CN218724400U - 气体超声波流量转换器多模式频率信号输出电路 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种气体超声波流量转换器多模式频率信号输出电路，包括第一晶体管、第二晶体管、第一开关单元以及第二开关单元，其中：第一开关单元以及第二开关单元均包括控制端、动端、第一不动端以及第二不动端，且控制端均被配置为接收开关控制信号，动端、第一不动端以及第二不动端分别连接第一晶体管以及第二晶体管的第一极、第二极与控制极。本申请提供的电路能够通过向两个开关单元的控制端发送开关控制信号，控制单刀双掷开关的闭合方向，实现第一晶体管与第二晶体管不同的连接方式，从而利用同一电路实现输入信号的多模式输出。

Description

气体超声波流量转换器多模式频率信号输出电路

技术领域

本申请涉及电子电路技术领域，尤其涉及一种气体超声波流量转换器多模式频率信号输出电路。

背景技术

多个晶体管通过不同的连接方式可以构成不同模式的信号输出电路，以双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor，BJT)为例，可以有集电极开路输出、集电极输出以及发射极跟随输出等多种输出模式。

目前工业现场仪表大多选取单一模式进行气体超声波流量转换器频率信号输出，若需要更换频率输出模式或需要多种模式兼容，则需要单独定制电路，定制的过程周期较长，且需要耗费一定的时间与金钱成本，降低生产效率。

实用新型内容

基于上述目的，本申请提供了一种气体超声波流量转换器多模式频率信号输出电路，包括第一晶体管、第二晶体管、第一开关单元、第二开关单元、总输入端以及总输出端，其中：所述第一开关单元以及所述第二开关单元均包括控制端、动端、第一不动端以及第二不动端，所述第一开关单元以及所述第二开关单元的控制端均被配置为接收开关控制信号；所述总输入端与单片机连接，被配置为接收输入信号，并与所述第一晶体管的控制极连接；所述第一晶体管的第一极与所述第二开关单元的第二不动端以及所述第一开关单元的动端连接，所述第一晶体管的第二极与所述第二晶体管的第二极、所述第二开关单元的第一不动端以及第一外部电源连接；所述第二晶体管的控制极与所述第二晶体管的第一极、所述第一开关单元的第二不动端、以及第二外部电源连接；所述第二开关单元的动端作为所述总输出端，并被配置为输出输出信号。

可选地，所述第一开关单元以及所述第二开关单元集成在模拟开关模块中；所述第一开关单元的控制端作为所述模拟开关模块的第一控制端，所述第一开关单元的动端作为所述模拟开关模块的第一公共端，所述第一开关单元的第一不动端作为所述模拟开关模块的第一常闭端，所述第一开关单元的第二不动端作为所述模拟开关模块的第一常开端；

所述第二开关单元的控制端作为所述模拟开关模块的第二控制端，所述第二开关单元的动端作为所述模拟开关模块的第二公共端，所述第二开关单元的第一不动端作为所述模拟开关模块的第二常闭端，所述第二开关单元的第二不动端作为所述模拟开关模块的第二常开端。

可选地，所述模拟开关模块为RS2058芯片，所述模拟开关模块的第一控制端为所述RS2058芯片的第八引脚，所述模拟开关模块的第一公共端为所述RS2058芯片的第一引脚，所述模拟开关模块的第一常闭端为所述RS2058芯片的第二引脚，所述模拟开关模块的第一常开端为所述RS2058芯片的第九引脚；所述模拟开关模块的第二控制端为所述RS2058芯片的第六引脚，所述模拟开关模块的第二公共端为所述RS2058芯片的第三引脚，所述模拟开关模块的第二常闭端为所述RS2058芯片的第四引脚，所述模拟开关模块的第二常开端为所述RS2058芯片的第七引脚。

