CN218860336U - 一种用于多晶硅生产的通风装置和多晶硅生产系统 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开一种用于多晶硅生产的通风装置和多晶硅生产系统。本通风装置包括:风机和监控单元。风机通过通风管道与还原车间气体连通,用于对还原车间进行通风,还原车间内布置有还原炉,还原炉具有两种状态,分别为炉筒打开的状态和炉筒扣合的状态,通风管道上设置有切断阀组件,切断阀组件用于控制通风管道的开启/关闭,监控单元安装于还原车间内,并与切断阀组件电性连接,用于监控还原炉,以获取还原炉的状态图片,并根据状态图片来判断还原炉的状态,以及,在判断还原炉处于炉筒打开的状态时,控制切断阀组件关闭。本通风装置能够对还原车间进行通风降温,还能够在还原炉拆炉和装炉时,自动关闭通风管道,以减少飞扬的粉尘。

Description

一种用于多晶硅生产的通风装置和多晶硅生产系统
技术领域
本实用新型属于多晶硅技术领域,具体涉及一种用于多晶硅生产的通风装置以及包含该通风装置的多晶硅生产系统。
背景技术
目前,国内外的主流多晶硅生产技术是改良西门子法。该工艺技术是在还原炉内安装一定数量的硅芯,然后将三氯氢硅与氢气按照一定比例混合后进入还原炉内,在通电高温硅芯上发生化学气相沉积反应得到高纯棒状多晶硅。当硅棒棒径达到一定尺寸后,还原炉停炉,由人工将硅棒拆除送至成品车间破碎装箱。
在对还原车间进行通风的过程中,多晶硅的质量可能会受到影响。对于多晶硅质量影响较大阶段主要是拆炉过程和装炉过程,还原炉拆炉和装炉均需要将炉筒打开后进行操作。在安装硅芯的过程中要确保周边环境洁净,减少空气中悬浮粒子的漂浮,避免硅芯收到污染。在拆除高纯棒状多晶硅的过程中,也要确保环境的洁净,尽量减少周边粉尘的飞扬,降低硅棒表金属杂质的污染。因此,在打开炉筒以拆除反应完成的硅棒和安装新的硅芯之前,车间内的风机均需工作人员手动点停待拆还原炉两侧的风机,减少周边悬浮粒子及粉尘的数量。在还原炉装炉完毕后,工作人员扣合炉筒,再手动开启该还原炉两侧的风机。
传统的这种需要手动控制启停的风机,增加了现场人员的工作量,同时也可能因人员忙于其他事情,未能及时关闭周边风机,而导致拆/装炉过程带来质量隐患。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足,提供一种用于多晶硅生产的通风装置以及多晶硅生产系统,能够自动对还原车间进行通风降温,还能够在还原炉进行拆炉和装炉的过程中,自动关闭通风管道,以减少飞扬的粉尘,进而降低多晶硅受到的污染。
根据本实用新型第一方面的实施例,提供一种用于多晶硅生产的通风装置,包括:风机和监控单元,所述风机通过通风管道与还原车间气体连通,用于对所述还原车间进行通风,所述还原车间内布置有还原炉,所述还原炉具有两种状态,分别为炉筒打开的状态和炉筒扣合的状态,所述通风管道上设置有切断阀组件,所述切断阀组件用于控制所述通风管道的开启/关闭,所述监控单元安装于所述还原车间内,并与所述切断阀组件电性连接,用于监控所述还原炉,以获取所述还原炉的状态图片,并根据所述状态图片来判断所述还原炉的状态,以及,在判断所述还原炉处于炉筒打开的状态时,控制所述切断阀组件关闭。
优选的,所述通风管道的数量为多条,每条所述通风管道上均设置有切断阀组件,所述装置还包括多个通风口,所述通风口开设于所述还原车间的墙壁上,多个所述通风口沿所述还原车间的长度方向排列设置,所述风机通过多条通风管道分别与多个所述通风口连通,以对所述还原车间进行通风。
优选的,所述通风管道包括进风道和回风道,所述进风道用于向还原车间内送风,所述回风道用于抽吸还原车间内的空气,以实现所述还原车间内的空气循环,所述通风口包括第一风口和第二风口,所述进风道与所述第一风口连通,所述回风道与所述第二风口连通,所述切断阀组件包括第一切断阀和第二切断阀,所述第一切断阀和第二切断阀分别设置于所述进风道和所述回风道上,分别用于控制所述进风道和所述回风道的开启/关闭。
