CN218666263U - 一种护板 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及真空镀膜技术领域,具体涉及一种护板,包括基板,所述基板连接有平行设置的多个护板主体,每两个所述护板主体之间用以放置旋转靶材,所述护板主体的两端连接有挡板。本实用新型基片镀膜速度快的区域增加护板主体遮挡区域,降低基片上的沉积厚度使得旋转靶材所有工艺位置的膜厚均匀性。其次,由于护板主体的存在大量镀膜副产物会被护板主体收集,可以使工艺气体较为均匀的到达旋转靶材表面。由于旋转靶材两端镀膜速度较快,本实用新型在护板主体上还设有挡板,使得沉积物溅射镀在护板主体表面而不是基片表面,减少沉积到基片上的膜层,可以改善纵向镀膜位置的均匀性。
Description
技术领域
本实用新型涉及真空镀膜技术领域,具体涉及一种护板。
背景技术
真空镀膜技术是指一类需要在较高真空度下进行镀膜的工艺技术,其下属种类繁多,磁控溅射是真空镀膜中应用面广阔的技术。在磁控溅射工艺时基片与旋转靶材同在真空腔中,需要镀膜的物品被称为基片,主体镀膜材料被称为旋转靶材。旋转靶材成圆筒形,旋转靶材内部装有静止不动的磁体,工艺中旋转靶材慢速旋转。磁控溅射的工作原理是指电子在电场的作用下,在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞,使其电离产生出Ar正离子和新的电子;新电子飞向基片,Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶,并以高能量轰击靶表面,使旋转靶材发生溅射。在溅射粒子中,中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜,而产生的二次电子会受到电场和磁场作用。在磁控溅射中阴极磁体的磁场不均匀会使旋转靶材产生刻蚀差异,导致旋转靶材利用率低,基片溅射镀膜的厚度不均匀。
透明导电膜作为旋转靶材溅射在太阳能电池行业的应用典范,膜层厚度不均匀会严重影响电池的光电转换效率。现有专利的技术中,旋转靶材两端镀膜厚度比中间快,膜厚极差会随着旋转靶材消耗加剧,旋转靶材在溅射过程中产生大量副产物存在的真空腔室内不利于腔室洁净度。该现有技术制得的导电膜较厚的膜层吸光多,膜层偏薄时又不能实现完美的光子俘获。膜厚是制程工艺中最重要的匹配因素,所以旋转靶材磁控溅射在大规模量产中需要有一种可以调整镀膜均匀性的方法。
实用新型内容
本实用新型的目的是克服现有技术的缺陷,提供一种护板。
实现本实用新型目的的技术方案是:一种护板,包括基板,所述基板连接有平行设置的多个护板主体,每两个所述护板主体之间用以放置旋转靶材,所述护板主体的两端连接有挡板。
上述技术方案所述护板主体设有四个,两个分别连接于所述基板的两侧,另外两个连接于所述基板的中间,所述基板的两侧的一个所述护板主体和所述基板的中间的一个所述护板主体为一个工位,两个工位相邻设置。
上述技术方案所述挡板的纵向长度视所述护板主体的纵向长度和所述基板的纵向长度而定,所述挡板的宽度通过计算膜厚极差和同一工位两块所述护板主体的平行间距的比值得出,所述护板主体长度小于所述基板纵向长度,且大于旋转靶材长度;所述护板主体高度值比旋转靶材直径值大1厘米。
上述技术方案所述基板连接有卡槽,所述护板主体插接于所述卡槽。
上述技术方案所述基板连接有U形固定底座,所述U形固定底座位于同一工位两块所述护板主体之间,所述卡槽连接于所述U形固定底座的两端。
上述技术方案所述U形固定底座包括可拆垫块和底座本体,所述可拆垫块连接于所述底座本体之间,所述卡槽连接于所述底座本体。
上述技术方案两个所述工位之间设有气体匀流板。
上述技术方案位于所述基板的两侧的两个所述护板主体的外侧上方连接有第一护板加强筋。
上述技术方案位于所述基板的两侧的两个所述护板主体的外侧下方连接有第二护板加强筋,所述第二护板加强筋位于所述第一护板加强筋的下方。
采用上述技术方案后,本实用新型具有以下积极的效果:
(1)本实用新型基片镀膜速度快的区域增加护板主体遮挡区域,降低基片上的沉积厚度使得旋转靶材所有工艺位置的膜厚均匀性。其次,由于护板主体的存在大量镀膜副产物会被护板主体收集,可以使工艺气体较为均匀的到达旋转靶材表面。由于旋转靶材两端镀膜速度较快,本实用新型在护板主体上还设有挡板,使得沉积物溅射镀在护板主体表面而不是基片表面,减少沉积到基片上的膜层,可以改善纵向镀膜位置的均匀性。
(2)本实用新型的护板主体配合U形固定底座以及卡槽使用,易于拆卸维护,可以提升真空镀膜腔室的洁净度和缩短维护时间。