可选地，所述模拟开关模块为RS2058芯片，所述模拟开关模块的第一控制端为所述RS2058芯片的第六引脚，所述模拟开关模块的第一公共端为所述RS2058芯片的第三引脚，所述模拟开关模块的第一常闭端为所述RS2058芯片的第四引脚，所述模拟开关模块的第一常开端为所述RS2058芯片的第七引脚；所述模拟开关模块的第二控制端为所述RS2058芯片的第八引脚，所述模拟开关模块的第二公共端为所述RS2058芯片的第一引脚，所述模拟开关模块的第二常闭端为所述RS2058芯片的第二引脚，所述模拟开关模块的第二常开端为所述RS2058芯片的第九引脚。

可选地，所述第一晶体管以及所述第二晶体管均为双极结型晶体管。

可选地，所述第一晶体管以及所述第二晶体管均为NPN型双极结型晶体管。

可选地，还包括第一偏置电阻以及第二偏置电阻，所述第一偏置电阻的一端与所述第二晶体管的控制极连接，另一端与所述第二偏置电阻的一端以及所述第一开关单元的第二不动端连接；所述第二偏置电阻的另一端与所述第二晶体管的第一极以及所述第二外部电源连接。

可选地，还包括第一限流电阻以及第二限流电阻，所述第一限流电阻一端作为所述总输入端，另一端与所述第一晶体管的控制极连接；所述第二限流电阻一端与所述第一晶体管的第二极以及所述第一外部电源连接，另一端与所述第二晶体管的第二极以及所述第二开关单元的第一不动端连接。

可选地，还包括光电耦合器，所述光电耦合器包括发光源阳极、发光源阴极、受光器第一极以及受光器第二极，所述发光源阳极与第三外部电源连接，所述发光源阴极与所述单片机连接，并被配置为接收所述输入信号；所述受光器第一极与所述第一晶体管的控制极连接，并被配置为将经光耦隔离后所述输入信号输入至所述第一晶体管，所述受光器第二极与第四外部电源连接。

可选地，所述光电耦合器为TLP291芯片，所述发光源阳极为所述TLP291芯片的第一引脚，所述发光源阴极为所述TLP291芯片的第二引脚，所述受光器第一极为所述TLP291芯片的第四引脚，所述受光器第二极为所述TLP291芯片的第三引脚。

从上面所述可以看出，本申请提供的气体超声波流量转换器多模式频率信号输出电路，包括第一晶体管、第二晶体管、第一开关单元、第二开关单元、总输入端以及总输出端，其中：所述第一开关单元以及所述第二开关单元均包括控制端、动端、第一不动端以及第二不动端，所述第一开关单元以及所述第二开关单元的控制端均被配置为接收开关控制信号；所述总输入端与单片机连接，被配置为接收输入信号，并与所述第一晶体管的控制极连接；所述第一晶体管的第一极与所述第二开关单元的第二不动端以及所述第一开关单元的动端连接，所述第一晶体管的第二极与所述第二晶体管的第二极、所述第二开关单元的第一不动端以及第一外部电源连接；所述第二晶体管的控制极与所述第二晶体管的第一极、所述第一开关单元的第二不动端、以及第二外部电源连接；所述第二开关单元的动端作为所述总输出端，并被配置为输出输出信号。本申请提供的电路能够通过向两个开关单元的控制端发送开关控制信号，控制单刀双掷开关的闭合方向，实现第一晶体管与第二晶体管不同的连接方式，从而利用同一电路实现输入信号的多模式输出。

附图说明

为了更清楚地说明本申请或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例的气体超声波流量转换器多模式频率信号输出电路的电路图；

图2为本申请实施例的模拟开关模块示意图；

图3为本申请实施例的RS2058芯片示意图；

图4为本申请实施例的光电耦合器示意图；

图5为本申请实施例的TLP291芯片示意图。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本申请进一步详细说明。

