CN218831213U - 显示面板和包括该显示面板的电子装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及显示面板和包括该显示面板的电子装置。显示面板包括：具有开口的基板；在显示区域中的多个发光元件，所述多个发光元件包括中间层；多个隔断墙，在显示区域和开口之间的中间区域中；至少一个绝缘层，位于多个隔断墙和基板之间；其中，中间层包括从显示区域朝向中间区域延伸的有机材料层，有机材料层在中间区域中被多个第一开口部分分开，并且至少一个绝缘层具有与多个第一开口部分重叠的多个开口部分。

Description

显示面板和包括该显示面板的电子装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年8月12日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第 10-2021-0106937号的优先权；该韩国专利申请通过引用被并入。

技术领域

本实用新型涉及一种显示面板和一种包括该显示面板的电子装置。

背景技术

显示面板可以响应于输入信号而显示图像。显示面板可以被包括在各种电子设备中。

显示面板可以包括用于显示图像的显示区域。显示区域可以用于执行附加的功能。

发明内容

本申请所要解决的问题是，提供一种能够防止或最小化裂纹的显示面板、该显示面板的制造方法以及包括该显示面板的电子装置。

附加的方面将部分地在后面的描述中阐述并且部分地将通过描述而显而易见，或者可以通过实践本公开的实施例而获知。

根据实施例，一种显示面板，包括：具有开口的基板；在开口周围的显示区域中的多个发光元件，多个发光元件包括第一电极、第二电极以及在第一电极和第二电极之间的中间层；多个隔断墙，在显示区域和开口之间的中间区域中；至少一个绝缘层，在多个隔断墙下面；以及在多个发光元件上的封装层，封装层包括至少一个无机封装层和有机封装层，其中，中间层包括从显示区域朝向中间区域延伸的有机材料层，有机材料层在中间区域中被多个第一开口部分分开，并且至少一个绝缘层具有与多个第一开口部分重叠的多个开口部分。

显示面板可以进一步包括：在有机材料层下面并且在至少一个绝缘层上面的停止层，停止层具有与多个第一开口部分相对应的多个开口部分。

多个隔断墙可以包括第一隔断墙和第二隔断墙，第一隔断墙最靠近显示区域，并且第二隔断墙比第一隔断墙更靠近基板的开口。

第二电极可以包括从显示区域朝向中间区域延伸并且定位在中间区域中的单个第二开口部分，并且第二电极的边缘部分定位在显示区域和第一隔断墙之间，第二电极的边缘部分限定单个第二开口部分的轮廓。

第二电极的边缘部分可以与有机封装层重叠。

第二电极可以从显示区域朝向中间区域延伸，第二电极包括在中间区域中被多个第二开口部分分开的多个分开部分。

多个分开部分的一个边缘部分可以定位在第一隔断墙和第二隔断墙之间，并且可以与有机绝缘材料部分重叠。

有机绝缘材料部分可以与有机封装层包括相同的材料。

显示面板可以进一步包括具有与多个第一开口部分相对应的开口部分的金属叠层。

金属叠层可以包括在彼此不同的层上的多个金属层，并且多个金属层中的一个金属层可以在至少一个绝缘层下面。

根据实施例，一种电子装置，包括：显示面板，包括开口区域、在开口区域周围的显示区域以及在开口区域和显示区域之间的中间区域；以及部件，在显示面板下面以与开口区域重叠，其中，显示面板包括：在开口区域中具有开口的基板；在显示区域中的多个发光元件，多个发光元件包括第一电极、第二电极以及在第一电极和第二电极之间的中间层；在中间区域中的第一隔断墙和第二隔断墙；至少一个绝缘层，在第一隔断墙和第二隔断墙下面；以及在多个发光元件上的封装层，封装层包括至少一个无机封装层和有机封装层，其中，中间层包括从显示区域朝向中间区域延伸的有机材料层，有机材料层在中间区域中被多个第一开口部分分开，并且至少一个绝缘层具有与多个第一开口部分重叠的多个开口部分。

显示面板可以进一步包括：在有机材料层下面并且在至少一个绝缘层上面的停止层，停止层具有与多个第一开口部分相对应的多个开口部分。

第二电极可以包括从显示区域朝向中间区域延伸并且定位在中间区域中的单个第二开口部分，第一隔断墙和第二隔断墙可以定位在单个第二开口部分中，并且第二电极的边缘部分可以定位在显示区域和第一隔断墙之间，第二电极的边缘部分限定单个第二开口部分的轮廓。

第二电极的边缘部分可以与有机封装层重叠。

第二电极可以从显示区域朝向中间区域延伸，第二电极包括在中间区域中被多个第二开口部分分开的多个分开部分。

第二电极的多个分开部分可以覆盖第一隔断墙和第二隔断墙中的每一个。

第二电极的多个分开部分的一个边缘部分可以定位在第一隔断墙和第二隔断墙之间，并且与有机绝缘材料部分重叠，有机绝缘材料部分与有机封装层包括相同的材料。

显示面板可以进一步包括在中间区域中的金属叠层，金属叠层包括设置在彼此不同的层上的多个金属层，并且金属叠层可以包括与多个第一开口部分相对应的开口部分。

多个金属层中的一个金属层可以与第一隔断墙和第二隔断墙中的一个隔断墙重叠，多个金属层中的该一个金属层具有比第一隔断墙和第二隔断墙中的该一个隔断墙的宽度大的宽度。

该部件可以包括扬声器、传感器或相机。

本申请的有益效果在于，可以防止或最小化包括开口的显示面板和包括该显示面板的电子装置中的不需要的湿气渗透和/或裂纹。通过附图、所附权利要求书和本公开的详细描述，除了上述那些方面、特征和优点之外的其他方面、特征和优点将变得显而易见。

附图说明

从结合附图的以下描述中，某些实施例的以上和其他方面、特征以及优点将更加明显，在附图中：

图1是示意性地图示根据实施例的电子装置的透视图；

图2是根据实施例的沿着图1中的线I-I'截取的截面图；

图3是示意性地图示根据实施例的显示面板的平面图；

图4图示根据实施例的连接到显示面板的发光二极管的等效电路；

图5是根据实施例的显示面板的一部分的平面图；

图6是根据实施例的沿着图5中的线VI-VI'截取的截面图；

图7示意性地图示根据实施例的图6中的VII区域(或区域VII)；

图8是根据实施例的图6中所示的至少一个有机材料层的一部分的平面图；

图9是根据实施例的图6中所示的第二电极的一部分的平面图；

图10A、图10B、图10C和图10D是在根据实施例的显示面板的制造工艺中形成的结构的截面图；

图11是在根据实施例的显示面板的有机材料层的第一开口部分周围的区域的截面图；

图12A、图12B、图12C、图12D和图12E是在根据实施例的显示面板的制造工艺中形成的结构的截面图；

图13示意性地图示图12E中的XIII区域(或区域XIII)；并且

图14是在根据实施例的显示面板的有机材料层的第一开口部分周围的区域的截面图。

具体实施方式

参考附图描述实施例的示例。相同的附图标记可以指代相同的元件。描述的实施例具有不同的形式并且不应被解释为限于描述。

尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各种元件，但是元件不应受这些术语的限制。这些术语可以用于将一个元件与另一元件区分开。在不脱离一个或多个实施例的教导的情况下，第一元件可以被称为第二元件。将元件描述为“第一”元件可以不要求或暗示第二元件或其他元件的存在。术语“第一”、“第二”等可以用于区分不同类别或组的元件。为了简明起见，术语“第一”、“第二”等可以分别表示“第一类(或第一组)”、“第二类(或第二组)”等。

以单数形式使用的表述可以包括复数形式。

术语“包括”和/或“包含”可以指定所陈述的特征或部件的存在，但是可以不排除一个或多个其他特征或部件的添加。

当第一元件被称为在第二元件“上”时，第一元件可以直接或间接在第二元件上。零个或多个居间元件可以存在于第一元件和第二元件之间。

在附图中，为了便于解释，尺寸可以被夸大或缩小，并且可以不限制实施例。

当可以不同地实现实施例时，可以不同于所述顺序执行某个工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行或者以与所述顺序相反的顺序执行。

术语“连接”可以意味着“直接连接”或“间接连接”。术语“连接”可以意味着“机械连接”和/或“电连接”。术语“连接”可以意味着“电连接”或“不通过居间晶体管的电连接”。术语“绝缘”可以意味着“电绝缘”或“电隔离”。术语“传导的”可以意味着“导电的”。术语“驱动”可以意味着“操作”或“控制”。术语“包括”或“包含”可以意味着“由……制成”。术语“邻近”可以意味着“紧邻”。元件在特定方向上延伸的表述可以意味着元件在特定方向上纵向延伸和/或元件的纵向方向在特定方向上。术语“图案”可以意味着“构件”。术语“限定”可以意味着“形成”或“提供”。空间或开口与对象重叠的表述可以意味着空间或开口(的位置)与对象(的位置)重叠。术语“开口部分”可以意味着“开口”或“通孔”。术语“边缘部分”可以意味着“边缘”或“边缘结构”。术语“形状”可以意味着“结构”。材料/项目列表可以意味着列出的材料/项目中的至少一个。“区域”可以意味着基板的与关联的显示面板的特定区域相对应的区域。术语“显示区域”可以意味着基板的与关联的显示面板的显示区域相对应的区域。

图1是示意性地图示根据实施例的电子装置的透视图。

参考图1，电子装置1可以包括用于显示运动图像和/或静止图像的装置。电子装置1可以是例如电视机、膝上型计算机、监视器、广告牌、物联网(IoT)设备、移动电话、智能电话、平板个人计算机(平板PC)、移动通讯终端、电子记事本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航设备、超移动个人计算机(UMPC)、智能手表、手表电话、眼镜式显示器、头戴式显示器(HMD)、汽车的仪表板、汽车的中央仪表板、设置在仪表板上的中央信息显示器(CID)、取代汽车的侧视镜的显示器或设置在汽车的前座的背面的显示器。为了便于解释，在图1中，根据实施例的电子装置1用作智能电话。

电子装置1可以在平面图中具有矩形形状。例如，电子装置1可以具有矩形的平面形状，该矩形具有在x方向上的短边和在y方向上的长边。短边与长边相交的角可以是圆形的，或者可以以直角形成。电子装置1的平面形状不限于矩形，并且可以以其他多边形、椭圆形形状或不规则形状形成。

