利用目标燕尾槽刀对初始槽进行加工,得到O-Ring槽。通过上述方式可以加工得到与O-Ring槽的加工规格信息对应的O-Ring槽。
然而,现有技术中的O-Ring槽均为一体型结构,即,O-Ring槽是在一个整体工件上通过机械加工得到的,不仅对于使用后的O-Ring槽内部槽面的数据监测以及抛光处理等十分麻烦,还会在O-Ring装卸过程中破坏O-Ring。
为此,本实用新型开发了一种拼接型O-Ring槽,一方面,降低了机械加工的难度,降低了特殊夹具的制备、特殊刀具的限制、多次装夹的繁琐以及加工设备的成本,另一方面,可以通过对拼接型O-Ring槽的组成部分进行组装与拆分,便于装卸O-Ring,并有利于对内部槽面进行数据监测以及抛光处理,此外,还可以采用两种不同的材料组装成拼接型O-Ring槽,解决加工材料的单一性,并测试不同材料的密封性。
实用新型内容
针对现有技术存在的不足,本实用新型提供了一种拼接型O-Ring槽,拼接型O-Ring槽的环形内斜面与环形外斜面分别属于第一环件与第二环件,将第一环件与第二环件拼接成完整的拼接型O-Ring槽后进行固定连接,不仅降低了机械加工的难度,降低了特殊夹具的制备、特殊刀具的限制、多次装夹的繁琐以及加工设备的成本,还可以通过对拼接型O-Ring槽的组成部分进行组装与拆分,便于装卸O-Ring,有利于对内部槽面进行数据监测以及抛光处理,而且可以采用两种不同的材料组装成拼接型O-Ring槽,解决加工材料的单一性,并测试不同材料的密封性。
为达此目的,本实用新型采用以下技术方案:
本实用新型的目的在于提供一种拼接型O-Ring槽,所述拼接型O-Ring槽由第一环件与第二环件组成,所述第一环件包括拼接型O-Ring槽的环形内斜面,所述第二环件包括拼接型O-Ring槽的环形外斜面;所述第二环件包括面积占比0-100%的拼接型O-Ring槽的环形底面;所述第一环件与所述第二环件通过螺丝、螺纹、焊接或铆接中的任意一种或至少两种的组合方式实现连接。
本实用新型提供了一种拼接型O-Ring槽,拼接型O-Ring槽的环形内斜面与环形外斜面分别属于第一环件与第二环件,将第一环件与第二环件拼接成完整的拼接型O-Ring槽后进行固定连接,不仅降低了机械加工的难度,降低了特殊夹具的制备、特殊刀具的限制、多次装夹的繁琐以及加工设备的成本,还可以通过对拼接型O-Ring槽的组成部分进行组装与拆分,便于装卸O-Ring,有利于对内部槽面进行数据监测以及抛光处理,而且可以采用两种不同的材料组装成拼接型O-Ring槽,解决加工材料的单一性,并测试不同材料的密封性。
值得说明的是,本实用新型所述第二环件包括面积占比0-100%的拼接型O-Ring槽的环形底面,若第二环件包括面积占比0%的拼接型O-Ring槽的环形底面,则在拼接得到的拼接型O-Ring槽中第二环件提供了环形外斜面,环形内斜面与完整的环形底面由第一环件提供;若第二环件包括面积占比100%的拼接型O-Ring槽的环形底面,则在拼接得到的拼接型O-Ring槽中第二环件提供了环形外斜面与完整的环形底面,环形内斜面由第一环件提供;若第二环件包括部分拼接型O-Ring槽的环形底面,则在拼接得到的拼接型O-Ring槽中第二环件提供了环形外斜面与部分环形底面,环形内斜面与另一部分环形底面由第一环件提供。
值得说明的是,本实用新型所述第一环件与所述第二环件通过螺丝进行固定连接,指的是分别在第一环件与第二环件上对应开设螺丝孔洞,并加工螺丝对应的螺纹,然后紧固螺丝实现第一环件与第二环件的固定连接;本实用新型所述第一环件与所述第二环件通过螺纹进行固定连接,指的是分别在第一环件与第二环件上开设内外螺纹,然后实现第一环件与第二环件的螺纹紧固连接,但是,通过螺纹进行固定连接仅限于圆形O-Ring对应的拼接型O-Ring槽,不适用椭圆形O-Ring对应的拼接型O-Ring槽,具有一定的局限性。
作为本实用新型优选的技术方案,所述第二环件包括面积占比0%或100%的拼接型O-Ring槽的环形底面。
值得说明的是,经过发明人多次试验研究,完整的环形底面由第一环件或第二环件提供,拼接界面缝隙较小,有效保证了拼接型O-Ring槽的密封要求;若环形底面由第一环件与第二环件拼接得到,则拼接界面极有可能出现较大缝隙,甚至第一环件与第二环件提供的环形底面存在明显高度差,导致拼接得到的环形底面平面质量较差,达不到拼接型O-Ring槽的密封要求。