需要说明的是，除非另外定义，本申请实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

本申请的一个实施例提供了一种气体超声波流量转换器多模式频率信号输出电路，如图1所示，包括第一晶体管Q7、第二晶体管Q8、第一开关单元10、第二开关单元20、总输入端以及总输出端，其中：

所述第一开关单元10以及所述第二开关单元20均包括控制端S1、S2，动端A1、A2，第一不动端B1、B2，以及第二不动端C1、C2，所述第一开关单元10以及所述第二开关单元20的控制端S1、S2均被配置为接收开关控制信号。

所述第一开关单元以及所述第二开关单元均可视为带控制端的单刀双掷开关，对于单刀双掷开关，动端即为“刀”，能够通过接到不同的不动端实现双开关控制。需要说明的是，所述第一开关单元以及所述第二开关单元并非限定为单刀双掷开关，所述第一开关单元以及所述第二开关单元均可以包括多个例如晶体管的开关器件，通过多个开关器件的组合以实现通过控制端的单刀双掷开关功能，本领域技术人员能够根据现有技术利用开关器件组合成本申请实施例中的开关单元，在此不过多赘述。

所述第一开关单元以及第二开关单元均被配置为响应于所述开关控制信号，联通所述动端与所述第一不动端、或所述动端与第二不动端之间的电路。一种具体的实施例中，所述第一开关单元以及第二开关单元的控制端均与单片机的I/O接口连接，所述开关控制信号由所述单片机生成。具体实施时，可以通过485总线或者串口连接单片机，以通过单片机实现对所述第一开关单元以及第二开关单元的远程控制。

需要说明的是，上述第一开关单元以及第二开关单元的响应机制为现有技术，通过现有技术中的硬件可直接实施，具体实施方法以及对应使用的硬件会在下述实施例中说明，本申请实施例中的第一开关单元以及第二开关单元均不涉及对方法的改进。

所述总输入端IN与单片机连接，被配置为接收输入信号，并与所述第一晶体管的控制极Q7B连接。一种具体的实施例中，所述输入信号为频率信号，一种更为具体的实施例中；所述输入信号为气体超声波流量转换器的频率信号。

所述第一晶体管的第一极Q7C与所述第二开关单元的第二不动端C2以及所述第一开关单元的动端A1连接，所述第一晶体管的第二极Q7E与所述第二晶体管的第二极Q8E、所述第二开关单元的第一不动端B2以及第一外部电源V1连接。一种具体的实施例中，所述第一外部电源V1为接地电压或负值电压，一种更为具体的实施例中，所述第一外部电源V1为-24V。一种具体的实施例中，所述第一晶体管以及第二晶体管的控制极为基极，第一极为集电极，第二极为发射极。

所述第二晶体管的控制极Q8B与所述第二晶体管的第一极Q8C、所述第一开关单元的第二不动端C1、以及第二外部电源V2连接。一种具体的实施例中，所述第二外部电源V2为正值电压，一种更为具体的实施例中，所述第二外部电源V2为24V。

所述第二开关单元的动端A2作为所述总输出端OUT，并被配置为输出输出信号。所述第一开关单元10的第一不动端B1空置。

本申请提供的电路能够通过向两个开关单元的控制端发送开关控制信号，控制单刀双掷开关的闭合方向，实现第一晶体管与第二晶体管不同的连接方式，从而实现输入信号的多模式输出。

并且，由于本申请上述实施例中的第一、第二开关单元均可通过开关控制信号远程控制，在一些易燃易爆的工业环境中，相比于需要开启设备外壳手动调整的开关(例如需要手动调整的跳线或需要手动拨动的开关)，本申请上述实施例减少了安全隐患。由于上述开关控制信号可以通过程序修改，也能够避免手动调整开关引入的一些人为差错。

