CN218997939U - 一种带自我保护的供电电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种带自我保护的供电电路，包括：滤波电路和转换电路，外部电源通过滤波电路与转换电路连接，转换电路包括主控芯片U1、电容C3、电容C4、电容C5、电阻R2、电阻R3、电阻R4、二极管D1和输出电路，主控芯片U1的VIN脚与滤波电路连接用于接收经过滤波电路过滤的外部电源，主控芯片的SS脚通过电容C4与信号地连接，主控芯片的PH脚与二极管D1的负极连接，二极管D1的正极与信号地连接，输出电路并联在二极管D1两端，主控芯片的COMP脚通过电容C5和电阻R4后与信号地连接，主控芯片的VSENE脚通过电阻R3与信号地连接，主控芯片的BOST脚通过电容C3与PH脚连接。

Description

一种带自我保护的供电电路

技术领域

本实用新型涉及供电电路技术领域，特别涉及一种带自我保护的供电电路。

背景技术

传统LDO供电转换架构如图3所示，效率非常低，在目前的应用环境把15V转到5V给外围供电时，内部有10V的压降，此应用环境下效率只有33％，大部分功耗在供电IC上，效率很低，而且因内部功耗大容易烧坏IC。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种带自我保护的供电电路，其具有供电能力强效率高的优点。

本实用新型的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：

一种带自我保护的供电电路，包括：滤波电路和转换电路，外部电源通过滤波电路与所述转换电路连接，

所述转换电路包括主控芯片U1、电容C3、电容C4、电容C5、电阻R2、电阻R3、电阻R4、二极管D1和输出电路，所述主控芯片U1的VIN脚与所述滤波电路连接用于接收经过滤波电路过滤的外部电源，所述主控芯片U1的SS脚通过电容C4与信号地连接，所述主控芯片U1的PH脚与二极管D1的负极连接，所述二极管D1的正极与信号地连接，所述输出电路并联在所述二极管D1两端，所述主控芯片U1的COMP脚通过电容C5和电阻R4后与信号地连接，所述主控芯片U1的VSENE脚通过电阻R3与信号地连接，所述主控芯片U1的BOST脚通过电容C3与PH脚连接；

所述输出电路包括电感L1、电容C6和电解电容C7，所述电解电容C7的正极通过电感L1与二极管D1的负极连接，所述电解电容C7的负极与二极管D1的正极连接，所述电容C6并联于电解电容C7的两端。

进一步设置：所述主控芯片U1包括上拉MOS管200，所述主控芯片U1的PH脚通过上拉MOS管200与VIN脚连接，所述上拉MOS管200导通时，VIN脚和PH脚连通。

进一步设置：所述主控芯片U1内部还集成有温度检测单元201及温度保护单元202，所述温度检测单元201用于检测主控芯片U1的温度，所述温度检测单元201的输出端与所述温度保护单元202连接，所述温度保护单元用于控制主控芯片U1输出的通断。

进一步设置：所述滤波电路包括电解电容C1、电容C2和电阻R1，所述电容C2并联于所述电解电容C1的两端，所述电解电容C1的负极与信号地连接，电解电容C1的正极与外部电源连接，所述电解电容C1的正极还通过电阻R1与主控芯片U1的EN端连接。

综上所述，本实用新型具有以下有益效果：开启内部上拉MOS管200，上述主控芯片的PH脚直接上拉到VIN，利用电感电流不能突变原理，VIN输入的一部分存储在电感L1上，一部分给输出电容C7\C6充电以及外部供电。断开上拉MOS管200，电感L1电流不能突变特点，电流从地经二极管D1继续往外供电，同时消耗电感能量，这些过程中大电流的器件电阻都非常小，内损能量少，可实现91％的高效输出效率。主控芯片U1内部集成的温度检测单元201对主控芯片U1的温度进行检测，当检测到温度过高时启动温度保护单元202，断开输出以保护主控芯片U1。

附图说明

图1是实施例的整体结构原理图；

图2是实施例中主控芯片的架构图；

图3是现有技术中LDO供电转换架构图。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型作进一步详细说明。