电子装置1可以包括开口区域OA(或第一区域)和至少部分地围绕开口区域OA 的显示区域DA(或第二区域)。电子装置1可以包括中间区域IA(或第三区域)和外部区域PA(或第四区域)。中间区域IA可以设置在开口区域OA和显示区域DA之间。外部区域PA可以在显示区域DA外面并且可以围绕显示区域DA。

开口区域OA可以设置在显示区域DA中。在一些实施例中，开口区域OA可以设置在显示区域DA的中央部分、左上部分或右上部分处。例如，“左”可以指-x方向，“右”可以指+x方向，“上”可以指+y方向，并且“下”可以指-y方向。图1示出了开口区域OA被提供为单个；然而，在另一实施例中，开口区域OA可以被提供为多个。

图2是根据实施例的沿着图1中的线I-I'截取的截面图。

参考图2，电子装置1可以包括显示面板10和设置在开口区域OA中的部件70。显示面板10和部件70可以被容纳在外壳HS中。

显示面板10可以包括显示元件层20、输入感测层40、光学功能层50和覆盖窗 60。

显示元件层20可以包括用于发光以显示图像的显示元件(或发光元件)。显示元件可以包括发光二极管(例如，包括有机发射层的有机发光二极管)。

输入感测层40可以根据外部输入(例如，触摸事件)获得坐标信息。输入感测层 40可以包括感测电极(或触摸电极)和连接到感测电极的迹线。输入感测层40可以设置在显示元件层20上。输入感测层40可以通过互电容方法和/或自电容方法来感测外部输入。

输入感测层40可以被直接提供在显示元件层20上，或者可以单独形成并且然后通过诸如光学透明粘合剂的粘合层耦接到显示元件层20。可以在形成显示元件层20 的工艺之后立即提供输入感测层40，并且在输入感测层40和显示元件层20之间可以没有粘合层。尽管图2示出了输入感测层40在显示元件层20和光学功能层50之间，但是在另一实施例中，输入感测层40可以设置在光学功能层50上。

光学功能层50可以包括抗反射层。抗反射层可以降低通过覆盖窗60从外面朝向显示面板10入射的光(外部光)的反射率。抗反射层可以包括延迟器和偏振器。延迟器可以包括膜型延迟器或液晶涂层型延迟器。偏振器可以包括膜型偏振器或液晶涂层型偏振器。膜型偏振器可以包括可拉伸的合成树脂膜，而液晶涂层型偏振器可以包括以某一阵列设置的液晶。

在另一实施例中，抗反射层可以包括黑矩阵和滤色器。滤色器可以基于从显示元件层20的发光二极管发射的光的颜色来设置。在另一实施例中，抗反射层可以包括相消干涉结构。相消干涉结构可以包括分别设置在两个不同的层上的第一反射层和第二反射层。分别被第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以相消地干涉；因此，可以降低外部光的反射率。

光学功能层50可以包括透镜层。透镜层可以提高从显示元件层20发射的光的发射效率或减小颜色偏差。透镜层可以包括具有凹透镜形状或凸透镜形状的层和/或可以包括分别具有不同的折射率的多个层。光学功能层50可以包括抗反射层和/或透镜层。

显示面板10可以包括开口10H。关于上述，图2示出了显示元件层20、输入感测层40和光学功能层50分别包括第一开口至第三开口20H、40H和50H，并且第一开口至第三开口20H、40H和50H彼此重叠。

第一开口20H可以从显示元件层20的上表面延伸到显示元件层20的底表面。第二开口40H可以从输入感测层40的上表面延伸到输入感测层40的底表面。第三开口 50H可以从光学功能层50的上表面延伸到光学功能层50的底表面。

第一开口至第三开口20H、40H和50H可以在开口区域OA中彼此重叠。第一开口至第三开口20H、40H和50H的尺寸(或直径)可以彼此相等或彼此不同。

在另一实施例中，显示元件层20、输入感测层40和光学功能层50中的至少一个可以不包括开口。例如，显示元件层20、输入感测层40和光学功能层50中的一个或两个可以不包括开口。

覆盖窗60可以设置在光学功能层50上。覆盖窗60可以通过诸如光学透明粘合剂OCA的粘合层耦接到光学功能层50。覆盖窗60可以包括玻璃材料或塑料材料。塑料材料可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素。

覆盖窗60可以包括柔性窗。例如，覆盖窗60可以包括聚酰亚胺窗或超薄玻璃窗。

开口区域OA可以是其中设置了用于将一个或多个功能添加到电子装置1的部件70的部件区域(例如，传感器区域、相机区域、扬声器区域等)。部件70可以与显示面板10的开口10H重叠并且被显示面板10的开口10H暴露。

部件70可以包括电子元件。部件70可以包括使用光或声音的电子元件。电子元件可以包括诸如使用光的红外传感器的传感器、用于接收光以捕获图像的相机、用于输出和感测光或声音以测量距离或识别指纹等的传感器、用于输出光的微型灯或者用于输出声音的扬声器。电子元件可以使用一个或多个预定波段的光(诸如可见光、红外光和紫外光)。开口区域OA可以是透射区域/与透射区域相对应，从部件70输出到外面或从外面朝向部件70行进的光和/或声音可以穿过该透射区域。

在另一实施例中，当电子装置1用作智能手表或汽车的仪表板时，部件70可以包括包含用于指示某些信息(例如，车辆速度)的时钟指针或针的构件。与图1中所示的不同，覆盖窗60可以包括在开口区域OA中的开口，使得诸如针的部件70可以被暴露于外面。在一些实施例中，即使当部件70是扬声器时，覆盖窗60也可以包括与开口区域OA相对应的开口。

图3是根据实施例的显示面板的平面图。图4是根据实施例的连接到显示面板的发光二极管的等效电路。

参考图3，显示面板10可以包括开口区域OA、显示区域DA、中间区域IA和外部区域PA。显示面板10可以包括在显示区域DA中的多个像素P，并且可以使用从像素P的发光二极管发射的光(例如，红光、绿光和蓝光)来显示图像。

像素P的发光二极管可以是有机发光二极管OLED并且可以电连接到像素电路 PC。图4示出了发光二极管包括有机发光二极管OLED；然而，在另一实施例中，显示面板10可以包括无机发光二极管。

参考图4，像素电路PC可以包括第一晶体管至第七晶体管T1、T2、T3、T4、T5、 T6和T7、存储电容器Cst以及升压电容器Cbt。在一些实施例中，升压电容器Cbt可以是可选的。

第一晶体管至第七晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7中的一些晶体管可以包括n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)(NMOS晶体管)，并且其余的晶体管可以包括p沟道MOSFET(PMOS晶体管)。第三晶体管T3和第四晶体管 T4可以包括NMOS晶体管，并且其余的晶体管可以包括PMOS晶体管。在另一实施例中，第三晶体管T3、第四晶体管T4和第七晶体管T7可以包括NMOS晶体管，并且其余的晶体管可以包括PMOS晶体管。在一些实施例中，第一晶体管至第七晶体管 T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7中的仅一个晶体管可以包括NMOS晶体管，并且其余的晶体管可以包括PMOS晶体管。

第一晶体管至第七晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7、存储电容器Cst和升压电容器Cbt可以连接到信号线。信号线可以包括被配置为传送第一扫描信号Sn的第一扫描线SL1、被配置为传送第二扫描信号Sn'的第二扫描线SL2、被配置为传送前一扫描信号Sn-1的前一扫描线SLp、被配置为传送发射控制信号En的发射控制线133、被配置为传送下一扫描信号Sn+1的下一扫描线SLn以及与第一扫描线SL1交叉并且传送数据信号Dm的数据线171。

驱动电压线175可以将驱动电压ELVDD传输到第一晶体管T1，并且第一初始化电压线145和第二初始化电压线165可以传输初始化电压Vint。

第一晶体管T1可以是驱动晶体管。第一晶体管T1的第一栅电极(或第一控制电极)可以连接到存储电容器Cst，第一晶体管T1的第一电极可以经由第五晶体管T5 电连接到驱动电压线175，并且第一晶体管T1的第二电极可以经由第六晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED的像素电极。第一晶体管T1的第一电极和第二电极中的一个可以是源电极，并且另一个可以是漏电极。第一晶体管T1可以根据第二晶体管T2的开关操作接收数据信号Dm，并且可以将驱动电流I_d供应到有机发光二极管 OLED。

第二晶体管T2可以是开关晶体管。第二晶体管T2的第二栅电极(或第二控制电极)可以连接到第一扫描线SL1，第二晶体管T2的第一电极可以连接到数据线171，并且第二晶体管T2的第二电极可以经由第五晶体管T5电连接到驱动电压线175，并且同时电连接到第一晶体管T1的第一电极。第二晶体管T2的第一电极和第二电极中的一个可以是源电极，并且另一个可以是漏电极。第二晶体管T2可以根据经由第一扫描线SL1接收的第一扫描信号Sn导通，并且可以执行将经由数据线171接收的数据信号Dm传输到第一晶体管T1的第一电极的开关操作。

第三晶体管T3可以是用于补偿第一晶体管T1的阈值电压的补偿晶体管。第三晶体管T3的第三栅电极(或补偿控制电极)可以连接到第二扫描线SL2。第三晶体管 T3的第一电极可以通过节点连接线166连接到存储电容器Cst的下电极CE1和第一晶体管T1的第一栅电极。第三晶体管T3的第一电极可以连接到第四晶体管T4。第三晶体管T3的第二电极可以经由第六晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED的像素电极并且电连接到第一晶体管T1的第二电极。第三晶体管T3的第一电极和第二电极中的一个可以是源电极，并且另一个可以是漏电极。

第三晶体管T3可以根据经由第二扫描线SL2接收的第二扫描信号Sn'导通，并且可以将第一晶体管T1的第一栅电极电连接到第一晶体管T1的第二电极以将第一晶体管T1二极管连接。

第四晶体管T4可以是用于初始化第一晶体管T1的第一栅电极的第一初始化晶体管。第四晶体管T4的第四栅电极(或第四控制电极)可以连接到前一扫描线SLp。第四晶体管T4的第一电极可以连接到第一初始化电压线145。第四晶体管T4的第二电极可以连接到存储电容器Cst的下电极CE1、第三晶体管T3的第一电极和第一晶体管 T1的第一栅电极。第四晶体管T4的第一电极和第二电极中的一个可以是源电极，并且另一个可以是漏电极。第四晶体管T4可以根据经由前一扫描线SLp接收的前一扫描信号Sn-1导通，并且可以执行将初始化电压Vint传输到第四晶体管T4的第一栅电极以初始化第一晶体管T1的第一栅电极的电压的初始化操作。