在一些实施例中，如图2所示，所述第一开关单元10以及所述第二开关单元20集成在模拟开关模块中。所述第一开关单元10的控制端作为所述模拟开关模块的第一控制端IN1，所述第一开关单元10的动端作为所述模拟开关模块的第一公共端COM1，所述第一开关单元10的第一不动端作为所述模拟开关模块的第一常闭端NC1，所述第一开关单元10的第二不动端作为所述模拟开关模块的第一常开端NO1。所述第二开关单元20的控制端作为所述模拟开关模块的第二控制端IN2，所述第二开关单元20的动端作为所述模拟开关模块的第二公共端COM2，所述第二开关单元20的第一不动端作为所述模拟开关模块的第二常闭端NC2，所述第二开关单元20的第二不动端作为所述模拟开关模块的第二常开端NO2。

将第一开关单元以及第二开关单元集成在模拟开关模块中，能够减少器件的使用与电路走线，增加电路密度，节约电路面积，提高工业生产效率。

为了与下述实施例相配合，图2所示的模拟开关模块即为下述实施例中的RS2058芯片，其内部结构与端口与RS2058芯片相同，但需要说明的是，上述实施例并非将模拟开关模块限定为RS2058芯片，其他内部拥有至少两个图2所示的开关单元且具有对应端口的芯片也在本申请上述实施例的保护范围之内。

在一种具体的实施例A中，如图2以及图3所示，所述模拟开关模块为RS2058芯片，所述模拟开关模块的第一控制端为所述RS2058芯片的第八引脚，所述模拟开关模块的第一公共端为所述RS2058芯片的第一引脚，所述模拟开关模块的第一常闭端为所述RS2058芯片的第二引脚，所述模拟开关模块的第一常开端为所述RS2058芯片的第九引脚；所述模拟开关模块的第二控制端为所述RS2058芯片的第六引脚，所述模拟开关模块的第二公共端为所述RS2058芯片的第三引脚，所述模拟开关模块的第二常闭端为所述RS2058芯片的第四引脚，所述模拟开关模块的第二常开端为所述RS2058芯片的第七引脚。

图2示出了RS2058芯片的内部结构，图3示出了RS2058芯片外部引脚在信号输出电路中与晶体管的连接关系，例如，图3中第九引脚处标注的Q8B即表示该引脚与第二晶体管的控制极连接，由于第一开关单元的控制端S1被配置为接收开关控制信号，不与信号输出电路中的其他器件连接，故此处标注的S1表述第八引脚被配置为接收开关控制信号，其他引脚同理，不再赘述。

为了便于理解，在此结合图2与图3简述RS2058芯片的工作机制。RS2058芯片的引脚1(即上述“第一引脚”的简写，后续同理)、引脚2、引脚9在芯片内部构成一个单刀双掷开关单元三个引脚，该单刀双掷开关单元由引脚8接收的信号控制，响应于引脚8接收到高电平，引脚1与引脚9连接；响应于引脚8接收到低电平，引脚1与引脚2连接。引脚3、引脚4、引脚7在芯片内部构成一个单刀双掷开关单元三个引脚，该单刀双掷开关单元由引脚6接收的信号控制，响应于引脚6接收到高电平，引脚3与引脚7连接；响应于引脚6接收到低电平，引脚3与引脚4连接。本领域技术人员能够通过查阅芯片手册知悉上述“高电平”与“低电平”的具体范围，在此不过多赘述。

本申请上述实施例已经给出第一开关单元以及第二开关单元与模拟开关模块的连接关系，并且给出了利用RS2058芯片实施模拟开关模块时的引脚连接关系，本领域技术人员能够根据上述实施例中各端口、引脚的连接关系，在不付出其他创造性劳动的基础上实现本申请实施例提供的气体超声波流量转换器多模式频率信号输出电路，本申请实施例不涉及对方法的改进。

