CN106602537B - 一种电压吸收电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种电压吸收电路，包括：所述电压吸收电路包括输入电路、吸收电路以及控制电路，所述吸收电路包括谐振电路和整流电路，所述谐振电路与所述整流电路并联连接；所述输入电路的输入端用于接收输入电压，所述输入电路的输出端同时与所述谐振电路的输入端、所述整流电路的输入端、以及所述控制电路的控制端相连接，所述输入电路用于为所述电压吸收电路提供输入电压；所述谐振电路用于吸收所述整流电路在所述控制电路由截止转为导通时产生的尖峰电压，以及所述谐振电路用于吸收所述控制电路由导通转为截止时产生的尖峰电压。采用本发明，可以无损吸收尖峰电压，提高能量转换效率。
Description
技术领域
本发明涉及电路领域，具体涉及一种电压吸收电路。
背景技术
在电视电源背光驱动电路或者反激电路中，当由金属氧化物半导体场效应晶体(metal oxide semiconductor，MOS)管对电路进行控制时，当MOS关断瞬间时，由于电路中寄生电容的影响，会在整流二极管中产生关断尖峰电压，故需要将该尖峰电压吸收掉。
目前，主要是通过在整流二极管中并联一个电容与电阻，但该电容在吸收尖峰电压的同时，也会将寄生能量消耗掉，降低电源转换效率，不利于改善电磁兼容性(Electromagnetic Interference，EMI)。
发明内容
本发明实施例提供了一种电压吸收电路，以期可以无损吸收尖峰电压，实现能量转换。
本发明实施例第一方面提供一种电压吸收电路，所述电压吸收电路包括输入电路、吸收电路以及控制电路，所述吸收电路包括谐振电路和整流电路，所述谐振电路与所述整流电路并联连接；
所述输入电路的输入端用于接收输入电压，所述输入电路的输出端同时与所述谐振电路的输入端、所述整流电路的输入端、以及所述控制电路的控制端相连接，所述输入电路用于为所述电压吸收电路提供输入电压；
所述控制电路的接地端接地，所述控制电路用于通过在所述控制电路截止时，控制所述整流电路导通，以使所述输入电路的输出电流通过所述整流电路提供给所述电压吸收电路的输出端，在所述控制电路导通时，控制所述整流电路截止，以使所述输入电路的输出电流流入所述控制电路；
所述谐振电路的输出端与所述整流电路的输出端连接，作为所述电压吸收电路的电压输出端，所述谐振电路用于吸收所述整流电路在所述控制电路由截止转为导通时产生的尖峰电压，以及所述谐振电路用于吸收所述控制电路由导通转为截止时产生的尖峰电压。
其中，所述谐振电路包括第一电容、第二电容、第三电容与电感，所述第一电容的第一端与所述输入电路的输出端连接，所述第一电容的第二端与所述电感的第一端连接，作为所述谐振电路的输出端，所述第二电容的第一端与所述输入电路的输出端、以及所述电感的第二端连接，所述第二电容的第二端作为所述谐振电路的输出端，所述第三电容的第一端与所述第二电容的第二端连接，所述第三电容的第二端接地，所述第一电容与所述电感构成第一谐振回路，所述第二电容与所述电感构成第二谐振回路。
其中，所述谐振电路还包括第一二极管，第二二极管以及第三二极管，所述第一二极管的正极与所述第一电容的第一端连接，所述第一二极管的负极与所述第二电容的第一端以及所述第二二极管的正极连接，所述第二二极管的负极与所述电感的第二端连接，所述第三二极管的正极与所述第一电容的第二端连接，所述第三二极管的负极与所述第二电容的第二端连接。
其中，所述整流电路包括第四二极管和第五二极管，所述第四二极管的正极与所述第一电容的第一端连接，所述第四二极管的负极与所述第二电容的第二端连接，所述第五二极管的正极与所述第一电容的第一端连接，所述第五二极管的负极与所述第二电容的第二端连接。
其中，所述控制电路包括控制器和第一MOS管，所述控制器的控制端与所述第一MOS管的栅极连接，所述控制器的电流检测端与所述第一MOS管的源极连接，所述控制器的接地端接地，所述第一MOS管的漏极与所述输入电路的输出端连接。