(3)本实用新型U形固定底座包括可拆垫块和底座本体,可拆垫块可根据旋转靶材的直径进行变更设置,底座本体可根据需要进行高度上的调整,以此调整护板主体的位置。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图;
图2为图1的左视局部示意图;
图3为本实用新型装上旋转靶材后的示意图。
图中:基板100、护板主体1、挡板2、卡槽3、U形固定底座5、可拆垫块51、底座本体52、气体匀流板4、第一护板加强筋6、第二护板加强筋7、旋转靶材200。
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本实用新型实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此,以下对在附图中提供的本实用新型的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围,而是仅仅表示本实用新型的选定实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
在本实用新型的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,或者是该实用新型产品使用时惯常摆放的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
此外,术语“水平”、“竖直”、“悬垂”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂,而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平,并不是表示该结构一定要完全水平,而是可以稍微倾斜。
在本实用新型的描述中,还需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
实施例1
见图1至图3,本实用新型提供一种护板,包括基板100,所述基板100连接有平行设置的多个护板主体1,每两个所述护板主体1之间用以放置旋转靶材200,所述护板主体1的两端连接有挡板2。多个护板主体1中,每两个可以构建成一个矩形空间用以放置旋转靶材200。在基片镀膜速度快的区域增加护板主体1遮挡区域,降低基片上的沉积厚度使得靶材所有工艺位置的膜厚均匀性。其次,由于护板主体1的存在大量镀膜副产物会被护板主体1收集,可以使工艺气体较为均匀的到达靶材表面。由于旋转靶材200两端镀膜速度较快,本实用新型在护板主体1上还设有挡板2,使得沉积物溅射镀在护板主体1表面而不是基片表面,减少沉积到基片上的膜层,可以改善纵向镀膜位置的均匀性。
在本实施例中,所述护板主体1设有四个,两个分别连接于所述基板100的两侧,另外两个连接于所述基板100的中间,所述基板100的两侧的一个所述护板主体1和所述基板100的中间的一个所述护板主体1为一个工位,两个工位相邻设置。两个工位均可以放置旋转靶材200,可以形成一套孪生溅射靶护板系统。
见图1至图3在本实施例中,所述挡板2的纵向长度视所述护板主体1的纵向长度和所述基板100的纵向长度而定,所述挡板2的宽度通过计算膜厚极差和同一工位两块所述护板主体1的平行间距的比值得出,所述护板主体1长度小于所述基板100纵向长度,且大于旋转靶材200长度;所述护板主体1高度值比旋转靶材200直径值大1厘米。所述挡板2的长度C由旋转靶材200有效沉积区域的镀膜厚度和偏差值(x%)而定。将镀膜区域沿着旋转靶材200纵向长度按照间距D均分为N份,区域镀膜厚度平均值定义为T,计算T1至TN的平均厚度Tagv。由Tagv+(Tagv*x%)计算出厚度最大偏差范围Tmax(rsd)。由PVD的溅射特性而定,超过镀膜最大偏差范围的点位一定在T1,TN附近,并大致对称分布。T1和TN附近大于Tmax(rsd)的数量总和计为P,则(P*D)/2=C。所述挡板2宽度K=30*(Tagv*x%)/5mm。所述护板宽度以K为半径做RK处理,如下表1所示:
表1
在本实施例中,两个所述工位之间设有气体匀流板4,即气体匀流板4位于基板100中间的两个所述护板主体1之间。气体匀流板4和护板主体1共同形成稳定的出气通道。
实施例2
见图1和图2,作为实施例1的优化,所述基板100连接有卡槽3,所述护板主体1插接于所述卡槽3。卡槽3为护板主体1的安装槽,护板主体1可以采用卡接、螺栓连接等方式可拆卸地固定至卡槽3,可以提升真空镀膜腔室的洁净度和缩短维护时间。
在本实施例中,所述基板100连接有U形固定底座5,所述U形固定底座5位于同一工位两块所述护板主体1之间,所述卡槽3连接于所述U形固定底座5的两端。