一种具体的实施例中，所述RS2058芯片的第五引脚连接上述实施例中的第一外部电源，第十引脚连接上述实施例中的第二外部电源。

在另一种具体的实施例B中，所述模拟开关模块为RS2058芯片，所述模拟开关模块的第一控制端为所述RS2058芯片的第六引脚，所述模拟开关模块的第一公共端为所述RS2058芯片的第三引脚，所述模拟开关模块的第一常闭端为所述RS2058芯片的第四引脚，所述模拟开关模块的第一常开端为所述RS2058芯片的第七引脚；所述模拟开关模块的第二控制端为所述RS2058芯片的第八引脚，所述模拟开关模块的第二公共端为所述RS2058芯片的第一引脚，所述模拟开关模块的第二常闭端为所述RS2058芯片的第二引脚，所述模拟开关模块的第二常开端为所述RS2058芯片的第九引脚。上述实施例B为实施例A中第一开关单元与第二开关单元的引脚互换。

在一些实施例中，所述第一晶体管以及所述第二晶体管均为双极结型晶体管，一种具体的实施例中，所述第一晶体管以及所述第二晶体管均为NPN型双极结型晶体管。

下面以第一晶体管以及第二晶体管均为BJT、第一开关单元与第二开关单元利用RS2058芯片实施、且引脚连接方式参考实施例A为例，结合图1与图3描述本实施例所提供的电路能够实现的多个信号输出模式。

1)集电极开路输出模式。当需要集电极开路输出时，向RS2058芯片引脚6输入高电平，引脚8默认输入低电平，引脚7与引脚3脚连通，引脚1与引脚2连通，由于引脚2空置，电路总输出与Q7的集电极Q7C联通，由此实现集电极开路输出。

2)共发射极输出模式。当需要共发射极输出时，向RS2058芯片引脚6输入高电平，引脚8输入高电平，引脚7与引脚3脚连通，引脚1与引脚9连通，Q7的集电极Q7C与电路总输出以及Q8的基极Q8B联通，由此实现共发射极输出。

3)共集电极输出模式(也称发射极跟随输出)。当需要共集电极输出时，向RS2058芯片引脚6输入低电平，引脚8输入高电平，引脚4与引脚3脚连通，引脚1与引脚9连通，Q7的集电极Q7C与Q8的基极Q8B联通，电路总输出与Q8的发射极Q8E联通，由此实共集电极输出。

需要说明的是，上述信号输出模式的名称仅为概括性，具体连接电路与每个名称对应的标准电路可以有所不同，本领域技术人员能够根据具体连接方式确定每个电路的功能以及具体使用方法，在此不过多赘述。

在另一些实施例中，所述第一晶体管以及所述第二晶体管均为金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)，一种具体的实施例中，所述第一晶体管以及所述第二晶体管均为N型金氧半场效晶体管。

在另一种具体的实施例中，将BJT对应替换成MOSFET，BJT的基极对应MOSFET的栅极，BJT的发射极对应MOSFET的源极，BJT的集电极对应MOSFET的漏极，能够对应实现上述三种信号输出模式为漏极开路输出模式、共源极输出模式、共漏极输出模式(也称源极跟随输出)，在此不过多赘述。

由于本实施例已经清楚描述气体超声波流量转换器多模式频率信号输出电路的工作原理，本领域技术人员能够基于本申请的说明书在不付出创造性劳动的前提下利用本申请保护范围内的其他晶体管或模拟开关芯片实施上述电路连接以及控制方法，也均在本申请的保护范围之内。

在一些实施例中，如图1所示，所述电路还包括第一偏置电阻R24以及第二偏置电阻R23，所述第一偏置电阻R24的一端与所述第二晶体管Q8的控制极Q8B连接，另一端与所述第二偏置电阻R23的一端以及所述第一开关单元10的第二不动端C1连接。所述第二偏置电阻R23的另一端与所述第二晶体管的第一极Q8C以及所述第二外部电源V2连接。所述第一偏置电阻R24以及第二偏置电阻R23均被配置为为第二晶体管Q8的基极Q8B产生直流偏置电压。