优选的,所述监控单元包括摄像头和控制器,所述摄像头电性连接于所述控制器,所述摄像头安装于所述还原车间内,用于获取所述还原炉的状态图片,并将所述状态图片发送至所述控制器,所述控制器内预存有还原炉处于炉筒打开的状态时的对照图片,用于将所述状态图片与所述对照图片进行对比,以判断所述还原炉是否处于炉筒打开的状态,所述控制器还分别与所述第一切断阀和所述第二切断阀电性连接,用于在判断所述还原炉处于炉筒打开的状态时,向第一切断阀和第二切断阀发出关闭信号,以控制第一切断阀和第二切断阀关闭,以及,在判断所述还原炉处于炉筒扣合的状态时,向第一切断阀和第二切断阀发出开启信号,以控制第一切断阀和第二切断阀开启。
优选的,包括多个安装位,所述安装位位于所述还原车间内,每相邻的两个通风口之间设置一个所述安装位,每个所述安装位上均安装有一台所述还原炉,且所述安装位上设置有位号标签,所述摄像头用于监控所有还原炉,以获取所有还原炉的状态图片,并将所述状态图片发送至所述控制器,所述状态图片中包含还原炉的所处安装位的位号标签信息,所述控制器还用于根据所述位号标签信息识别出每台还原炉所处的安装位的位号,并判断每个位号的还原炉的状态,所述控制器内还预存有每个安装位的对应的切断阀组件的位置信息,所述对应的切断阀组件为位于所述安装位的左右两侧的通风口所连通的通风管道上的切断阀组件,所述控制器还用于根据所述还原炉的位号来获取所述对应的切断阀组件的位置信息,再根据所述还原炉状态发送开启信号/关闭信号至所述对应的切断阀组件。
优选的,所述摄像头的数量为多个,所述还原车间内划分为多个监控区域,各个摄像头分别用于监控不同监控区域内的还原炉,所述摄像头安装于所述还原车间的墙壁上,且朝向其所监控的监控区域。
根据本实用新型第二方面的实施例,提供一种多晶硅生产系统,包括还原车间,所述还原车间内布置有多台还原炉,所述系统还包括上述的用于多晶硅生产的通风装置,所述还原炉用于制备棒状多晶硅体,所述还原炉包括底盘和炉筒,所述炉筒可拆卸地扣合与所述底盘上,所述通风装置用于,在所述还原炉的炉筒扣合于所述底盘上时,通过监控单元控制所述切断阀组件开启以对所述还原车间进行通风,以及,在所述还原炉的炉筒打开时,控制所述切断阀组件关闭,以结束通风。
优选的,所述炉筒和所述底盘之间设置有炉腔,所述底盘上插置多根硅芯,所述硅芯均容置于所述炉腔内,所述底盘设有电极,所述电极与所述硅芯电性连接,用于使所述硅芯通电,以使所述硅芯加热至反应温度,所述底盘还开设有进气口,用于通入三氯氢硅与氢气,并使处于反应温度下的硅芯发生化学气相沉积反应,进而使得硅芯上沉积多晶硅,以形成棒状多晶硅体。
优选的,所述硅芯的反应温度为1050℃~1100℃。
优选的,所述棒状多晶硅体的直径为150-170mm。
本实用新型的通风装置中的风机通过通风管道与还原车间气体连通,从而能够对还原车间进行通风降温。另外,通风装置还通过监控单元来判断还原炉的状态。在还原炉处于炉筒打开的状态,即工作人员正在对还原炉进行拆炉或装炉时,监控单元控制切断阀组件关闭,以使得通风管道停止通风,进而减少还原炉周边飞扬的粉尘,降低对多晶硅的污染。因此,本通风装置能够对还原车间进行通风降温,同时还能够在还原炉进行拆炉和装炉的过程中,自动关闭通风管道,以减少飞扬的粉尘,进而降低多晶硅受到的污染。
附图说明
图1是本实用新型一些实施例中的通风装置的结构示意图;
图2是本实用新型一些实施例中的打开炉筒后的还原炉的结构示意图;
图3是本实用新型一些实施例中的扣合炉筒后的还原炉的结构示意图。
图中:1-还原炉、11-炉筒、12-底盘、13-棒状多晶硅体、2-通风口、21-第一风口、22-第二风口、3-切断阀组件、31-第一切断阀、32-第二切断阀、4-通风管道、41-进风道、42-回风道、5-摄像头、6-还原车间。
具体实施方式
下面将结合本实用新型中的附图,对实用新型中的技术方案进行清楚、完整的描述,显然,所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型的范围。
在本实用新型的描述中,需要说明的是,术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等指示方位或位置关系是基于附图所示的方位或者位置关系,仅是为了便于和简化描述,而并不是指示或者暗示所指的装置或者元件必须设有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。