第五晶体管T5可以是操作控制晶体管。第五晶体管T5的第五栅电极(或第五控制电极)可以连接到发射控制线133，第五晶体管T5的第一电极可以连接到驱动电压线175，并且第五晶体管T5的第二电极可以连接到第一晶体管T1的第一电极和第二晶体管T2的第二电极。第五晶体管T5的第一电极和第二电极中的一个可以是源电极，并且另一个可以是漏电极。

第六晶体管T6可以是发射控制晶体管。第六晶体管T6的第六栅电极(或第六控制电极)可以连接到发射控制线133，第六晶体管T6的第一电极可以连接到第一晶体管T1的第二电极和第三晶体管T3的第二电极，并且第六晶体管T6的第二电极可以电连接到第七晶体管T7的第二电极和有机发光二极管OLED的像素电极。第六晶体管T6的第一电极和第二电极中的一个可以是源电极，并且另一个可以是漏电极。

第五晶体管T5和第六晶体管T6可以根据经由发射控制线133接收的发射控制信号En同时导通，以便于将驱动电压ELVDD传输到有机发光二极管OLED并且允许驱动电流I_d流过有机发光二极管OLED。

第七晶体管T7可以是用于初始化有机发光二极管OLED的像素电极的第二初始化晶体管。第七晶体管T7的第七栅电极(或第七控制电极)可以连接到下一扫描线 SLn。第七晶体管T7的第一电极可以连接到第二初始化电压线165。第七晶体管T7 的第二电极可以连接到第六晶体管T6的第二电极和有机发光二极管OLED的像素电极。第七晶体管T7可以根据经由下一扫描线SLn接收的下一扫描信号Sn+1导通，以便于初始化有机发光二极管OLED的像素电极。在图4中，第七晶体管T7连接到下一扫描线SLn，但是第七晶体管T7可以连接到发射控制线133并且根据发射控制信号 En被驱动。

存储电容器Cst可以包括下电极CE1和上电极CE2。存储电容器Cst的下电极CE1 可以连接到第一晶体管T1的第一栅电极，并且存储电容器Cst的上电极CE2可以连接到驱动电压线175。存储电容器Cst可以存储与第一晶体管T1的第一栅电极的电压和驱动电压ELVDD之间的电压差相对应的电荷。

升压电容器Cbt可以包括第三电极CE3和第四电极CE4。第三电极CE3可以连接到第二晶体管T2的第二栅电极和第一扫描线SL1，并且第四电极CE4可以连接到第三晶体管T3的第一电极和节点连接线166。当传送到第一扫描线SL1的第一扫描信号 Sn截止时，升压电容器Cbt可以升高第一节点N1的电压，并且当第一节点N1的电压升高时，可以清楚地表现黑色灰度。

第一节点N1可以电连接到第一晶体管T1的第一栅电极、第三晶体管T3的第一电极、第四晶体管T4的第二电极和升压电容器Cbt的第四电极CE4。

参考图4，第三晶体管T3和第四晶体管T4可以是NMOS晶体管，并且第一晶体管、第二晶体管和第五晶体管至第七晶体管T1、T2、T5、T6和T7可以是PMOS晶体管。直接影响显示装置的亮度的第一晶体管T1包括包含具有高可靠性的多晶硅的半导体层。可以实现高分辨率显示装置。

参考图3，中间区域IA可以围绕开口区域OA。中间区域IA可以不包括显示元件 (例如，有机发光二极管)，并且用于将信号提供到在开口区域OA周围提供的像素P 的信号线可以与中间区域IA交叉。例如，数据线DL和/或扫描线SL在显示区域DA 中在y方向和/或x方向上延伸。数据线DL的部分和/或扫描线SL的部分可以在中间区域IA中沿着开口10H的与开口区域OA相对应的边缘绕行开口区域OA。

扫描驱动器2100(用于将扫描信号提供到像素P)、数据驱动器2200(用于将数据信号提供到像素P)以及用于提供第一电源电压ELVDD(参见图4)和第二电源电压ELVSS(参见图4)的第一主电源线(未示出)和第二主电源线(未示出)可以设置在外部区域PA中。数据驱动器2200可以与基板100的一侧邻近。然而，根据另一实施例，数据驱动器2200可以设置在印刷电路板上，印刷电路板电连接到设置在显示面板10的一侧处的焊盘。印刷电路板可以是柔性的，并且印刷电路板的一部分可以定位在基板100的后表面后面。

图5是根据实施例的显示面板的一部分的平面图。

参考图5，像素P可以设置在显示区域DA中，并且中间区域IA可以在开口区域 OA和显示区域DA之间。与开口区域OA邻近的像素P可以在平面图中相对于开口区域OA彼此隔开。像素P可以相对于开口区域OA彼此垂直地隔开，或者可以相对于开口区域OA彼此水平地隔开。像素P可以使用从发光二极管发射的红光、绿光和蓝光，并且图5中所示的像素P的位置与发光二极管的位置相对应。因此，当像素P 在平面图中相对于开口区域OA彼此隔开时，可以表示对应的发光二极管在平面图中相对于开口区域OA彼此隔开。例如，在平面图中，发光二极管可以相对于开口区域 OA彼此垂直地隔开，或者可以相对于开口区域OA彼此水平地隔开。

在用于将信号供应到连接到像素P中的每一个的发光二极管的像素电路的信号线当中，与开口区域OA邻近的信号线可以绕行开口区域OA和/或开口10H。一些数据线DL可以基本上在±y方向上延伸以将数据信号提供到被开口区域OA垂直地隔开的像素P，并且可以在中间区域IA中沿着开口区域OA和/或开口10H的边缘绕行。一些扫描线SL可以基本上在±x方向上延伸以将扫描信号提供到被开口区域OA水平地隔开的像素P，并且可以在中间区域IA中沿着开口区域OA和/或开口10H的边缘绕行。

在图5中，扫描线SL在中间区域IA中绕行开口区域OA和/或开口10H。在另一实施例中，扫描线SL可以被分开或断开，并且可以相对于开口区域OA和/或开口10H 位于相对侧处。设置在开口区域OA和/或开口10H的左侧的扫描线SL可以如图3中所示从设置在显示区域DA的左侧的扫描驱动器2100接收信号，并且尽管图3中未示出，但是设置在开口区域OA和/或开口10H的右侧的扫描线SL可以从相对于显示区域DA设置在扫描驱动器2100的相对侧的附加的扫描驱动器接收信号。

至少一个隔断墙可以设置在中间区域IA中。至少一个隔断墙可以比上述信号线的绕行部分更靠近开口区域OA设置。图5示出了第一隔断墙PW1和第二隔断墙PW2。第一隔断墙PW1和第二隔断墙PW2可以各自具有围绕开口区域OA和/或开口10H的闭环形状，并且可以在中间区域IA中彼此隔开。

图6示意性地图示根据实施例的沿着图5中的线VI-VI'截取的截面图。图7示意性地图示根据实施例的图6中的VII区域。图8是根据实施例的图6中所示的至少一个有机材料层的平面图。图9是根据实施例的图6中所示的第二电极的平面图。在图 6中，为了便于解释，显示面板10的光学功能层50(参见图2)和覆盖窗60(参见图 2)未示出，而示出了显示元件层20和显示元件层20上的输入感测层40。显示元件层20可以包括在基板100的与显示区域DA相对应的部分上的发光二极管。图6示出了一个有机发光二极管OLED。

参考图6，显示面板10可以包括在开口区域OA中的开口10H。开口10H可以是穿透/延伸穿过显示面板10的通孔。

显示面板10中包括的层可以包括在开口区域OA中的开口。基板100可以包括在开口区域OA中的开口100H。开口100H可以是穿过基板100的上表面和下表面的通孔。

在显示区域DA中，(参考图4描述的)像素电路PC的至少一部分设置在基板100 上，并且有机发光二极管OLED可以设置在像素电路PC上。

基板100可以包括玻璃材料或聚合物树脂。聚合物树脂可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素。包括聚合物树脂的基板100可以是柔性的、可卷曲的或可弯曲的。基板100可以具有包括聚合物层和无机层(未示出)的多层结构。

缓冲层201可以设置在基板100的上表面上。缓冲层201可以防止杂质渗透到晶体管的半导体层中。缓冲层201可以包括诸如氮化硅、氮氧化硅和/或氧化硅的无机绝缘材料，并且可以包括包含上述无机绝缘材料的单层或多层。

像素电路PC可以设置在缓冲层201上。如上面参考图4所述，像素电路PC可以包括存储电容器和多个晶体管。图6示出了第一晶体管T1、第三晶体管T3和存储电容器Cst。

第一晶体管T1可以包括第一半导体层A1和第一栅电极GE1，第一半导体层A1 在缓冲层201上，并且第一栅电极GE1与第一半导体层A1的沟道区C1重叠。第一半导体层A1可以包括例如多晶硅的硅类半导体材料。第一半导体层A1可以包括沟道区C1、第一区B1和第二区D1，第一区B1和第二区D1设置在沟道区C1的相对侧处。第一区B1和第二区D1与沟道区C1相比包括更高浓度的杂质。第一区B1和第二区D1中的一个可以与源区相对应，并且另一个可以与漏区相对应。

第一栅绝缘层203可以设置在第一半导体层A1和第一栅电极GE1之间。第一栅绝缘层203可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机绝缘材料，并且可以包括包含上述无机绝缘材料的单层或多层结构。

第一栅电极GE1可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)的导电材料，并且可以包括包含上述导电材料的单层或多层结构。

存储电容器Cst可以包括彼此重叠的下电极CE1和上电极CE2。在实施例中，存储电容器Cst的下电极CE1可以包括第一栅电极GE1。换句话说，第一栅电极GE1 可以包括存储电容器Cst的下电极CE1。第一栅电极GE1和存储电容器Cst的下电极CE1可以作为单一体被整体提供。

第一层间绝缘层205可以设置在存储电容器Cst的下电极CE1和上电极CE2之间。第一层间绝缘层205可以包括诸如氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的无机绝缘材料，并且可以包括包含上述无机绝缘材料的单层或多层结构。

