CN218549773U - 一种全桥整流的离子发生器 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了一种全桥整流的离子发生器,包括:桥式整流电路、变压器变压电路、发射电路;输入电源与桥式整流电路的交流输入端电性连接,桥式整流电路的直流输出端与变压器变压电路的输入端电性连接,变压器变压电路的输出端与发射电路电性连接。本实用新型采用全波整流后,频率提升一倍;且离子产生率理论上也能提升一倍。

Description

一种全桥整流的离子发生器
技术领域
本实用新型涉及离子发生器技术领域,具体涉及一种全桥整流的离子发生器。
背景技术
现有的正负离子发生器中,在电源接入的一端均为半波整流电路,通过半波整流电路对输入的交流电源进行调整。但现有使用半波整流的正负离子发射电路,其发射频率较低,输出高压并不能稳定的达到理想值,需要较高匝比的变压器,这样的变压器稳定性可靠性不高、制造难度也大,还会影响整个离子发生器电路的稳定性。
发明内容
本实用新型提供了一种全桥整流的离子发生器,以解决现有技术中发射频率较低,输出高压不稳定,整体电路稳定性不高的问题。
本实用新型提供了一种全桥整流的离子发生器,包括:桥式整流电路、变压器变压电路、发射电路;
输入电源与桥式整流电路的交流输入端电性连接,桥式整流电路的直流输出端与变压器变压电路的输入端电性连接,变压器变压电路的输出端与发射电路电性连接。
进一步地,所述发射电路包括正离子发射电路、负离子发射电路;所述变压器变压电路的输出端分别与正离子发射电路、负离子发射电路电性连接。
进一步地,所述桥式整流电路包括:第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻;所述变压器变压电路包括:双向稳压二极管、第一电容、第五电阻、升压变压器;所述发射电路包括:第五二极管、第二电容、第六电阻、第七电阻;
同向串联的第一二极管、第二二极管与同向串联第三二极管、第四二极管之间同向并联;第一二极管与第二二极管之间作为交流电的一输入端,第三二极管与第四二极管之间作为交流电的另一输入端;第一二极管与第三二极管之间作为直流电的正输出端与第一电阻的一端电性连接,第二二极管与第四二极管之间作为直流电的负输出端与第二电阻的一端电性连接;第一电阻另一端分别与升压变压器的初级线圈一脚、双向稳压二极管的一端电性连接;第二电阻的另一端分别与双向稳压二极管的另一端、第一电容的一端、第四电阻的一端电性连接;第四电阻另一端与第三电阻一端电性连接,第三电阻另一端接地;第一电容另一端分别与升压变压器的初级线圈的另一脚、第五电阻的一端电性连接;升压变压器的次级线圈一脚与第五二极管的阴极电性连接,升压变压器的次级线圈另一脚与第二电容一端电性连接;第五二极管的阳极分别与第二电容的另一端、第六电阻的一端电性连接;第六电阻的另一端与第七电阻的一端电性连接;第七电阻另一端与负离子发射针连接。
进一步地,所述发射电路还包括:第六二极管、第三电容、第八电阻、第九电阻;升压变压器的次级线圈一脚与第六二极管的阳极电性连接,升压变压器的次级线圈另一脚与第三电容一端电性连接;第六二极管的阴极分别与第三电容的另一端、第八电阻的一端电性连接;第八电阻的另一端与第九电阻的一端电性连接;第九电阻另一端与正离子发射针连接。
本实用新型的有益效果:
1.原先的交流离子发生器电路只是半波整流,而采用全波整流后,频率提升一倍;且离子产生率理论上也能提升一倍;
2.同等条件下,全波比半波的离子发生器电路的输出高压有效值能增加30-50%,所以采用全波电路后,离子发生器的升压变压器初、次级圈匝比也可以适当降低,这样既保证了升压变压器的可靠性,也可降低变压器的生产难度。
附图说明
通过参考附图会更加清楚的理解本实用新型的特征和优点,附图是示意性的而不应理解为对本实用新型进行任何限制,在附图中:
图1为本实用新型具体实施例发射电路为单一发射电路时的电路示意图;
图2为本实用新型具体实施例发射电路为正负发射电路时的电路示意图。
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
本实用新型实施例提供一种全桥整流的离子发生器,如图1所示,桥式整流电路包括:二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4;变压器变压电路包括:双向稳压二极管Q、电容C1C1、电阻R5、升压变压器TT;发射电路包括负离子发射电路:二极管D5、电容C2、电阻R6、电阻R7;
二极管D1的阴极与二极管D2的阳极电性连接构成同向串联,二极管D3的阴极与二极管D4的阳极电性连接构成同向串联;二极管D1的阳极与二极管D3的阳极电性连接,二极管D2的阴极与二极管D4的阴极电性连接,二极管D1、二极管D2与二极管D3、二极管D4构成同向并联;二极管D1与二极管D2之间作为交流电的一输入端,二极管D3与二极管D4之间作为交流电的另一输入端;二极管D1与二极管D3之间作为直流电的正输出端与电阻R1的一端电性连接,二极管D2与二极管D4之间作为直流电的负输出端与电阻R2的一端电性连接;电阻R1另一端分别与升压变压器T的初级线圈一脚、双向稳压二极管Q的一端电性连接;电阻R2的另一端分别与双向稳压二极管Q的另一端、电容C1的一端、电阻R4的一端电性连接;电阻R4另一端与电阻R3一端电性连接,电阻R3另一端接地;电容C1另一端分别与升压变压器T的初级线圈的另一脚、电阻R5的一端电性连接;升压变压器T的次级线圈一脚与二极管D5的阴极电性连接,升压变压器T的次级线圈另一脚与电容C2一端电性连接;二极管D5的阳极分别与电容C2的另一端、电阻R6的一端电性连接;电阻R6的另一端与电阻R7的一端电性连接;电阻R7另一端与负离子发射针连接。
交流电源通过桥式整流电路后,交流电能全部通过桥式整流电路进入后续电路中,避免了半通桥式整流电路带来的损失。
如图2所示,发射电路还包括正离子发射电路:二极管D6、电容C3、电阻R8、电阻R9;升压变压器T的次级线圈一脚与二极管D6的阳极电性连接,升压变压器T的次级线圈另一脚与电容C3一端电性连接;二极管D6的阴极分别与电容C3的另一端、电阻R8的一端电性连接;电阻R8的另一端与电阻R9的一端电性连接;电阻R9另一端与正离子发射针连接。
桥式整流电路可以选择芯片封装为:S0P4贴片封装,型号为:DB107S或MB10F的芯片。
虽然结合附图描述了本实用新型的实施例,但是本领域技术人员可以在不脱离本实用新型的精神和范围的情况下作出各种修改和变型,这样的修改和变型均落入由所附权利要求所限定的范围之内。

