CN218767271U - 它激式零磁通门电流传感器 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种它激式零磁通门电流传感器，其中，它激式零磁通门电流传感器包括：控制器、H桥驱动模块、线圈、电流保护模块和电流采样模块，其中，H桥驱动模块分别与预设电源、控制器、线圈和电流保护模块相连，电流保护模块的另一端分别与控制器和电流采样模块相连；其中，在控制器上电时，控制器控制H桥驱动模块工作以将线圈控制在磁通状态；在将线圈控制在磁通状态过程中，控制器通过电流保护模块将线圈的励磁电流限制在预设电流阈值，以将线圈控制在零磁通状态。由此，基于本实用新型的它激式零磁通门电流传感器，使线圈始终处于磁通状态，并且将线圈控制在零磁通状态，从而在降低传感器设计成本的同时，提高传感器的测量一致性。

Description

它激式零磁通门电流传感器

技术领域

本实用新型磁场传感器技术领域，尤其涉及一种它激式零磁通门电流传感器。

背景技术

在制造期间被校准以补偿电压偏置和温度漂移的磁场传感器不能充分补偿源自例如机械应力和组件老化等因素的传感器传输特性的波动，对此，相关技术通过自激荡震荡器进行磁场校准。

然而，相关技术的问题在于，调制的基准磁场的生成依赖于生成基准磁场的自激荡震荡器，这使得传感器的安装以及传感器与外部电路和组件的互连复杂化，增大了实施成本，同时，自激荡震荡器产生的基准磁场不可控，可能还会进一步地降低传感器的可靠性或精确度。

实用新型内容

本实用新型旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本实用新型的目的在于提出一种它激式零磁通门电流传感器，能够使线圈始终处于磁通状态，并且将线圈控制在零磁通状态，从而在降低传感器设计成本的同时，提高传感器的测量一致性。

为达到上述目的，本实用新型提出的它激式零磁通门电流传感器，包括：控制器、H桥驱动模块、线圈、电流保护模块和电流采样模块，其中，所述H桥驱动模块分别与预设电源、所述控制器、所述线圈和所述电流保护模块相连，所述电流保护模块的另一端分别与所述控制器和所述电流采样模块相连；其中，在所述控制器上电时，所述控制器控制所述H桥驱动模块工作以将所述线圈控制在磁通状态；在将所述线圈控制在磁通状态过程中，所述控制器通过所述电流保护模块将所述线圈的励磁电流限制在预设电流阈值，以将所述线圈控制在零磁通状态。

根据本实用新型的它激式零磁通门电流传感器，在控制器上电时，控制器控制H桥驱动模块工作以将线圈控制在磁通状态，以及，在将线圈控制在磁通状态过程中，控制器通过电流保护模块将线圈的励磁电流限制在预设电流阈值，以将线圈控制在零磁通状态。由此，使线圈始终处于磁通状态，并且将线圈控制在零磁通状态，从而在降低传感器设计成本的同时，提高传感器的测量一致性。

另外，根据本实用新型上述的它激式零磁通门电流传感器，还可以具有如下的附加技术特征：

在一些示例中，所述H桥驱动模块电路包括：第一开关管，所述第一开关管的第一端与所述预设电源相连，所述第一开关管的第二端与所述线圈的一端相连，所述第一开关管的控制端与所述控制器的第一驱动信号输出端相连；第二开关管，所述第二开关管的第一端与所述预设电源相连，所述第二开关管的第二端与所述线圈的另一端相连，所述第二开关管的控制端与所述控制器的第二驱动信号输出端相连；第三开关管，所述第三开关管的第一端与所述线圈的一端相连，所述第三开关管的第二端与所述电流保护模块的输入端相连，所述第三开关管的控制端与所述控制器的第三驱动信号输出端相连；第四开关管，所述第四开关管的第一端与所述线圈的另一端相连，所述第四开关管的第二端与所述电流保护模块的输入端相连，所述第四开关管的控制端与所述控制器的第四驱动信号输出端相连。