作为本实用新型优选的技术方案,所述拼接型O-Ring槽为拼接型O-Ring燕尾槽。
作为本实用新型优选的技术方案,所述拼接型O-Ring槽的深度为4.09-4.15mm,例如4.10mm、4.11mm、4.12mm、4.13mm或4.14mm等,但并不仅限于所列举的数值,该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
作为本实用新型优选的技术方案,所述拼接型O-Ring槽的宽度为4.867-4.969mm,例如4.870mm、4.880mm、4.890mm、4.900mm、4.910mm、4.920mm、4.930mm、4.940mm、4.950mm或4.960mm等,但并不仅限于所列举的数值,该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
值得说明的是,本实用新型所述拼接型O-Ring槽包括拼接型O-Ring燕尾槽或拼接型O-Ring直槽,当所述拼接型O-Ring槽为上窄下宽型的拼接型O-Ring燕尾槽时,拼接型O-Ring槽的宽度指的是上燕尾宽度,即,位于端面的外侧的O-Ring燕尾槽宽度。
作为本实用新型优选的技术方案,所述拼接型O-Ring燕尾槽的外侧角为65-67度,例如65度、65.5度、66度、66.5度或67度等,内侧角为46-50度,例如46度、47度、48度、49度或50度等,但并不仅限于所列举的数值,上述数值范围内其他未列举的数值同样适用。
值得说明的是,本实用新型所述拼接型O-Ring燕尾槽的内侧角为同一径向截面下环形外斜面与环形内斜面之间的夹角,相应地,所述拼接型O-Ring燕尾槽的外侧角为环形外截面或环形内斜面分别与端面之间的夹角,因此,拼接型O-Ring燕尾槽的内侧角与两倍的外侧角之和为180度。
作为本实用新型优选的技术方案,所述拼接型O-Ring槽的外上倒角半径为0.173-0.427mm,例如0.180mm、0.200mm、0.250mm、0.300mm、0.350mm、0.400mm或0.420mm等,但并不仅限于所列举的数值,该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
作为本实用新型优选的技术方案,所述拼接型O-Ring槽的内上倒角半径为0.073-0.327mm,例如0.080mm、0.100mm、0.150mm、0.200mm、0.250mm、0.300mm或0.320mm等,但并不仅限于所列举的数值,该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
作为本实用新型优选的技术方案,所述拼接型O-Ring槽的底部倒角半径为0.792-0.919mm,例如0.795mm、0.800mm、0.820mm、0.850mm、0.880mm、0.900mm或0.910mm等,但并不仅限于所列举的数值,该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
值得说明的是,相比于本实用新型所述拼接型O-Ring槽的圆心,所述拼接型O-Ring槽的外上倒角半径为位于端面的远离圆心的倒角半径,所述拼接型O-Ring槽的内上倒角半径为位于端面的靠近圆心的倒角半径;而基于环形底面存在的拼接情况以及O-Ring槽的底部倒角半径往往由加工刀具决定,则所述拼接型O-Ring槽的底部倒角半径并不限定相比于圆心的内侧或外侧。
作为本实用新型优选的技术方案,所述拼接型O-Ring槽的一侧台阶深度为0.250-0.270mm,例如0.252mm、0.255mm、0.258mm、0.260mm、0.262mm、0.265mm或0.268mm等,但并不仅限于所列举的数值,该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