在本实用新型的描述中,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或者暗示相对重要性。
在本实用新型的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“连接”、“设置”、“安装”、“固定”等应做广义理解,例如可以是固定连接也可以是可拆卸地连接,或者一体地连接;可以是直接相连,也可以是通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
实施例1
请参阅图1,本实用新型公开一种用于多晶硅生产的通风装置,包括风机和监控单元。
其中,风机通过通风管道4与还原车间6气体连通,用于对还原车间6进行通风。还原车间6内布置有还原炉1,还原炉1用于将硅芯加热至反应温度,并使处于反应温度下的硅芯发生化学气相沉积反应,进而使得硅芯上沉积多晶硅,以形成棒状多晶硅体13。由于还原炉1内的温度较高,会导致还原车间6内的温度也大幅上升,为了保证还原车间6内的工作人员的身体健康,需要通过风机和通风管4来对还原车间6进行通风,进而使得还原车间6内的温度下降。
如图2和图3所示,在沉积反应完成后,工作人员需要打开还原炉1的炉筒11,以拆除其中反应完成的棒状多晶硅体13并安装上新的硅芯,然后再将还原炉1的炉筒11扣合,以便于继续进行新一轮的棒状多晶硅体13的生产。因此,容易理解的是,还原炉1具有两种状态,分别为炉筒11打开的状态和炉筒11扣合的状态。需要说明的是,图2为还原炉1处于炉筒11打开的状态时的结构示意图,图3为还原炉1处于炉筒11扣合的状态时的结构示意图。
当还原炉1处于炉筒11打开的状态时,工作人员对还原炉1进行拆炉或装炉的操作,此时,棒状多晶硅体13或新安装的硅芯暴露于空气之中,容易被粉尘或者漂浮于空气中的金属颗粒沾污。为了确保环境的洁净,应尽量减少周边飞扬的粉尘,以降低杂质对于高纯度多晶硅的污染,在炉筒11打开时,工作人员需要关闭通风管道4,停止通风,以减少还原炉1周边的悬浮粒子及粉尘的数量。本实施例中,在通风管道4上设置有切断阀组件3,工作人员能够通过切断阀组件3来控制通风管道4的开启/关闭。
进一步地,由于工作现场的任务较多,为了避免工作人员因其他事务忘记关闭通风管道,在还原车间6内设置有监控单元。监控单元与切断阀组件3电性连接,用于监控还原炉1,以获取还原炉1的状态图片,接着,监控单元根据状态图片来判断还原炉1的状态,在判断还原炉1处于炉筒11打开的状态时,监控单元控制切断阀组件3关闭。
具体地,监控单元包括摄像头5和控制器,摄像头5电性连接于控制器。摄像头5安装于还原车间6内,用于获取还原炉1的状态图片,并将状态图片发送至控制器,控制器内预存有还原炉1处于炉筒11打开的状态时的对照图片,用于将状态图片与对照图片进行对比,以判断还原炉1是否处于炉筒11打开的状态。控制器还与切断阀组件3电性连接,用于在判断还原炉1处于炉筒11打开的状态时,向切断阀组件3发出关闭信号,以控制切断阀组件3关闭,以及,在判断还原炉1处于炉筒11扣合的状态时,向切断阀组件3发出开启信号,以控制切断阀组件3开启。
因此,本通风装置能够对还原车间6进行通风降温,同时还能够在还原炉1进行拆炉和装炉的过程中,自动关闭通风管道4,以减少飞扬的粉尘,进而降低多晶硅受到的污染。
在本实施例中,通风管道4的数量为多条,每条通风管道4上均设置有切断阀组件3。具体如图1所示,本通风装置还包括多个开设于还原车间6的墙壁上的通风口2,多个通风口2沿还原车间6的长度方向间隔排列设置,风机通过多条通风管道4分别与多个通风口2连通,以对还原车间6进行通风。其中,通风管道4包括进风道41和回风道42,进风道41用于向还原车间6内送风,回风道42用于抽吸还原车间6内的空气,以实现还原车间6内的空气循环。通风口2包括第一风口21和第二风口22,进风道41与第一风口21连通,回风道42与第二风口22连通,切断阀组件3包括第一切断阀31和第二切断阀32,第一切断阀31和第二切断阀32分别设置于进风道41和回风道42上,分别用于控制进风道41和回风道42的开启/关闭。