在一些示例中，所述第一开关管、所述第二开关管、所述第三开关管和所述第四开关管均为N型MOS管。

在一些示例中，所述电流保护模块包括：第五开关管，所述第五开关管的第一端与所述H桥驱动电路的一端相连；第一电阻，所述第一电阻的一端与所述第五开关管的第二端相连，所述第一电阻的另一端接地；第一比较器，所述第一比较器的第一输入端与所述控制器的参考电压输出端相连，所述第一比较器的第二输入端与所述第一电阻的一端相连，所述第一比较器的输出端与所述第五开关管的控制端相连。

在一些示例中，所述电流保护模块还包括：第二电阻，所述第二电阻设置在所述第一比较器的第二输入端和接地端之间。

在一些示例中，所述第五开关管为N型MOS管。

在一些示例中，所述电流采样模块包括：运算放大器，所述运算放大器的第一输入端与所述电流保护模块的一端相连，所述运算放大器的第二输入端与所述运算放大器的输出端相连，所述运算放大器的输出端与所述控制器的ADC采样端相连。

在一些示例中，所述电流采样模块还包括：第三电阻，所述第三电阻设置在所述运算放大器的第二输入端与所述运算放大器的输出端之间。

在一些示例中，所述它激式零磁通门电流传感器还包括：滤波模块；其中，所述滤波模块的一端与所述预设电源相连，所述滤波电路的另一端与所述H桥驱动模块相连。

在一些示例中，所述滤波模块包括：第一滤波回路，所述第一滤波回路包括第一电容和第二电容，其中，所述第一电容的一端与所述第二电容的一端相连后与所述预设电源相连，所述第一电容的另一端与所述第二电容的另一端相连后与接地端相连；第二滤波回路，所述第二滤波回路包括第三电容和第四电容，其中，所述第三电容的一端与所述第四电容的一端相连后与所述预设电源相连，所述第三电容的另一端与所述第四电容的另一端相连后与接地端相连。

本实用新型附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。

附图说明

图1是根据本实用新型的它激式零磁通门电流传感器的结构示意图；

图2是根据本实用新型一个具体实施例的它激式零磁通门电流传感器的电气原理图。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。

下面参考附图描述本实用新型实施例的它激式零磁通门电流传感器。

实施例一

图1是根据本实用新型的它激式零磁通门电流传感器的结构示意图。

具体地，在本实用新型的一些实施例中，如图1所示，它激式零磁通门电流传感器100包括：控制器10、H桥驱动模块20、线圈30、电流保护模块40和电流采样模块50。

具体而言，H桥驱动模块20分别与预设电源VCC、控制器10、线圈30和电流保护模块40相连，电流保护模块40的另一端分别与控制器10和电流采样模块50相连；其中，在控制器10上电时，控制器10控制H桥驱动模块20工作以将线圈30控制在磁通状态；在将线圈30控制在磁通状态过程中，控制器10通过电流保护模块40将线圈的励磁电流限制在预设电流阈值，以将线圈30控制在零磁通状态。

可以理解的是，在本实用新型的该实施例中，在控制器10上电时，控制器10可以通过向H桥驱动模块20发出带有互补性的PWM驱动信号，以便于H桥驱动模块20根据PWM驱动信号进行工作，从而通过H桥驱动模块使线圈30始终处于磁通状态(小电流磁通饱和状态)，同时，在将线圈30控制在磁通状态过程中，电流保护模块40的输入端可以通过H桥驱动模块20实时接收线圈30的励磁电流，进而结合控制器10输出的参考电压将线圈的励磁电流限制在预设电流阈值，以将线圈控制在零磁通状态，从而通过合理的PWM信号校正和电流保护校正，实现对线圈30的磁场调零和精度控制。

