CN218613495U - 研磨液输送装置及研磨设备 - Google Patents

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Abstract

本实用新型提供了一种研磨液输送装置及研磨设备。所述研磨液输送装置包括多个研磨液输送管；所述装置还包括：固定环，用于固定并分隔多个所述研磨液输送管，并使得相邻两所述研磨液输送管的出口在第一方向上存在间距，从而固定所述研磨液输送管所输送的研磨液的落点。上述技术方案，通过添加固定环，固定并分隔多个所述研磨液输送管，并使得相邻两所述研磨液输送管的出口在第一方向上存在间距，从而固定所述研磨液输送管所输送的研磨液的落点，以提高晶圆抛光质量。

Description

研磨液输送装置及研磨设备
技术领域
本实用新型涉及半导体领域，尤其涉及一种研磨液输送装置及研磨设备。
背景技术
化学机械研磨是在半导体制造中常见的一种工艺。化学机械研磨技术类似于普通金属式样的抛光过程，研磨抛光时，含有研磨颗粒的抛光液(Slurry)或去离子水(DIWater)通过研磨液输送臂(slurry arm)输送到研磨台上的晶圆表面。研磨液输送臂固定于研磨台的上方，通常每条研磨液输送臂能够同时输送3或4条研磨液线路，每条研磨液线路将其中的抛光液或去离子水输送至研磨台上方，随着研磨台带动晶圆的转动而均匀分散。抛光液输送管或去离子水输送管沿研磨液输送臂定位于固定位置，并将其喷洒到晶圆上的预定位置。
请参阅图1，其为研磨设备一实施例的结构示意图。如图1所示，所述研磨设备包括研磨液输送臂11、研磨头12以及研磨台13。晶圆的背面被真空吸附在所述研磨台13上，所述研磨台13在电动马达驱动下也以一定的角速度转动。所述研磨头12在电动马达的带动下以一定的角速度运动，所述研磨头12和研磨台13的转速基本一致，通过所述研磨液输送臂11的传输作用将研磨液以一定的流量传输到所述研磨台13表面，通过所述研磨台13的转动离心力以及所述研磨液输送臂11的摆动作用，把研磨液分布在晶圆表面。
请参阅图2，其为研磨液输送臂一实施例的结构示意图。如图2所示，所述研磨液输送臂包括输送通道21、喷嘴座22、固定在喷嘴座22上的喷嘴23以及抛光液输送管241与去离子水输送管242。所述抛光液输送管241为一个，所述去离子水输送管242为两个，且所述抛光液输送管241的长度小于所述去离子水输送管242。在实际生产中，由于所述抛光液输送管241与所述去离子水输送管242相距很近，且所述抛光液输送管241的长度小于所述去离子水输送管242的长度，所述抛光液流出所述抛光液输送管241时非常容易造成挂壁现象，这会影响抛光液在晶圆表面的落点发生改变，进而影响晶圆抛光质量。
请参阅图3，其为抛光液在晶圆表面的落点不同对晶圆抛光质量影响的示意图。图中，横坐标为硅片半径(单位为毫米)，纵坐标为材料去除率(单位为埃/分钟)。如图3所示，落点不同时，材料去除率也会受到影响，使晶圆抛光质量不可控，影响后续工艺。
因此，如何避免抛光液在晶圆表面的落点发生改变，进而影响晶圆抛光质量，是目前需要解决的问题。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是避免抛光液在晶圆表面的落点发生改变，进而影响晶圆抛光质量，提供一种研磨液输送装置及研磨设备。
为了解决上述问题，本实用新型提供了一种研磨液输送装置，包括多个研磨液输送管；所述装置还包括：固定环，用于固定并分隔多个所述研磨液输送管，并使得相邻两所述研磨液输送管的出口在第一方向上存在间距，从而固定所述研磨液输送管所输送的研磨液的落点。
在一些实施例中，所述间距大于一预设阈值。
在一些实施例中，相邻两所述研磨液输送管的出口方向形成夹角。
在一些实施例中，多个所述研磨液输送管包括：至少一用于输送抛光液的抛光液输送管以及至少一用于输送去离子水的去离子水输送管，其中，所述去离子水输送管在第二方向的长度大于所述抛光液输送管在第二方向的长度，其中，所述第二方向垂直于所述第一方向。
在一些实施例中，所述固定环可沿第二方向在所述研磨液输送管上进行位置调节，从而调节研磨液落点；其中，所述第二方向垂直于所述第一方向。
在一些实施例中，所述固定环为圆柱形，并设有适配所述研磨液输送管的通孔。
在一些实施例中，所述装置还包括至少一挡板，所述挡板自所述固定环向所述研磨液输送管的出口延伸，并位于相邻两所述研磨液输送管之间，以隔离相邻两所述研磨液输送管所输送的研磨液。
在一些实施例中，所述挡板的至少一表面设置有疏水层，以减少液体挂壁现象。
为了解决上述问题，本实用新型还提供了一种研磨设备，所述研磨设备包括本实用新型所述的研磨液输送装置。
上述技术方案，通过添加固定环，固定并分隔多个研磨液输送管，并使得相邻两所述研磨液输送管的出口在第一方向上存在间距，从而固定所述研磨液输送管所输送的研磨液的落点，以提高晶圆抛光质量。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本实用新型。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1所示是研磨设备一实施例的结构示意图。
图2所示为研磨液输送臂一实施例的结构示意图。
图3为抛光液在晶圆表面的落点不同对晶圆抛光质量影响的示意图。
图4所示为本实用新型所述研磨液输送装置的一实施例的结构示意图。
图5所示为图4中A部分的放大结构示意图。
图6所示为本实用新型所述研磨液输送装置的一实施例输送的研磨液在研磨台上的落点示意图。
图7所示为本实用新型所述研磨设备的一实施例的构架示意图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。
为了避免抛光液在晶圆表面的落点发生改变，进而影响晶圆抛光质量，本实用新型提供了一种研磨液输送装置，包括多个研磨液输送管；所述装置还包括：固定环，用于固定并分隔多个所述研磨液输送管，并使得相邻两所述研磨液输送管的出口在第一方向上存在间距，从而固定所述研磨液输送管所输送的研磨液的落点。
上述技术方案，通过添加固定环，固定并分隔多个所述研磨液输送管，并使得相邻两所述研磨液输送管的出口在第一方向上存在间距，从而固定所述研磨液输送管所输送的研磨液的落点，以提高晶圆抛光质量。
请一并参阅图4～图6，其中，图4所示为本实用新型所述研磨液输送装置的一实施例的结构示意图，图5所示为图4中A部分的放大结构示意图，图6所示为本实用新型所述研磨液输送装置的一实施例输送的研磨液在研磨台上的落点示意图。
