CN218580135U - 一种lpcvd炉管结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种LPCVD炉管结构，包括内管和套在所述内管外侧的外管，所述内管的两端和所述外管的两端分别通过密封法兰密封，使所述内管的内管外壁与所述外管的外管内壁之间形成密封腔室；其中，所述密封法兰上穿设有第一通气管道，所述第一通气管道的一端口与所述密封腔室连通，所述第一通气管道的另一端口与氮气供应装置连接，所述氮气供应装置能够通过所述第一通气管道向所述密封腔室提供氮气。本实用新型减少了在双层套管结构的LPCVD炉管结构中硅烷流入到内管外壁与外管内壁之间形成多晶硅薄膜的可能性。
Description
技术领域
本实用新型涉及多晶硅制造技术领域，尤其涉及一种LPCVD炉管结构。
背景技术
目前使用LPCVD工艺来制作多晶硅片时，一般使用双层石英套管作为反应腔室(例如：公开号为CN211595791U所公开的LPCVD炉管结构)。尽管这种双层炉管结构的内管(反应腔)和外管的两端都进行了密封处理，但是在实际运行过程中，通入到内管里的部分硅烷会流入到内管与外管之间，从而在内管外壁和外管内壁上形成一层多晶硅薄膜。在内管外壁和外管内壁上形成上述的多晶硅薄膜后，由于石英和多晶硅的热膨胀系数差异较大，工艺过程中石英炉管容易发生破裂。
实用新型内容
鉴于现有技术存在的不足，本实用新型提供了一种LPCVD炉管结构，包括内管和套在所述内管外侧的外管，所述内管的两端和所述外管的两端分别通过密封法兰密封，使所述内管的内管外壁与所述外管的外管内壁之间形成密封腔室；其中，所述密封法兰上穿设有第一通气管道，所述第一通气管道的一端口与所述密封腔室连通，所述第一通气管道的另一端口与氮气供应装置连接，所述氮气供应装置能够通过所述第一通气管道向所述密封腔室提供氮气。
优选地，所述第一通气管道的位于所述氮气供应装置和所述密封法兰之间的区间上设置有气动阀和针阀，所述气动阀相对于所述针阀靠近所述氮气供应装置。
优选地，所述内管外壁与所述外管内壁之间设置有沿着所述内管的周向排列设置的多个垫块，使所述内管外壁与所述外管内壁之间形成均匀的预设间隔。
优选地，所述密封法兰上穿设有第二通气管道，所述第二通气管道的一端口与所述内管的内腔连通，所述第二通气管道的另一端口与氧气供应装置连接，所述氧气供应装置能够通过所述第二通气管道向所述内管的内腔提供氧气。
优选地，所述密封法兰上穿设有第三通气管道，所述第三通气管道的一端口与所述内管的内腔连通，所述第三通气管道的另一端口与硅烷供应装置连接，所述硅烷供应装置能够通过所述第三通气管道向所述内管的内腔提供硅烷。
优选地，所述外管由石英来制成。
优选地，所述内管由石英或者不锈钢材料来制成。
与现有的双层LPCVD炉管结构相比，在本实用新型的LPCVD炉管结构中，额外设置了能够向内管外壁与外管内壁之间形成的密封腔室里提供氮气，提高该密封腔室的内部气压，从而减少硅烷流入到内管外壁与外管内壁之间的可能性。
附图说明
图1是本实用新型实施例的LPCVD炉管结构的轴向截面图；
图2是本实用新型实施例的LPCVD炉管结构的径向截面图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本实用新型的具体实施方式进行详细说明。这些优选实施方式的示例在附图中进行了例示。附图中所示和根据附图描述的本实用新型的实施方式仅仅是示例性的，并且本实用新型并不限于这些实施方式。
在此，还需要说明的是，为了避免因不必要的细节而模糊了本实用新型，在附图中仅仅示出了与根据本实用新型的方案密切相关的结构和/或处理步骤，而省略了与本实用新型关系不大的其他细节。
针对背景技术中提到的现有技术问题，本实用新型提供了如下具体实施方式。
本实施例的技术思想为，在双层套管结构的LPCVD炉管结构中，位于内管和外管之间的空间里能够填充氮气，从而使在内管和外管之间形成的密封腔室的内部气压大于反应腔室(内管的内腔部分)的内部气压，从而减少硅烷流入到内管外壁与外管内壁之间的可能性。
具体地，如图1和图2所示，本实施例的LPCVD炉管结构包括，内管1和套在所述内管1外侧的外管2。所述内管1的两端和所述外管2的两端分别通过密封法兰3密封，使所述内管1的内管外壁与所述外管2的外管内壁之间形成密封腔室A。较佳地，所述内管外壁与所述外管内壁之间设置有沿着所述内管1的周向排列设置的多个垫块B，使所述内管外壁与所述外管内壁之间形成均匀的预设间隔。