其中，所述吸收电路还包括第二MOS管以及发光二极管，所述吸收电路的输出端接发光二极管的正极，所述发光二极管的负极接所述第二MOS管的漏极，所述第二MOS管的栅极与所述控制器的PWM控制端连接，所述第二MOS管的源极接地。
其中，所述控制电路包括脉冲宽度调制PWM芯片和第三MOS管，所述PWM芯片的PWM控制端与所述第三MOS管的栅极连接，所述第三MOS管的漏极与所述输入电路的输出端连接，所述第三MOS管的源极接地。
其中，所述吸收电路还包括变压器，所述变压器的第一输入端与所述输入电路的输出端连接，所述变压器的第二输入端与所述第三MOS管的漏极连接，所述变压器的第三输入端与所述PWM芯片的供电端连接，所述变压器的第四输入端接地，所述变压器的第一输出端与所述谐振电路的输入端连接，所述变压器的第二输出端接地。
其中，所述电压吸收电路还包括反馈电路，所述反馈电路的输出端与所述PWM芯片的PWM控制端连接，所述反馈电路的接地端接地。
其中，所述反馈电路包括光耦合器、第一电阻以及第二电阻，所述第一电阻的第一端与所述电压吸收电路的输出端连接，所述第一电阻的第二端与所述第二电阻的第一端、以及所述光耦合器的第一引脚连接，所述第二电阻的第二引脚接地，所述光耦合器的第三引脚接一固定电压，所述光耦合器的第四引脚为所述反馈电路的输出端，与所述PWM芯片的PWM控制端连接。
实施本发明实施例，具有如下有益效果：控制电路利用导通与截止的工作状态对电压吸收电路进行控制，并且在控制电路从截止转为导通状态时，整流电路中由于寄生电容的存在产生尖峰电压，可通过谐振电路对该尖峰电压进行无损吸收，以及控制电路从导通转为截止状态时，控制电路中由于寄生电容的存在产生尖峰电压，也可通过谐振电路对该尖峰电压进行吸收，提高能量转换效率，改善EMI。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的电压吸收电路的第一实施例的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的电压吸收电路的第二实施例的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的电压吸收电路的第三实施例的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的电压吸收电路的第四实施例的结构示意图。
具体实施方式
本发明实施例提供了一种电压吸收电路，以期可以无损吸收尖峰电压，提高能量利用率，改善EMI。
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
本发明的术语“第一”、“第二”和“第三”等是用于区别不同对象，而非用于描述特定顺序。此外，术语“包括”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
首先参见图1，图1是本发明实施例提供的电压吸收电路的第一实施例的结构示意图。其中，如图1所示，本发明第一实施例提供的电压吸收电路包括：
输入电路110、吸收电路120以及控制电路130，所述吸收电路120包括谐振电路121和整流电路122，所述谐振电路121与所述整流电路122并联连接。
其中，所述输入电路110的输入端用于接收输入电压，所述输入电路110的输出端同时与所述谐振电路121的输入端、所述整流电路122的输入端、以及所述控制电路130的控制端相连接，所述输入电路110用于为所述电压吸收电路提供输入电压。
所述控制电路130的接地端接地，所述控制电路130用于通过在所述控制电路130截止时，控制所述整流电路122导通，以使所述输入电路110的输出电流通过所述整流电路122提供给所述电压吸收电路的输出端，在所述控制电路130导通时，控制所述整流电路122截止，以使所述输入电路110的电流流入所述控制电路130；
