CN218770547U - 一种大功率半导体激光器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种大功率半导体激光器，包含有激光器本体、设置在激光器本体上的数个呈梳妆结构的梳齿电极和设置在所述梳齿电极的相邻梳齿之间的物理电绝缘件。通过采用梳齿电极的梳齿结构，将电流沿着梳齿电极均匀注入到激光器的内部，使得激光器内部的电流密度人为分散开，使得整个量子阱的发光呈现均匀的分布，减少了局部热效应导致的激光器损伤，达到延长了器件的使用寿命、保证了器件的发光效率和保证了器件的输出功率的目的。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体激光器生产应用领域，具体涉及一种大功率半导体激光器。
背景技术
在现有技术中，高输出功率和长期可靠性是大功率半导体激光器得以广泛应用的前提，而灾变性光学镜面损伤一直是限制激光器最大输出功率和可靠性的重要因素。器件产生灾变性光学镜面损伤的时候，首先对激光器内部的材料造成了不可逆的损伤，使得内部材料的缺陷态增多，这严重影响了激光器内部的腔结构，缩短了该器件的使用寿命，降低了器件的发光效率和输出功率。
公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本实用新型的总体背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。
实用新型内容
为解决上述技术问题，本实用新型提出了一种大功率半导体激光器，以达到延长了器件的使用寿命、保证了器件的发光效率和保证了器件的输出功率的目的。
为达到上述目的，本实用新型的技术方案如下：
一种大功率半导体激光器，包含有激光器本体、设置在激光器本体上的数个呈梳妆结构的梳齿电极和设置在所述梳齿电极的相邻梳齿之间的物理电绝缘件。
本实用新型通过采用梳齿电极的梳齿结构，将电流沿着梳齿电极均匀注入到激光器的内部，使得激光器内部的电流密度人为分散开，使得整个量子阱的发光呈现均匀的分布，减少了局部热效应导致的激光器损伤，达到延长了器件的使用寿命、保证了器件的发光效率和保证了器件的输出功率的目的。
作为优选的，所述梳齿电极的整体宽度为50—500um，梳齿的宽度为2um—200um，梳齿之间的间距在2um—50um。
作为优选的，所述梳齿电极以及该梳齿电极上的梳齿间距为左右对称的结构设计。
作为优选的，所述梳齿电极上的梳齿采用由中心向两端电极逐步缩减的结构设计。
本实用新型具有如下优点：
1.本实用新型通过采用梳齿电极的梳齿结构，将电流沿着梳齿电极均匀注入到激光器的内部，使得激光器内部的电流密度人为分散开，使得整个量子阱的发光呈现均匀的分布，减少了局部热效应导致的激光器损伤，达到延长了器件的使用寿命、保证了器件的发光效率和保证了器件的输出功率的目的。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
图1为本实用新型实施例公开的一种大功率半导体激光器的结构示意图；
图中数字和字母所表示的相应部件名称：
1.激光器本体2.梳齿电极。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
本实用新型提供了一种大功率半导体激光器，其工作原理是通过采用梳齿电极的梳齿结构，将电流沿着梳齿电极均匀注入到激光器的内部，使得激光器内部的电流密度人为分散开，使得整个量子阱的发光呈现均匀的分布，减少了局部热效应导致的激光器损伤，达到延长了器件的使用寿命、保证了器件的发光效率和保证了器件的输出功率的目的。
下面结合实施例和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。
如图1所示，一种大功率半导体激光器，包含有激光器本体1、设置在激光器本体上的数个呈梳妆结构的梳齿电极2和设置在所述梳齿电极的相邻梳齿之间的物理电绝缘件，所述梳齿电极分立设置，物理电绝缘件设置在相互分立的梳齿电极之间。
其中：所述梳齿电极的整体宽度为50—500um，梳齿的宽度为2um—200um，梳齿之间的间距在2um—50um。
所述梳齿电极以及该梳齿电极上的梳齿间距为左右对称的结构设计(本实施例中采用的是对称结构，本技术领域的技术人员也可以根据实际的需求采用非对称结构)。
在实际应用过程中，通过将电流沿着电极均匀注入到激光器1的内部，进而改变进入激光器量子阱内的电流密度分布，从而改变激光器量子阱的热分布，保证电流分散进入量子阱而减少局部热效应导致的局部烧毁穿孔。
通过以上的方式，本实用新型所提供的一种大功率半导体激光器，可以有效的改善激光器的量子阱内部电流密度分布状态，进而提高大功率半导体激光器的使用寿命，并有效改善器件效率。
以上所述的仅是本实用新型所公开的一种大功率半导体激光器的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。
Claims (4)
1.一种大功率半导体激光器，其特征在于，包含有激光器本体、设置在激光器本体上的数个呈梳妆结构的梳齿电极和设置在所述梳齿电极的相邻梳齿之间的物理电绝缘件。
2.根据权利要求1所述的一种大功率半导体激光器，其特征在于，所述梳齿电极的整体宽度为50—500um，梳齿的宽度为2um—200um，梳齿之间的间距在2um—50um。
3.根据权利要求1或2所述的一种大功率半导体激光器，其特征在于，所述梳齿电极以及该梳齿电极上的梳齿间距为左右对称的结构设计。
4.根据权利要求1或2所述的一种大功率半导体激光器，其特征在于，所述梳齿电极上的梳齿采用由中心向两端电极逐步缩减的结构设计。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202223267003.0U CN218770547U (zh) | 2022-12-06 | 2022-12-06 | 一种大功率半导体激光器 |
Applications Claiming Priority (1)
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| CN202223267003.0U CN218770547U (zh) | 2022-12-06 | 2022-12-06 | 一种大功率半导体激光器 |
Publications (1)
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| CN218770547U true CN218770547U (zh) | 2023-03-28 |
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ID=85679578
Family Applications (1)
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| CN202223267003.0U Active CN218770547U (zh) | 2022-12-06 | 2022-12-06 | 一种大功率半导体激光器 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN218770547U (zh) |
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2022
- 2022-12-06 CN CN202223267003.0U patent/CN218770547U/zh active Active
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