其中，预设电流阈值可以随着控制器10输出的参考电压的变化而变化，参考电压越大，则预设电流阈值越大。

实施例二

进一步地，在本实用新型的一些实施例中，如图2所示，H桥驱动模块电路20包括：第一开关管Q1、第二开关管Q2、第三开关管Q3和第四开关管Q4。

具体地，如图2所示，第一开关管Q1的第一端与预设电源VCC相连，第一开关管Q1的第二端与线圈30的一端相连，第一开关管Q1的控制端与控制器10的第一驱动信号输出端相连；第二开关管Q2的第一端与预设电源VCC相连，第二开关管Q2的第二端与线圈30的另一端相连，第二开关管Q2的控制端与控制器10的第二驱动信号输出端相连；第三开关管Q3的第一端与线圈30的一端相连，第三开关管Q3的第二端与电流保护模块40的输入端相连，第三开关管Q3的控制端与控制器10的第三驱动信号输出端相连；第四开关管Q4的第一端与线圈30的另一端相连，第四开关管Q4的第二端与电流保护模块40的输入端相连，第四开关管Q4的控制端与控制器10的第四驱动信号输出端相连。

可以理解的是，控制器10可以通过第一驱动信号输出端输出的PWM信号控制第一开关管Q1的导通与关断，通过第二驱动信号输出端输出的PWM信号控制第二开关管Q2的导通与关断，通过第三驱动信号输出端输出的PWM信号控制第三开关管Q3的导通与关断，通过第四驱动信号输出端输出的PWM信号控制第四开关管Q4的导通与关断，从而实现对H桥驱动模块20的全桥电路模式控制。

具体而言，由于第一开关管Q1、第二开关管Q2、第三开关管Q3和第四开关管Q4关断时的控制端信号可以是高电平(如，1.8V、3.3V或5V等)或低电平(如，0V)，因此，第一开关管Q1、第二开关管Q2、第三开关管Q3和第四开关管Q4导通时的控制端信号可以是低电平或高电平，具体第一开关管Q1、第二开关管Q2、第三开关管Q3和第四开关管Q4导通与关断时的控制端信号相反。

那么，在实用新型的该实施例中，可以通过控制器10向H桥驱动模块20输出互补的PWM信号，以使线圈30始终处于磁通状态，例如，以第一开关管Q1、第二开关管Q2、第三开关管Q3和第四开关管Q4导通时的控制端信号为高电平为例，假设控制器10的第一驱动信号输出端输出的PWM信号为高电平信号、第二驱动信号输出端输出的PWM信号为低电平信号、第三驱动信号输出端输出的PWM信号为低电平信号和第四驱动信号输出端输出的PWM信号为高电平信号，此时，第一开关管Q1导通、第二开关管Q2关断、第三开关管Q3关断和第四开关管Q4导通，预设电源VCC经过第一开关管Q1流经线圈30，再由第四开关管Q4流出至电流保护模块40的输入端，线圈30处于(正向)磁通状态。

反之，控制器10的第一驱动信号输出端输出的PWM信号为低电平信号、第二驱动信号输出端输出的PWM信号为高电平信号、第三驱动信号输出端输出的PWM信号为高电平信号和第四驱动信号输出端输出的PWM信号为低电平信号，此时，第一开关管Q1关断、第二开关管Q2导通、第三开关管Q3导通和第四开关管Q4关断，预设电源VCC经过第二开关管Q2流经线圈30，再由第三开关管Q3流出至电流保护模块40的输入端，线圈30处于(反向)磁通状态。

换言之，在本实用新型的上述实施例中，可以通过控制器10持续输出相应的PWM信号控制H桥驱动模块20中的第一开关管Q1、第二开关管Q2、第三开关管Q3和第四开关管Q4的导通与关断，以使线圈30在(正向)磁通状态和(反向)磁通状态之间进行不间断的切换，从而使线圈30始终处于磁通状态，减少线圈30的磁滞问题。

实施例三

进一步地，在本实用新型的一些实施例中，第一开关管Q1、第二开关管Q2、第三开关管Q3和第四开关管Q4均为N型MOS管。

可选地，在本实用新型的该实施例中，可以采用N型MOS管作为第一开关管Q1、第二开关管Q2、第三开关管Q3和第四开关管Q4，从而利用N型MOS管的工作特性实现第一开关管Q1、第二开关管Q2、第三开关管Q3和第四开关管Q4的导通和关断控制。