所述谐振电路121的输出端与所述整流电路122的输出端连接，作为所述电压吸收电路的电压输出端，所述谐振电路121用于吸收所述整流电路122在所述控制电路130由截止转为导通时产生的尖峰电压，以及所述谐振电路121用于吸收所述控制电路130由导通转为截止时产生的尖峰电压。
可选地，在本发明的一个实施例中，该电压吸收电路的电压输出端Vout用于输出电压供外部电路使用，例如，当Vout与发光二极管连接时，用于给发光二极管提供工作电压。
在本发明实施例中，当输入电路110提供输入电流时，电压吸收电路开始工作。控制电路130通过在导通与截止的不同状态来控制电压吸收电路是否输出电压Vout供外部电路使用。当控制电路130在由截止转为导通时，输入电路110的输出电路注入控制电路130，此时整流电路122截止，由于整流电路122的工作状态突然发生改变，在整流电路122中产生寄生电容，导致在整流电路122的两端产生尖峰电压，由于谐振电路121的存在，该尖峰电压可以通过谐振电路121以谐振的方式无损吸收，并在该过程中输出给外部电路使用，提高能量转换效率，也防止了尖峰电压对整流电路122的损害。
当控制电路从导通转为截止时，由于控制电路突然从导通状态转为截止状态，在控制电路中出现寄生电容，导致在控制电路130的控制端产生一尖峰电压，该尖峰电压产生的电流通过谐振电路输出至Vout，从而使该寄生电容的能量能以谐振的方式输出给外部电路使用，提高能量转换效率，改善EMI。
可选地，在本发明的一个实施例中，参见图2，图2是本发明实施例提供的一种电压吸收电路的第二实施例的结构示意图。如图2所示，谐振电路121包括第一电容1211、第二电容1212、第三电容1213与第一电感1214，所述第一电容1211的第一端与所述输入电路110的输出端连接，所述第一电容1211的第二端与所述电感1214的第一端连接，作为所述谐振电路121的输出端，所述第二电容1212的第一端与所述输入电路110的输出端、以及所述电感1214的第二端连接，所述第三电容1213的第一端与所述第二电容1212的第二端连接，所述第三电容1213的第二端接地，所述第二电容1212的第二端作为所述谐振电路121的输出端。
具体地，在本发明实施例中，电路导通后，当控制电路130在由截止转为导通时，输入电路110的输出电路注入控制电路130，此时整流电路122截止，由于整流电路122的工作状态突然发生改变，在整流电路122中产生寄生电容，导致在整流电路122的两端产生尖峰电压，然后该尖峰电压产生的电流可以通过第二电容1212、第一电感1214以及第一电容1211形成串联谐振回路，该串联谐振回路将以谐振的方式无损吸收该尖峰电压，并在该过程中输出给外部电路使用，提高能量转换效率，也防止了尖峰电压对整流电路122的损害。
当控制电路从导通转为截止时，由于控制电路突然从导通状态转为截止状态，在控制电路中出现寄生电容，导致在控制电路130的控制端产生一尖峰电压，该尖峰电压产生的电流通过第一电容1211、第一电感1214以及第二电容1212形成谐振回路输出至Vout，从而使该寄生电容的能量能以谐振的方式供给外部电路使用，提高能量转换效率。
可以看出，本发明实施例提供的技术方案中，当输入电路110的输入端输入电压时，此时该电压吸收电路导通，吸收电路120以及控制电路130工作，控制电路130利用导通与截止的工作状态对电压吸收电路进行控制，并且在控制电路130从截止转为导通状态时，整流电路122中由于寄生电容的存在产生尖峰电压，可通过谐振电路121对该尖峰电压进行无损吸收，以及控制电路130从导通转为截止状态时，控制电路130中由于寄生电容的存在产生尖峰电压，也可通过谐振电路121对该尖峰电压进行吸收，提高能量转换效率。