在一些实施例中，还包括第一限流电阻R47以及第二限流电阻R25，所述第一限流电阻R47一端作为所述总输入端，另一端与所述第一晶体管Q7的控制极Q7B连接。所述第二限流电阻R25一端与所述第一晶体管Q7的第二极Q7E以及所述第一外部电源V1连接，另一端与所述第二晶体管Q8的第二极Q8E以及所述第二开关单元20的第一不动端B2连接。所述第一限流电阻R47以及第二限流电阻R25均被配置为在电路中限流，防止电流过大烧坏器件。

在一些实施例中，如图4所示，所述电路还包括光电耦合器OC，所述光电耦合器OC包括发光源阳极K1、发光源阴极K2、受光器第一极K3以及受光器第二极K4，所述发光源阳极K1与第三外部电源V3连接，所述发光源阴极K2与所述总输入端IN连接，并被配置为接收所述输入信号。所述受光器第一极K3与所述第一晶体管的控制极Q7B连接，并被配置为将经光耦隔离后所述输入信号输入至所述第一晶体管Q7，所述受光器第二极K4与第四外部电源V4连接。

光电耦合器是以光为媒介传输电信号的一种电—光—电转换器件。它由发光源和受光器两部分组成。把发光源和受光器组装在同一密闭的壳体内，彼此间用透明绝缘体隔离，由于光电耦合器输入输出间互相隔离，电信号传输具有单向性等特点，因而具有良好的电绝缘能力和抗干扰能力，能够实现输入信号的光耦隔离。

在一些实施例中，如图5所示，所述光电耦合器为TLP291芯片，所述发光源阳极为所述TLP291芯片的第一引脚，所述发光源阴极为所述TLP291芯片的第二引脚，所述受光器第一极为所述TLP291芯片的第四引脚，所述受光器第二极为所述TLP291芯片的第三引脚。

所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本申请的范围(包括权利要求)被限于这些例子；在本申请的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本申请实施例的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。

另外，为简化说明和讨论，并且为了不会使本申请实施例难以理解，在所提供的附图中可以示出或可以不示出与集成电路(IC)芯片和其它部件的公知的电源/接地连接。此外，可以以框图的形式示出装置，以便避免使本申请实施例难以理解，并且这也考虑了以下事实，即关于这些框图装置的实施方式的细节是高度取决于将要实施本申请实施例的平台的(即，这些细节应当完全处于本领域技术人员的理解范围内)。在阐述了具体细节(例如，电路)以描述本申请的示例性实施例的情况下，对本领域技术人员来说显而易见的是，可以在没有这些具体细节的情况下或者这些具体细节有变化的情况下实施本申请实施例。因此，这些描述应被认为是说明性的而不是限制性的。

尽管已经结合了本申请的具体实施例对本申请进行了描述，但是根据前面的描述，这些实施例的很多替换、修改和变型对本领域普通技术人员来说将是显而易见的。例如，其它存储器架构(例如，动态RAM(DRAM))可以使用所讨论的实施例。

本申请实施例旨在涵盖落入所附权利要求的宽泛范围之内的所有这样的替换、修改和变型。因此，凡在本申请实施例的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种气体超声波流量转换器多模式频率信号输出电路，其特征在于，包括第一晶体管、第二晶体管、第一开关单元、第二开关单元、总输入端以及总输出端，其中：

所述第一开关单元以及所述第二开关单元均包括控制端、动端、第一不动端以及第二不动端，所述第一开关单元以及所述第二开关单元的控制端均被配置为接收开关控制信号；

所述总输入端与单片机连接，被配置为接收输入信号，并与所述第一晶体管的控制极连接；

所述第一晶体管的第一极与所述第二开关单元的第二不动端以及所述第一开关单元的动端连接，所述第一晶体管的第二极与所述第二晶体管的第二极、所述第二开关单元的第一不动端以及第一外部电源连接；