所述U形固定底座5包括可拆垫块51和底座本体52,所述可拆垫块51连接于所述底座本体52之间,所述卡槽3连接于所述底座本体52。可拆垫块51可根据旋转靶材200的直径进行变更设置,底座本体52可根据需要进行高度上的调整,以此调整护板主体1的位置。
实施例3
见图1和图2,作为实施例1的优化,为了保证护板主体1不变形,位于所述基板100的两侧的两个所述护板主体1的外侧上方连接有第一护板加强筋6。
在本实施例中,为了保证护板主体1的结构,位于所述基板100的两侧的两个所述护板主体1的外侧下方连接有第二护板加强筋7,所述第二护板加强筋7位于所述第一护板加强筋6的下方。
以上所述的具体实施例,对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本实用新型的具体实施例而已,并不用于限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种护板,其特征在于:包括基板(100),所述基板(100)连接有平行设置的多个护板主体(1),每两个所述护板主体(1)之间用以放置旋转靶材,所述护板主体(1)的两端连接有挡板(2)。
2.根据权利要求1所述的一种护板,其特征在于:所述护板主体(1)设有四个,两个分别连接于所述基板(100)的两侧,另外两个连接于所述基板(100)的中间,所述基板(100)的两侧的一个所述护板主体(1)和所述基板(100)的中间的一个所述护板主体(1)为一个工位,两个工位相邻设置。
3.根据权利要求2所述的一种护板,其特征在于:所述挡板(2)的纵向长度视所述护板主体(1)的纵向长度和所述基板(100)的纵向长度而定,所述挡板(2)的宽度通过计算膜厚极差和同一工位两块所述护板主体(1)的平行间距的比值得出,所述护板主体(1)长度小于所述基板(100)纵向长度,且大于旋转靶材长度;所述护板主体(1)高度值比旋转靶材直径值大1厘米。
4.根据权利要求2所述的一种护板,其特征在于:所述基板(100)连接有卡槽(3),所述护板主体(1)插接于所述卡槽(3)。
5.根据权利要求4所述的一种护板,其特征在于:所述基板(100)连接有U形固定底座(5),所述U形固定底座(5)位于同一工位两块所述护板主体(1)之间,所述卡槽(3)连接于所述U形固定底座(5)的两端。
6.根据权利要求5所述的一种护板,其特征在于:所述U形固定底座(5)包括可拆垫块(51)和底座本体(52),所述可拆垫块(51)连接于所述底座本体(52)之间,所述卡槽(3)连接于所述底座本体(52)。
7.根据权利要求2所述的一种护板,其特征在于:两个所述工位之间设有气体匀流板(4)。
8.根据权利要求2所述的一种护板,其特征在于:位于所述基板(100)的两侧的两个所述护板主体(1)的外侧上方连接有第一护板加强筋(6)。
9.根据权利要求8所述的一种护板,其特征在于:位于所述基板(100)的两侧的两个所述护板主体(1)的外侧下方连接有第二护板加强筋(7),所述第二护板加强筋(7)位于所述第一护板加强筋(6)的下方。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN202223210119.0U CN218666263U (zh) | 2022-12-01 | 2022-12-01 | 一种护板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202223210119.0U CN218666263U (zh) | 2022-12-01 | 2022-12-01 | 一种护板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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CN218666263U true CN218666263U (zh) | 2023-03-21 |
Family
ID=85541915
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202223210119.0U Active CN218666263U (zh) | 2022-12-01 | 2022-12-01 | 一种护板 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN218666263U (zh) |
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