可选地，在本发明的一些可能的实施方式中，上述电压吸收电路可应用于电源背光电路中，具体地，可参见图3，图3是本发明实施例提供的一种电压吸收电路的第三实施例的结构示意图。其中，上述谐振电路中，第一电容为C1，第二电容为C2，第三电容为C3，第一电感为L1。
可选地，在本发明的一些实施例中，所述谐振电路还包括第一二极管D1，第二二极管D2以及第三二极管D3，所述第一二极管D1的正极与所述第一电容C1的第一端连接，所述第一二极管D2的负极与所述第二电容C2的第一端以及所述第二二极管D2的正极连接，所述第二二极管D2的负极与所述第一电感L1的第二端连接，所述第三二极管D3的正极与所述第一电容C1的第二端连接，所述第三二极管D3的负极与所述第二电容C2的第二端连接。
可选地，在本发明的一些实施例中，所述整流电路122包括第四二极管D4和第五二极管D5，所述第四二极管D4的正极与所述第一电容C1的第一端连接，所述第四二极管D4的负极与所述第二电容C2的第二端连接，所述第五二极管D5的正极与所述第一电容C1的第一端连接，所述第五二极管D5的负极与所述第二电容C2的第二端连接。
可选地，在本发明的一些实施例中，所述控制电路130包括控制器和第一MOS管Q1，所述控制器的控制端与所述第一MOS管Q1的栅极G连接，所述控制器的电流检测端与所述第一MOS管Q1的源极S连接，所述控制器的接地端接地，所述第一MOS管Q1的漏极D与所述输入电路110的输出端连接。
可选地，在本发明的一些实施例中，所述电压吸收电路还包括第二MOS管Q2以及发光二极管D6，所述吸收电路120的输出端接发光二极管D6的正极，所述发光二极管D6的负极接所述第二MOS管Q2的漏极D，所述第二MOS管Q2的栅极G与所述控制器的PWM控制端连接，所述第二MOS管Q2的源极S接地。
在本发明实施例中，通过在电压吸收电路的输出端Vout接第六二极管D6，该第六二极管为一发光二极管，从而实现为电源提供背光。
可选地，在本发明的一些实施例中，所述输入电路110包括第三电容C3、第四电容C4以及第二电感L2，该第三电容C3与第四电容C4并联连接，其中并联连接后的一个公共端接地，另一个公共端与第二电感L2的第一端连接，第二电感L2的第一端还连接输入电路110的输入端Vin，第二电感L2的第二端作为输入电路110的输出端。
可选地，在本发明的一些实施例中，该吸收电路120还包括第五电容C5，该第五电容C5的一端与第二电容C2的第二端连接，该第五电容C5的另一端接地。
可选地，在本发明的一些实施例中，该控制电路130还包括第一电阻R1，该第一电阻R1的一端与第一MOS管Q1的S极连接，该第一电阻R1的另一端接地。
可选地，在本发明的一些实施例中，该电压吸收电路还包括第二电阻R2，该第二电阻R2的一端与第二MOS管Q2的S极连接，该第二电阻R2的另一端接地。
可选地，该第一电感L1可以设置为2微亨-3微亨之间，该第一电感L1可通过在印制电路板上盘旋的走线即可做成，节省成本。
可以看出，在本发明实施例中，当在输入电路110的输入端Vin输入24伏特工作电压时，电路开始工作。当控制器的第一PWM控制端输出的PWM信号为高时，第一MOS管Q1导通，从输入电路110输出的电流给第一MOS管Q1充电，第四二极管D4和第五二极管D5截止。由于当第一MOS管Q1突然从截止到导通状态，第四二极管D4和第五二极管D5里面的电流突然从正向变为反相，使得第四二极管D4和第五二极管D5里面的正向电荷未放完，也即在第四二极管D4和第五二极管D5里出现寄生电容，从而在第四二极管D4和第五二极管D5的两侧产生反相尖峰电压，该尖峰电压过高时，可能导致第四二极管D4和第五二极管D5损坏。由于本发明实施例中吸收电路的存在，此时由于第四二极管D4和第五二极管D5的正极电压高于负极电压，所以使得从第二电容C2、第二二极管D2、第一电感L1以及第一电容C1的串联回路谐振回路导致，将能使第四二极管D4和第五二极管D5的电荷能量以谐振的方式反馈到输入或输出，提高能量利用率，提高背光转换效率，改善EMI。