需要说明的是，在实用新型实施例中，可以不对第一开关管Q1、第二开关管Q2、第三开关管Q3和第四开关管Q4进行具体限定，只要第一开关管Q1、第二开关管Q2、第三开关管Q3和第四开关管Q4可以满足线圈30始终工作在磁通状态即可，例如，第一开关管Q1、第二开关管Q2、第三开关管Q3和第四开关管Q4可以为P型MOS管。

实施例四

进一步地，在本实用新型的一些实施例中，如图2所示，电流保护模块40包括：第五开关管Q5、第一电阻R1和第一比较器TR1。

具体地，如图2所示，第五开关管Q5的第一端与H桥驱动电路20的一端相连；第一电阻R1的一端与第五开关管Q5的第二端相连，第一电阻R1的另一端接地；第一比较器TR1的第一输入端与控制器10的参考电压输出端相连，第一比较器TR1的第二输入端与第一电阻R1的一端相连，第一比较器TR1的输出端与第五开关管Q5的控制端相连。

具体而言，在本实用新型的该实施例中，由于第五一开关管Q5关断时的控制端信号可以是高电平(如，1.8V、3.3V或5V等)或低电平(如，0V)，因此，第五开关管Q5导通时的控制端信号可以是低电平或高电平，具体第五开关管Q5导通与关断时的控制端信号相反。

可以理解的是，在本实用新型的该实施例中，在通过控制器10控制H桥驱动模块20将线圈30控制在磁通状态的过程中，可以由H桥驱动模块20的一端引出一路励磁电流至第五开关管Q5的第一端，进而通过第五开关管Q5的第二端流至第一电阻R1的一端，并通过第一电阻R1的一端产生相应的采样电压流至第一比较器TR1的第二输入端，进而结合控制器10的参考电压输出端输出至第一比较器TR1的第一输入端的参考电压，使第一比较器TR1的输出端输出相应的控制信号至第五开关管Q5的控制端，以控制第五开关管Q5的导通与关断，从而将线圈的励磁电流限制在预设电流阈值，以将线圈控制在零磁通状态。

举例而言，假设第五开关管Q5导通时的控制端信号为高电平，参考电压为5V，那么，当励磁电流对应的采样电压为3V时，由于3V＜5V，第一比较器TR1的输出端输出的是高电平信号，第五开关管Q5处于导通状态，此时，可以通过电流采样模块50进行电流采样，反之，当励磁电流对应的采样电压为6V时，由于6V＞5V，第一比较器TR1的输出端输出的是低电平信号，第五开关管Q5处于关断状态，此时，可以通过调整控制器10输出的PWM驱动信号调整励磁电流的大小，直至励磁电流对应的采样电压恢复至参考电压之下(即将线圈的励磁电流限制在预设电流阈值，以将线圈控制在零磁通状态)，从而实现对线圈30的磁偏移校正。

实施例五

可选地，在本实用新型的一些实施例中，第五开关管Q5为N型MOS管。

需要说明的是，在实用新型实施例中，可以不对第五开关管Q5进行具体限定，只要第五开关管Q5可以满足将线圈的励磁电流限制在预设电流阈值，以将线圈控制在零磁通状态即可，例如，第五开关管Q5可以为N型MOS管。

实施例六

进一步地，在本实用新型的一些实施例中，如图2所示，电流保护模块40还包括：第二电阻R2，其中，第二电阻R2设置在第一比较器TR1的第二输入端和接地端之间。

具体而言，如图2所示，在本实用新型的该实施例中，第二电阻R2可以作为第一比较器TR1的第二输入端的下拉电阻，当控制器10未上电时，可以使第一比较器TR1的第二输入端处于低电位状态，从而确保第五开关管Q5在空闲状态下始终处于导通状态。

进一步地，在本实用新型的一些实施例中，如图2所示，电流采样模块50包括：运算放大器TR2，其中，运算放大器TR1的第一输入端与电流保护模块40的一端相连，运算放大器TR2的第二输入端与运算放大器TR2的输出端相连，运算放大器TR2的输出端与控制器10的ADC采样端相连。