存储电容器Cst的上电极CE2可以包括诸如Mo、Al、Cu和/或Ti的低电阻导电材料，并且可以包括包含上述低电阻导电材料的单层或多层结构。

第二层间绝缘层207可以设置在存储电容器Cst上。第二层间绝缘层207可以包括诸如氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的无机绝缘材料，并且可以包括包含上述无机绝缘材料的单层或多层结构。

第三晶体管T3的第三半导体层A3可以设置在第二层间绝缘层207上。第三半导体层A3可以包括氧化物类半导体材料。第三半导体层A3可以包括锌(Zn)氧化物类材料，例如，氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟镓锌(IGZO)。在一些实施例中，第三半导体层A3可以包括其中在氧化锌(ZnO)中包括诸如In、Ga和锡(Sn) 的金属的In-Ga-Zn-O(IGZO)、In-Sn-Zn-O(ITZO)或In-Ga-Sn-Zn-O(IGTZO)半导体。

第三半导体层A3可以包括沟道区C3、第一区B3和第二区D3，第一区B3和第二区D3设置在沟道区C3的相对侧处。第一区B3和第二区D3中的一个可以与源区相对应，并且另一个可以与漏区相对应。

第三晶体管T3可以包括与第三半导体层A3的沟道区C3重叠的第三栅电极GE3。第三栅电极GE3可以具有包括下栅电极G3A和上栅电极G3B的双栅结构，下栅电极 G3A设置在第三半导体层A3下面并且上栅电极G3B设置在沟道区C3上面。

下栅电极G3A可以与存储电容器Cst的上电极CE2设置在同一层(例如，第一层间绝缘层205)上。下栅电极G3A可以与存储电容器Cst的上电极CE2包括相同的材料。

上栅电极G3B可以设置在第三半导体层A3上面，中间有第二栅绝缘层209。第二栅绝缘层209可以包括诸如氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的无机绝缘材料，并且可以包括包含上述无机绝缘材料的单层或多层结构。

第三层间绝缘层210可以设置在上栅电极G3B上。第三层间绝缘层210可以包括诸如氮氧化硅的无机绝缘材料，并且可以包括包含上述无机绝缘材料的单层或多层结构。

在图6中，存储电容器Cst的上电极CE2与第三栅电极GE3的下栅电极G3A设置在同一层上。在另一实施例中，存储电容器Cst的上电极CE2可以与第三半导体层A3设置在同一层上，并且可以与第三半导体层A3的第一区B3和第二区D3包括相同的材料。

第一晶体管T1和第三晶体管T3可以通过节点连接线166彼此电连接。节点连接线166可以设置在第三层间绝缘层210上。节点连接线166的一侧可以连接到第一晶体管T1的第一栅电极GE1，并且节点连接线166的另一侧可以连接到第三晶体管T3 的第三半导体层A3。

节点连接线166可以包括Al、Cu和/或Ti，并且可以包括单层或多层。节点连接线166可以具有Ti层、Al层和另一Ti层的三层结构。

第一有机绝缘层211可以设置在节点连接线166上。第一有机绝缘层211可以包括有机绝缘材料。有机绝缘材料可以包括丙烯酸、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(HMDSO)。

数据线DL和驱动电压线PL可以设置在第一有机绝缘层211上，并且可以被用第二有机绝缘层213覆盖。数据线DL和驱动电压线PL可以包括Al、Cu和/或Ti，并且可以包括单层或多层。数据线DL和驱动电压线PL可以各自具有Ti层、Al层和另一 Ti层的三层结构。

第二有机绝缘层213可以包括诸如丙烯酸、BCB、聚酰亚胺和/或HMDSO的有机绝缘材料。在图6中，在第一有机绝缘层211上提供数据线DL和驱动电压线PL。在另一实施例中，数据线DL和驱动电压线PL中的一个可以与节点连接线166设置在同一层上(例如，在第三层间绝缘层210上)。

有机发光二极管OLED的第一电极221(或像素电极221)可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、Al、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr) 或其任何化合物的反射层。在另一实施例中，第一电极221可以进一步包括在反射层上面和/或下面的导电氧化物层。导电氧化物层可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌 (IZO)、ZnO、氧化铟(In₂O₃)、氧化铟镓(IGO)和/或氧化铝锌(AZO)。在实施例中，第一电极221可以具有ITO层、Ag层和另一ITO层的三层结构。

堤坝层215可以设置在第一电极221上。堤坝层215可以包括与第一电极221重叠的开口并且可以覆盖第一电极221的边缘。堤坝层215可以包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。

可以在堤坝层215上提供间隔件217。可以在同一工艺中与堤坝层215一起提供间隔件217，或者可以在分开的工艺中单独提供间隔件217。在实施例中，间隔件217 可以包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。在一些实施例中，堤坝层215可以包括包含遮光染料的有机绝缘材料，并且间隔件217可以包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。

中间层222可以包括发射层222b。中间层222可以包括第一功能层222a和/或第二功能层222c，第一功能层222a设置在发射层222b下面，并且第二功能层222c设置在发射层222b上面。发射层222b可以包括发射一颜色的光的聚合物或低分子量有机材料。第二功能层222c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。第一功能层222a和第二功能层222c可以各自包括有机材料。

第二电极223(或公共/重叠电极223)可以包括具有低功函数的导电材料。例如，第二电极223可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或其任何合金的(半)透明层。在一些实施例中，第二电极223可以进一步包括(半) 透明层上的(透明)层，(透明)层包括ITO、IZO、ZnO或In₂O₃。

发射层222b可以与第一电极221的通过堤坝层215的开口暴露的一部分重叠。第一功能层222a和第二功能层222c可以完全覆盖显示区域DA。第二电极223可以完全覆盖显示区域DA。

封盖层225可以设置在第二电极223上。封盖层225可以包括无机材料或有机材料。封盖层225可以包括氟化锂(LiF)、无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。封盖层225 可以完全覆盖显示区域DA。

有机发光二极管OLED可以被用封装层300覆盖，有机发光二极管OLED包括第一电极221、中间层222和第二电极223。封装层300可以包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。在实施例中，图6示出了封装层300包括第一无机封装层310 和第二无机封装层330并且包括在第一无机封装层310和第二无机封装层330之间的有机封装层320。封装层300可以设置在封盖层225上。

第一无机封装层310和第二无机封装层330可以各自包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅当中的一种或多种无机材料。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以各自包括包含上述材料的单层或多层。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和聚乙烯等。在实施例中，有机封装层320可以包括丙烯酸酯。

第一无机封装层310和第二无机封装层330可以具有不同的厚度。第一无机封装层310的厚度可以大于第二无机封装层330的厚度。在一些实施例中，第二无机封装层330的厚度可以大于第一无机封装层310的厚度，或者第一无机封装层310和第二无机封装层330可以具有相同的厚度。

输入感测层400可以设置在封装层300上。输入感测层400可以包括触摸电极TE 和至少一个触摸绝缘层，触摸电极TE设置在显示区域DA中。图6示出了输入感测层400包括第一触摸绝缘层411、第二触摸绝缘层412、第一导线420、第三触摸绝缘层430、第二导线440和第四触摸绝缘层450，第一触摸绝缘层411在第二无机封装层 330上，第三触摸绝缘层430在第一导线420上，第二导线440在第三触摸绝缘层430 上，并且第四触摸绝缘层450在第二导线440上。

第一触摸绝缘层411、第二触摸绝缘层412、第三触摸绝缘层430和第四触摸绝缘层450中的每一个可以包括无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。在实施例中，第一触摸绝缘层411、第二触摸绝缘层412和第三触摸绝缘层430可以各自包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机绝缘材料，并且第四触摸绝缘层450可以包括有机绝缘材料。

输入感测层400的触摸电极TE可以包括其中第一导线420和第二导线440彼此连接的结构。在一些实施例中，触摸电极TE可以具有第一导线420和第二导线440 中的任一个，并且第三触摸绝缘层430可以是可选的。

第一导线420和第二导线440中的每一个可以包括Al、Cu和/或Ti，并且可以包括包含上述材料的单层或多层。例如，第一导线420和第二导线440可以各自包括Ti 层、Al层和另一Ti层的三层结构。

接下来，参考图6中的中间区域IA，第一有机绝缘层211和第二有机绝缘层213 可以各自延伸到中间区域IA。第一有机绝缘层211和第二有机绝缘层213中的每一个可以与第一隔断墙PW1隔开。

在中间区域IA中，数据线的绕行部分DL-C可以设置在不同的层上并且可以被第一有机绝缘层211分开。邻近的数据线的绕行部分DL-C中的一个可以设置在第一有机绝缘层211上，并且另一个可以设置在第一有机绝缘层211下面。图6中所示的数据线的绕行部分DL-C可以是数据线DL的设置在中间区域IA中并且沿着上面参考图 5所述的开口区域OA的弯曲部分。

至少一个隔断墙可以设置在中间区域IA中。在实施例中，图6示出了两个隔断墙设置在中间区域IA中，但是在另一实施例中，在中间区域IA中可以存在三个或更多个隔断墙。

第一隔断墙PW1和第二隔断墙PW2可以设置在中间区域IA中，并且可以在从显示区域DA朝向开口区域OA的方向上彼此隔开。第一隔断墙PW1可以最靠近/更靠近显示区域DA，并且第二隔断墙PW2可以比第一隔断墙PW1更靠近开口区域OA 设置。如图5中所示，第一隔断墙PW1和第二隔断墙PW2中的每一个可以具有围绕开口10H的闭环形状。

基板100中的开口100H与显示面板10的开口10H相对应；因此，“开口区域OA”、“显示面板10的开口10H”和“基板100的开口100H”可以在本公开中互换使用。例如，“围绕显示面板10的开口10H”可以等同于围绕基板100的开口100H和/或围绕开口区域OA。

第一隔断墙PW1和第二隔断墙PW2可以各自包括绝缘材料。第一隔断墙PW1和第二隔断墙PW2可以各自包括有机绝缘材料并且可以在形成多个绝缘材料层的工艺中提供。

第一隔断墙PW1和第二隔断墙PW2可以具有相同的高度或不同的高度。在图6 中，第一隔断墙PW1和第二隔断墙PW2具有相同的高度，但是在另一实施例中，第一隔断墙PW1和第二隔断墙PW2可以具有彼此不同的高度。