Claims (4)

1.一种全桥整流的离子发生器,其特征在于,包括:桥式整流电路、变压器变压电路、发射电路;
输入电源与桥式整流电路的交流输入端电性连接,桥式整流电路的直流输出端与变压器变压电路的输入端电性连接,变压器变压电路的输出端与发射电路电性连接。
2.如权利要求1所述的全桥整流的离子发生器,其特征在于,所述发射电路包括正离子发射电路、负离子发射电路;所述变压器变压电路的输出端分别与正离子发射电路、负离子发射电路电性连接。
3.如权利要求1或2所述的全桥整流的离子发生器,其特征在于,所述桥式整流电路包括:第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻;所述变压器变压电路包括:双向稳压二极管、第一电容、第五电阻、升压变压器;所述发射电路包括:第五二极管、第二电容、第六电阻、第七电阻;
同向串联的第一二极管、第二二极管与同向串联第三二极管、第四二极管之间同向并联;第一二极管与第二二极管之间作为交流电的一输入端,第三二极管与第四二极管之间作为交流电的另一输入端;第一二极管与第三二极管之间作为直流电的正输出端与第一电阻的一端电性连接,第二二极管与第四二极管之间作为直流电的负输出端与第二电阻的一端电性连接;第一电阻另一端分别与升压变压器的初级线圈一脚、双向稳压二极管的一端电性连接;第二电阻的另一端分别与双向稳压二极管的另一端、第一电容的一端、第四电阻的一端电性连接;第四电阻另一端与第三电阻一端电性连接,第三电阻另一端接地;第一电容另一端分别与升压变压器的初级线圈的另一脚、第五电阻的一端电性连接;升压变压器的次级线圈一脚与第五二极管的阴极电性连接,升压变压器的次级线圈另一脚与第二电容一端电性连接;第五二极管的阳极分别与第二电容的另一端、第六电阻的一端电性连接;第六电阻的另一端与第七电阻的一端电性连接;第七电阻另一端与负离子发射针连接。
4.如权利要求2所述的全桥整流的离子发生器,其特征在于,所述发射电路还包括:第六二极管、第三电容、第八电阻、第九电阻;升压变压器的次级线圈一脚与第六二极管的阳极电性连接,升压变压器的次级线圈另一脚与第三电容一端电性连接;第六二极管的阴极分别与第三电容的另一端、第八电阻的一端电性连接;第八电阻的另一端与第九电阻的一端电性连接;第九电阻另一端与正离子发射针连接。
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