具体而言，如图2所示，在本实用新型的该实施例中，在第五开关管Q5导通时，励磁电流可以通过第五开关管Q5流至第一电阻R1的一端，进而产生与励磁电流相对应的采样电压并流至运算放大器TR2的第一输入端，同时，运算放大器TR2的输出端分别与运算放大器TR2的第二输入端和控制器10的ADC采样端相连，以便于控制器10可以通过ADC采样端接收运算放大器TR2输出端出的采样信号，从而对采样进行处理后获得高精度的采样电流值。

实施例七

进一步地，在本实用新型的一些实施例中，如图2所示，电流采样模块50还包括：第三电阻R3，其中，第三电阻R3设置在运算放大器TR2的第二输入端与运算放大器TR2的输出端之间。

具体而言，由于长线传输中电阻不匹配容易引起反射波干扰，因此，在本实用新型的该实施例中，第三电阻R3可以作为运算放大器TR2的第二输入端的下拉电阻，从而有效抑制运算放大器TR2的第二输入端与运算放大器TR2的输出端之间的反射波干扰，提升电流采样精度。

实施例八

进一步地，如图2所示，在本实用新型的一些实施例中，它激式零磁通门电流传感器100还包括：滤波模块60。

具体而言，如图2所示，滤波模块60的一端与预设电源VCC相连，滤波电路60的另一端与H桥驱动模块20相连。

可以理解的是，在本实用新型的该实施例中，还可以在预设电源VCC和H桥驱动模块20之间设置滤波模块60，以便于通过滤波模块60将预设电源VCC端的电流谐波进行抑制，从而更好地使线圈30始终保持在零磁通状态。

实施例九

进一步地，如图2所示，在本实用新型的一些实施例中，滤波模块60包括：第一滤波回路601和第二滤波回路602。

具体而言，如图2所示，第一滤波回路601包括第一电容C1和第二电容C2，其中，第一电容C1的一端与第二电容C2的一端相连后与预设电源VCC相连，第一电容C1的另一端与第二电容C2的另一端相连后与接地端相连；第二滤波回路602包括第三电容C3和第四电容C4，其中，第三电容C3的一端与第四电容C4的一端相连后与预设电源VCC相连，第三电容C3的另一端与第四电容C4的另一端相连后与接地端相连。

可以理解的是，在本实用新型的该实施例中，可以将包括第一电容C1和第二电容C2的第一滤波回路601和将包括第三电容C3和第四电容C4的第二滤波回路602设置在预设电源VCC和H桥驱动模块20之间，从而通过第一滤波回路601和第二滤波回路602对预设电源VCC端的电流谐波进行滤除，从而更好地使线圈30始终保持在零磁通状态。

综上，根据本实用新型的它激式零磁通门电流传感器，在控制器上电时，控制器控制H桥驱动模块工作以将线圈控制在磁通状态，以及，在将线圈控制在磁通状态过程中，控制器通过电流保护模块将线圈的励磁电流限制在预设电流阈值，以将线圈控制在零磁通状态。由此，使线圈始终处于磁通状态，并且将线圈控制在零磁通状态，从而在降低传感器设计成本的同时，提高传感器的测量一致性。

应当理解，本实用新型的各部分可以用硬件、软件、固件或它们的组合来实现。在上述实施方式中，多个步骤或方法可以用存储在存储器中且由合适的指令执行系统执行的软件或固件来实现。例如，如果用硬件来实现，和在另一实施方式中一样，可用本领域公知的下列技术中的任一项或他们的组合来实现：具有用于对数据信号实现逻辑功能的逻辑门电路的离散逻辑电路，具有合适的组合逻辑门电路的专用集成电路，可编程门阵列(PGA)，现场可编程门阵列(FPGA)等。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

尽管上面已经示出和描述了本实用新型的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本实用新型的限制，本领域的普通技术人员在本实用新型的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (10)