第一隔断墙PW1和第二隔断墙PW2可以在形成封装层300的工艺中控制有机封装层320中包括的材料的流动。可以通过喷墨工艺等通过在显示区域DA中涂覆单体并且然后固化该单体来提供有机封装层320。一个或多个隔断墙可以控制单体的流动以控制有机封装层320的位置。图6示出了有机封装层320的边缘320e在第一隔断墙 PW1的一侧。在另一实施例中，有机封装层320的边缘320e可以设置在第一隔断墙 PW1的上表面上，使得有机封装层320的一部分可以与第一隔断墙PW1的上表面重叠。

因为有机封装层320的边缘320e在隔断墙中的一个(例如，第一隔断墙PW1) 的一侧，所以第二无机封装层330可以在中间区域IA中与第一隔断墙PW1直接接触。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以在有机封装层320的边缘320e和显示面板10的开口10H之间的区域中彼此直接接触。在实施例中，图6示出了第一无机封装层310和第二无机封装层330在第一隔断墙PW1和显示面板10的开口10H之间的区域中彼此直接接触。

输入感测层400的绝缘层(例如，第一触摸绝缘层411、第二触摸绝缘层412、第三触摸绝缘层430和第四触摸绝缘层450)可以各自延伸以覆盖中间区域IA。

平坦化绝缘层(或平坦化层)401可以覆盖中间区域IA。平坦化绝缘层401可以仅设置在中间区域IA中并且可以具有从第一边缘401E1到第二边缘401E2的宽度。在平面图中，平坦化绝缘层401可以具有围绕开口10H的闭环形状(例如，圆环形状)。

平坦化绝缘层401的第一边缘401E1可以是显示面板10的开口10H的边缘的一部分。平坦化绝缘层401的第二边缘401E2可以与显示区域DA邻近。平坦化绝缘层 401的与显示区域DA邻近的一部分可以与有机封装层320的一部分重叠，并且可以覆盖有机封装层320的边缘320e。第二无机封装层330和第一触摸绝缘层411可以在显示面板10的厚度方向(z方向)上设置在有机封装层320和平坦化绝缘层401之间。

第一触摸绝缘层411和第二触摸绝缘层412可以在显示区域DA中彼此直接接触，并且可以在中间区域IA中在厚度方向(z方向)上被平坦化绝缘层401彼此分开。

中间层222中包括的至少一个有机材料层222o可以被提供为完全覆盖显示区域DA，并且因此可能为可能通过显示面板10的开口10H引入的湿气提供行进路径。然而，根据实施例，有机材料层222o包括在中间区域IA中的开口部分(在下文中，被称为第一开口部分222oh)，并且因此，可以防止或最小化湿气通过有机材料层222o 的行进。

有机材料层222o可以包括在中间区域IA中被第一开口部分222oh彼此隔开的分开部分222op(或被分开部分222op)。由于有机材料层222o包括第一功能层222a和第二功能层222c，因此有机材料层222o的分开部分222op可以包括彼此重叠的第一功能层222a的一部分和第二功能层222c的一部分。

参考图7，由于有机材料层222o包括第一功能层222a和第二功能层222c，因此第一功能层222a的开口部分222aoh和第二功能层222c的开口部分222coh可以构成上述第一开口部分222oh。

通过使用牺牲层的激光剥离工艺来提供有机材料层222o的第一开口部分222oh，并且在这种情况下，牺牲层可以包括从存储电容器Cst的电极和像素电路PC中包括的晶体管的栅电极当中选择的任何一个。在制造工艺中，上述牺牲层可以被用至少一个绝缘层覆盖，并且在至少一个绝缘层中提供的开口可以设置在有机材料层222o的第一开口部分222oh下面。图7示出了在第二层间绝缘层207中提供的开口部分207oh。

停止层230可以设置在有机材料层222o和至少一个绝缘层(例如，第二层间绝缘层207)之间、中间区域IA中。停止层230可以防止绝缘层(停止层230下面的绝缘层)的一部分和/或基板100的一部分在上述剥离工艺之前执行的另一蚀刻工艺中被无意地蚀刻。

停止层230可以包括与有机材料层222o的第一开口部分222oh相对应的开口部分230oh。停止层230可以包括在开口部分230oh的相对侧处的第一部分230a和第二部分230b。有机材料层222o的设置在第一开口部分222oh的相对侧处的部分可以分别直接设置在停止层230的第一部分230a和第二部分230b的上面。

通过有机材料层222o的第一开口部分222oh、停止层230的开口部分230oh和第二层间绝缘层207的开口部分207oh，可以暴露第一层间绝缘层205，并且第一无机封装层310可以直接接触第一层间绝缘层205。第一层间绝缘层205可以包括无机绝缘材料，并且第一无机封装层310和第一层间绝缘层205之间的接触可以局部地阻止湿气的行进。

有机材料层222o的第一开口部分222oh可以在中间区域IA中彼此间隔开。图6 示出了第一隔断墙PW1和显示区域DA之间的第一开口部分222oh、第一隔断墙PW1 和第二隔断墙PW2之间的第一开口部分222oh以及第二隔断墙PW2和开口10H之间的第一开口部分222oh。参考图7描述的第一开口部分222oh下面的结构可以在中间区域IA中彼此隔开。

如图8中所示，第一开口部分222oh中的每一个可以沿着开口10H的边缘延伸，并且在平面图中具有完全围绕开口10H的闭环形状。因此，有机材料层222o的分开部分222op可以被第一开口部分222oh彼此隔开，并且可以各自具有完全围绕开口区域OA的闭环形状。在截面图中，如图6中所示，有机材料层222o的分开部分222op 可以覆盖第一隔断墙PW1、第二隔断墙PW2和/或第二隔断墙PW2和开口10H之间的区域。有机材料层222o的定位在第一隔断墙PW1上的分开部分222op、定位在第二隔断墙PW2上的分开部分222op和/或定位在第二隔断墙PW2和开口10H之间的分开部分222op可以与第一无机封装层310直接接触并且被第一无机封装层310覆盖。

第二电极223可以完全覆盖显示区域DA并且可以延伸到中间区域IA。第二电极223的边缘部分223ep可以设置在显示区域DA和至少一个隔断墙之间。在实施例中，图6示出了第二电极223的边缘部分223ep设置在显示区域DA和第一隔断墙PW1之间。

在实施例中，图6中所示的第二电极223的边缘部分223ep可以是第二电极223 的最靠近开口10H的一部分，并且第二电极223的任何部分都不可以在从第二电极223 的边缘部分223ep到开口10H的区域中。换句话说，在第二电极223的边缘部分223ep 和开口10H之间，可以不存在具有与第二电极223相同的材料和相同的结构的层。

像第二电极223一样，封盖层225可以延伸到中间区域IA，并且封盖层225的一个边缘可以设置在显示区域DA和至少一个隔断墙之间。封盖层225的任何部分都不可以在从封盖层225的一个边缘到开口10H的区域中。

关于上述，图6和图9示出了设置在中间区域IA中并且被第二电极223的边缘部分223ep围绕的第二开口部分223oh，并且示出了设置在中间层222中并且被封盖层225的一个边缘围绕的第三开口部分225oh。第二电极223可以包括在显示面板的平面图中具有围绕开口区域OA的闭环形状的一个第二开口部分223oh，并且封盖层225 可以包括在显示面板的平面图中具有围绕开口区域OA的闭环形状的第三开口部分 225oh。第二开口部分223oh和第三开口部分225oh可以具有使得第一隔断墙PW1和第二隔断墙PW2分别设置在第二电极223的开口部分223oh和封盖层225的开口部分 225oh中的尺寸(或宽度)。

第二电极223的边缘部分223ep可以与有机封装层320重叠并且被有机封装层320覆盖。可以通过形成完全覆盖显示区域DA和中间区域IA的第二电极材料层并且然后去除第二电极材料层的设置在中间区域IA中的部分来提供第二电极223。可以通过激光剥离工艺去除第二电极材料层的该部分，并且第二电极223的边缘部分223ep可能具有由激光引起的不规则的形状。例如，如图7中所示，第二电极223的边缘部分223ep 可能具有由激光剥离工艺形成的毛刺。第二电极223的边缘部分223ep可能在远离基板100的上表面的倾斜方向上延伸并且可能具有不规则的截面。

由于第二电极223的边缘部分223ep的形状，第二电极223上的第一无机封装层310可能不具有恒定的厚度。例如，如图7中所示，第一无机封装层310可以包括沿着第二电极223的边缘部分223ep的形状向上凸出的上表面。

尽管第一无机封装层310具有相对优异的台阶覆盖率，但是因为在第一无机封装层310之下的第二电极223的边缘部分223ep具有不规则的形状，所以第一无机封装层310可能包括具有小的局部密度的部分和/或薄的部分。在这种情况下，裂纹可能会出现在第一无机封装层310中，并且裂纹可能会显著地转移到周围。然而，根据实施例，因为有机封装层320与第二电极223的边缘部分223ep重叠和/或覆盖第二电极223 的边缘部分223ep，所以可以防止或减少裂纹问题。

参考图6、图8和图9，虽然有机材料层222o可以包括多个第一开口部分222oh，但是第二电极223和/或封盖层225可以包括一个第二开口部分223oh和/或一个第三开口部分225oh。一个第二开口部分223oh和/或一个第三开口部分225oh可以与多个第二开口部分222oh重叠。换句话说，第二开口部分222oh和分开部分222op可以设置在一个第二开口部分223oh和/或一个第三开口部分225oh中。

图10A至图10D是图示在根据实施例的显示面板的制造工艺中形成的结构的截面图。

参考图10A，像素电路PC可以被提供在基板100上、在显示区域DA中，像素电路PC包括晶体管和存储电容器Cst。图10A示出了像素电路PC包括如上面参考图6 所述的第一晶体管T1和第三晶体管T3以及存储电容器Cst。可以在提供像素电路PC 之前提供缓冲层201。

形成像素电路PC的工艺可以包括形成晶体管的电极和存储电容器Cst的电极的工艺以及形成绝缘层的工艺。第一栅绝缘层203和第一层间绝缘层205可以完全覆盖显示区域DA、中间区域IA和开口区域OA。

