CN218633894U - 一种电子开关 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种电子开关，包括：用于连接输入电压的输入接口；用于连接负载的输出接口；开关管的输入端连接输入接口，输出端连接输出接口；第一电流采集电路串接在输入接口与开关管的输入端之间；第一控制芯片的电压感应引脚连接开关管的输入端与第一电流采集电路的串联连接点，电源输入引脚连接输入接口与第一电流采集电路的串联连接点，输出引脚连接开关管的输出端，门控信号输出引脚连接开关管的控制端，门控信号输出引脚还经稳压二极管连接开关管的输出端；第一控制芯片的功率限制引脚经功率限制电阻接地。本实用新型不仅具有输入侧过流保护功能，还具有过载保护功能，能在过载时保护电子开关不受损坏。

Description

一种电子开关

技术领域

本实用新型适用于电子系统中开关技术领域，尤其涉及一种电子开关。

背景技术

在有些电子系统中，尤其在大功率情况下，需要断开或接通与电源线路连接的负载。理想情况下，可以使用传统机械开关来实现这一目的，可是传统的机械开关是靠机械触点的动作实现的，工作频率低，触点的开关动作一般在几十毫秒数量级，而且机械触点还会出现抖动问题，触点在开关动作时存在机械磨损、电弧烧伤等现象，如果没有采取相应的消弧措施，可能会导致触点烧毁无法工作，所以可靠性和可维护性差。

电子开关是一种没有机械动作的无触点开关元件，全部由电子元器件组成，它利用大功率三极管、开关管(如功率场效应管，MOSFET)、单项可控硅或双向可控硅等器件的开关特性，达到无触点、无火花的接通或断开负载电路。现有技术中经常使用由MOSFET构成的电子开关，但MOSFET电子开关存在以下的问题：

(1)目前大部分的MOSFET电子开关电路过载时会损坏电子开关；

(2)MOSFET电子开关电路在输入电压异常(过压)时不能有效保护负载设备；

(3)MOSFET电子开关缺乏过温保护；

(4)MOSFET电子开关缺乏故障指示；

(5)MOSFET电子开关不能实时检测负载电流。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型实施例提供了一种电子开关，以解决现有开关管的电子开关电路过载时会损坏电子开关的问题。

基于上述目的，提供一种电子开关的技术方案，所述电子开关包括：

输入接口，所述输入接口用于连接输入电压；

输出接口，所述输出接口用于连接负载；

开关管，所述开关管的输入端连接所述输入接口，所述开关管的输出端连接所述输出接口；

第一电流采集电路，所述第一电流采集电路串接在所述输入接口与所述开关管的输入端之间；

第一控制芯片，所述第一控制芯片的电压感应引脚连接所述开关管的输入端与所述第一电流采集电路的串联连接点，所述第一控制芯片的电源输入引脚连接所述输入接口与所述第一电流采集电路的串联连接点，所述第一控制芯片的输出引脚连接所述开关管的输出端，所述第一控制芯片的门控信号输出引脚连接所述开关管的控制端，所述门控信号输出引脚还经稳压二极管连接所述开关管的输出端；

功率限制电阻，所述第一控制芯片的功率限制引脚经所述功率限制电阻接地。

在一个实施例中，所述电子开关还包括：第六电容，所述第一控制芯片的定时引脚经所述第六电容接地。

在一个实施例中，所述电子开关还包括：第一电压采集电路，所述第一电压采集电路的输入端连接所述输入接口，所述第一电压采集电路的输出端连接所述第一控制芯片的电压输入引脚。

在一个实施例中，所述电子开关还包括：处理器接口，所述处理器接口用于连接处理器；第一光耦隔离电路，所述第一光耦隔离电路包括第一光耦合器，所述第一控制芯片的故障信号输出引脚连接所述第一光耦合器的二极管阳极，所述第一光耦合器的二极管阳极还经输入限流电阻连接电源VCC，所述第一光耦合器的二极管阴极和光敏三极管发射极接地，所述第一光耦合器的光敏三极管集电极经第一上拉电阻连接电源VDD，所述第一光耦合器的光敏三极管集电极与第一上拉电阻的连接点连接所述处理器接口。

