CN218836472U - 调整刻槽宽度装置 - Google Patents

调整刻槽宽度装置 Download PDF

Info

Publication number
CN218836472U
CN218836472U CN202220236528.9U CN202220236528U CN218836472U CN 218836472 U CN218836472 U CN 218836472U CN 202220236528 U CN202220236528 U CN 202220236528U CN 218836472 U CN218836472 U CN 218836472U
Authority
CN
China
Prior art keywords
laser
processing platform
light
width
reflector
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202220236528.9U
Other languages
English (en)
Inventor
陶为银
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangsu General Semiconductor Co ltd
Original Assignee
Henan General Intelligent Equipment Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Henan General Intelligent Equipment Co Ltd filed Critical Henan General Intelligent Equipment Co Ltd
Priority to CN202220236528.9U priority Critical patent/CN218836472U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN218836472U publication Critical patent/CN218836472U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P40/00Technologies relating to the processing of minerals
    • Y02P40/50Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
    • Y02P40/57Improving the yield, e-g- reduction of reject rates

Landscapes

  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

本实用新型公开了一种调整刻槽宽度装置,包括激光器,激光器发出激光由扩束镜将光斑放大,放大后依次经过光闸、玻片、偏振分束立方、光阑、反光镜组进入光学调整系统,经调整后依次通过DOE镜片和聚焦系统投射在加工平台上,DOE镜片将光束成形为矩形光;所述加工平台可以沿X轴、Y轴移动以及能够绕自身转动实现线性加工。本实用新型公开的一种调整刻槽宽度装置,激光通过扩束、修改和整形后进入到反光镜组,由反光镜组对光路进行调整,能够准确的通过DOE镜片,能够将激光整形为矩形光,能够使得晶圆在刻槽时受光均匀,调整加工平台的角度,能够根据需要刻槽的宽度,调整矩形光束在加工平台上的宽度。