如图4所示，所述研磨液输送装置包括多个研磨液输送管和固定环40。所述固定环40用于固定并分隔多个所述研磨液输送管，并使得相邻两所述研磨液输送管的出口在第一方向X上存在间距W1。所述研磨液输送管进一步包括至少一用于输送抛光液的抛光液输送管441以及至少一用于输送去离子水的去离子水输送管442。在本实施例中，所述研磨液输送管包括一抛光液输送管441以及两所述去离子水输送管442。其中，所述去离子水输送管442在第二方向Y的长度大于所述抛光液输送管441在第二方向的长度，其中，所述第二方向垂直于所述第一方向。在其他的实施例中，所述抛光液输送管441的数量还可以为2个，并根据抛光液类型和粘稠度的不同选择不同类型的材质和长度；所述去离子水输送管442的数量还可以为3个。在本实施例中，所述第一方向X为水平方向，所述第二方向Y为竖直方向。
作为一实施例，所述间距W1大于一预设阈值，以避免抛光液在所述去离子水输送管442上的挂壁现象，从而固定所述抛光液输送管441所输送的抛光液的落点，进而提高晶圆研磨质量。
此外，相邻两所述研磨液输送管的出口方向形成夹角θ，进一步扩大相邻两所述研磨液输送管的出口的间距，减少抛光液挂壁现象的产生。在本实施例中，相邻两所述研磨液输送管的出口方向的夹角θ为60度。在其他的实施例中，相邻两所述研磨液输送管的出口方向的夹角可根据所述研磨液输送管的数量进行调整，例如，还可以为30度、45度等。
在本实施例中，所述固定环40可沿第二方向Y在所述研磨液输送管上进行位置调节，从而研磨液落点；其中，所述第二方向垂直Y于所述第一方向X。通过调节固定环的位置，从而在实际使用中调节抛光液的落点使其在较优的位置，以保证晶圆的研磨质量。。
如图5所示，作为一实施例，所述固定环40为圆柱形，并设有适配所述研磨液输送管的通孔49。所述研磨液输送管通过所述通孔49穿过所述固定环40，以被所述固定环40固定。在其他实施例中，所述固定环还可以为其它形状柱体。
如图5所示，所述装置还包括至少一挡板45，所述挡板45自所述固定环40向所述研磨液输送管的出口延伸，并位于相邻两所述研磨液输送管之间，以隔离相邻两所述研磨液输送管所输送的研磨液。在本实施例中，对应于三条所述研磨液输送管，所述挡板45为三块，分别位于相邻两所述研磨液输送管之间。具体地，所述挡板45的长度等于或大于所述研磨液输送管的长度，以减少抛光液挂壁于所述去离子水输送管442上的现象。通过设置挡板45，进一步避免挂壁现象的产生，减少对晶圆研磨质量的影响。在其它实施例中，也可以仅在抛光液输送管441与去离子水输送管442相邻侧设置所述挡板45。
作为一实施例，所述挡板45的至少一表面设置有疏水层，以减少液体挂壁现象。当抛光液滴落于挡板45表面时，疏水层的存在使抛光液快速滑落至研磨台表面，减少挂壁带来的影响。在本实施例中，所述挡板45可拆卸清洗，避免抛光液在所述挡板45表面结晶进而影响研磨液质量。
继续参阅图4，在本实施例中，输送研磨液输送装置还进一步包括输送通道41、喷嘴座42以及固定在喷嘴座42上的喷嘴43。所述研磨液输送管通过输送通道41延伸至喷嘴座42下方的出口。所述喷嘴座42固定于所述输送通道41的端部，用于固定所述喷嘴43。所述喷嘴43用于以一定角度向研磨台(未图示)喷射高压水，以清洗所述研磨台，避免研磨液结晶进而影响晶圆研磨质量。
如图6所示，经过改进后的研磨液输送装置，输送的研磨液在研磨台63上的落点60稳定，并能够随研磨台63的转动形成适合研磨头62的轨迹。研磨台63与研磨头62以基本相同的角速度转动，晶圆在研磨头62的转动下完成研磨，得到较为平整的晶圆表面。
基于同一发明构思，本实用新型还提供了一种研磨设备。
请参阅图7，其为本实用新型所述研磨设备的一实施例的构架示意图。如图7所示，所述研磨设备100包括：研磨液输送装置101；其中，所述研磨液输送装置101采用本实用新型图4～图5任一个或多个实施例所示的研磨液输送装置，详见前文描述，此处不再赘述。
在一些实施例中，所述研磨设备100可以为化学机械研磨机，可用于研磨抛光晶圆表面，为晶圆后续工艺提供良好的表面基础。所述研磨液输送装置101将研磨液输送至所述研磨设备100上的晶圆表面，以对晶圆表面进行打磨。
上述技术方案，通过添加固定环，固定并分隔多个研磨液输送管，并使得相邻两所述研磨液输送管的出口在第一方向上存在间距，从而固定所述研磨液输送管所输送的研磨液的落点，以提高晶圆抛光质量。
应注意到，在说明书中对“一实施例”、“实施例”、“示例性实施例”、“一些实施例”等的引用指示所描述的实施例可以包括特定的特征、结构或特性，但是每个实施例可能不一定包括该特定的特征、结构或特性。而且，这样的短语不一定指代相同的实施例。此外，当结合实施例描述特定的特征、结构或特性时，无论是否明确描述，结合其它实施例来实现这样的特征、结构或特性都在相关领域的技术人员的知识范围内。
通常，可以至少部分地从上下文中的用法理解术语。例如，如在本文中所使用的术语“一个或多个”至少部分取决于上下文，可以用于以单数意义描述任何特征、结构或特性，或可以用于以复数意义描述特征、结构或特征的组合。类似地，至少部分取决于上下文，诸如“一”、“某一”或“该”的术语同样可以被理解为表达单数用法或表达复数用法。另外，术语“基于”可以被理解为不一定旨在表达一组排他性的因素，而是可以替代地，同样至少部分地取决于上下文，允许存在不一定明确描述的其它因素。
需要说明的是，本实用新型的文件中涉及的术语“包括”和“具有”以及它们的变形，意图在于覆盖不排他的包含。术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序，除非上下文有明确指示，应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换。另外，在不冲突的情况下，本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。此外，在以上说明中，省略了对公知组件和技术的描述，以避免不必要地混淆本实用新型的概念。上述各个实施例中，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同/相似的部分互相参见即可。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (9)