实施例：

如图1、图2所示，一种带自我保护的供电电路，包括：滤波电路和转换电路，外部电源通过滤波电路与所述转换电路连接，

所述转换电路包括主控芯片U1、电容C3、电容C4、电容C5、电阻R2、电阻R3、电阻R4、二极管D1和输出电路，所述主控芯片U1的VIN脚与所述滤波电路连接用于接收经过滤波电路过滤的外部电源，所述主控芯片U1的SS脚通过电容C4与信号地连接，所述主控芯片U1的PH脚与二极管D1的负极连接，所述二极管D1的正极与信号地连接，所述输出电路并联在所述二极管D1两端，所述主控芯片U1的COMP脚通过电容C5和电阻R4后与信号地连接，所述主控芯片U1的VSENE脚通过电阻R3与信号地连接，所述主控芯片U1的BOST脚通过电容C3与PH脚连接；

所述输出电路包括电感L1、电容C6和电解电容C7，所述电解电容C7的正极通过电感L1与二极管D1的负极连接，所述电解电容C7的负极与二极管D1的正极连接，所述电容C6并联于电解电容C7的两端。

所述主控芯片U1包括上拉MOS管200，所述主控芯片U1的PH脚通过上拉MOS管200与VIN脚连接，所述上拉MOS管200导通时，VIN脚和PH脚连通。

所述主控芯片U1内部还集成有温度检测单元201及温度保护单元202，所述温度检测单元201用于检测主控芯片U1的温度，所述温度检测单元201的输出端与所述温度保护单元202连接，所述温度保护单元用于控制主控芯片U1输出的通断。

所述滤波电路包括电解电容C1、电容C2和电阻R1，所述电容C2并联于所述电解电容C1的两端，所述电解电容C1的负极与信号地连接，电解电容C1的正极与外部电源连接，所述电解电容C1的正极还通过电阻R1与主控芯片U1的EN端连接。

开启内部上拉MOS管200，上述主控芯片的PH脚直接上拉到VIN，利用电感电流不能突变原理，VIN输入的一部分存储在电感L1上，一部分给输出电容C7\C6充电以及外部供电。断开上拉MOS管200，电感L1电流不能突变特点，电流从地经二极管D1继续往外供电，同时消耗电感能量，这些过程中大电流的器件电阻都非常小，内损能量少，可实现91％的高效输出效率。主控芯片U1内部集成的温度检测单元201对主控芯片U1的温度进行检测，当检测到温度过高时启动温度保护单元202，断开输出以达到保护主控芯片U1的效果。

以上所述的实施方式，并不构成对该技术方案保护范围的限定。任何在上述实施方式的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在该技术方案的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种带自我保护的供电电路，其特征在于，包括：滤波电路和转换电路，外部电源通过滤波电路与所述转换电路连接，

所述转换电路包括主控芯片U1、电容C3、电容C4、电容C5、电阻R2、电阻R3、电阻R4、二极管D1和输出电路，所述主控芯片U1的VIN脚与所述滤波电路连接用于接收经过滤波电路过滤的外部电源，所述主控芯片U1的SS脚通过电容C4与信号地连接，所述主控芯片U1的PH脚与二极管D1的负极连接，所述二极管D1的正极与信号地连接，所述输出电路并联在所述二极管D1两端，所述主控芯片U1的COMP脚通过电容C5和电阻R4后与信号地连接，所述主控芯片U1的VSENE脚通过电阻R3与信号地连接，所述主控芯片U1的BOST脚通过电容C3与PH脚连接；

所述输出电路包括电感L1、电容C6和电解电容C7，所述电解电容C7的正极通过电感L1与二极管D1的负极连接，所述电解电容C7的负极与二极管D1的正极连接，所述电容C6并联于电解电容C7的两端。

2.根据权利要求1所述的一种带自我保护的供电电路，其特征在于，所述主控芯片U1包括上拉MOS管(200)，所述主控芯片U1的PH脚通过上拉MOS管(200)与VIN脚连接，所述上拉MOS管(200)导通时，VIN脚和PH脚连通。

3.根据权利要求2所述的一种带自我保护的供电电路，其特征在于，所述主控芯片U1内部还集成有温度检测单元(201)及温度保护单元(202)，所述温度检测单元(201)用于检测主控芯片U1的温度，所述温度检测单元(201)的输出端与所述温度保护单元(202)连接，所述温度保护单元用于控制主控芯片U1输出的通断。

4.根据权利要求1所述的一种带自我保护的供电电路，其特征在于，所述滤波电路包括电解电容C1、电容C2和电阻R1，所述电容C2并联于所述电解电容C1的两端，所述电解电容C1的负极与信号地连接，电解电容C1的正极与外部电源连接，所述电解电容C1的正极还通过电阻R1与主控芯片U1的EN端连接。

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