Description

调整刻槽宽度装置
技术领域
本实用新型涉及low-k膜刻槽技术领域,特别是涉及一种调整刻槽宽度装置。
背景技术
集成电路内部,由于层间介质的存在,导线之间存在分布电容,分布电容不仅影响芯片速度,根据电容量的计算公式,降低电介质的k值,可减少电容的容量,减少晶体管的栅延迟,集成电路的速度由晶体管的栅延时和信号的传播延时两个参数共同决定,延时时间越短信号的频率越高,通过在晶圆表面镀 low-k膜,增加芯片的相应速度, 在晶圆切割过程中晶圆low-k膜,表面较脆,刀轮切割过程中,存在应力的作用,容易造成low-k镀层的脱落,影响产品合格率,激光刻槽加工中,激光器经过一些列光路将一束激光分成多束激光聚焦在切割道上,用来满足刀轮的切割。目前激光聚焦在low-k膜的表面形状为圆形,容易使在进行刻槽时受光不均匀,导致浪费。并且光斑的直径不能够直接调节,不能适用不同宽度的需求。
实用新型内容
为解决上述技术问题,本实用新型提供一种能够在刻槽时激光的调节相对速度快,并能调整切割道宽度的调整刻槽宽度装置。
具体方案如下:
调整刻槽宽度装置,包括激光器,激光器发出激光由扩束镜将光斑放大,放大后依次经过光闸、玻片、偏振分束立方、光阑、反光镜组进入光学调整系统,经调整后依次通过DOE镜片和聚焦系统投射在加工平台上, DOE镜片将光束成形为矩形光;所述加工平台可以沿X轴、Y轴移动以及能够绕自身转动实现线性加工。
所述反光镜组包括第一反光镜、第二反光镜和第三反光镜;第一反光镜接收通过光阑的光并射向第二反光镜,依次通过第二反光镜和第三反光镜的反射进入到光学调整系统。
形成的矩形光的长为宽的2倍。
形成的矩形光的长为宽的3倍。
本实用新型公开的一种调整刻槽宽度装置,激光通过扩束、修改和整形后进入到反光镜组,由反光镜组对光路进行调整,能够准确的通过DOE镜片,能够将激光整形为矩形光,能够使得晶圆在刻槽时受光均匀,调整加工平台的角度,能够根据需要刻槽的宽度,调整矩形光束在加工平台上的宽度。
附图说明
图1为本装置的光路图;
图2为光斑投影在加工平台的示意图;
图3为加工平台的结构图。
、激光器,2、扩束镜,3、光闸,4、偏振片,5、玻片,6、偏振分束立方,7、第一反光镜,8、第二反光镜,9、第三反光镜,10、光学调整系统,11、DOE镜片,12、聚焦系统 13、加工平台14、光阑,15、切割道。
具体实施方式
下面将结合本实用新型中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施,而不是全部的实施,基于本实用新型的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本实用新型保护的范围。
如图1-图3所示,光路刻槽,包括激光器1,激光器1发出激光由扩束镜2将光斑放大,放大后依次经过光闸3、偏振片4、玻片5、偏振分束立方6、光阑14、反光镜组进入光学调整系统10,经调整后依次通过DOE镜片11和聚焦系统12投射在加工平台13上,DOE镜片11将光束成形为矩形光,形成的矩形光的长可以为宽的2倍,也可以为宽的3倍,加工平台13能够沿X轴、Y轴移动,以及绕自身转动,实现线性加工。扩束镜将光斑放大,垂直射入偏振片4,使得射入光变为偏振光,偏振光射入玻片5后,改变偏振光的偏振方向,通过偏振立方体6可以改变任意的光强度比,然后经过光阑14,将光斑修成所需要的尺寸,经反光镜组后垂直进入到光学调整新系统10,光学调整系统10能够带动DOE镜片11与聚焦系统12同时运动。最后投射在加工平台13上。为了避免加工平台13转动后,由于激光束的功率不同,可能会导致low-k膜的损坏,需要调整激光束的功率。
DOE镜片11为衍射光学元件,在激光加工应用中,DOE镜片11在光束整形与多光束加工方面有着很大的优势,在DOE镜片11表那设立不同的衍射功能区(子孔径),每个DOE分区通过表面结构的设计都能产生特定的衍射图案,本构思中采用的DOE镜片11将光束整形为矩形光束,投射在加工平台13。
所述加工平台13设置在固定台上。固定台上设置使加工平台13沿X轴移动的第一直线驱动机构;使得加工平台13沿着Y轴移动的第二直线驱动机构。并且在固定台上设置使加工平台13转动的旋转电机,转动加工平台13,使得光束在加工平台13上的投影在Y轴的宽度改变,使得加工平台13在沿X轴运动时,切割道15的宽度增加。也可以转动加工平台,使得光束在加工平台上的投影在X轴的宽度改变,使得加工平台在沿Y轴运动时,切割道15的宽度增加。
所述反光镜组包括第一反光镜7、第二反光镜8和第三反光镜9;第一反光镜7接收通过光阑的光并射向第二反光镜8,依次通过第二反光镜8和第三反光镜9的反射进入到光学调整系统。
激光束由激光器发出后,经扩束镜将光斑的直径放大,途径光闸3,依次穿过偏振片4,玻片5以及偏振分束立方6,再经光阑14入射到经过第一反光镜7、第二反光镜8、第三反光镜9,经过光学调整系统10射入DOE镜片11后形成矩形光束进入聚焦系统12,聚焦系统12形成矩形焦点聚焦在到加工平台13上。
本实用新型公开的一种调整刻槽宽度装置,激光通过扩束、修改和整形后进入到反光镜组,由反光镜组对光路进行调整,能够准确的通过DOE镜片11,能够将激光整形为矩形光,能够使得晶圆在刻槽时受光均匀,调整加工平台的角度,能够根据需要刻槽的宽度,调整矩形光束在加工平台13上的宽度。
本实用新型方案所公开的技术手段不仅限于上述实施方式所公开的技术手段,还包括由以上技术特征任意组合所组成的技术方案。应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本实用新型的保护范围。