其中，所述密封法兰3上穿设有第一通气管道4，所述第一通气管道4的一端口与所述密封腔室A连通，所述第一通气管道4的另一端口与氮气供应装置5连接。所述氮气供应装置5能够通过所述第一通气管道4向所述密封腔室A提供氮气。
与现有的双层LPCVD炉管结构相比，在本实用新型的LPCVD炉管结构中，额外设置了能够向内管外壁与外管内壁之间形成的密封腔室A里提供氮气，提高该密封腔室A的内部气压，从而减少硅烷流入到内管外壁与外管内壁之间的可能性。
更具体地，所述第一通气管道4的位于所述氮气供应装置5和所述密封法兰3之间的区间上设置有气动阀41和针阀42，所述气动阀41相对于所述针阀42靠近所述氮气供应装置5。在本实施例中通过调节气动阀41和针阀42来调节向所述密封腔室A提供的氮气的量，以此来调节所述密封腔室A的内部气压。
进一步地，所述密封法兰3上穿设有第二通气管道6。所述第二通气管道6的一端口与所述内管1的内腔连通，所述第二通气管道6的另一端口与氧气供应装置7连接。所述氧气供应装置7能够通过所述第二通气管道6向所述内管1的内腔提供氧气。而且，所述密封法兰3上还穿设有第三通气管道8。所述第三通气管道8的一端口与所述内管1的内腔连通，所述第三通气管道8的另一端口与硅烷供应装置9连接。所述硅烷供应装置9能够通过所述第三通气管道8向所述内管1的内腔提供硅烷。
优选地，本实施例的，所述外管2由石英来制成。所述内管1由石英或者不锈钢材料来制成。采用不锈钢材料来制成所述内管1的优点在于，采用不锈钢材料的内管1的导热性相比石英管更优，在工艺过程中内部升温速度较快，有助于提高多晶硅片的均匀性。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (7)
1.一种LPCVD炉管结构，其特征在于，包括内管和套在所述内管外侧的外管，所述内管的两端和所述外管的两端分别通过密封法兰密封，使所述内管的内管外壁与所述外管的外管内壁之间形成密封腔室；其中，所述密封法兰上穿设有第一通气管道，所述第一通气管道的一端口与所述密封腔室连通，所述第一通气管道的另一端口与氮气供应装置连接，所述氮气供应装置能够通过所述第一通气管道向所述密封腔室提供氮气。
2.根据权利要求1所述的LPCVD炉管结构，其特征在于，所述第一通气管道的位于所述氮气供应装置和所述密封法兰之间的区间上设置有气动阀和针阀，所述气动阀相对于所述针阀靠近所述氮气供应装置。
3.根据权利要求1所述的LPCVD炉管结构，其特征在于，所述内管外壁与所述外管内壁之间设置有沿着所述内管的周向排列设置的多个垫块，使所述内管外壁与所述外管内壁之间形成均匀的预设间隔。
4.根据权利要求2所述的LPCVD炉管结构，其特征在于，所述密封法兰上穿设有第二通气管道，所述第二通气管道的一端口与所述内管的内腔连通，所述第二通气管道的另一端口与氧气供应装置连接，所述氧气供应装置能够通过所述第二通气管道向所述内管的内腔提供氧气。
5.根据权利要求4所述的LPCVD炉管结构，其特征在于，所述密封法兰上穿设有第三通气管道，所述第三通气管道的一端口与所述内管的内腔连通，所述第三通气管道的另一端口与硅烷供应装置连接，所述硅烷供应装置能够通过所述第三通气管道向所述内管的内腔提供硅烷。
6.根据权利要求1至5任一所述的LPCVD炉管结构，其特征在于，所述外管由石英来制成。
7.根据权利要求6所述的LPCVD炉管结构，其特征在于，所述内管由石英或者不锈钢材料来制成。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN202222546991.6U CN218580135U (zh) | 2022-09-26 | 2022-09-26 | 一种lpcvd炉管结构 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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| CN218580135U true CN218580135U (zh) | 2023-03-07 |
Family
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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2022
- 2022-09-26 CN CN202222546991.6U patent/CN218580135U/zh active Active
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