1.一种研磨液输送装置，包括多个研磨液输送管；其特征在于，所述装置还包括：
固定环，用于固定并分隔多个所述研磨液输送管，并使得相邻两所述研磨液输送管的出口在第一方向上存在间距，从而固定所述研磨液输送管所输送的研磨液的落点。
2.根据权利要求1所述的研磨液输送装置，其特征在于，所述间距大于一预设阈值。
3.根据权利要求1所述的研磨液输送装置，其特征在于，相邻两所述研磨液输送管的出口方向形成夹角。
4.根据权利要求1所述的研磨液输送装置，其特征在于，多个所述研磨液输送管包括：至少一用于输送抛光液的抛光液输送管以及至少一用于输送去离子水的去离子水输送管，其中，所述去离子水输送管在第二方向的长度大于所述抛光液输送管在第二方向的长度，其中，所述第二方向垂直于所述第一方向。
5.根据权利要求1所述的研磨液输送装置，其特征在于，所述固定环可沿第二方向在所述研磨液输送管上进行位置调节，从而调节研磨液落点；其中，所述第二方向垂直于所述第一方向。
6.根据权利要求1所述的研磨液输送装置，其特征在于，所述固定环为圆柱形，并设有适配所述研磨液输送管的通孔。
7.根据权利要求1所述的研磨液输送装置，其特征在于，所述装置还包括至少一挡板，所述挡板自所述固定环向所述研磨液输送管的出口延伸，并位于相邻两所述研磨液输送管之间，以隔离相邻两所述研磨液输送管所输送的研磨液。
8.根据权利要求7所述的研磨液输送装置，其特征在于，所述挡板的至少一表面设置有疏水层，以减少液体挂壁现象。
9.一种研磨设备，其特征在于，包括权利要求1～8任一项所述的研磨液输送装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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CN116000821B (zh) * 2023-03-24 2023-09-22 长鑫存储技术有限公司 喷嘴及化学机械研磨装置

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