现有技术中的O-Ring槽均为一体型结构,即,O-Ring槽是在一个整体工件上通过机械加工得到的,往往需要用到至少一个铣刀及至少一个槽刀,往往需要定制加工刀具并且涉及特殊夹具的多次装夹,大大提高了机械加工成本;而在机械加工完后或者使用后,对于O-Ring槽内部槽面的数据监测以及抛光处理等十分麻烦,在O-Ring装卸过程中由于强行装卸往往会破坏O-Ring;相比之下,本实用新型所述拼接型O-Ring槽,其环形内斜面与环形外斜面分别属于第一环件与第二环件,可以分别对第一环件与第二环件进行机械加工,而且往往只需要一般的车削刀具即可完成,降低了机械加工的难度,降低了特殊夹具的制备、特殊刀具的限制、多次装夹的繁琐以及加工设备的成本,而且通过对拼接型O-Ring槽的组成部分进行组装与拆分,便于装卸O-Ring,并有利于对内部槽面进行数据监测以及抛光处理,此外,还可以采用两种不同的材料组装成拼接型O-Ring槽,解决加工材料的单一性,并测试不同材料的密封性。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果为:
(1)本实用新型所述拼接型O-Ring槽,拼接型O-Ring槽的环形内斜面与环形外斜面分别属于第一环件与第二环件,将第一环件与第二环件拼接成完整的拼接型O-Ring槽后进行固定连接,第一环件与第二环件通过一般刀具进行简单的机械加工即可得到,大大降低了机械加工的难度,降低了特殊夹具的制备、特殊刀具的限制、多次装夹的繁琐以及加工设备的成本;
(2)本实用新型所述拼接型O-Ring槽,可以对拼接型O-Ring槽的组成部分进行组装与拆分,便于装卸O-Ring,如果拼接型O-Ring槽的内表面有轻微的缺陷,比如划伤等,可以拆卸后抛光改善表面质量,避免报废,而且在返修抛光过程等加工过程中能更直接清楚地通过尺寸分析对拼接型O-Ring槽进行数据记录;
(3)本实用新型所述拼接型O-Ring槽可以采用两种不同的材料组装成拼接型O-Ring槽,解决加工材料的单一性,并测试不同材料的密封性。
附图说明
图1是本实用新型实施例1所述拼接型O-Ring槽的第一环件;
图2是本实用新型实施例1所述拼接型O-Ring槽的第二环件;
图3是本实用新型实施例1所述拼接型槽的整体结构;
图4是图3沿A-A方向的截面示意图;
图5是图4虚线框处的局部放大图;
其中,1-第一环件;2-第二环件;3-环形内斜面;4-环形外斜面;5-环形底面;6-螺丝;7-第一螺丝孔洞;8-第二螺丝孔洞;9-O-Ring。
具体实施方式
为使本实用新型的技术方案、目的和优点更加清楚,下面通过具体的实施例子并结合附图对本实用新型做进一步的详细描述。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本实用新型,并不用于限制本实用新型。
在本实用新型的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本实用新型的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于电和通信领域而言,可以是有线连接,也可以是无线连接。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
实施例1
本实施例提供了一种拼接型O-Ring槽,基于半导体溅射靶材冷却水道进水口接头进行结构展示,如图1-5所示,所述拼接型O-Ring槽为拼接型O-Ring燕尾槽,所述拼接型O-Ring燕尾槽由第一环件1与第二环件2组成,所述第一环件1包括拼接型O-Ring燕尾槽的环形内斜面3,所述第二环件2包括拼接型O-Ring燕尾槽的环形外斜面4;所述第二环件2包括面积占比0%的拼接型O-Ring燕尾槽的环形底面5,即,所述第一环件1包括完整的环形底面5;所述第一环件1与所述第二环件2通过两个螺丝6实现连接,相应地,在所述第一环件1上开设了2个第一螺丝孔洞7,在所述第二环件2上开设了2个第二螺丝孔洞8;将两个螺丝6安装在O-Ring 9的外侧,不仅安装难度较小,而且不会影响O-Ring内侧的密封性,有效避免了O-Ring内侧冷却液的泄漏;