进一步来说,控制器与第一切断阀31电性连接,第一切断阀31与第二切断阀32电性连接,并且第一切断阀31与第二切断阀32之间形成联锁控制。具体地,当控制器根据还原炉1的状态图片来判断还原炉1处于炉筒11打开的状态时,控制器向第一切断阀31发出关闭信号。在接收关闭信号后,第一切断阀31关闭,以关闭进风道41,第一切断阀31同时将关闭信号转发至第二切断阀32,以控制第二切断阀32关闭,进而关闭回风道42。与之类似地,当控制器根据还原炉1的状态图片判断还原炉1处于炉筒11扣合的状态时,控制器向第一切断阀31发出开启信号。在接收到开启信号后,第一切断阀31打开,以开启进风道41,第一切断阀31同时将开启信号转发至第二切断阀32,以控制第二切断阀32开启,进而开启回风道42。
因此,控制器能够同时控制第一切断阀31和第二切断阀32的开启/关闭。
在本实施例中,还原车间6内设置有多个安装位,每一个安装位位于相邻的两个通风口2之间。每个安装位上均安装有一台还原炉1,且安装位上设置有位号标签。具体地,位号标签可以是安装于安装位的地面上,或者安装于还原炉1的外壳上,只要位号标签能够被摄像头5拍摄到图片即可。
示例性地,如图1所示,还原车间6前后两侧的墙壁上均开设有通风口2,每侧墙壁上通风口2的数量为六个,总共为十二个通风口2。在还原车间6中设置有十个安装位,即还原车间6内安装有十台还原炉1。这十台还原炉1分两排设置,每排五台。两排还原炉1分别位于还原车间6的前后两侧排列设置,并且每一台还原炉1均位于相邻的两个通风口2之间。当然,可以理解的是,还原炉1的数量还可以是十二台、十四台等,具体依据还原车间6的场地大小和多晶硅的生产需求而定。而由于每一台还原炉1均位于相邻的两个通风口2之间,因此,通风口2的数量应当比还原炉1多两个。
进一步地,摄像头5用于监控所有还原炉1,以获取所有还原炉1的状态图片,并将状态图片发送至控制器,状态图片中还应当包含每台还原炉1所处的安装位的位号标签信息。控制器还用于根据位号标签信息识别出每台还原炉1所处的安装位的位号,并判断每个位号的还原炉1的状态。为了方便控制器判断每个位号的还原炉1状态,位号标签应当避免重复。控制器内还预存有每个安装位的对应的切断阀组件3的位置信息。具体来说,对应的切断阀组件3为位于安装位的左右两侧的通风口2所连通的通风管道4上的切断阀组件3。控制器还能够根据还原炉1的位号来获取对应的切断阀组件3的位置信息,再根据还原炉1状态发送开启信号/关闭信号至对应的切断阀组件3。
其中,控制器的数量可以采用一个或多个。每个控制器控制一个或多个安装位上的还原炉。
需要说明的是,在现有的通风系统中,工作人员通过直接关闭风机来停止通风。这种控制方式对于整个还原车间6的温度影响比较大,由于一台风机控制多个通风口2,一旦风机暂停,将会使得所有相关联的通风口2都停止通风,造成还原车间6温度大幅升高。为了避免还原车间6内的温度大幅上升,在本通风装置中,控制器仅向处于炉筒11打开状态下的还原炉1所对应的切断阀组件3发出关闭信号,只有部分的通风管道4停止通风,其它的通风管道4仍然正常通风,避免了还原车间6内的温度大幅上升,进一步改善了还原车间6内的工作环境。
以图1中的1号炉为例,当1号炉中的沉积反应结束后,硅芯沉积形成棒状多晶硅体13,此时,1号炉发出提示信号。工作人员接收到提示信息后,通过起吊工具吊起1号炉的炉筒11,并准备拆卸1号炉中的棒状多晶硅。接着,摄像头5获取到1号炉的状态图片,并将该状态图片传送给控制器,控制器判断出1号炉此时处于炉筒11打开的状态。而且,由于状态图片中包含1号炉的位号标签信息,控制器可以根据位号标签信息发送关闭信号至对应的切断阀组件3,即位于1号炉左右两侧的通风口2所连通的通风管道4上的切断阀组件3。1号炉所对应的切断阀组件3关闭,使得1号炉两侧的通风管道4停止通风。此时,1号炉附近的气流相对静止,进而能够减少1号炉周边飞扬的粉尘,降低粉尘对1号炉中的棒状多晶硅体13的污染。此时,仅有1号炉左右两侧的通风管道4停止通风,其余的通风管道4仍然在正常通风的过程中,能够避免还原车间6内的温度大幅上升。在完成拆炉和装炉的工作后,工作人员将炉筒11装回1号炉。然后,摄像头5再次获取到1号炉的状态图片,并将该状态图片传送给控制器,控制器判断出1号炉此时处于炉筒11扣合的状态,控制器控制1号炉所对应的切断阀组件3打开,进而使得1号炉两侧的通风管道4恢复通风。