在一个实施例中，所述电子开关还包括：第二电流采集电路，所述第二电流采集电路包括电流检测芯片，所述电流检测芯片串接在所述开关管的输出端与所述输出接口之间，所述电流检测芯片的电压输出端连接所述处理器接口。

在一个实施例中，所述电子开关还包括：第一迟滞比较器，所述第一迟滞比较器的正相输入端连接所述电流检测芯片的电压输出端，所述第一迟滞比较器的反相输入端连接第一基准电压，所述第一迟滞比较器的输出端连接所述第一控制芯片的使能引脚。

在一个实施例中，所述电子开关还包括：过温保护电路，所述过温保护电路包括温度检测电路、电压跟随器和第二迟滞比较器，所述温度检测电路的输入端连接设定的温度采集点，所述温度检测电路的输出端连接所述电压跟随器的输入端，所述电压跟随器的输出端连接所述第二迟滞比较器的正相输入端，所述第二迟滞比较器的反相输入端连接第二基准电压，所述第二迟滞比较器的输出端连接所述第一控制芯片的使能引脚。

在一个实施例中，所述电子开关还包括：或门电路，所述或门电路包括3个输入端，所述或门电路的第一输入端连接所述第一迟滞比较器的输出端，所述或门电路的第二输入端连接所述第二迟滞比较器的输出端，所述或门电路的第三输入端连接所述处理器接口；所述或门电路的输出端连接所述第一控制芯片的使能引脚。

在一个实施例中，所述电子开关还包括：三极管，所述或门电路的输出端连接所述三极管的控制端，所述三极管的输入端经第二上拉电阻连接电源VDD，所述三极管的输出端接地；

第二光耦隔离电路，所述第二光耦隔离电路包括第二光耦合器，所述第二光耦合器的二极管阳极连接所述三极管的输入端与所述第二上拉电阻的连接点，所述第二光耦合器的二极管阴极接地，所述第二光耦合器的光敏三极管发射极连接所述第一控制芯片的使能引脚，所述第二光耦合器的光敏三极管集电极经第三上拉电阻连接电源VCC。

在一个实施例中，所述电子开关还包括：输入电压滤波电容，所述输入电压滤波电容的一端连接所述输入接口，另一端接地；瞬变电压抑制二极管，所述瞬变电压抑制二极管与所述输入电压滤波电容并联。

本实用新型与现有技术相比存在的有益效果是：本实用新型的电子开关具有过载保护功能和输入侧过流保护功能。具体如下：(1)本实用新型的第一电流采集电路串接在输入接口与开关管的输入端之间，能够采集流过开关管的电流，同时，第一控制芯片能够实时采集开关管的漏源电压，从而第一控制芯片能够根据开关管的漏源电压和流过开关管的电流实时计算出开关管的当前工作功率，在开关管的当前工作功率超出其安全工作区域时(即过载时)，一方面能够利用功率限制电阻限制开关管的功率，另一方面，第一控制芯片能够通过关断开关管来保护电子开关在过载时不受损坏，从而实现过载保护功能；(2)第一控制芯片能够根据流过开关管的电流判断开关管的输入侧是否过流，在过流时，第一控制芯片能够通过关断开关管来保护电子开关不受损坏，从而实现输入侧过流保护功能。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型实施例一提供的电子开关电路原理图；

图2是本实用新型实施例二提供的电子开关电路原理图；

图3是本实用新型实施例三提供的电子开关电路原理图。

具体实施方式

以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本实用新型实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本实用新型。在其它情况中，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本实用新型的描述。