其中,所述拼接型O-Ring燕尾槽的深度为4.11mm;所述拼接型O-Ring燕尾槽的宽度为4.918mm;所述拼接型O-Ring燕尾槽的外侧角为66度;所述拼接型O-Ring燕尾槽的内侧角为48度;所述拼接型O-Ring燕尾槽的外上倒角半径为0.323mm;所述拼接型O-Ring燕尾槽的内上倒角半径为0.223mm;所述拼接型O-Ring燕尾槽的底部倒角半径为0.857mm,所述拼接型O-Ring燕尾槽的一侧台阶深度为0.260mm。
实施例2
本实施例提供了一种拼接型O-Ring槽,除了所述第二环件2包括面积占比100%的拼接型O-Ring槽的环形底面5,即,所述第二环件2包括完整的环形底面5,其他条件和实施例1完全相同。
实施例3
本实施例提供了一种拼接型O-Ring槽,除了所述第二环件2包括面积占比50%的拼接型O-Ring槽的环形底面5,即,所述环形底面5由第一环件1与第二环件2拼接得到,其他条件和实施例1完全相同。
实施例4
本实施例提供了一种拼接型O-Ring槽,基于半导体溅射靶材冷却水道进水口接头进行结构展示,与实施例1所述图1-5相同,所述拼接型O-Ring槽为拼接型O-Ring燕尾槽,所述拼接型O-Ring燕尾槽由第一环件1与第二环件2组成,所述第一环件1包括拼接型O-Ring燕尾槽的环形内斜面3,所述第二环件2包括拼接型O-Ring燕尾槽的环形外斜面4;所述第二环件2包括面积占比0%的拼接型O-Ring燕尾槽的环形底面5,即,所述第一环件1包括完整的环形底面5;所述第一环件1与所述第二环件2通过两个螺丝6实现连接,相应地,在所述第一环件1上开设了2个第一螺丝孔洞7,在所述第二环件2上开设了2个第二螺丝孔洞8;将两个螺丝6安装在O-Ring 9的外侧,不仅安装难度较小,而且不会影响O-Ring内侧的密封性,有效避免了O-Ring内侧冷却液的泄漏;
其中,所述拼接型O-Ring燕尾槽的深度为4.09mm;所述拼接型O-Ring燕尾槽的宽度为4.867mm;所述拼接型O-Ring燕尾槽的外侧角为65度;所述拼接型O-Ring燕尾槽的内侧角为50度;所述拼接型O-Ring燕尾槽的外上倒角半径为0.173mm;所述拼接型O-Ring燕尾槽的内上倒角半径为0.073mm;所述拼接型O-Ring燕尾槽的底部倒角半径为0.792mm,所述拼接型O-Ring燕尾槽的一侧台阶深度为0.250mm。
实施例5
本实施例提供了一种拼接型O-Ring槽,基于半导体溅射靶材冷却水道进水口接头进行结构展示,与实施例1所述图1-5相同,所述拼接型O-Ring槽为拼接型O-Ring燕尾槽,所述拼接型O-Ring燕尾槽由第一环件1与第二环件2组成,所述第一环件1包括拼接型O-Ring燕尾槽的环形内斜面3,所述第二环件2包括拼接型O-Ring燕尾槽的环形外斜面4;所述第二环件2包括面积占比0%的拼接型O-Ring燕尾槽的环形底面5,即,所述第一环件1包括完整的环形底面5;所述第一环件1与所述第二环件2通过两个螺丝6实现连接,相应地,在所述第一环件1上开设了2个第一螺丝孔洞7,在所述第二环件2上开设了2个第二螺丝孔洞8;将两个螺丝6安装在O-Ring 9的外侧,不仅安装难度较小,而且不会影响O-Ring内侧的密封性,有效避免了O-Ring内侧冷却液的泄漏;
其中,所述拼接型O-Ring燕尾槽的深度为4.15mm;所述拼接型O-Ring燕尾槽的宽度为4.969mm;所述拼接型O-Ring燕尾槽的外侧角为67度;所述拼接型O-Ring燕尾槽的内侧角为46度;所述拼接型O-Ring燕尾槽的外上倒角半径为0.427mm;所述拼接型O-Ring燕尾槽的内上倒角半径为0.327mm;所述拼接型O-Ring燕尾槽的底部倒角半径为0.919mm,所述拼接型O-Ring燕尾槽的一侧台阶深度为0.270mm。
将上述实施例所述拼接型O-Ring槽进行水压测试,采用水压机,控制水压为0.8MPa,检测是否存在泄漏情况;经过检测,只有实施例3所述拼接型O-Ring槽因为环形底面是由第一环件与第二环件拼接得到,则拼接界面极有可能出现较大缝隙,甚至第一环件与第二环件提供的环形底面存在明显高度差,导致拼接得到的环形底面平面质量较差,达不到拼接型O-Ring槽的密封要求,偶尔存在泄漏情况。