综上所述,本通风装置能够在关闭部分通风管道4,以避免还原炉1内的多晶硅受到污染的同时,还能够避免还原车间6内的温度大幅上升,以改善还原车间6内的工作环境。
在本实施例中,摄像头5的数量为多个。具体地,还原车间6内划分为多个监控区域,各个摄像头5分别用于监控不同监控区域内的还原炉1,摄像头5安装于还原车间6的墙壁上,且朝向其所监控的监控区域。另外,工作人员可以预先设置摄像头5的拍摄间隔,例如:摄像头5每隔一秒获取一次监控区域内的还原炉1的状态图片,以使得监控单元能够及时地对还原炉1的状态做出判断和反应。
实施例2
请参阅图1、图2和图3,本实用新型公开一种多晶硅生产系统,包括还原车间6以及实施例1中的用于多晶硅生产的通风装置。
其中,还原车间6内布置有多台还原炉1。还原炉1包括底盘12和炉筒11,炉筒11可拆卸地扣合于底盘12上。上述的通风装置用于在还原炉1的炉筒11扣合于底盘12上时,通过监控单元控制切断阀组件3开启以对还原车间6进行通风,以降低还原车间6内的温度。通风装置还用于在还原炉1的炉筒11打开时,控制切断阀组件3关闭,以结束通风。此时,还原炉1内的棒状多晶硅体13暴露于空气中,通风时气流带起的漂浮物和粉尘会影响多晶硅的品质,因此,需要结束通风,避免多晶硅的品质受到影响。直到工作人员完成拆炉和装炉后,将炉筒11再次扣合于底盘12上,通风装置开启切断阀组件3,恢复对还原车间6的通风。
因此,本多晶硅生产系统能够有效地提高多晶硅的生产质量,并且能够减少工作人员的工作强度。
进一步地,具体如图2所示,炉筒11和底盘12之间设置有炉腔,底盘12上插置多根硅芯,硅芯均容置于炉腔内。底盘12设有电极,电极与硅芯电性连接,用于使硅芯通电,以使硅芯加热至反应温度。底盘12还开设有进气口,用于通入三氯氢硅与氢气,并使处于反应温度下的硅芯发生化学气相沉积反应,进而使得硅芯上沉积多晶硅,以形成棒状多晶硅体13。其中,硅芯的反应温度为1050℃~1100℃。另外,棒状多晶硅体13的直径为150-170mm。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式,然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。

Claims (9)

1.一种用于多晶硅生产的通风装置,其特征在于,包括:风机和监控单元,
所述风机通过通风管道(4)与还原车间(6)气体连通,用于对所述还原车间(6)进行通风,所述还原车间(6)内布置有还原炉(1),所述还原炉(1)具有两种状态,分别为炉筒(11)打开的状态和炉筒(11)扣合的状态,
所述通风管道(4)上设置有切断阀组件(3),所述切断阀组件(3)用于控制所述通风管道(4)的开启/关闭,
所述监控单元安装于所述还原车间(6)内,并与所述切断阀组件电性连接,用于监控所述还原炉(1),以获取所述还原炉(1)的状态图片,并根据所述状态图片来判断所述还原炉(1)的状态,以及,在判断所述还原炉(1)处于炉筒(11)打开的状态时,控制所述切断阀组件(3)关闭。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述通风管道(4)的数量为多条,每条所述通风管道(4)上均设置有切断阀组件(3),
所述装置还包括多个通风口(2),所述通风口(2)开设于所述还原车间(6)的墙壁上,多个所述通风口(2)沿所述还原车间(6)的长度方向排列设置,
所述风机通过多条通风管道(4)分别与多个所述通风口(2)连通,以对所述还原车间(6)进行通风。
3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述通风管道(4)包括进风道(41)和回风道(42),
所述进风道(41)用于向还原车间(6)内送风,所述回风道(42)用于抽吸还原车间(6)内的空气,以实现所述还原车间(6)内的空气循环,
所述通风口(2)包括第一风口(21)和第二风口(22),所述进风道(41)与所述第一风口(21)连通,所述回风道(42)与所述第二风口(22)连通,
所述切断阀组件(3)包括第一切断阀(31)和第二切断阀(32),所述第一切断阀(31)和第二切断阀(32)分别设置于所述进风道(41)和所述回风道(42)上,分别用于控制所述进风道(41)和所述回风道(42)的开启/关闭。
4.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,所述监控单元包括摄像头(5)和控制器,所述摄像头(5)电性连接于所述控制器,
所述摄像头(5)安装于所述还原车间(6)内,用于获取所述还原炉(1)的状态图片,并将所述状态图片发送至所述控制器,
所述控制器内预存有还原炉(1)处于炉筒(11)打开的状态时的对照图片,用于将所述状态图片与所述对照图片进行对比,以判断所述还原炉(1)是否处于炉筒(11)打开的状态,
所述控制器还分别与所述第一切断阀(31)和所述第二切断阀(32)电性连接,用于在判断所述还原炉(1)处于炉筒(11)打开的状态时,向第一切断阀(31)和第二切断阀(32)发出关闭信号,以控制第一切断阀(31)和第二切断阀(32)关闭,以及,在判断所述还原炉(1)处于炉筒(11)扣合的状态时,向第一切断阀(31)和第二切断阀(32)发出开启信号,以控制第一切断阀(31)和第二切断阀(32)开启。
5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,包括多个安装位,所述安装位位于所述还原车间(6)内,每相邻的两个通风口(2)之间设置一个所述安装位,
每个所述安装位上均安装有一台所述还原炉(1),且所述安装位上设置有位号标签,
所述摄像头(5)用于监控所有还原炉(1),以获取所有还原炉(1)的状态图片,并将所述状态图片发送至所述控制器,所述状态图片中包含还原炉(1)的所处安装位的位号标签信息,
所述控制器还用于根据所述位号标签信息识别出每台还原炉(1)所处的安装位的位号,并判断每个位号的还原炉(1)的状态,
所述控制器内还预存有每个安装位的对应的切断阀组件(3)的位置信息,所述对应的切断阀组件(3)为位于所述安装位的左右两侧的通风口(2)所连通的通风管道(4)上的切断阀组件(3),
所述控制器还用于根据所述还原炉(1)的位号来获取所述对应的切断阀组件(3)的位置信息,再根据所述还原炉(1)状态发送开启信号/关闭信号至所述对应的切断阀组件(3)。
6.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述摄像头(5)的数量为多个,所述还原车间(6)内划分为多个监控区域,各个摄像头(5)分别用于监控不同监控区域内的还原炉(1),
所述摄像头(5)安装于所述还原车间(6)的墙壁上,且朝向其所监控的监控区域。
7.一种多晶硅生产系统,包括还原车间(6),所述还原车间(6)内布置有多台还原炉(1),其特征在于,所述系统还包括权利要求1-6任一项所述的用于多晶硅生产的通风装置,
所述还原炉(1)用于制备棒状多晶硅体(13),所述还原炉(1)包括底盘(12)和炉筒(11),所述炉筒(11)可拆卸地扣合与所述底盘(12)上。
8.根据权利要求7所述的系统,其特征在于,所述炉筒(11)和所述底盘(12)之间设置有炉腔,所述底盘(12)上插置多根硅芯,所述硅芯均容置于所述炉腔内,
所述底盘(12)设有电极,所述电极与所述硅芯电性连接,用于使所述硅芯通电,以使所述硅芯加热至反应温度,
所述底盘(12)还开设有进气口,用于通入三氯氢硅与氢气,并使处于反应温度下的硅芯发生化学气相沉积反应,进而使得硅芯上沉积多晶硅,以形成棒状多晶硅体(13)。
9.根据权利要求8所述的系统,其特征在于,所述棒状多晶硅体(13)的直径为150-170mm。
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