应当理解，当在本实用新型说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。

还应当理解，在本实用新型说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。

另外，在本实用新型说明书和所附权利要求书的描述中，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本实用新型说明书中描述的参考“一个实施例”或“一些实施例”等意味着在本实用新型的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。由此，在本说明书中的不同之处出现的语句“在一个实施例中”、“在一些实施例中”、“在其他一些实施例中”、“在另外一些实施例中”等不是必然都参考相同的实施例，而是意味着“一个或多个但不是所有的实施例”，除非是以其他方式另外特别强调。术语“包括”、“包含”、“具有”及它们的变形都意味着“包括但不限于”，除非是以其他方式另外特别强调。

为了说明本实用新型的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明。

参见图1，是本实用新型一实施例提供的多功能电子开关，适用于接通或关断负载与带电线路(尤其在大功率下)。图中，P1表示输入电压，P2表示负载。

如图1所示，该多功能电子开关包括：

输入接口，输入接口用于连接输入电压P1；

输出接口，输出接口用于连接负载P2；

MOSFET(即Q2)，MOSFET的输入端(即Q2的引脚2)连接多功能电子开关的输入接口，MOSFET的输出端(即Q2的引脚3)连接多功能电子开关的输出接口；

本实施例中，MOSFET选用N沟道MOS管，该类型MOS管的引脚1为栅极(控制端)，引脚2为漏极(输入端)，引脚3为源极(输出端)。作为其他实施方式，MOSFET还可以选用P沟道MOS管，这时需要适应性调整MOSFET的连接方式，保证各端口的正确连接。

第一电流采集电路，第一电流采集电路串接在多功能电子开关的输入接口与MOSFET的输入端之间；

本实施例中，第一电流采集电路由电阻R1构成；作为其他实施方式，第一电流采集电路还可以采用现有技术中已有的电流采集电路来替换。

第一控制芯片(即U1)，第一控制芯片U1包括10个引脚，其电压感应引脚SENSE(即第1引脚)连接MOSFET的输入端与第一电流采集电路的串联连接点，电源输入引脚VIN(即第2引脚)连接输入接口与第一电流采集电路的串联连接点，接地引脚GND(即第5引脚)接地，输出引脚OUT(即第9引脚)连接MOSFET的输出端，门控信号输出引脚GATE(即第10引脚)连接MOSFET的控制端(即Q2的引脚1)，第10引脚还经稳压二极管D1连接MOSFET的输出端；其中，稳压二极管D1用于限制MOSFET的栅极与源极电压，防止电压过高损坏MOSFET；

功率限制电阻(即R9)，第一控制芯片U1的功率限制引脚PWR(即第7引脚)经功率限制电阻R9接地。其中，功率限制电阻R9用于限制Q2的功率，防止Q2工作时超出其安全工作区域(简称SOA)。

由图1可以看出，本实施例的多功能电子开关还包括第六电容C6，第一控制芯片U1的定时引脚(即第6引脚)经第六电容C6接地。其中，第一控制芯片U1能通过控制第六电容C6的充电时间来限制允许的故障时间，防止一些干扰造成的误触发。

由图1可以看出，本实施例的多功能电子开关还包括由电阻R5、电阻R8和电容C7组成的第一电压采集电路，其中，电阻R5和电阻R8串联，电容C7和电阻R8并联，电容C7为滤波电容，电阻R5和电阻R8的串联连接点为第一电压采集电路的输出端，电阻R5的另一端为第一电压采集电路的输入端。第一电压采集电路的输入端连接多功能电子开关的输入接口，第一电压采集电路的输出端连接第一控制芯片U1的电压输入引脚OVLO(即第4引脚)。

作为其他实施方式，还可以采用现有技术中已有的其他分压电路作为第一电压采集电路。

由图1可以看出，本实施例的多功能电子开关还包括电容C4和电阻R14，第一控制芯片U1的第2引脚还经电容C4接地，第一控制芯片U1的第10引脚经电阻R14连接MOSFET的控制端，电容C4为第一控制芯片U1电源的滤波电容，电阻R14为MOSFET的栅极限流电阻。

由图1可以看出，本实施例的多功能电子开关还包括：处理器接口和第一光耦隔离电路。其中，处理器接口用于连接处理器(例如单片机或其他类型的处理器)，本实施例中处理器为单片机(即MCU)。