所述第二晶体管的控制极与所述第二晶体管的第一极、所述第一开关单元的第二不动端、以及第二外部电源连接；

所述第二开关单元的动端作为所述总输出端，并被配置为输出输出信号。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一开关单元以及所述第二开关单元集成在模拟开关模块中；

所述第一开关单元的控制端作为所述模拟开关模块的第一控制端，所述第一开关单元的动端作为所述模拟开关模块的第一公共端，所述第一开关单元的第一不动端作为所述模拟开关模块的第一常闭端，所述第一开关单元的第二不动端作为所述模拟开关模块的第一常开端；

所述第二开关单元的控制端作为所述模拟开关模块的第二控制端，所述第二开关单元的动端作为所述模拟开关模块的第二公共端，所述第二开关单元的第一不动端作为所述模拟开关模块的第二常闭端，所述第二开关单元的第二不动端作为所述模拟开关模块的第二常开端。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述模拟开关模块为RS2058芯片，所述模拟开关模块的第一控制端为所述RS2058芯片的第八引脚，所述模拟开关模块的第一公共端为所述RS2058芯片的第一引脚，所述模拟开关模块的第一常闭端为所述RS2058芯片的第二引脚，所述模拟开关模块的第一常开端为所述RS2058芯片的第九引脚；

所述模拟开关模块的第二控制端为所述RS2058芯片的第六引脚，所述模拟开关模块的第二公共端为所述RS2058芯片的第三引脚，所述模拟开关模块的第二常闭端为所述RS2058芯片的第四引脚，所述模拟开关模块的第二常开端为所述RS2058芯片的第七引脚。

4.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述模拟开关模块为RS2058芯片，所述模拟开关模块的第一控制端为所述RS2058芯片的第六引脚，所述模拟开关模块的第一公共端为所述RS2058芯片的第三引脚，所述模拟开关模块的第一常闭端为所述RS2058芯片的第四引脚，所述模拟开关模块的第一常开端为所述RS2058芯片的第七引脚；

所述模拟开关模块的第二控制端为所述RS2058芯片的第八引脚，所述模拟开关模块的第二公共端为所述RS2058芯片的第一引脚，所述模拟开关模块的第二常闭端为所述RS2058芯片的第二引脚，所述模拟开关模块的第二常开端为所述RS2058芯片的第九引脚。

5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一晶体管以及所述第二晶体管均为双极结型晶体管。

6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述第一晶体管以及所述第二晶体管均为NPN型双极结型晶体管。

7.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括第一偏置电阻以及第二偏置电阻，所述第一偏置电阻的一端与所述第二晶体管的控制极连接，另一端与所述第二偏置电阻的一端以及所述第一开关单元的第二不动端连接；

所述第二偏置电阻的另一端与所述第二晶体管的第一极以及所述第二外部电源连接。

8.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括第一限流电阻以及第二限流电阻，所述第一限流电阻一端作为所述总输入端，另一端与所述第一晶体管的控制极连接；

所述第二限流电阻一端与所述第一晶体管的第二极以及所述第一外部电源连接，另一端与所述第二晶体管的第二极以及所述第二开关单元的第一不动端连接。

9.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括光电耦合器，所述光电耦合器包括发光源阳极、发光源阴极、受光器第一极以及受光器第二极，所述发光源阳极与第三外部电源连接，所述发光源阴极与所述总输入端连接，并被配置为接收所述输入信号；

所述受光器第一极与所述第一晶体管的控制极连接，并被配置为将经光耦隔离后所述输入信号输入至所述第一晶体管，所述受光器第二极与第四外部电源连接。

10.根据权利要求9所述的电路，其特征在于，所述光电耦合器为TLP291芯片，所述发光源阳极为所述TLP291芯片的第一引脚，所述发光源阴极为所述TLP291芯片的第二引脚，所述受光器第一极为所述TLP291芯片的第四引脚，所述受光器第二极为所述TLP291芯片的第三引脚。

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