当控制器的第一PWM控制端输出的PWM信号为低时，第一MOS管Q1截止，输入电路110输出的电流经由第四二极管D4和第五二极管D5给第六二极管D6进行供电。此时由于第一MOS管Q1突然从导通状态变为截止状态，第一MOS管Q1里面的电荷未放完，从而在第一MOS管Q1中产生寄生电容，导致在第一MOS管Q1的D端产生尖峰电压。该尖峰电压产生的电流从第一二极管D1、第二二极管D2、第一电感L1、第三二极管D3以及第五电容C5，而第一电感L1与第五电容C5形成谐振回路，使得第一MOS管Q1中存储的电荷能量以谐振的方式反馈到输入或输出，提高能量利用率，提高背光转换效率。
可选地，在本发明的一些可能的实施方式中，上述电压吸收电路还可应用于电压变换电路中，具体地，可参见图4，图4是本发明实施例提供的一种电压吸收电路的第四实施例的结构示意图。其中，上述谐振电路121中，第一电容为C1，第二电容为C2，第三电容为C3，第一电感为L1。如图4所示：
可选地，在本发明的一些实施例中，所述控制电路130包括脉冲宽度调制PWM芯片和第三MOS管Q3，所述PWM芯片的PWM控制端与所述第三MOS管的栅极连接，所述第三MOS管的漏极与所述输入电路的输出端连接，所述第三MOS管的源极接地。
可选地，在本发明的一些实施例中，所述吸收电路120在本发明实施例二提供的吸收电路的基础上还包括变压器，所述变压器的第一输入端1与所述输入电路110的输出端连接，所述变压器的第二输入端2与所述第三MOS管Q3的漏极连接，所述变压器的第三输入端3与所述PWM芯片的供电端VCC连接，所述变压器的第四输入端4接地，所述变压器的第一输出端5与所述谐振电路121的输入端连接，所述变压器的第二输出端6接地。
所述吸收电路120在本发明实施例二提供的吸收电路的基础还包括第六电容C6，该第六电容的一端与第五电容C5的一端连接，该第六电容C6的另一端接地，该第六电容C6用于对电路进行滤波。
可选地，在本发明的一些实施例中，所述电压吸收电路还包括反馈电路140，所述反馈电路140的输出端与所述PWM芯片的反馈引脚FB连接，所述反馈电路的接地端接地。
可选地，在本发明的一些实施例中，所述反馈电路140包括光耦合器U1、第一电阻R1以及第二电阻R2，所述第一电阻R1的第一端与所述电压吸收电路的输出端连接，所述第一电阻R1的第二端与所述第二电阻R2的第一端、以及所述光耦合器U1的第一引脚1连接，所述第二电阻的第二引脚2接地，所述光耦合器的第三引脚3接一固定电压，所述光耦合器的第四引脚4与所述PWM芯片的PWM控制端连接。
在本发明实施例中，通过光耦合器U1监测输出电压Vout的输出电压的大小，当Vout的值过大时，由光耦合器的第四引脚输出反馈信号至PWM芯片，用于控制PWM芯片的PWM控制端输出的PWM信号的占空比变小，反之，当光耦合器监测到Vout的值过小时，由光藕合器的第四引脚输出反馈信号至PWM芯片，用于控制PWM芯片的控制端输出的PWM信号的占空比变大，而PWM信号通过控制Q3的导通与截止来控制Vout，从而该反馈电路140可实现对输出电压Vout的反馈控制。
可选地，在本发明的一些实施例中，该反馈电路还包括第三电阻R3，第四电阻R4，第五电阻R5、第七电容C7以及第七二极管D7，其中，第七二极管D7的负极接电阻R2的第二端以及第七电容C7的第一端，第七二极管D7的正极接地，第七二极管D7的控制端接第五电阻R5的第一端，第五电阻R5的第二端接地，第七电容C7的另一端接第四电阻R4的一端，第四电阻R4的另一端接第五电阻R5的第一端，以及第三电阻R3的一端，第三电阻R3的另一端接输出电压。