第一光耦隔离电路包括第一光耦合器U4，第一控制芯片U1的故障信号输出引脚PGD(即第8引脚)连接第一光耦合器U4的二极管阳极(即U4的第1引脚)，U4的第1引脚还经输入限流电阻R7连接电源VCC，第一光耦合器U4的二极管阴极(即U4的第2引脚)和光敏三极管发射极(即U4的第3引脚)分别接地，第一光耦合器U4的光敏三极管集电极(即U4的第4引脚)经第一上拉电阻R16连接电源VDD，U4的第4引脚与第一上拉电阻R16的连接点连接处理器接口(本实施例中，U4的第4引脚通过处理器接口连接MCU的IO引脚)。

由图1可以看出，本实施例的多功能电子开关还包括输入电压滤波电容C3和瞬变电压抑制二极管(简称TVS管)D2，C3的一端连接多功能电子开关的输入接口，另一端接地，D2与C3并联。其中，C3用于消除输入电压信号上的干扰，D2用于抑制输入电压信号上的浪涌电压。

本实施例的多功能电子开关的工作原理如下：

(1)正常情况下，第一控制芯片U1驱动Q2的栅极，使Q2完全导通，以非常低的功率损失向负载提供电流。

(2)输入侧过流保护：第一控制芯片U1通过采集电阻R1两端的电压来采集流过Q2的电流，如果电阻R1的两端电压大于第一控制芯片U1设定的电压范围，则说明流过Q2的电流过大(即Q2的输入侧过流)，此时，第一控制芯片U1会立即关断Q2，防止过流造成负载设备以及功率器件Q2的损坏，实现输入侧过流保护。

(3)过载保护：第一电流采集电路串接在输入接口与MOSFET的输入端之间，能够采集流过MOSFET的电流，同时，第一控制芯片U1能够实时采集MOSFET的漏源电压，从而第一控制芯片U1能够根据MOSFET的漏源电压和流过MOSFET的电流实时计算出MOSFET的当前工作功率，在MOSFET的当前工作功率超出其安全工作区域时(即过载时)，一方面能够利用功率限制电阻限制MOSFET的功率，另一方面，第一控制芯片能够通过关断MOSFET来保护电子开关在过载时不受损坏，从而实现过载保护功能。

(4)输入侧过压保护：第一电压采集电路将采集的输入电压值经过分压后送入第一控制芯片U1，第一控制芯片U1将输入电压分压值与设定的电压阈值进行比较来判断是否关断Q2，若输入电压分压值大于设定的电压阈值，则第一控制芯片U1关断Q2，从而在输入电压异常(过压)时保护负载设备，实现输入侧过压保护。

(5)故障指示：第一控制芯片U1输出的故障信号通过第一光耦隔离电路反馈给MCU或者其它处理器，起到故障指示的作用。具体地，在正常情况下，第一控制芯片U1的第8引脚为高阻态，使第一光耦合器U4的输入导通，输出由电阻R16上拉到VDD，从而第一光耦合器U4的第4引脚变为低电平；在发生故障时(如过载、输入侧过压、输入侧过流)，第一控制芯片U1的第8引脚为低电平，此时第一光耦合器U4的第4引脚输出高电平；因此，通过检测第一光耦合器U4的第4引脚电平即可知道是否发生过载故障、输入侧过压故障或输入侧过流故障，从而借助第一光耦隔离电路实现了故障信号的隔离输出，实现故障指示功能。

综上所述，本实施例的电子开关具有过载保护功能、输入侧过流保护功能、输入侧过压保护功能和故障指示功能。

本实施例中的开关管采用了场效应管MOSFET，作为其他实施方式，还可以采用IGBT等全控型电力电子开关器件。

参见图2，是本实用新型又一实施例提供的多功能电子开关。P1表示输入电压，P2表示负载。

如图2所示，本实施例的多功能电子开关与上述实施例的区别仅在于：本实施例的多功能电子开关还包括用于采集负载电流的第二电流采集电路，其余均与上述实施例相同，此处不再赘述。