Claims (4)

1.调整刻槽宽度装置,包括激光器,激光器发出激光由扩束镜将光斑放大,放大后依次经过光闸、玻片、偏振分束立方、光阑、反光镜组进入光学调整系统,经调整后依次通过DOE镜片和聚焦系统投射在加工平台上,其特征在于,DOE镜片将光束成形为矩形光;所述加工平台可以沿X轴、Y轴移动以及能够绕自身转动实现线性加工。
2.根据权利要求1所述的调整刻槽宽度装置,其特征在于,所述反光镜组包括第一反光镜、第二反光镜和第三反光镜;第一反光镜接收通过光阑的光并射向第二反光镜,依次通过第二反光镜和第三反光镜的反射进入到光学调整系统。
3.根据权利要求1所述的调整刻槽宽度装置,其特征在于,形成的矩形光的长为宽的2倍。
4.根据权利要求1所述的调整刻槽宽度装置,其特征在于,形成的矩形光的长为宽的3倍。
CN202220236528.9U 2022-01-28 2022-01-28 调整刻槽宽度装置 Active CN218836472U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202220236528.9U CN218836472U (zh) 2022-01-28 2022-01-28 调整刻槽宽度装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202220236528.9U CN218836472U (zh) 2022-01-28 2022-01-28 调整刻槽宽度装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN218836472U true CN218836472U (zh) 2023-04-11

Family

ID=87311030

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202220236528.9U Active CN218836472U (zh) 2022-01-28 2022-01-28 调整刻槽宽度装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN218836472U (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5294629B2 (ja) 複数のレーザビームスポットを使用する半導体構造加工
CN110064841B (zh) 一种激光加工装置、激光开槽方法和激光全切方法
CN103909346B (zh) 大幅面激光打标装置
EP1738409B1 (en) Laser processing apparatuses and methods
US8294062B2 (en) Laser beam positioning systems for material processing and methods for using such systems
US5315604A (en) Optical structure for adjusting the peak power of a laser beam
KR20150110466A (ko) 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법
JP2010207879A (ja) レーザ加工方法およびレーザ加工装置
US11571767B2 (en) Laser processing device and laser processing method
KR20040073563A (ko) 레이저 기계가공 장치
CN100495215C (zh) 对光滑表面进行微米结构光刻蚀的方法及装置
KR20140065547A (ko) 레이저 가공 장치 및 방법
CN219211996U (zh) 一种用于实现晶圆隐切和表面开槽功能的激光光路
CN113146072A (zh) 镀膜脆性材料的激光加工装置及其方法
CN114406482A (zh) 调整刻槽宽度装置
JP2012138597A (ja) 複数のレーザビームスポットを使用する半導体構造加工
WO2007055452A1 (en) Laser processing apparatus using laser beam splitting
JP3935775B2 (ja) レーザ加工装置
CN218836472U (zh) 调整刻槽宽度装置
CN113620586A (zh) 一种滤光片激光切割方法
CN210548930U (zh) 一种晶圆激光开槽装置
CN112620930A (zh) 半导体激光加工多焦点光路系统、激光系统及加工方法
WO2020009079A1 (ja) レーザ加工装置
CN214921502U (zh) 镀膜脆性材料的激光加工装置
CN212094854U (zh) 激光开槽装置

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address

Address after: 214400, 1st to 2nd floors, Building 3, Xiakewan Chuangzhi Park, No. 215 Qingtong Road, Qingyang Town, Jiangyin City, Wuxi City, Jiangsu Province

Patentee after: Jiangsu General Semiconductor Co.,Ltd.

Country or region after: China

Address before: No.a130-10, 1st floor, No.2 entrepreneurship center, No.96 Ruida Road, high tech Industrial Development Zone, Zhengzhou City, Henan Province, 450001

Patentee before: Henan general intelligent equipment Co.,Ltd.

Country or region before: China