可选地，在本发明的一些实施例中，上述输入电路110还包括第八电容C8和第九电容C9，电阻R9以及第六二极管D6，其中，第八电容C8的一端为输入电路110的输入端，第八电容C8的另一端接地，电阻R9与第九电容C9并联后的一端接输入电路110的输入端，另一端接第六二极管D6的负极，第六二极管D6的正极连接第三MOS管Q3的D极。通过上述电路，实现对输入电路的滤波。
可选地，在本发明的一些实施例中，上述控制电路还包括第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8和第八二极管D8，其中，第六电阻R6连接在第三MOS管Q3的G极和PWM芯片的PWM控制端之间，第八电阻R8连接在第三MOS管Q3的S极与地之间，第八电阻R8的第一端接PWM芯片的供电端，第八电阻R8的另一端连接第八二极管D8的负极，第八二极管D8的正极接变压器的第3引脚。
在本发明实施例中，上述第一电感L1可以利用变压器次级的漏感做成，降低成本。
可以看出，在本发明实施例中，当在输入电路110的输入端Vin输入工作电压时，电路开始工作。当PWM芯片的PWM控制端输出的PWM信号为高时，第三MOS管Q3导通，从输入电路110的第六二极管D6输出的电流给第三MOS管Q3充电，使得变压器的第二输入端2没有输入信号，变压器的第一输出端5不输出电压，第四二极管D4和第五二极管D5截止。由于当第一MOS管Q1突然从截止到导通状态，第四二极管D4和第五二极管D5里面的电流突然从正向变为反相，使得第四二极管D4和第五二极管D5里面的正向电荷未放完，也即在第四二极管D4和第五二极管D5里出现寄生电容，从而在第四二极管D4和第五二极管D5的两侧产生反相尖峰电压，该尖峰电压过高时，可能导致第四二极管D4和第五二极管D5损坏。由于本发明实施例中吸收电路的存在，此时由于第四二极管D4和第五二极管D5的正极电压高于负极电压，所以使得从第二电容C2、第二二极管D2、第一电感L1以及第一电容C1的串联回路谐振回路导致，将能使第四二极管D4和第五二极管D5的电荷能量以谐振的方式反馈到输入或输出，提高能量利用率，提高背光转换效率，改善EMI。
当控制器的第一PWM控制端输出的PWM信号为低时，第三MOS管Q3截止，由于输入电路110的输入电压Vin与变压器的第一输入端1连接，输入电路110的第六二极管的正极与变压器的第二输入端2连接，从而在变压器的第一输出端5产生一电压，使得从变压器的第一输出端5输出的电流经由第四二极管D4和第五二极管D5给第六二极管D6进行供电。此时由于第三MOS管Q3突然从导通状态变为截止状态，第三MOS管Q3里面的电荷未放完，从而在第三MOS管Q3中产生寄生电容，导致在第一MOS管Q3的D端产生尖峰电压。该尖峰电压产生的电流经由变压器从第一二极管D1、第二二极管D2、第一电感L1、第三二极管D3以及第五电容C5，而第一电感L1与第五电容C5形成谐振回路，使得第三MOS管Q3中存储的电荷能量以谐振的方式反馈到输入或输出，提高能量利用率，提高背光转换效率。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的程序可存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，所述的存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体(Read-Only Memory，ROM)或随机存储记忆体(Random AccessMemory，RAM)等。
以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。
Claims (8)
1.一种电压吸收电路，其特征在于，所述电压吸收电路包括输入电路、吸收电路以及控制电路，所述吸收电路包括谐振电路和整流电路，所述谐振电路与所述整流电路并联连接；