其中，第二电流采集电路包括电流检测芯片U3，电流检测芯片U3串接在MOSFET的输出端与多功能电子开关的输出接口之间，电流检测芯片U3的电压输出端VOUT连接处理器接口(本实施例中，电流检测芯片U3的电压输出端VOUT通过处理器接口连接MCU的ADC引脚)。

本实施例中，第二电流采集电路还包括电容C1、电阻R6和电容C9，其中，电容C1为电流检测芯片U3电源的滤波电容，电阻R6和电容C9串联组成低通滤波电路，电流检测芯片U3的电压输出端VOUT先经该低通滤波电路，再经电阻R6和电容C9的串联连接点连接处理器接口，这样能够借助低通滤波电路消除高频干扰。

与上述实施例相比，本实施例的多功能电子开关可以实现负载电流的实时检测，了解负载电流，灵活限制负载电流的大小；具体为：在Q2的源极与负载(P2)之间增加了一个电流采集电路检测流过负载的电流，并将检测结果反馈给MCU或其它处理器，用于实时获取负载电流，处理器还可以根据采集的实时负载电流对流过负载的电流大小进行灵活控制。

参见图3，是本实用新型又一实施例提供的多功能电子开关。图中，P1表示输入电压，P2表示负载，P3表示温度检测电路输出的电压信号。

如图3所示，本实施例的多功能电子开关与上述实施例相比，增加了以下内容：

第一迟滞比较器U5，第一迟滞比较器U5的正相输入端连接电流检测芯片U3的电压输出端，第一迟滞比较器U5的反相输入端连接第一基准电压，第一迟滞比较器U5的输出端输出负载侧过流信号Current_Control。

具体地，本实施例中，第一迟滞比较器U5的正相输入端经电阻R11连接电阻R6和电容C9的串联连接点，第一迟滞比较器U5的反相输入端连接电阻R12和电阻R15的串联连接点(以此获取第一基准电压)，电阻R12的另一端接电源VDD，电阻R15的另一端接地，第一迟滞比较器U5的V+引脚一方面接电源VDD，一方面经电容C2接地，第一迟滞比较器U5的V-引脚接地，第一迟滞比较器U5的输出端经电阻R3连接第一迟滞比较器U5的正相输入端，第一迟滞比较器U5的输出端还经电阻R4接电源VDD。

过温保护电路，过温保护电路包括温度检测电路(图中未画出)、电压跟随器和第二迟滞比较器U6，温度检测电路的输入端连接设定的温度采集点，温度检测电路的输出端连接电压跟随器的输入端，电压跟随器的输出端连接第二迟滞比较器U6的正相输入端，第二迟滞比较器U6的反相输入端连接第二基准电压，第二迟滞比较器U6的输出端输出过温信号。

具体地，本实施例中，电压跟随器由运算放大器U8组成，运算放大器U8的正相输入端为电压跟随器的输入端，运算放大器U8的正相输入端还经电容C14接地，电阻R30与电容C14并联；运算放大器U8的反相输入端连接运算放大器U8的输出端，运算放大器U8的输出端为电压跟随器的输出端；运算放大器U8的V+引脚一方面接电源VDD，另一方面经电容C10接地，运算放大器U8的V-引脚接地。

第二迟滞比较器U6的正相输入端经电阻R21连接电压跟随器的输出端，第二迟滞比较器U6的反相输入端连接电阻R25和电阻R27的串联连接点(以此获取第二基准电压)，电阻R25的另一端接电源VDD，电阻R27的另一端接地，第二迟滞比较器U6的V+引脚一方面接电源VDD，一方面经电容C8接地，第二迟滞比较器U6的V-引脚接地，第二迟滞比较器U6的输出端经电阻R10连接第二迟滞比较器U6的正相输入端，第二迟滞比较器U6的输出端还经电阻R22接电源VDD。