综上所述,本实用新型提供了一种拼接型O-Ring槽,拼接型O-Ring槽的环形内斜面与环形外斜面分别属于第一环件与第二环件,将第一环件与第二环件拼接成完整的拼接型O-Ring槽后进行固定连接,不仅降低了机械加工的难度,降低了特殊夹具的制备、特殊刀具的限制、多次装夹的繁琐以及加工设备的成本,还可以通过对拼接型O-Ring槽的组成部分进行组装与拆分,便于装卸O-Ring,有利于对内部槽面进行数据监测以及抛光处理,而且可以采用两种不同的材料组装成拼接型O-Ring槽,解决加工材料的单一性,并测试不同材料的密封性。
申请人声明,以上所述仅为本实用新型的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,所属技术领域的技术人员应该明了,任何属于本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,均落在本实用新型的保护范围和公开范围之内。
Claims (10)
1.一种拼接型O-Ring槽,其特征在于,所述拼接型O-Ring槽由第一环件与第二环件组成,所述第一环件包括拼接型O-Ring槽的环形内斜面,所述第二环件包括拼接型O-Ring槽的环形外斜面;所述第二环件包括面积占比0-100%的拼接型O-Ring槽的环形底面;所述第一环件与所述第二环件通过螺丝、螺纹、焊接或铆接中的任意一种或至少两种的组合方式实现连接。
2.根据权利要求1所述的拼接型O-Ring槽,其特征在于,所述第二环件包括面积占比0%或100%的拼接型O-Ring槽的环形底面。
3.根据权利要求1所述的拼接型O-Ring槽,其特征在于,所述拼接型O-Ring槽为拼接型O-Ring燕尾槽。
4.根据权利要求1所述的拼接型O-Ring槽,其特征在于,所述拼接型O-Ring槽的深度为4.09-4.15mm。
5.根据权利要求1所述的拼接型O-Ring槽,其特征在于,所述拼接型O-Ring槽的宽度为4.867-4.969mm。
6.根据权利要求3所述的拼接型O-Ring槽,其特征在于,所述拼接型O-Ring燕尾槽的外侧角为65-67度,内侧角为46-50度。
7.根据权利要求1所述的拼接型O-Ring槽,其特征在于,所述拼接型O-Ring槽的外上倒角半径为0.173-0.427mm。
8.根据权利要求1所述的拼接型O-Ring槽,其特征在于,所述拼接型O-Ring槽的内上倒角半径为0.073-0.327mm。
9.根据权利要求1所述的拼接型O-Ring槽,其特征在于,所述拼接型O-Ring槽的底部倒角半径为0.792-0.919mm。
10.根据权利要求1所述的拼接型O-Ring槽,其特征在于,所述拼接型O-Ring槽的一侧台阶深度为0.250-0.270mm。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202223007566.6U CN219005199U (zh) | 2022-11-11 | 2022-11-11 | 一种拼接型O-Ring槽 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202223007566.6U CN219005199U (zh) | 2022-11-11 | 2022-11-11 | 一种拼接型O-Ring槽 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN219005199U true CN219005199U (zh) | 2023-05-12 |
Family
ID=86247870
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202223007566.6U Active CN219005199U (zh) | 2022-11-11 | 2022-11-11 | 一种拼接型O-Ring槽 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN219005199U (zh) |
-
2022
- 2022-11-11 CN CN202223007566.6U patent/CN219005199U/zh active Active
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |