CN218920282U - 一种电源模块 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种电源模块,与输入交流电源耦接,具有一负载,所述电源模块还包括:一变压器,至少包括辅助绕组和主级绕组,且辅助绕组和主级绕组具有相同同名端;一集成封装体,至少包括第一功率开关、第二功率开关、第一一类引脚和第二一类引脚,其中,所述辅助绕组同名端通过第一一类引脚与第一功率开关耦接,所述主级绕组同名端通过第二一类引脚与第二功率开关耦接;所述电源模块通过控制所述第一功率开关导通和截止,实现第二功率开关的状态在零电压或近似零电压状态下切换。使电源模块能以更低开关损耗,更高频率工作,进而解决了现有技术中如何减小功率开关的开关损耗和提高电源模块集成度的问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及电源领域。更具体地,本实用新型涉及一种电源模块。
背景技术
类似于LED照明的这些产品通常需要内置电源模块到有限的产品空间中,但由于产品内部可放置电源模块的空间非常小。如本申请的图1A、图1B和图1C为目前主流LED驱动电源的降压,升降压和升压电源模块。至少存在两个需要改进的地方:1)现有技术的电源模块的驱动芯片BP需要配合外部整流桥、续流二极管才能实现对负载R的恒流控制,且存在工作频率低电感体积大,导致现有技术的电源模块的集成度低;2)现有技术的电源模块的驱动芯片BP只能工作在准谐振QR模式,就是当电感Lp放电到零以后,检测到驱动芯片BP的开关节点SW谐振到最低值时导通驱动芯片BP内部功率开关,但即使是准谐振QR模式工作,在驱动芯片BP内部功率开关导通前,开关节点SW的绝对值电压仍然很高,会产生很大的开关损耗,Ploss=0.5×Coss×Vsw2×f,其中Coss=Cds+Cgd为开关节点SW的寄生电容,Vsw为SW节点在内部功率开关导通前的电压,f为功率开关工作频率。现有技术的电源模块的开关损耗大。
因此,如何提供一种集成化程度高、体积小、损耗低,效率高的电源模块成为目前需要研究的课题。
实用新型内容
为了至少解决在上述背景技术部分所描述的现有技术缺陷,本实用新型提供了一种电源模块,与输入交流电源耦接,具有一负载,所述电源模块还包括:一变压器,至少包括辅助绕组和主级绕组,且辅助绕组和主级绕组具有相同同名端;一集成封装体,至少包括第一功率开关、第二功率开关、第一一类引脚和第二一类引脚,其中,所述辅助绕组同名端通过第一一类引脚与第一功率开关耦接,所述主级绕组同名端通过第二一类引脚与第二功率开关耦接;所述电源模块通过控制所述第一功率开关导通和截止,实现第二功率开关的状态在零电压或近似零电压状态下切换。
优选的,所述集成封装体包括:封装支架,至少包括第一独立基岛,和置于所述第一独立基岛上的一AC-DC控制芯片;所述第一独立基岛与所述第一一类引脚和第二一类引脚电气隔离,所述AC-DC控制芯片集成所述第一功率开关和第二功率开关,所述集成封装体通过焊盘使所述第二功率开关高压端与第二一类引脚连接,使第一功率开关高压端与第一一类引脚连接。
优选的,所述集成封装体包括:封装支架,至少包括相互之间电气隔离的第一独立基岛、第二独立基岛和置于第一独立基岛上的一AC-DC控制芯片、置于第二独立基岛上的第二功率开关;第一独立基岛与所述第一一类引脚电气隔离,所述AC-DC控制芯片集成所述第一功率开关,所述集成封装体通过焊盘使第一功率开关高压端与第一一类引脚连接,第二独立基岛与第二功率开关高压端通过导电胶连接,第二一类引脚为第二独立基岛输出引脚。
优选的,所述集成封装体包括:封装支架,至少包括相互之间电气隔离的第一独立基岛、第二独立基岛、第三独立基岛、第四独立基岛和置于第一独立基岛上的AC-DC控制芯片;
所述第一独立基岛与所述第一一类引脚和第二一类引脚电气隔离,所述AC-DC控制芯片集成所述第一功率开关和第二功率开关,所述集成封装体通过焊盘使所述第二功率开关高压端与第二一类引脚连接,使第一功率开关高压端与第一一类引脚连接;
四颗整流二极管,分散设置于所述第二独立基岛、第三独立基岛以及第四独立基岛上,所述四颗整流二极管相互连接组成AC-DC整流电路,所述整流电路的正极与高压供电引脚HV耦接,所述整流电路的负极与信号地引脚GND耦接,第四一类引脚为第四独立基岛输出引脚耦接交流电源ACL端,第六一类引脚为第二独立基岛输出引脚耦接交流电源ACN端,第五一类引脚为第三独立基岛输出引脚耦接所述高压供电引脚HV,第三一类引脚为第一独立基岛输出引脚耦接所述信号地GND引脚。
优选的,所述集成封装体包括:
封装支架,至少包括相互之间电气隔离的第一独立基岛、第二独立基岛、第三独立基岛、第四独立基岛、第五独立基岛,和置于第一独立基岛上的一AC-DC控制芯片、置于第五独立基岛上的第二功率开关;
第一独立基岛与所述第一一类引脚电气隔离,所述AC-DC控制芯片集成所述第一功率开关,所述集成封装体通过焊盘使第一功率开关高压端与第一一类引脚连接,第五独立基岛与第二功率开关高压端通过导电胶连接,第二一类引脚为第五独立基岛输出引脚;
四颗整流二极管,分散设置于所述第二独立基岛、第三独立基岛以及第四独立基岛上,所述四颗整流二极管相互连接组成AC-DC整流电路,所述整流电路的正极与高压供电引脚HV耦接,所述整流电路的负极与信号地引脚GND耦接,第四一类引脚为第四独立基岛输出引脚耦接交流电源ACL端,第六一类引脚为第二独立基岛输出引脚耦接交流电源ACN端,第五一类引脚为第三独立基岛输出引脚耦接所述高压供电引脚HV,第三一类引脚为第一独立基岛输出引脚耦接所述信号地GND引脚。
优选的,所述电源模块的整流电路的正极与高压供电引脚HV耦接,整流电路的负极与信号地引脚GND耦接,所述负载耦接在变压器的主级绕组非同名端与所述高压供电引脚HV之间,且续流二极管耦接在变压器的主级绕组同名端与所述高压供电引脚HV之间,所述电源模块构成降压Buck电源架构。
优选的,所述电源模块的整流电路的正极与高压供电引脚HV耦接,整流电路的负极与信号地GND引脚耦接,负载与续流二极管串联后耦接在变压器的主级绕组同名端和变压器的主级绕组非同名端之间,所述电源模块构成升降压BuckBoost电源架构。
优选的,所述电源模块的整流电路的正极与高压供电引脚HV耦接,整流电路的负极与信号地引脚GND耦接,续流二极管与负载串联后耦接在变压器的主级绕组同名端和信号地GND之间,所述电源模块构成升压Boost电源架构。
优选的,所述电源模块的整流电路的正极与高压供电引脚HV耦接,整流电路的负极与信号地引脚GND耦接,续流二极管与负载串联后耦接在变压器的次级绕组同名端和变压器的次级绕组非同名端之间,所述电源模块构成反激Flyback电源架构。
本实用新型实施例包括以下优点:
1)本申请的电源模块工作在功率开关零电压切换状态,使得电源模块能以更低开关损耗,更高频率工作,不仅可以降低电源模块温度和散热成本,还可提高电源模块效率和可靠性,减小电源模块体积,进而解决了现有技术中开关损耗的问题。
2)本申请的电源模块通过部分或全部集成整流电路和续流二极管D1到集成封装体中,减小了电源模块的体积,提高了集成度。
通过上述对本实用新型的方案及其多个实施例的描述,本领域技术人员可以理解本实用新型的电源模块的集成封装体通过全部或部分集成整流二极管芯片、AC-DC控制芯片、续流二极管和功率开关,可以形成更高集成度、更小体积、更低制造成本且易于控制的电源模块。
附图说明
在所附的权利要求书中具体阐述了本实用新型的主要特征。通过参考利用到本实用新型原理的说明性实施例加以阐述的以下详细描述和附图,将会对本实用新型的特征和优点获得更好的理解。在附图中:
图1A是现有技术降压电源模块的典型示例性;
图1B是现有技术升降压电源模块的典型示例性;
图1C是现有技术升压电源模块的典型示例性;
图2示出根据本实用新型的电源模块的结构示意图;以及
图3-图6是示出根据本实用新型多个不同实施例的电源模块的结构图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
为便于本领域技术人员深刻地理解本实用新型的构思,首先对本实用新型的技术问题进一步说明。
图1A至图1C为现有降压/升降压/升压电源模块,包括:输入交流电压源、整流桥、输入电容CIN,驱动芯片BP,电感Lp、续流二极管D1、负载R和电流检测电阻Rcs,其存在的主要问题是:电源模块集成度低和只能QR准谐振工作带来的开关损耗大,电源模块效率低。
在一种实施例中,图2示出根据本实用新型的电源模块的电路示意图。一种电源模块20,与输入交流电源耦接,具有一负载21,电源模块20还包括:一变压器22,至少包括辅助绕组La和主级绕组Lp,且辅助绕组La和主级绕组Lp具有相同同名端;一集成封装体23,至少包括第一功率开关KA、第二功率开关KP、第一一类引脚和第二一类引脚,其中,所述辅助绕组La同名端通过第一一类引脚与第一功率开关KA耦接,所述主级绕组Lp同名端通过第二一类引脚与第二功率开关KP耦接;所述电源模块20通过控制所述第一功率开关KA导通和截止,实现第二功率开关KP的状态在零电压或近似零电压状态下切换。
变压器的两个绕组的同名端是这样规定的:具有磁耦合的两绕组,当电流分别从两绕组各自的某端同时流入(或流出)时,若两者产生的磁通相助,则这两端叫作变压器绕组的同名端,用黑点“·”或星号“*”作标记。同名端的位置可以自行定义,可以把流入端称为同名端,也可以把流出端称为同名端。
电源模块20实现第二功率开关KP的状态在零电压或近似零电压状态下切换(ZVS)的原理是:在集成封装体23中的第二功率开关KP由截止状态切换成导通状态之前,控制第一功率开关KA导通产生第一电流脉冲Ia流过变压器的辅助绕组La,所述第一电流脉冲Ia通过变压器磁耦接到主级绕组Lp,在主级绕组Lp中形成与所述第一电流脉冲Ia方向相反的第二电流脉冲Ip,第二电流脉冲Ip使与变压器的主级绕组Lp串联耦接的第二功率开关的两端电压的差值减小到零电压或接近零电压后,第二功率开关再由截止状态切换成导通状态,实现第二功率开关工作在零电压或近似零电压切换状态。
开关损耗的定义是:Ploss=0.5×Coss×Vsw2×f,其中Coss=Cds+Cgd为开关节点SW的寄生电容,Vsw为SW节点在内部功率开关导通前的电压,f为功率开关工作频率,由于第二功率开关KP在零电压或近似零电压切换状态,所以电源模块20的开关损耗将减小到零或接近零,可以显著减小电源模块20的开关损耗,提升效率,还可以工作在更快的工作频率,减小变压器和输出电容的体积。
在一种实施例中,如图3所示,集成封装体包括:封装支架,至少包括第一独立基岛,和置于第一独立基岛上的一AC-DC控制芯片;第一独立基岛与第一一类引脚和第二一类引脚电气隔离,AC-DC控制芯片集成第一功率开关KA和第二功率开关KP,集成封装体通过焊盘使第二功率开关KP高压端与第二一类引脚连接,使第一功率开关KA高压端与第一一类引脚连接。电源模块通过控制第一功率开关KA导通和截止,实现第二功率开关KP的状态在零电压或近似零电压状态下切换。
在一种实施例中,如图3所示,续流二极管D1位于集成封装体之外,整流电路的正极与高压供电HV耦接,整流电路的负极与信号地GND耦接,高压供电HV和信号地GND之间有输入电容CIN,变压器的次级绕组La的非同名端与高压供电HV耦接。
电流检测电阻Rcs通过第九一类引脚与AC-DC控制芯片耦接用于检测变压器主级绕组Lp的电流,由于是现有技术,图3上并没有标记。
在一种实施例中,负载R耦接在变压器的主级绕组Lp非同名端与高压供电HV之间,且续流二极管D1耦接在变压器的主级绕组Lp同名端与高压供电引脚HV之间,此时电源模块构成降压Buck电源架构。
在一种实施例中,负载R与续流二极管D1串联后耦接在变压器的主级绕组Lp同名端和变压器的主级绕组Lp非同名端之间,此时电源模块构成升降压BuckBoost电源架构。
在一种实施例中,续流二极管D1与负载R串联后耦接在变压器的主级绕组Lp同名端和信号地GND之间,此时电源模块构成升压Boost电源架构。
在一种实施例中,续流二极管D1与负载R串联后耦接在变压器的次级绕组Ls同名端和变压器的次级绕组Ls非同名端之间,此时电源模块构成反激Flyback电源架构。
在一种实施例中,如图3所示,续流二极管D1位于集成封装体之内,如图3所示,集成封装体还包括第六独立基岛和位于第六独立基岛上的续流二极管D1,续流二极管D1的阴极通过导电胶与第六独立基岛耦接,在降压Buck电源架构,或升降压BuckBoost电源架构,或升压Boost电源架构中,续流二极管D1的阳极与第二一类引脚耦接;在反激Flyback电源架构中,续流二极管D1与负载R串联后,通过第七一类引脚和第八一类引脚耦接在变压器的次级绕组Ls同名端和变压器的次级绕组Ls非同名端之间。
在一种实施例中,如图4所示,集成封装体包括:封装支架,包括相互之间电气隔离的第一独立基岛、第二独立基岛和置于第一独立基岛上的一AC-DC控制芯片、置于第二独立基岛上的第二功率开关KP;第一独立基岛与第一一类引脚电气隔离,AC-DC控制芯片集成第一功率开关KA,集成封装体通过焊盘使第一功率开关KA高压端与第一一类引脚连接,第二独立基岛与第二功率开关KP高压端通过导电胶连接,第二一类引脚为第二独立基岛输出引脚。电源模块通过控制第一功率开关KA导通和截止,实现第二功率开关KP的状态在零电压或近似零电压状态下切换。
在一种实施例中,如图4所示,续流二极管D1位于集成封装体之外,整流电路的正极与高压供电HV耦接,整流电路的负极与信号地GND耦接,高压供电HV和信号地GND之间有输入电容CIN,变压器的次级绕组La的非同名端与高压供电HV耦接。
电流检测电阻Rcs通过第九一类引脚与AC-DC控制芯片耦接用于检测变压器主级绕组Lp的电流,由于是现有技术,图3上并没有标记。
在一种实施例中,负载R耦接在变压器的主级绕组Lp非同名端与高压供电HV之间,且续流二极管D1耦接在变压器的主级绕组Lp同名端与高压供电引脚HV之间,此时电源模块构成降压Buck电源架构。
在一种实施例中,负载R与续流二极管D1串联后耦接在变压器的主级绕组Lp同名端和变压器的主级绕组Lp非同名端之间,此时电源模块构成升降压BuckBoost电源架构。
在一种实施例中,续流二极管D1与负载R串联后耦接在变压器的主级绕组Lp同名端和信号地GND之间,此时电源模块构成升压Boost电源架构。
在一种实施例中,续流二极管D1与负载R串联后耦接在变压器的次级绕组Ls同名端和变压器的次级绕组Ls非同名端之间,此时电源模块构成反激Flyback电源架构。
在一种实施例中,如图4所示,续流二极管D1位于集成封装体之内,集成封装体还包括第六独立基岛和位于第六独立基岛上的续流二极管D1,续流二极管D1的阴极通过导电胶与第六独立基岛耦接,在降压Buck电源架构,或升降压BuckBoost电源架构,或升压Boost电源架构中,续流二极管D1的阳极与第二一类引脚耦接;在反激Flyback电源架构中,续流二极管D1与负载R串联后,通过第七一类引脚和第八一类引脚耦接在变压器的次级绕组Ls同名端和变压器的次级绕组Ls非同名端之间。
在一种实施例中,如图5所示,集成封装体至少包括:封装支架,包括相互之间电气隔离的第一独立基岛、第二独立基岛、第三独立基岛、第四独立基岛和置于第一独立基岛上的AC-DC控制芯片;第一独立基岛与第一一类引脚和第二一类引脚电气隔离,AC-DC控制芯片集成第一功率开关KA和第二功率开关KP,集成封装体通过焊盘使第二功率开关高压端与第二一类引脚连接,使第一功率开关KA高压端与第一一类引脚连接;
四颗整流二极管,分散设置于第二独立基岛、第三独立基岛以及第四独立基岛上,四颗整流二极管相互连接组成AC-DC整流电路,整流电路的正极与高压供电引脚HV耦接,整流电路的负极与信号地引脚GND耦接,第四一类引脚为第四独立基岛输出引脚耦接交流电源ACL端,第六一类引脚为第二独立基岛输出引脚耦接交流电源ACN端,第五一类引脚为第三独立基岛输出引脚耦接高压供电引脚HV,第三一类引脚为第一独立基岛输出引脚耦接信号地GND引脚。电源模块通过控制第一功率开关KA导通和截止,实现第二功率开关KP的状态在零电压或近似零电压状态下切换。
在一种实施例中,如图5所示,电源模块的续流二极管D1位于集成封装体之外。
电流检测电阻Rcs通过第九一类引脚与AC-DC控制芯片和第二功率开关Kp耦接用于检测变压器主级绕组Lp的电流,由于是现有技术,图5上并没有标记。
在一种实施例中,负载R耦接在变压器的主级绕组Lp非同名端与高压供电HV之间,且续流二极管D1耦接在变压器的主级绕组Lp同名端与高压供电引脚HV之间,此时电源模块构成降压Buck电源架构。
在一种实施例中,负载R与续流二极管D1串联后耦接在变压器的主级绕组Lp同名端和变压器的主级绕组Lp非同名端之间,此时电源模块构成升降压BuckBoost电源架构。
在一种实施例中,续流二极管D1与负载R串联后耦接在变压器的主级绕组Lp同名端和信号地GND之间,此时电源模块构成升压Boost电源架构。
在一种实施例中,续流二极管D1与负载R串联后耦接在变压器的次级绕组Ls同名端和变压器的次级绕组Ls非同名端之间,此时电源模块构成反激Flyback电源架构。
在一种实施例中,如图5所示,电源模块的续流二极管D1位于集成封装体之内,集成封装体还包括第六独立基岛和位于第六独立基岛上的续流二极管D1,续流二极管D1的阴极通过导电胶与第六独立基岛耦接,在降压Buck电源架构,或升降压BuckBoost电源架构,或升压Boost电源架构中,续流二极管D1的阳极与第二一类引脚耦接;在反激Flyback电源架构中,续流二极管D1与负载R串联后,通过第七一类引脚和第八一类引脚耦接在变压器的次级绕组Ls同名端和变压器的次级绕组Ls非同名端之间。
在一种实施例中,如图6所示,集成封装体包括:封装支架,包括相互之间电气隔离的第一独立基岛、第二独立基岛、第三独立基岛、第四独立基岛、第五独立基岛,和置于第一独立基岛上的一AC-DC控制芯片、置于第五独立基岛上的第二功率开关KP;
第一独立基岛与第一一类引脚电气隔离,AC-DC控制芯片集成第一功率开关KA,集成封装体通过焊盘使第一功率开关KA高压端与第一一类引脚连接,第五独立基岛与第二功率开关KP高压端通过导电胶连接,第二一类引脚为第五独立基岛输出引脚;
四颗整流二极管,分散设置于第二独立基岛、第三独立基岛以及第四独立基岛上,四颗整流二极管相互连接组成AC-DC整流电路,整流电路的正极与高压供电引脚HV耦接,整流电路的负极与信号地引脚GND耦接,第四一类引脚为第四独立基岛输出引脚耦接交流电源ACL端,第六一类引脚为第二独立基岛输出引脚耦接交流电源ACN端,第五一类引脚为第三独立基岛输出引脚耦接高压供电引脚HV,第三一类引脚为第一独立基岛输出引脚耦接所述信号地GND引脚。电源模块通过控制第一功率开关KA导通和截止,实现第二功率开关KP的状态在零电压或近似零电压状态下切换。
在一种实施例中,如图6所示,电源模块的续流二极管D1位于集成封装体之外。
电流检测电阻Rcs通过第九一类引脚与AC-DC控制芯片和第二功率开关Kp耦接用于检测变压器主级绕组Lp的电流,由于是现有技术,图6上并没有标记。
在一种实施例中,负载R耦接在变压器的主级绕组Lp非同名端与高压供电HV之间,且续流二极管D1耦接在变压器的主级绕组Lp同名端与高压供电引脚HV之间,此时电源模块构成降压Buck电源架构。
在一种实施例中,负载R与续流二极管D1串联后耦接在变压器的主级绕组Lp同名端和变压器的主级绕组Lp非同名端之间,此时电源模块构成升降压BuckBoost电源架构。
在一种实施例中,续流二极管D1与负载R串联后耦接在变压器的主级绕组Lp同名端和信号地GND之间,此时电源模块构成升压Boost电源架构。
在一种实施例中,续流二极管D1与负载R串联后耦接在变压器的次级绕组Ls同名端和变压器的次级绕组Ls非同名端之间,此时电源模块构成反激Flyback电源架构。
在一种实施例中,如图6所示,电源模块的续流二极管D1位于集成封装体之内,集成封装体还包括第六独立基岛和位于第六独立基岛上的续流二极管D1,续流二极管D1的阴极通过导电胶与第六独立基岛耦接,在降压Buck电源架构,或升降压BuckBoost电源架构,或升压Boost电源架构中,续流二极管D1的阳极与第二一类引脚耦接;在反激Flyback电源架构中,续流二极管D1与负载R串联后,通过第七一类引脚和第八一类引脚耦接在变压器的次级绕组Ls同名端和变压器的次级绕组Ls非同名端之间。
从以上的描述中,可以看出,本申请上述的实施例实现了如下技术效果:
1)本申请的电源模块通过控制第一功率开关KA导通和截止,实现第二功率开关KP的状态在零电压或近似零电压状态下切换,使得电源模块能以更低开关损耗,更高频率工作,不仅可以降低电源模块温度和散热成本,还可提高电源模块效率和可靠性,减小电源模块体积,进而解决了现有技术中开关损耗的问题。
2)本申请的电源模块通过部分或全部集成整流电路和续流二极管D1到集成封装体中,进一步减小了电源模块的体积,提高了集成度。
需要说明的是,本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
需要说明的是,上述的耦接可以是直接电连接,也可以是间接电连接,直接电连接就是指两个器件直接连接,间接电连接就是指相连接的A与B之间还连接有其余类似电容、电阻等器件。磁耦接,是相对于电耦接而言的耦接方式,两个物体电耦接或是电连接,需要将这两个物体以物理直接或者是物理间接的方式连接起来以后才能形成电气通路。变压器的主级绕组和辅助绕组之间,或者是变压器的主级绕组和变压器的次级绕组之间没有直接的物理连接,通过磁场耦合来传输信号的耦接方式叫做磁耦接。
还需要说明的是,在本文中,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。此外,诸如“第一”和“第二”之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序,也不能理解为指示或暗示相对重要性。“和/或”表示可以选择两者之中的任意一个,也可以两者都选择。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。
以上对本实用新型所提供的技术方案进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型,本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。同时,对于本领域的一般技术人员,依据本实用新型,在具体实施方式及应用范围上均会有不同形式的改变之处,这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举,而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型的保护范围之中。
Claims (9)
1.一种电源模块,与输入交流电源耦接,具有一负载,其特征在于,所述电源模块还包括:
一变压器,至少包括辅助绕组和主级绕组,且辅助绕组和主级绕组具有相同同名端;
一集成封装体,至少包括第一功率开关、第二功率开关、第一一类引脚和第二一类引脚,其中,所述辅助绕组同名端通过第一一类引脚与第一功率开关耦接,所述主级绕组同名端通过第二一类引脚与第二功率开关耦接;
所述电源模块通过控制所述第一功率开关导通和截止,实现第二功率开关的状态在零电压或近似零电压状态下切换。
2.根据权利要求1所述的电源模块,其特征在于,所述集成封装体包括:
封装支架,至少包括第一独立基岛,和置于所述第一独立基岛上的一AC-DC控制芯片;所述第一独立基岛与所述第一一类引脚和第二一类引脚电气隔离,所述AC-DC控制芯片集成所述第一功率开关和第二功率开关,所述集成封装体通过焊盘使所述第二功率开关高压端与第二一类引脚连接,使第一功率开关高压端与第一一类引脚连接。
3.根据权利要求1所述的电源模块,其特征在于,所述集成封装体包括:
封装支架,至少包括相互之间电气隔离的第一独立基岛、第二独立基岛和置于第一独立基岛上的一AC-DC控制芯片、置于第二独立基岛上的第二功率开关;第一独立基岛与所述第一一类引脚电气隔离,所述AC-DC控制芯片集成所述第一功率开关,所述集成封装体通过焊盘使第一功率开关高压端与第一一类引脚连接,第二独立基岛与第二功率开关高压端通过导电胶连接,第二一类引脚为第二独立基岛输出引脚。
4.根据权利要求1所述的电源模块,其特征在于,所述集成封装体包括:
封装支架,至少包括相互之间电气隔离的第一独立基岛、第二独立基岛、第三独立基岛、第四独立基岛和置于第一独立基岛上的AC-DC控制芯片;
所述第一独立基岛与所述第一一类引脚和第二一类引脚电气隔离,所述AC-DC控制芯片集成所述第一功率开关和第二功率开关,所述集成封装体通过焊盘使所述第二功率开关高压端与第二一类引脚连接,使第一功率开关高压端与第一一类引脚连接;
四颗整流二极管,分散设置于所述第二独立基岛、第三独立基岛以及第四独立基岛上,所述四颗整流二极管相互连接组成AC-DC整流电路,所述整流电路的正极与高压供电引脚HV耦接,所述整流电路的负极与信号地引脚GND耦接,第四一类引脚为第四独立基岛输出引脚耦接交流电源ACL端,第六一类引脚为第二独立基岛输出引脚耦接交流电源ACN端,第五一类引脚为第三独立基岛输出引脚耦接所述高压供电引脚HV,第三一类引脚为第一独立基岛输出引脚耦接所述信号地GND引脚。
5.根据权利要求1所述的电源模块,其特征在于,所述集成封装体包括:
封装支架,至少包括相互之间电气隔离的第一独立基岛、第二独立基岛、第三独立基岛、第四独立基岛、第五独立基岛,和置于第一独立基岛上的一AC-DC控制芯片、置于第五独立基岛上的第二功率开关;
第一独立基岛与所述第一一类引脚电气隔离,所述AC-DC控制芯片集成所述第一功率开关,所述集成封装体通过焊盘使第一功率开关高压端与第一一类引脚连接,第五独立基岛与第二功率开关高压端通过导电胶连接,第二一类引脚为第五独立基岛输出引脚;
四颗整流二极管,分散设置于所述第二独立基岛、第三独立基岛以及第四独立基岛上,所述四颗整流二极管相互连接组成AC-DC整流电路,所述整流电路的正极与高压供电引脚HV耦接,所述整流电路的负极与信号地引脚GND耦接,第四一类引脚为第四独立基岛输出引脚耦接交流电源ACL端,第六一类引脚为第二独立基岛输出引脚耦接交流电源ACN端,第五一类引脚为第三独立基岛输出引脚耦接所述高压供电引脚HV,第三一类引脚为第一独立基岛输出引脚耦接所述信号地GND引脚。
6.根据权利要求1至5任一项所述的电源模块,其特征在于,所述电源模块的整流电路的正极与高压供电引脚HV耦接,整流电路的负极与信号地引脚GND耦接,所述负载耦接在变压器的主级绕组非同名端与所述高压供电引脚HV之间,且续流二极管耦接在变压器的主级绕组同名端与所述高压供电引脚HV之间,所述电源模块构成降压Buck电源架构。
7.根据权利要求1至5任一项所述的电源模块,其特征在于,所述电源模块的整流电路的正极与高压供电引脚HV耦接,整流电路的负极与信号地GND引脚耦接,负载与续流二极管串联后耦接在变压器的主级绕组同名端和变压器的主级绕组非同名端之间,所述电源模块构成升降压BuckBoost电源架构。
8.根据权利要求1至5任一项所述的电源模块,其特征在于,所述电源模块的整流电路的正极与高压供电引脚HV耦接,整流电路的负极与信号地引脚GND耦接,续流二极管与负载串联后耦接在变压器的主级绕组同名端和信号地GND之间,所述电源模块构成升压Boost电源架构。
9.根据权利要求1至5任一项所述的电源模块,其特征在于,所述电源模块的整流电路的正极与高压供电引脚HV耦接,整流电路的负极与信号地引脚GND耦接,续流二极管与负载串联后耦接在变压器的次级绕组同名端和变压器的次级绕组非同名端之间,所述电源模块构成反激Flyback电源架构。
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