或门电路U7，或门电路包括3个输入端，或门电路的第一输入端(即U7的引脚3)连接第一迟滞比较器的输出端(用于接收负载侧过流信号Current_Control)，或门电路的第二输入端(即U7的引脚6)连接第二迟滞比较器的输出端(用于接收过温信号)，或门电路的第三输入端(即U7的引脚1)连接处理器接口(用于获取MCU或其他处理器发送的控制信号)；

三极管Q3，或门电路的输出端连接三极管的控制端，三极管的输入端经第二上拉电阻R33连接电源VDD，三极管的输出端接地；

第二光耦隔离电路，第二光耦隔离电路包括第二光耦合器U2，第二光耦合器U2的二极管阳极(即U2的第1引脚)连接三极管的输入端与第二上拉电阻R33的连接点，第二光耦合器U2的二极管阴极(即U2的第2引脚)接地，第二光耦合器U2的光敏三极管发射极(即U2的第3引脚)经电阻R20连接第一控制芯片U1的使能引脚UVLO(即第一控制芯片U1的第3引脚)，第二光耦合器U2的第3引脚还经电阻R17接地，第二光耦合器的光敏三极管集电极(即U2的第4引脚)经第三上拉电阻R13连接电源VCC。

通过将过温信号、负载侧过流信号Current_Control、MCU或其他处理器发送的控制信号输入或门电路，由或门电路的输出信号控制三极管Q3和第二光耦合器U2的导通与关断，生成第一控制芯片U1的使能信号En_Control，实现在出现过温信号、负载侧过流信号、MCU或其它处理器控制信号其中的任何一个时，将结果反馈给第一控制芯片U1，使U1及时将Q2断开，保护负载设备。

能够理解的是，在实际应用中，可以将过温信号、负载侧过流信号和处理器控制信号中的任意一个单独与第一控制芯片U1的第3引脚连接，第一控制芯片U1在接收到过温信号或负载侧过流信号或处理器控制信号时，立即关断Q2，实现过温保护功能或负载侧过流保护功能或处理器发出的其他控制功能。

作为其他实施方式，在保证实现本实施例电子开关功能的基础上，第二电流采集电路、第一迟滞比较器、过温保护电路、第二迟滞比较器的具体电路结构均可以采用现有技术中已有的电路结构。

与上述实施例相比，本实施例的多功能电子开关增加了以下功能：

(1)具备负载侧过流保护功能；电流检测芯片U3采集得到的负载电流大小用电压的形式表示，能够表征负载电流大小的电压值输入第一迟滞比较器U5，U5会将该电压值与第一基准电压进行比较，若该电压值大于第一基准电压，则U5会输出负载侧过流信号到或门电路，经过三极管Q3和第二光耦合器U2后，生成第一控制芯片U1的使能信号，该使能信号会使U1及时将Q2断开，保护负载设备。

(2)具备过温保护功能；增加过温保护电路，将获取的温度采集点的温度信息用电压的形式表示，能够表征温度大小的电压值经电压跟随器输入第二迟滞比较器U6，U6会将该电压值与第二基准电压进行比较，若该电压值大于第二基准电压，则U6会输出过温信号到或门电路，经过三极管Q3和第二光耦合器U2后，生成第一控制芯片U1的使能信号，该使能信号会使U1及时将Q2断开，保护负载设备，同时防止功率器件的损坏。

以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种电子开关，其特征在于，所述电子开关包括：

输入接口，所述输入接口用于连接输入电压；

输出接口，所述输出接口用于连接负载；

开关管，所述开关管的输入端连接所述输入接口，所述开关管的输出端连接所述输出接口；

第一电流采集电路，所述第一电流采集电路串接在所述输入接口与所述开关管的输入端之间；

第一控制芯片，所述第一控制芯片的电压感应引脚连接所述开关管的输入端与所述第一电流采集电路的串联连接点，所述第一控制芯片的电源输入引脚连接所述输入接口与所述第一电流采集电路的串联连接点，所述第一控制芯片的输出引脚连接所述开关管的输出端，所述第一控制芯片的门控信号输出引脚连接所述开关管的控制端，所述门控信号输出引脚还经稳压二极管连接所述开关管的输出端；