可以在中间区域IA中提供牺牲层1200。牺牲层1200可以在中间区域IA中彼此隔开，并且可以在与存储电容器Cst的电极中的一个(例如，上电极CE2)相同的工艺中提供。关于上述，图10A示出了牺牲层1200与存储电容器Cst的上电极CE2直接定位在同一第一层间绝缘层205上。牺牲层1200可以与存储电容器Cst的上电极 CE2包括相同的材料。

可以在牺牲层1200上提供至少一个绝缘层，并且关于这一点，图10A示出了第二层间绝缘层207覆盖牺牲层1200。

随后，可以在第二层间绝缘层207上提供停止层230。可以在与第三半导体层A3 相同的工艺中提供停止层230。停止层230可以与第三半导体层A3直接设置在同一第二层间绝缘层207上，并且可以与第三半导体层A3(的第一区域B3和第二区域C3) 包括相同的材料。

可以在停止层230上提供至少一个绝缘层(例如，诸如第二栅绝缘层209和第三层间绝缘层210的无机绝缘层)。第二栅绝缘层209和第三层间绝缘层210可以分别包括虚设孔209dh和210dh，虚设孔209dh和210dh暴露停止层230。可以在形成接触孔 CT以将节点连接线166和第三半导体层A3彼此连接的工艺中提供虚设孔209dh和 210dh。停止层230可以防止停止层230下面的层(例如，绝缘层)在用于形成虚设孔 209dh和210dh以及接触孔CT的蚀刻工艺和/或将稍后描述的用于形成第一电极221 的蚀刻工艺中被损坏。

在比较示例中，当不提供停止层230时，在上述蚀刻工艺中，牺牲层1200上面和 /或下面的层(例如，第二层间绝缘层207的一部分、第一层间绝缘层205的一部分、第一栅绝缘层203的一部分、缓冲层201的一部分和基板100的一部分)可能在牺牲层1200的边缘周围被无意地蚀刻。然而，根据实施例，停止层230可以在用于形成上述虚设孔209dh和210dh以及接触孔CT的蚀刻工艺中以及在将稍后描述的用于形成第一电极221的蚀刻工艺中用作蚀刻停止层，并且因此，可以防止上述问题。

停止层230的宽度W1可以大于虚设孔209dh和210dh中的每一个的宽度W2。因此，停止层230的边缘可以被第二栅绝缘层209和第三层间绝缘层210覆盖。停止层 230可以完全覆盖牺牲层1200，并且停止层230的宽度W1可以大于牺牲层1200的宽度W3。

随后，可以提供第一有机绝缘层211和第二有机绝缘层213。第一有机绝缘层211和第二有机绝缘层213可以设置在显示区域DA中，但是可以部分地延伸到中间区域 IA。第一有机绝缘层211和第二有机绝缘层213中的每一个的端部可以设置在中间区域IA中，但是可以与第一隔断墙PW1隔开。

在提供第二有机绝缘层213之前，可以分别在第一有机绝缘层211的下面和上面提供数据线的绕行部分DL-C。

在显示区域DA中，可以在第二有机绝缘层213上提供第一电极221，并且可以在第一电极221上提供堤坝层215和间隔件217。可以通过形成电极材料层并且然后蚀刻(例如，湿法蚀刻)该电极材料层来提供第一电极221。

可以在中间区域IA中提供第一隔断墙PW1和第二隔断墙PW2。可以在形成第一有机绝缘层211和第二有机绝缘层213、堤坝层215以及间隔件217的工艺中提供第一隔断墙PW1和第二隔断墙PW2。

第一隔断墙PW1可以包括第一子隔断墙层1110、第二子隔断墙层1120、第三子隔断墙层1130和第四子隔断墙层1140的堆叠结构。第二隔断墙PW2可以包括第一子隔断墙层1210、第二子隔断墙层1220、第三子隔断墙层1230和第四子隔断墙层1240。第一隔断墙PW1的第一子隔断墙层1110和第二隔断墙PW2的第一子隔断墙层1210 可以在与第一有机绝缘层211相同的工艺中提供，并且可以与第一有机绝缘层211包括相同的材料。第二子隔断墙层1120和1220可以在与第二有机绝缘层213相同的工艺中提供，并且可以与第二有机绝缘层213包括相同的材料。第三子隔断墙层1130 和1230可以在与堤坝层215相同的工艺中提供，并且可以与堤坝层215包括相同的材料。第四子隔断墙层1140和1240可以在与间隔件217相同的工艺中提供，并且可以与间隔件217包括相同的材料。第一隔断墙PW1和第二隔断墙PW2中的每一个的相对侧可以设置在彼此隔开的停止层230上。

堤坝层215可以覆盖第一电极221的边缘。可以在堤坝层215的暴露第一电极221的一部分的开口中提供发射层222b。可以在发射层222b下面提供第一功能层222a，并且/或者可以在发射层222b上面提供第二功能层222c。随后，可以提供第二电极223 和封盖层225。

第一功能层222a、第二功能层222c、第二电极223和封盖层225可以基本上覆盖基板100。关于上述，图10A示出了第一功能层222a、第二功能层222c、第二电极 223和封盖层225通过虚设孔209dh和210dh设置在停止层230上。第一功能层222a、第二功能层222c、第二电极223和封盖层225也可以设置在第一隔断墙PW1和第二隔断墙PW2上。

如果第一功能层222a、第二功能层222c和第二电极223完全覆盖基板100的上表面并且不包括开口，则裂纹可能会出现在这些层中，并且/或者湿气可能通过这些层进入发光二极管。为了在这些层中形成开口，第一功能层222a的部分和第二功能层222c 的部分以及第二电极223的部分可以(在中间区域IA中)被照射到基板100的激光束去除。

激光束可以在+z方向上照射，并且可以穿过基板100的下表面100r并且随后穿过基板100的上表面100t。可以多次照射激光束。可以改变激光束的类型、输出、尺寸和/或照射范围。在一些实施例中，可以基于第二电极223的带隙来设定激光的输出。

第二电极223的设置在中间区域IA中的部分和封盖层225的设置在中间区域IA 中的部分可以(通过激光剥离工艺)被激光束去除。关于上述，图10B示出了通过去除第二电极223的设置在中间区域IA中的部分和封盖层225的设置在中间区域IA中的部分而形成的第二电极223的第二开口部分223oh和封盖层225的第三开口部分 225oh。第二电极223的第二开口部分223oh和封盖层225的第三开口部分225oh中的每一个可以是设置在中间区域IA中的单个开口部分。第一开口部分223oh和第二开口部分225oh可以围绕开口区域OA。

在实施例中，第二电极223的边缘部分223ep可以设置在显示区域DA和第一隔断墙PW1之间，边缘部分223ep限定第二开口部分223oh的轮廓。封盖层225的边缘可以设置在第二电极223的边缘部分223ep上，该边缘限定第三开口部分225oh的轮廓。第二开口部分223oh的轮廓和第三开口部分225oh的轮廓可以比第一隔断墙PW1 更靠近显示区域DA。换句话说，第一隔断墙PW1和第二隔断墙PW2可以设置在第二开口部分223oh和第三开口部分225oh中。

在上述激光剥离工艺期间，牺牲层1200可以吸收激光束并且被加热到一定温度，并且设置在牺牲层1200上面的层可以与牺牲层1200一起被去除。根据本公开的实施例，因为牺牲层1200在上述形成像素电路PC的工艺中形成，所以在没有用于形成牺牲层1200的附加的掩模工艺的情况下，设置在牺牲层1200上的至少一个绝缘层的一部分可以与牺牲层1200一起被去除。例如，设置在牺牲层1200上面的第二层间绝缘层207的一部分、停止层230的一部分、有机材料层222o的一部分(具体地，第一功能层222a的一部分和第二功能层222c的一部分)也可以被去除。图10B示出了有机材料层222o的第一开口部分222oh、停止层230的开口部分230oh和第二层间绝缘层 207的开口部分207oh，开口部分230oh和开口部分207oh在第一开口部分222oh下面。

当有机材料层222o包括第一功能层222a和第二功能层222c时，有机材料层222o的第一开口部分222oh可以与第一功能层222a的开口部分222aoh和第二功能层222c 的开口部分222coh重叠。停止层230可以包括设置在开口部分230oh的相对侧处的第一部分230a和第二部分230b。

分开部分222op可以被有机材料层222o的第一开口部分222oh分开。当有机材料层222o包括第一功能层222a和第二功能层222c时，分开部分222op可以包括第一功能层222a的分开部分222ap和第二功能层222c的分开部分222cp。有机材料层222o 的分开部分222op可以通过第一开口部分222oh彼此分离。第一开口部分222oh可以设置在第一隔断墙PW1和第二隔断墙PW2中的每一个的相对侧处。第一隔断墙PW1 和第二隔断墙PW2可以被分开部分222op(例如，第一功能层222a的分开部分222ap 和第二功能层222c的分开部分222cp)覆盖。

参考图10C，可以在参考图10B描述的结构上提供封装层300和输入感测层400。

封装层300的第一无机封装层310可以完全覆盖基板100。可以通过化学气相沉积等提供第一无机封装层310。因为牺牲层1200在上述激光剥离工艺中被去除，所以第一无机封装层310可以直接接触第一层间绝缘层205的通过第二层间绝缘层207的开口部分207oh暴露的上表面。

因为第一无机封装层310具有相对优异的台阶覆盖率，所以第一无机封装层310可以覆盖第二电极223的边缘部分223ep。即使当如上面参考图7所述，第一无机封装层310覆盖第二电极223的边缘部分223ep时，也存在相对高的在边缘部分223ep 周围出现裂纹的可能性，但是因为第二电极223的边缘部分223ep被有机封装层320 覆盖，所以可以最小化或防止不需要的裂纹。

可以通过喷墨方法通过涂覆单体并且然后固化该单体来形成有机封装层320，并且有机封装层320可以包括在固化单体时提供的树脂。有机封装层320的具体材料可以与上述材料相同。

可以通过化学气相沉积等在有机封装层320上提供第二无机封装层330。第二无机封装层330可以在中间区域IA的不提供有机封装层320的部分中和开口区域OA中直接接触第一无机封装层310。例如，第二无机封装层330可以在有机封装层320的边缘320e和开口区域OA之间直接接触第一无机封装层310；因此，可以最小化或防止湿气渗透。