所述输入电路的输入端用于接收输入电压，所述输入电路的输出端同时与所述谐振电路的输入端、所述整流电路的输入端、以及所述控制电路的控制端相连接，所述输入电路的输出端、所述谐振电路的输入端、所述整流电路的输入端、以及所述控制电路的控制端相交与同一电性点，所述输入电路用于为所述电压吸收电路提供输入电压；
所述控制电路的接地端接地，所述控制电路用于通过在所述控制电路截止时，控制所述整流电路导通，以使所述输入电路的输出电流通过所述整流电路提供给所述电压吸收电路的输出端，在所述控制电路导通时，控制所述整流电路截止，以使所述输入电路的输出电流流入所述控制电路；
所述谐振电路的输出端与所述整流电路的输出端连接，作为所述电压吸收电路的电压输出端，所述谐振电路用于吸收所述整流电路在所述控制电路由截止转为导通时产生的尖峰电压，以及所述谐振电路用于吸收所述控制电路由导通转为截止时产生的尖峰电压；
所述谐振电路包括第一电容、第二电容、第三电容与电感，所述第一电容的第一端与所述输入电路的输出端连接，所述第三电容的第一端与所述第二电容的第二端连接，所述第三电容的第二端接地，所述第二电容的第二端作为所述谐振电路的输出端；
所述谐振电路还包括第一二极管，第二二极管以及第三二极管，所述第一二极管的正极与所述第一电容的第一端连接，所述第一二极管的负极与所述第二电容的第一端以及所述第二二极管的正极连接，所述第二二极管的负极与所述电感的第二端连接，所述第二电容的第一端经由所述第二二极管与所述电感的第二端连接，所述第三二极管的正极与所述第一电容的第二端以及所述电感的第一端连接，所述第三二极管的负极与所述第二电容的第二端连接。
2.根据权利要求1所述的电压吸收电路，其特征在于，所述整流电路包括第四二极管和第五二极管，所述第四二极管的正极与所述第一电容的第一端连接，所述第四二极管的负极与所述第二电容的第二端连接，所述第五二极管的正极与所述第一电容的第一端连接，所述第五二极管的负极与所述第二电容的第二端连接。
3.根据权利要求2所述的电压吸收电路，其特征在于，所述控制电路包括控制器和第一MOS管，所述控制器的控制端与所述第一MOS管的栅极连接，所述控制器的电流检测端与所述第一MOS管的源极连接，所述控制器的接地端接地，所述第一MOS管的漏极与所述输入电路的输出端连接。
4.根据权利要求3所述的电压吸收电路，其特征在于，所述电压吸收电路还包括第二MOS管以及发光二极管，所述吸收电路的输出端接发光二极管的正极，所述发光二极管的负极接所述第二MOS管的漏极，所述第二MOS管的栅极与所述控制器的PWM控制端连接，所述第二MOS管的源极接地。
5.根据权利要求2所述的电压吸收电路，其特征在于，所述控制电路包括脉冲宽度调制PWM芯片和第三MOS管，所述PWM芯片的PWM控制端与所述第三MOS管的栅极连接，所述第三MOS管的漏极与所述输入电路的输出端连接，所述第三MOS管的源极接地。
6.根据权利要求5所述的电压吸收电路，其特征在于，所述吸收电路还包括变压器，所述变压器的第一输入端与所述输入电路的输出端连接，所述变压器的第二输入端与所述第三MOS管的漏极连接，所述变压器的第三输入端与所述PWM芯片的供电端连接，所述变压器的第四输入端接地，所述变压器的第一输出端与所述谐振电路的输入端连接，所述变压器的第二输出端接地。
7.根据权利要求6所述的电压吸收电路，其特征在于，所述电压吸收电路还包括反馈电路，所述反馈电路的输出端与所述PWM芯片的PWM控制端连接，所述反馈电路的接地端接地。
8.根据权利要求7所述的电压吸收电路，其特征在于，所述反馈电路包括光耦合器、第一电阻以及第二电阻，所述第一电阻的第一端与所述电压吸收电路的输出端连接，所述第一电阻的第二端与所述第二电阻的第一端、以及所述光耦合器的第一引脚连接，所述第二电阻的第二引脚接地，所述光耦合器的第三引脚接一固定电压，所述光耦合器的第四引脚为所述反馈电路的输出端，与所述PWM芯片的PWM控制端连接。
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