功率限制电阻，所述第一控制芯片的功率限制引脚经所述功率限制电阻接地。

2.根据权利要求1所述的电子开关，其特征在于，所述电子开关还包括：

第六电容，所述第一控制芯片的定时引脚经所述第六电容接地。

3.根据权利要求2所述的电子开关，其特征在于，所述电子开关还包括：

第一电压采集电路，所述第一电压采集电路的输入端连接所述输入接口，所述第一电压采集电路的输出端连接所述第一控制芯片的电压输入引脚。

4.根据权利要求3所述的电子开关，其特征在于，所述电子开关还包括：

处理器接口，所述处理器接口用于连接处理器；

第一光耦隔离电路，所述第一光耦隔离电路包括第一光耦合器，所述第一控制芯片的故障信号输出引脚连接所述第一光耦合器的二极管阳极，所述第一光耦合器的二极管阳极还经输入限流电阻连接电源VCC，所述第一光耦合器的二极管阴极和光敏三极管发射极接地，所述第一光耦合器的光敏三极管集电极经第一上拉电阻连接电源VDD，所述第一光耦合器的光敏三极管集电极与第一上拉电阻的连接点连接所述处理器接口。

5.根据权利要求4所述的电子开关，其特征在于，所述电子开关还包括：

第二电流采集电路，所述第二电流采集电路包括电流检测芯片，所述电流检测芯片串接在所述开关管的输出端与所述输出接口之间，所述电流检测芯片的电压输出端连接所述处理器接口。

6.根据权利要求5所述的电子开关，其特征在于，所述电子开关还包括：

第一迟滞比较器，所述第一迟滞比较器的正相输入端连接所述电流检测芯片的电压输出端，所述第一迟滞比较器的反相输入端连接第一基准电压，所述第一迟滞比较器的输出端连接所述第一控制芯片的使能引脚。

7.根据权利要求6所述的电子开关，其特征在于，所述电子开关还包括：

过温保护电路，所述过温保护电路包括温度检测电路、电压跟随器和第二迟滞比较器，所述温度检测电路的输入端连接设定的温度采集点，所述温度检测电路的输出端连接所述电压跟随器的输入端，所述电压跟随器的输出端连接所述第二迟滞比较器的正相输入端，所述第二迟滞比较器的反相输入端连接第二基准电压，所述第二迟滞比较器的输出端连接所述第一控制芯片的使能引脚。

8.根据权利要求7所述的电子开关，其特征在于，所述电子开关还包括：

或门电路，所述或门电路包括3个输入端，所述或门电路的第一输入端连接所述第一迟滞比较器的输出端，所述或门电路的第二输入端连接所述第二迟滞比较器的输出端，所述或门电路的第三输入端连接所述处理器接口；所述或门电路的输出端连接所述第一控制芯片的使能引脚。

9.根据权利要求8所述的电子开关，其特征在于，所述电子开关还包括：

三极管，所述或门电路的输出端连接所述三极管的控制端，所述三极管的输入端经第二上拉电阻连接电源VDD，所述三极管的输出端接地；

第二光耦隔离电路，所述第二光耦隔离电路包括第二光耦合器，所述第二光耦合器的二极管阳极连接所述三极管的输入端与所述第二上拉电阻的连接点，所述第二光耦合器的二极管阴极接地，所述第二光耦合器的光敏三极管发射极连接所述第一控制芯片的使能引脚，所述第二光耦合器的光敏三极管集电极经第三上拉电阻连接电源VCC。

10.根据权利要求1-9任一项所述的电子开关，其特征在于，所述电子开关还包括：

输入电压滤波电容，所述输入电压滤波电容的一端连接所述输入接口，另一端接地；

瞬变电压抑制二极管，所述瞬变电压抑制二极管与所述输入电压滤波电容并联。

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