1.一种它激式零磁通门电流传感器，其特征在于，所述它激式零磁通门电流传感器包括：控制器、H桥驱动模块、线圈、电流保护模块和电流采样模块，其中，

所述H桥驱动模块分别与预设电源、所述控制器、所述线圈和所述电流保护模块相连，所述电流保护模块的另一端分别与所述控制器和所述电流采样模块相连；

其中，在所述控制器上电时，所述控制器控制所述H桥驱动模块工作以将所述线圈控制在磁通状态；在将所述线圈控制在磁通状态过程中，所述控制器通过所述电流保护模块将所述线圈的励磁电流限制在预设电流阈值，以将所述线圈控制在零磁通状态。

2.根据权利要求1所述的它激式零磁通门电流传感器，其特征在于，所述H桥驱动模块电路包括：

第一开关管，所述第一开关管的第一端与所述预设电源相连，所述第一开关管的第二端与所述线圈的一端相连，所述第一开关管的控制端与所述控制器的第一驱动信号输出端相连；

第二开关管，所述第二开关管的第一端与所述预设电源相连，所述第二开关管的第二端与所述线圈的另一端相连，所述第二开关管的控制端与所述控制器的第二驱动信号输出端相连；

第三开关管，所述第三开关管的第一端与所述线圈的一端相连，所述第三开关管的第二端与所述电流保护模块的输入端相连，所述第三开关管的控制端与所述控制器的第三驱动信号输出端相连；

第四开关管，所述第四开关管的第一端与所述线圈的另一端相连，所述第四开关管的第二端与所述电流保护模块的输入端相连，所述第四开关管的控制端与所述控制器的第四驱动信号输出端相连。

3.根据权利要求2所述的它激式零磁通门电流传感器，其特征在于，所述第一开关管、所述第二开关管、所述第三开关管和所述第四开关管均为N型MOS管。

4.根据权利要求1所述的它激式零磁通门电流传感器，其特征在于，所述电流保护模块包括：

第五开关管，所述第五开关管的第一端与所述H桥驱动电路的一端相连；

第一电阻，所述第一电阻的一端与所述第五开关管的第二端相连，所述第一电阻的另一端接地；

第一比较器，所述第一比较器的第一输入端与所述控制器的参考电压输出端相连，所述第一比较器的第二输入端与所述第一电阻的一端相连，所述第一比较器的输出端与所述第五开关管的控制端相连。

5.根据权利要求4所述的它激式零磁通门电流传感器，其特征在于，所述电流保护模块还包括：第二电阻，所述第二电阻设置在所述第一比较器的第二输入端和接地端之间。

6.根据权利要求4-5中任一项所述的它激式零磁通门电流传感器，其特征在于，所述第五开关管为N型MOS管。

7.根据权利要求1所述的它激式零磁通门电流传感器，其特征在于，所述电流采样模块包括：

运算放大器，所述运算放大器的第一输入端与所述电流保护模块的一端相连，所述运算放大器的第二输入端与所述运算放大器的输出端相连，所述运算放大器的输出端与所述控制器的ADC采样端相连。

8.根据权利要求7所述的它激式零磁通门电流传感器，其特征在于，所述电流采样模块还包括：

第三电阻，所述第三电阻设置在所述运算放大器的第二输入端与所述运算放大器的输出端之间。

9.根据权利要求1所述的它激式零磁通门电流传感器，其特征在于，所述它激式零磁通门电流传感器还包括：滤波模块；其中，所述滤波模块的一端与所述预设电源相连，所述滤波电路的另一端与所述H桥驱动模块相连。

10.根据权利要求9所述的它激式零磁通门电流传感器，其特征在于，所述滤波模块包括：

第一滤波回路，所述第一滤波回路包括第一电容和第二电容，其中，所述第一电容的一端与所述第二电容的一端相连后与所述预设电源相连，所述第一电容的另一端与所述第二电容的另一端相连后与接地端相连；

第二滤波回路，所述第二滤波回路包括第三电容和第四电容，其中，所述第三电容的一端与所述第四电容的一端相连后与所述预设电源相连，所述第三电容的另一端与所述第四电容的另一端相连后与接地端相连。

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