随后，可以提供第一触摸绝缘层411，并且可以在第一触摸绝缘层411上面提供平坦化绝缘层401。可以在中间区域IA和开口区域OA中提供平坦化绝缘层401。平坦化绝缘层401可以不覆盖显示区域DA。在图10C中所示的制造工艺期间，平坦化绝缘层401可以仅存在于中间区域IA和开口区域OA中。接下来，可以提供第二触摸绝缘层412、第三触摸绝缘层430和第四触摸绝缘层450。

随后，参考图10C和图10D，使用激光切割等沿着切割线CL切割开口区域OA，使得显示面板10可以包括在开口区域OA中的开口10H。

参考图10A至图10D，可以在与存储电容器Cst的上电极CE2相同的工艺中提供牺牲层1200。因此，牺牲层1200与存储电容器Cst的上电极CE2包括相同的材料并且与存储电容器Cst的上电极CE2设置在同一层上。

在另一示例中，可以在与存储电容器Cst(参见图10A)的下电极CE1(参见图 10A)和/或第一晶体管T1(参见图10A)的第一栅电极GE1(参见图10A)相同的工艺中提供牺牲层1200。例如，牺牲层1200可以与存储电容器Cst的下电极CE1和/或第一晶体管T1的第一栅电极GE1直接设置在同一层(例如，第一栅绝缘层203)上。可以如上面参考图10B所述去除牺牲层1200以形成图11中图示的结构。

图11是在根据另一实施例的显示面板的有机材料层222o的第一开口部分222oh周围的结构的截面图。图11可以与图7的修改的示例相对应。

参考图11，有机材料层222o的第一开口部分222oh可以与设置在有机材料层222o下面的停止层230和在至少一个绝缘层中提供的开口重叠(并且暴露在有机材料层 222o下面的停止层230和至少一个绝缘层中提供的开口)。设置在有机材料层222o下面的停止层230可以包括与第一开口部分222oh重叠的开口部分230oh。第二层间绝缘层207和第一层间绝缘层205可以设置在停止层230下面。第二层间绝缘层207和第一层间绝缘层205可以分别包括开口部分207oh和205oh，开口部分207oh和205oh 与第一开口部分222oh重叠。

有机材料层222o可以包括第一功能层222a和第二功能层222c。在这种情况下，如上所述，第一功能层222a的开口部分222aoh和第二功能层222c的开口部分222coh 可以彼此重叠以构成第一开口部分222oh。

停止层230可以包括在开口部分230oh的相对侧处的第一部分230a和第二部分230b。有机材料层222o的设置在第一开口部分222oh的相对侧处的分开部分可以分别设置在停止层230的第一部分230a和第二部分230b上面。

第一无机封装层310可以通过有机材料层222o的第一开口部分222oh、停止层230的第三开口部分230oh以及第二层间绝缘层207的开口部分207oh和第一层间绝缘层 205的开口部分205oh直接接触第一栅绝缘层203。如上面参考图7所述，第一无机封装层310可以覆盖第二电极223的边缘部分223ep。

图12A至图12E是图示在根据另一实施例的显示面板的制造工艺中形成的结构的截面图。

参考图12A，形成设置在牺牲层1200周围的金属叠层240的工艺可以被进一步包括在上面参考图10A所述的工艺中。金属叠层240可以包括直接设置在不同的绝缘层上并且彼此重叠的多个金属层。图12A示出了金属叠层240包括第一金属层241和第二金属层242。金属叠层240可以包括三个或更多个金属层。

第一金属层241和第二金属层242中的一个可以与牺牲层1200直接设置在同一绝缘层上，并且另一个可以与牺牲层1200直接设置在不同的绝缘层上。在实施例中，类似于牺牲层1200，第一金属层241可以直接设置在第一层间绝缘层205上，并且可以与牺牲层1200在同一工艺中提供/形成。第一金属层241可以与牺牲层1200包括相同的材料。可以在提供牺牲层1200之前提供第二金属层242。第二金属层242可以在与第一晶体管T1的第一栅电极GE1相同的工艺中直接设置在同一第一栅绝缘层203上。

第二金属层242可以与第一栅电极GE1包括相同的材料。

金属叠层240可以包括与牺牲层1200相对应的开口部分240oh。关于上述，图12A示出了第一金属层241和第二金属层242分别包括开口部分241oh和242oh。第一金属层241的开口部分241oh和第二金属层242的开口部分242oh可以与牺牲层1200 重叠，并且彼此重叠的第一金属层241的开口部分241oh和第二金属层242的开口部分242oh可以构成金属叠层240的开口部分240oh。

可以在提供牺牲层1200和金属叠层240之后提供停止层230，并且可以在停止层230上面提供第一隔断墙PW1和第二隔断墙PW2。

在显示区域DA中，可以在第一电极221上提供第一功能层222a、发射层222b、第二功能层222c、第二电极223和封盖层225。与发射层222b不同，第一功能层222a、第二功能层222c、第二电极223和封盖层225可以完全覆盖基板100，并且激光束可以穿过基板100的后表面100r并且随后穿过上表面100t照射。

图12A的激光可以(在类型、输出、尺寸和/或照射范围上)不同于上面参考图 10A所述的激光。在一些实施例中，与以上参考图10A描述的工艺相比，可以减少激光照射的次数和时间。

可以通过激光(通过激光剥离工艺)去除设置在牺牲层1200上面的层的部分，以形成有机材料层222o的第一开口部分222oh、第二电极223的第二开口部分223oh和封盖层225的第三开口部分225oh。第一开口部分222oh、第二开口部分223oh和第三开口部分225oh可以彼此重叠并且可以位于图12B中图示的第二层间绝缘层207的开口部分207oh和停止层230的开口部分230oh上面。停止层230可以包括在开口部分 230oh的相对侧处的第一部分230a和第二部分230b。可以在激光剥离工艺期间去除牺牲层1200，并且关于这一点，图12A示出了在第二层间绝缘层207中提供开口部分 207oh。

当有机材料层222o包括第一功能层222a和第二功能层222c时，有机材料层222o的第一开口部分222oh可以包括第一功能层222a的开口部分222aoh和第二功能层 222c的开口部分222coh。有机材料层222o可以包括在中间区域IA中被第一开口部分 222oh彼此分开的分开部分222op。如图12B中所示，有机材料层222o的分开部分222op 中的每一个可以包括第一功能层222a的分开部分222ap和第二功能层222c的分开部分222cp，并且可以分别覆盖第一隔断墙PW1和第二隔断墙PW2中的一个。

有机材料层222o的第一开口部分222oh可以在中间区域IA中彼此隔开。一个第一开口部分222oh可以设置在显示区域DA和第一隔断墙PW1之间，另一第一开口部分222oh可以设置在第一隔断墙PW1和第二隔断墙PW2之间，并且另一第一开口部分222oh可以设置在第二隔断墙PW2和开口区域OA之间。

当在与图12A相关联的激光剥离工艺中相对减少激光照射的时间和次数时，与图10B中所示的不同，第二电极223的一部分和封盖层225的一部分可以存在于第一隔断墙PW1和第二隔断墙PW2中的每一个的上面。

在参考图12A描述的激光剥离工艺期间，照射到基板100的激光束不仅可以照射到牺牲层1200，而且可以照射到金属叠层240(例如，第一金属层241和第二金属层 242)。

金属叠层240包括多个金属层并且可以具有与牺牲层1200的功能不同的功能。例如，金属叠层240可以防止激光束朝向设置在金属叠层240上面的第一隔断墙PW1 和第二隔断墙PW2行进。因此，可以不去除存在于金属叠层240上面的第二电极223 的分开部分223p和封盖层225的分开部分225p。

第二电极223可以包括在中间区域IA中被第二开口部分223oh分开的分开部分223p。类似地，封盖层225也可以包括在中间区域IA中被第三开口部分225oh分开的分开部分225p。第二电极223的分开部分223p和封盖层225的分开部分225p可以具有与有机材料层222o的分开部分222op基本上相同的图案，并且可以设置在有机材料层222o的分开部分222op上。

设置在第二开口部分223oh的相对侧处的第二电极223的边缘部分223ep和/或分开部分223p的边缘部分223ep'可以具有不规则的形状(像上面参考图7所述的第二电极223的边缘部分223ep一样)。

分开部分223p的边缘部分223ep'的位置可以根据被金属叠层240阻挡的激光束的量而被改变。为了使用在垂直于基板100的下表面100r的z方向上投射的激光束，金属叠层240的一部分的宽度W4可以大于第一隔断墙PW1的宽度W5和第二隔断墙 PW2的宽度W6中的每一个。

在比较示例中，当金属叠层240的与第一隔断墙PW1和第二隔断墙PW2重叠的部分的宽度W4小于第一隔断墙PW1的宽度W5和第二隔断墙PW2的宽度W6中的每一个时，激光束可以去除第二电极223。结果，第二电极223的分开部分223p的边缘部分223ep'可以位于第一隔断墙PW1的侧面和第二隔断墙PW2的侧面。因此，明显的裂纹可能由于边缘部分223ep'的不规则的形状而出现。

然而，如在实施例中，当金属叠层240的设置在邻近的开口部分240oh之间的部分的宽度W4大于第一隔断墙PW1的宽度W5和第二隔断墙PW2的宽度W6中的每一个时，边缘部分223ep'可以被控制为在期望的位置处，并且如将稍后描述的图12C 中所示，可以执行通过使用包括有机绝缘层的层来覆盖边缘部分223ep'的工艺。

金属叠层240可以包括第一金属层241和第二金属层242，并且在实施例中，图 12B示出了第一金属层241的在邻近的开口部分241oh之间的部分的宽度和第二金属层242的在邻近的开口部分242oh之间的部分的宽度具有相同的宽度(例如，宽度 W4)。然而，本公开不限于此。

在另一实施例中，选自金属叠层240中包括的第一金属层241和第二金属层242 当中的任何一个的一部分可以被提供为具有上述宽度W4。例如，第一金属层241的在邻近的开口部分241oh之间的部分的宽度可以小于第一隔断墙PW1和第二隔断墙 PW2中的对应的一个的宽度，并且第二金属层242的在邻近的开口部分242oh之间的部分的宽度可以大于第一隔断墙PW1和第二隔断墙PW2中的对应的一个的宽度。在另一实施例中，第一金属层241的在邻近的开口部分241oh之间的部分的宽度可以大于第一隔断墙PW1和第二隔断墙PW2中的对应的一个的宽度，并且第二金属层242 的在邻近的开口部分242oh之间的部分的宽度可以小于第一隔断墙PW1和第二隔断墙 PW2中的对应的一个的宽度。

参考图12C，可以在上面参考图12B所述的结构上提供第一无机封装层310。

第一无机封装层310可以完全覆盖基板100。因为第一无机封装层310具有相对优异的台阶覆盖率，所以第一无机封装层310可以覆盖第二电极223的边缘部分223ep 和分开部分223p的边缘部分223ep'。因为边缘部分223ep和223ep'是具有不规则形状的毛刺，所以即使当第一无机封装层310覆盖第二电极223的一部分(例如，边缘部分223ep)时，出现裂纹的概率也可能是相对高的。然而，参考图12D，边缘部分223ep 和223ep'被有机绝缘材料层覆盖，使得可以最小化或防止裂纹。第一无机封装层310 可以直接接触第一层间绝缘层205。

参考图12D，可以在第一无机封装层310上提供有机封装层320和第二无机封装层330，并且可以在封装层300上提供输入感测层400和平坦化绝缘层401。封装层 300可以包括第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。形成封装层300、输入感测层400和平坦化绝缘层401的工艺如上面参考图10C所述，并且形成图12D中所示的实施例中的有机封装层320的工艺不同于上面参考图10C所述的工艺。

在形成有机封装层320的工艺中，有机绝缘材料中的大部分可以覆盖显示区域DA，但是有机绝缘材料中的一些可能会移动到第一隔断墙PW1和第二隔断墙PW2 之间的空间。图12D示出了设置在第一隔断墙PW1和第二隔断墙PW2之间的第一有机绝缘材料部分/构件320M1和第二有机绝缘材料部分/构件320M2。第一有机绝缘材料部分320M1和第二有机绝缘材料部分320M2可以各自与有机封装层320包括相同的材料。

有机封装层320可以与第二电极223的设置在显示区域DA和第一隔断墙PW1之间的边缘部分223ep重叠并且覆盖第二电极223的设置在显示区域DA和第一隔断墙 PW1之间的边缘部分223ep，并且可以覆盖第二电极223的设置在第一隔断墙PW1上的分开部分的一侧的边缘部分223ep'。类似地，第一有机绝缘材料部分320M1和第二有机绝缘材料部分320M2可以覆盖第一隔断墙PW1和第二隔断墙PW2之间的边缘部分223ep'。

第一有机绝缘材料部分320M1和第二有机绝缘材料部分320M2可以彼此隔开。第一有机绝缘材料部分320M1可以设置在第一隔断墙PW1的面对第二隔断墙PW2的一侧。第二有机绝缘材料部分320M2可以设置在第二隔断墙PW2的面对第一隔断墙 PW1的一侧。

图12D示出了设置在第一隔断墙PW1和第二隔断墙PW2之间的第一有机绝缘材料部分320M1和第二有机绝缘材料部分320M2，但是本公开不限于此。在另一实施例中，第一有机绝缘材料部分320M1和第二有机绝缘材料部分320M2中的至少一个可以是可选的。

在提供图12D中所示的结构之后，可以通过例如激光切割沿着切割线CL去除设置在开口区域OA中的层的部分。结果，如图12E中所示，可以提供显示面板10的设置在开口区域OA中的开口10H。

图13示意性地图示了图12E中所示的区域XIII。参考图13，有机材料层222o的第一开口部分222oh可以与设置在有机材料层222o下面的停止层230的开口部分 230oh重叠，并且停止层230的开口部分230oh可以与设置在停止层230下面的第二层间绝缘层207的开口部分207oh重叠。有机材料层222o的设置在第一开口部分222oh 的相对侧处的分开部分可以设置在停止层230的第一部分230a和第二部分230b上。有机材料层222o可以包括第一功能层222a和第二功能层222c。第一功能层222a的开口部分222aoh和第二功能层222c的开口部分222coh可以彼此重叠并且构成上述第一开口部分222oh。

第二电极223可以包括与第一开口部分222oh重叠的第二开口部分223oh，并且封盖层225可以包括与第一开口部分222oh重叠的第三开口部分225oh。设置在第二开口部分223oh的相对侧处的第二电极223的边缘部分223ep和分开部分223p的边缘部分223ep'可以被第一无机封装层310覆盖，可以直接接触第一无机封装层310，并且可以被有机封装层320覆盖。

金属叠层240的开口部分240oh可以与第二层间绝缘层207的开口部分207oh重叠。当金属叠层240包括第一金属层241和第二金属层242时，金属叠层240的开口部分240oh可以包括彼此重叠的第一金属层241的开口部分241oh和第二金属层242 的开口部分242oh。第一金属层241的开口部分241oh的宽度可以大于第二层间绝缘层207的开口部分207oh的宽度，并且第二层间绝缘层207的开口部分207oh可以设置在第一金属层241的开口部分241oh中。第二金属层242的开口部分242oh的宽度可以大于第二层间绝缘层207的开口部分207oh的宽度。

第一无机封装层310可以通过第一开口部分至第三开口部分222oh、223oh和225oh、停止层230的开口部分230oh和第二层间绝缘层207的开口部分207oh直接接触第一层间绝缘层205。

图14是在根据实施例的显示面板的有机材料层222o的第一开口部分222oh周围的结构的截面图。图14包括上面参考图13所述的一些结构和一些不同的结构。参考图14，可以在第一层间绝缘层205中形成开口部分205oh，并且金属叠层240中包括的金属层的位置可以与图13中图示的位置不同。

参考图12A至图12E，牺牲层1200与存储电容器Cst的上电极CE2包括相同的材料并且形成在同一层上，并且因此，在设置在牺牲层1200上的第二层间绝缘层207 中提供开口部分207oh。在另一实施例中，牺牲层1200可以在与存储电容器Cst(参见图10A)的下电极CE1(参见图10A)和/或第一晶体管T1(参见图10A)的第一栅电极GE1(参见图10A)相同的工艺中形成，并且可以分别在第一层间绝缘层205 和第二层间绝缘层207中提供开口部分205oh和207oh。

金属叠层240可以包括多个金属层，并且在实施例中，图14示出了金属叠层240 包括第一金属层241和第二金属层242，第一金属层241设置在停止层230上面，并且第二金属层242设置在停止层230下面。第一金属层241可以直接设置在第二栅绝缘层209上，并且第二金属层242可以直接设置在第一栅绝缘层203上。

第一金属层241和第二金属层242可以分别包括与停止层230的开口部分230oh 重叠的开口部分241oh和242oh。开口部分241oh和242oh的尺寸可以不同。第一金属层241的开口部分241oh的尺寸可以大于第二金属层242的开口部分242oh的尺寸。

第一金属层241可以被设置在第三层间绝缘层210和/或第一隔断墙PW1的第一子隔断墙层1110上的第一有机绝缘层211覆盖。第一金属层241的与第一隔断墙PW1 重叠的部分的宽度可以小于第一隔断墙PW1的宽度，但是第二金属层242的与第一隔断墙PW1重叠的部分的宽度可以大于第一隔断墙PW1的宽度。第二金属层242可以在水平方向(x方向)上延伸超过第一隔断墙PW1的边缘PWE。

根据本公开的实施例，可以有益地防止或最小化包括开口的显示面板和包括该显示面板的电子装置中的不需要的湿气渗透和/或裂纹。根据实施例，优点在于在不增加工艺的情况下，可以制造具有上述结构的显示面板和电子装置。

描述的实施例应该被在说明性的意义上考虑，而不是为了限制的目的。在实施例中的每一个内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的类似特征或方面。在不脱离由所附权利要求限定的范围的情况下，可以在描述的实施例中对形式和细节进行各种改变。

Claims (10)

1.一种显示面板，包括：

具有开口的基板；

在所述开口周围的显示区域中的多个发光元件，所述多个发光元件包括第一电极、第二电极以及在所述第一电极和所述第二电极之间的中间层；

多个隔断墙，在所述显示区域和所述开口之间的中间区域中；以及

至少一个绝缘层，位于所述多个隔断墙和所述基板之间，其中，所述中间层包括从所述显示区域朝向所述中间区域延伸的有机材料层，所述有机材料层在所述中间区域中被多个第一开口部分分开，并且

所述至少一个绝缘层具有与所述多个第一开口部分重叠的多个开口部分。

2.根据权利要求1所述的显示面板，进一步包括：位于所述有机材料层和所述至少一个绝缘层之间的停止层，所述停止层具有与所述多个第一开口部分相对应的多个开口部分。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述多个隔断墙包括第一隔断墙和第二隔断墙，所述第一隔断墙最靠近所述显示区域，并且所述第二隔断墙比所述第一隔断墙更靠近所述基板的所述开口。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述第二电极包括从所述显示区域朝向所述中间区域延伸并且定位在所述中间区域中的单个第二开口部分，并且

所述第二电极的边缘部分定位在所述显示区域和所述第一隔断墙之间，所述第二电极的所述边缘部分限定所述单个第二开口部分的轮廓。

5.根据权利要求4所述的显示面板，进一步包括在所述多个发光元件上的封装层，所述封装层包括至少一个无机封装层和有机封装层，其中，所述第二电极的所述边缘部分与所述有机封装层重叠。

6.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述第二电极从所述显示区域朝向所述中间区域延伸，所述第二电极包括在所述中间区域中被多个第二开口部分分开的多个分开部分。

7.根据权利要求6所述的显示面板，进一步包括在所述多个发光元件上的封装层，所述封装层包括至少一个无机封装层和有机封装层，其中，所述多个分开部分的一个边缘部分定位在所述第一隔断墙和所述第二隔断墙之间，并且与有机绝缘材料部分重叠。

8.根据权利要求1所述的显示面板，进一步包括具有与所述多个第一开口部分相对应的开口部分的金属叠层，

其中，所述金属叠层包括在彼此不同的层上的多个金属层，并且所述多个金属层中的一个金属层位于所述至少一个绝缘层和所述基板之间。

9.根据权利要求8所述的显示面板，所述多个金属层中的一个金属层与所述多个隔断墙中的一个隔断墙重叠，所述多个金属层中的所述一个金属层具有比所述多个隔断墙中的所述一个隔断墙的宽度大的宽度。

10.一种电子装置，包括：

显示面板；以及

部件，

其特征在于，所述显示面板是根据权利要求1-9中任一项所述的显示面板，并且

所述部件在所述显示面板下面以与所述开口重叠。

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